JP6633622B2 - 発光モジュール - Google Patents

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Description

関連出願の引用
本出願は、2015年5月1日に出願された、日本国特許出願第2015−094066号、及び2015年5月29日に出願された、日本国特許出願2015−109959号による優先権の利益に基礎をおき、かつ、その利益を求めており、その内容全体が引用によりここに包含される。
本発明の実施形態は、発光モジュールに関する。
近年、エネルギー消費量の削減を目的とする取り組みが重要視されている。このような背景から、消費電力が比較的少ないLED(Light Emitting Diode)が次世代の光源として注目されている。LEDは、小型で発熱量が少なく、応答性もよい。このため、LEDは、屋内用、屋外用、定置用、移動用等の表示装置、表示用ランプ、各種スイッチ類、信号装置、一般照明等の光学装置に幅広く利用されている。
従来、この種のLEDを配線板に実装する際には、ワイヤボンディング法が用いられてきた。しかしながら、ワイヤボンディング法は、LEDチップをフレキシブル基板などの可撓性のある材料に実装するのには適していない。そこで、LEDチップを、ワイヤボンディング法を用いることなく、実装するための技術が種々提案されている。
従来のモジュールでは、LEDチップは、透明電極が形成された1組の透明フィルムの間に配置される。この種のモジュールでは、モジュールの透明性及び可撓性を確保しつつ、LEDチップへ効率よく電力を供給することが必要である。
また、この種のモジュールでは、透明な基板に、透光性を犠牲にすることなく導体パターンを配置する必要がある。しかしながら、基板に複数の導体パターンを設けた場合、導体パターン同士の間の領域の光透過率と、導体パターンが形成された領域の光透過率に差ができてしまう。このため、導体パターンの形状や位置関係によっては、モジュール全体で光透過率にムラができてしまうことがある。特に、複数の導体パターンが、基板上に隙間なく配置されているような場合には、導体パターンの外縁に沿ったラインが目立ってしまい、見た目の透明感も損なわれる。
特開2012−084855号公報
本発明は、上述の事情の下になされたもので、その一つは、モジュールの光透過率を均一化することを課題とする。
上述の課題を達成するために、本実施形態に係る発光モジュールは、例えば、複数のメッシュパターンのうちの相互に隣接する第1メッシュパターンと第2メッシュパターンの境界では、第1メッシュパターンのラインパターンと、第2メッシュパターンのラインパターンとが、相互に隣接した状態で、境界に沿って配列される。
第1の実施形態に係る発光モジュールの斜視図である。 発光モジュールの展開斜視図である。 発光パネルの側面図である。 発光モジュールの平面図である。 発光素子の斜視図である。 メッシュパターンに接続される発光素子を示す図である。 メッシュパターンを拡大して示す図である フレキシブルケーブルの側面図である。 発光パネルとフレキシブルケーブルの接続要領を説明するための図である。 メッシュパターンの製造要領を説明するための図である。 メッシュパターンの製造要領を説明するための図である。 メッシュパターンの製造要領を説明するための図である。 メッシュパターンの製造要領を説明するための図である。 メッシュパターンの製造要領を説明するための図である。 発光パネルの製造要領を説明するための図である。 発光パネルの製造要領を説明するための図である。 メッシュパターンの変形例を示す図である。 メッシュパターンを構成する薄膜導体の線幅とピッチに対応する透過率を表す対応表を示す図(その1)である。 メッシュパターンを構成する薄膜導体の線幅とピッチに対応する透過率を表す対応表を示す図(その2)である メッシュパターンを構成する薄膜導体の線幅とピッチに対応する透過率を表す対応表を示す図(その3)である 第2の実施形態に係る発光モジュールの平面図である。 変形例に係る発光モジュールの平面図である。 変形例に係る発光モジュールの平面図である。 第3の実施形態に係る発光モジュールのメッシュパターンを拡大して示す図である。 メッシュパターンの変形例を示す図である。 メッシュパターンの変形例を示す図である。 メッシュパターンの変形例を示す図である。 第4の実施形態に係る発光モジュールの配線例を示す図である。 発光モジュールの配線例を示す図である。 発光モジュールの配線例を示す図である。 発光モジュールの配線例を示す図である。 発光モジュールの配線例を示す図である。 第5の実施形態に係る発光モジュールのメッシュパターンの例を示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 第6の実施形態に係るメッシュパターンの平面図である。 メッシュパターンの平面図である。 発光素子の斜視図である。 発光パネルの側面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 発光モジュールのメッシュパターンを示す平面図である。 ラインパターンを示す平面図である。 ラインパターンを示す平面図である。 ラインパターンを示す平面図である。 ラインパターンを示す平面図である。
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を用いて説明する。説明には、相互に直交するX軸、Y軸、Z軸からなるXYZ座標系を用いる。
図1は本実施形態に係る発光モジュール10の斜視図である。また、図2は発光モジュール10の展開斜視図である。図1及び図2を参照するとわかるように、発光モジュール10は、発光パネル20、フレキシブルケーブル40、コネクタ50、補強板60を有している。
図3は、発光パネル20の側面図である。図3に示されるように、発光パネル20は、1組の透明フィルム21,22、透明フィルム21,22の間に形成された樹脂層24、樹脂層24の内部に配置された8個の発光素子30〜30を有している。
透明フィルム21,22は、長手方向をX軸方向とする長方形のフィルムである。透明フィルム21は、厚さが50〜300μm程度であり、可視光に対して透過性を有する。透明フィルム21の全光線透過率は、5〜95%程度であることが好ましい。なお、全光線透過率とは、日本工業規格JISK7375:2008に準拠して測定された全光透過率をいう。
透明フィルム21,22は、可撓性を有し、その曲げ弾性率は、0〜320kgf/mm程度(ゼロを含まず)である。なお、曲げ弾性率とは、ISO178(JIS K7171:2008)に準拠する方法で測定された値である。
透明フィルム21,22の素材としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンサクシネート(PES)、アートン(ARTON)、アクリル樹脂などを用いることが考えられる。
上記1組の透明フィルム21,22のうち、透明フィルム21の下面(図3における−Z側の面)には、厚さが0.05μm〜2μm程度の導体層23が形成されている。
図4は、発光モジュール10の平面図である。図3及び図4を参照するとわかるように、導体層23は、透明フィルム21の+Y側外縁に沿って形成されるL字状のメッシュパターン23aと、透明フィルム21の−Y側の外縁に沿って配列される長方形のメッシュパターン23b〜23iからなる。メッシュパターン23a〜23iは、銅(Cu)や銀(Ag)などの金属材料からなる。また、発光モジュール10では、メッシュパターン23a〜23i同士の距離Dは、約100μm以下である。
図3を参照するとわかるように、発光モジュール10では、透明フィルム22の方が、透明フィルム21よりもX軸方向の長さが短い。このため、導体層23を構成するメッシュパターン23aとメッシュパターン23iの+X側端が露出した状態になっている。
樹脂層24は、透明フィルム21,22の間に形成されている。樹脂層24は、可視光に対する透過性を有する。
樹脂層24は、ビカット軟化温度が80℃以上160℃以下の範囲であり、0℃から100℃の間の引張貯蔵弾性率が0.01GPa以上10GPa以下の範囲である。ビカット軟化温度における樹脂層24の引張貯蔵弾性率は0.1MPa以上である。また、樹脂層24の融解温度は180℃以上、もしくはビカット軟化温度よりも40℃以上高いことが好ましい。そして、樹脂層24のガラス転移温度は、−20℃以下であることが好ましい。樹脂層24は、熱可塑性の樹脂、例えば熱可塑性のエラストマーである。樹脂層24に用いられるエラストマーとしては、アクリル系エラストマー、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、エステル系エラストマー、ウレタン系エラストマーなどが考えられる。
発光素子30は、一辺が0.3mm乃至3mmの正方形のLEDチップである。図5に示されるように、発光素子30は、ベース基板31、N型半導体層32、活性層33、P型半導体層34からなる4層構造のLEDチップである。発光素子30の定格電圧は約2.5Vである。
ベース基板31は、サファイア基板又は半導体基板である。ベース基板31の上面には、当該ベース基板31と同形状のN型半導体層32が形成されている。そして、N型半導体層32の上面には、順に、活性層33、P型半導体層34が積層されている。N型半導体層32に積層される活性層33、及びP型半導体層34の、−Y側かつ−X側のコーナー部分には切欠きが形成され、この切欠きからN型半導体層32の表面が露出している。ベース基板31として光学的に透過性を有するものを用いることにより、光は発光素子の上下両面から放射される。
N型半導体層32の、活性層33とP型半導体層34から露出する部分には、N型半導体層32と電気的に接続されるパッド36が形成されている。また、P型半導体層34の+X側かつ+Y側のコーナー部分には、P型半導体層34と電気的に接続されるパッド35が形成されている。パッド35,36は、銅(Cu)、或いは金(Au)からなり、上面には、バンプ37,38が形成されている。バンプ37,38は、金(Au)や金合金などの金属からなる。バンプ37,38として、金属バンプのかわりに、半球状に整形された半田バンプを用いてもよい。発光素子30では、バンプ37が、カソード電極として機能し、バンプ38が、アノード電極として機能する。
上述のように構成される発光素子30は、図6に示されるように、メッシュパターン23a,23bの間に配置され、バンプ37がメッシュパターン23aに接続され、バンプ38がメッシュパターン23bに接続される。
図7は、メッシュパターン23a,23bを拡大して示す図である。図7を参照するとわかるように、メッシュパターン23a,23bは、X軸に平行な複数のラインパターンLXと、Y軸に平行な複数のラインパターンLYからなる。各メッシュパターン23a〜23iには、発光素子30のバンプ37,38が接続される接続パッドPが設けられている。
ラインパターンLX,LYそれぞれの線幅は、約10μmであり、約300μmピッチで形成されている。図7の矢印に示されるように、メッシュパターン23a,23bの境界のうちY軸に平行な境界には、メッシュパターン23aを構成するラインパターンLXの端部が、ラインパターンLX一本おきに突出している。同様に、Y軸に平行なメッシュパターン23a,23bの境界には、メッシュパターン23bを構成するラインパターンLXの端部も、ラインパターンLX一本おきに突出している。このため、メッシュパターン23a,23bの境界では、当該境界に沿って、メッシュパターン23aのラインパターンLXと、メッシュパターン23bのラインパターンLXが交互に配列された状態になっている。
また、メッシュパターン23a,23bの境界のうちX軸に平行な境界には、メッシュパターン23aを構成するラインパターンLYの端部が、ラインパターンLY一本おきに突出している。同様に、X軸に平行なメッシュパターン23a,23bの境界には、メッシュパターン23bを構成するラインパターンLYの端部も、ラインパターンLY一本おきに突出している。このため、メッシュパターン23a,23bの境界では、当該境界に沿って、メッシュパターン23aのラインパターンLYと、メッシュパターン23bのラインパターンLYが交互に配列された状態になっている。
図7に示されるように、発光素子30は、メッシュパターン23a,23bにわたって、境界を横切るように配置されている。そして、メッシュパターン23aに設けられた接続パッドPにバンプ37が接続され、メッシュパターン23bに設けられた接続パッドPにバンプ38が接続されている。
メッシュパターン23c〜23iも、図7に示されるメッシュパターン23a,23bと同様に形成されている。また、他の発光素子30〜30も、発光素子30と同等の構成を有している。
そして、発光素子30が、メッシュパターン23b,23cの間に配置され、バンプ37,38がメッシュパターン23b,23cにそれぞれ接続される。以下同様に、発光素子30は、メッシュパターン23c,23dにわたって配置される。発光素子30は、メッシュパターン23d,23eにわたって配置される。発光素子30は、メッシュパターン23e,23fにわたって配置される。発光素子30は、メッシュパターン23f,23gにわたって配置される。発光素子30は、メッシュパターン23g,23hにわたって配置される。発光素子30は、メッシュパターン23h,23iにわたって配置される。これにより、メッシュパターン23a〜23i、及び発光素子30〜30が直列に接続される。発光パネル20では、発光素子30が、10mm間隔で配置される。
図8は、フレキシブルケーブル40の側面図である。図8に示されるように、フレキシブルケーブル40は、基材41、導体層43、カバーレイ42から構成されている。
基材41は、長手方向をX軸方向とする長方形の部材である。この基材41は、例えばポリイミドからなり、上面に導体層43が形成されている。導体層43は、ポリイミドの上面に張り付けられた銅箔をパターニングすることにより形成される。本実施形態では、導体層43は、図4に示されるように、2つの導体パターン43a,43bからなる。
図8に示されるように、基材41の上面に形成された導体層43は、真空熱圧着されたカバーレイ42によって被覆されている。このカバーレイ42は、基材41よりもX軸方向の長さが短い。このため、導体層43を構成する導体パターン43a,43bの−X側端部は、露出した状態になっている。また、カバーレイ42には、開口部42aが設けられ、この開口部42aからは、導体パターン43a,43bの+X側端部が露出している。
図4及び図9を参照するとわかるように、上述のように構成されたフレキシブルケーブル40は、カバーレイ42から露出する導体パターン43a,43bが、発光パネル20のメッシュパターン23a,23iの+X側端部に接触した状態で、発光パネル20に接着される。
図2に示されるように、コネクタ50は、直方体状の部品である。コネクタ50には、直流電源から引き回されるケーブルが接続される。コネクタ50は、フレキシブルケーブル40の+X側端部上面に実装される。コネクタ50がフレキシブルケーブル40に実装されると、図9に示されるように、コネクタ50の一対の端子50aそれぞれが、カバーレイ42に設けられた開口部42aを介して、導体層43を構成する導体パターン43a,43bに接続される。
図2に示されるように、補強板60は、長手方向をX軸方向とする長方形板状の部材である。補強板60は、例えばエポキシ樹脂やアクリルからなる。この補強板60は、図9に示されるように、フレキシブルケーブル40の下面に張り付けられる。このため、フレキシブルケーブル40は、補強板60の−X側端と発光パネル20の+X側端の間で屈曲させることができる。
次に、上述した発光モジュール10を構成する発光パネル20の製造方法について説明する。まずPETからなる透明フィルム21を用意する。そして、図10に示されるように、透明フィルム21の表明全体に、サブトラクト法又はアディティブ法等を用いて、メッシュ状の導体層23を形成する。そして、この導体層23を、レーザを用いて切断することにより、メッシュパターン23a〜23iを形成する。
導体層23の切断は、透明フィルム21の表面に形成された導体層23にレーザ光を照射する。そして、レーザ光のレーザスポットを、図11に示される点線に沿って移動させる。これにより、導体層23が、点線に沿って切断され、図12に示されるように、メッシュパターン23a〜23iが形成される。
図13は、導体層23を拡大して示す図である。図12に示されるように、レーザスポットを移動させて導体層23を切断する際には、図中の点線に示されるように、レーザスポットを、ラインパターンLX,LYの配列ピッチより小さい振幅でジグザグに移動させる。これにより、隣接するメッシュパターン同士の境界では、一方のメッシュパターンの端部と、他方のメッシュパターンの端部とが、境界に沿って交互に配列した状態になる。
本実施形態では、図13に示されるように、導体層23に接続パッドPがあらかじめ形成されている。接続パッドPは、導体層23が形成されるときに、発光素子30が実装される位置に対応して設けられる。図13に示される点線に沿って、導体層23の表面をレーザ光のレーザスポットが移動すると、レーザスポットの移動経路近傍にあるラインパターンLX,LYの一部が融解して昇華する。これにより、メッシュパターン23a〜23iが切り出されるとともに、電気的に相互に絶縁された1対の接続パッドPが形成される。発光パネル20では、図14の○印に示されるところに1対の接続パッドPが形成される。
次に、図15に示されるように、メッシュパターン23a〜23iが形成された透明フィルム21の表面に熱可塑性樹脂240を設ける。そして、発光素子30〜30を、熱可塑性樹脂240の上に配置する。このとき発光素子30〜30のバンプ37,38の直下に、メッシュパターン23a〜23iに形成された接続パッドPが位置するように、発光素子30〜30が位置決めされる。
次に、図16に示されるように、下面に熱可塑性樹脂240が設けられた透明フィルム22を、透明フィルム21の上面側に配置する。そして、透明フィルム21,22を、真空雰囲気下で加熱・加圧して圧着させる。これにより、まず、発光素子30に形成されたバンプ37,38が、熱可塑性樹脂240を突き抜けて、メッシュパターン23a〜23iに達し、当該メッシュパターン23a〜23iに電気的に接続される。そして、熱可塑性樹脂240が、導体層23及び透明フィルム21,22と発光素子30との間に隙間なく充填される。そして、図3に示されるように、透明フィルム21,22の間で発光素子30を保持する樹脂層24となる。以上の工程を経て、発光パネル20が完成する。
上述のように構成された発光パネル20に、図9に示されるように、補強板60が張り付けられたフレキシブルケーブル40を接続し、このフレキシブルケーブル40に、コネクタ50を実装することで、図1に示される発光モジュール10が完成する。
上述のように構成された発光モジュール10は、コネクタ50を介して、図4に示される導体パターン43a,43bに直流電圧が印加されると、発光パネル20を構成する発光素子30が発光する。発光素子30の定格電圧はおおよそ2.5Vなので、発光モジュール10では、導体パターン43a,43bには、20V程度の電圧が印加される。
以上説明したように、本実施形態に係る発光モジュール10では、図7に示されるように、隣接する1組のメッシュパターンの間の境界に、一方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部と、他方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部とが突出する。そして、一方のメッシュパターンのラインパターンと、他方のメッシュパターンのラインパターンが、境界に沿って、交互に配置される。これにより、メッシュパターン23a〜23i間の隙間(スリット)が直線でなくジグザグ状、換言すれば波状となる。これにより、光透過率が高い部分が分散され、発光モジュール10を構成するメッシュパターンの境界が目立たなくなる。
例えば、一方のメッシュパターンのラインパターンのみが、メッシュパターン同士の境界に突出したり、隣接する双方のメッシュパターンのラインパターンが境界に突出していないような状態のときには、メッシュパターン同士の境界にそって、透過率が高い領域が集中してしまう。この場合は、メッシュパターンの境界が目立ってしまう。しかしながら、本実施形態では、異なるメッシュパターンから伸びるラインパターンの端部が境界にそって交互に配置される。したがって、メッシュパターンの境界が目立ちにくくなる。
本実施形態では、発光素子30が、メッシュパターン23a〜23iによって接続される。これらのメッシュパターン23a〜23iは、線幅が約10μmの金属薄膜から構成される。このため、発光パネル20の透明性及び可撓性を十分に確保することができる。
本実施形態では、1組の透明フィルム21,22のうち、透明フィルム21の上面に、メッシュパターン23a〜23iからなる導体層23が形成されている。このため、本実施形態に係る発光パネル20は、発光素子30の上面及び下面の双方に導体層が形成される発光パネルに比べて薄くなる。その結果、発光パネル20の可撓性と透明度を向上することができる。
なお、本実施形態では、隣接する1組のメッシュパターンの間の境界に、一方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部と、他方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部とが交互に配置される場合について説明した。これに限らず、例えば、一方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部と、他方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部とが境界に沿って、複数本ずつ交互に配置されていてもよい。
例えば、隣接する1組のメッシュパターンの間の境界に、一方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部と、他方のメッシュパターンを構成するラインパターンLX,LYの端部とが、2本ずつ交互に配列されていてもよい。
また、本実施形態では、例えば図13に示されるように、隣接するメッシュパターン同士の境界に突出する、一方のメッシュパターン23aの端部と、他方のメッシュパターン23bの端部が平行である場合について説明した。これに限らず、図17に示されるように、一方のメッシュパターン23aの端部と、他方のメッシュパターン23bの端部は、平行になっていなくてもよい。
上記実施形態では樹脂層24として熱可塑性樹脂を用いたが、熱硬化性樹脂を用いてもよい。また、上記実施形態では、メッシュ状の導体層23を形成してから、導体層23を、レーザを用いて切断することによりメッシュパターン23a〜23iを形成した。これに限らず、ソリッドな導体層を全面に形成してから、導体層のメッシュ加工と、メッシュパターン23a〜23iの切り出し加工を1回のフォトエッチングで同時に行ってもよい。また、1回の印刷プロセスによりメッシュパターン23a〜23iを形成してもよい。
メッシュパターン23a、23iの引出しは、発光パネルの周辺部でメッシュパターンと導体パターンを重ねて接触を得てもよい。また、メッシュパターン23a、23iの端にメッシュ加工しない導体層(ソリッド領域)を残しておきそこに導体パターンを重ねて接触を得てもよい。
また、実施形態では、8個のLEDを直列接続し、その電源線、直列接続配線部をメッシュパターンとしたが、LEDの直列接続を更に並列接続した2次元アレイにしてもよい。
また、上記第1の実施形態では、メッシュパターンを構成する薄膜導体の線幅d1が10μmで、薄膜導体の配列ピッチd2が約300μmである場合について説明した。線幅d1及び配列ピッチd2の値は種々変更することができる。しかしながら、線幅d1は、1μm以上で100μm以下の範囲であり、配列ピッチd2が10μm以上で1000μm以下の範囲であることが好ましい。
図18Aには、メッシュパターンの線幅d1とメッシュパターンの配列ピッチd2とに対応するメッシュパターン(導体層)自体の透過率Pe1を表す対応表が示されている。配列ピッチd1,d2の単位はミクロン(μm)である。発光モジュール10の透過性を確保するためには、図18Aを参照して、例えば透過率Peが75%以上となるように、線幅d1と配列ピッチd2を設定することが考えられる。また、メッシュパターンのシート抵抗を100Ω(100Ω/□)以下とするように線幅d1と配列ピッチd2を設定することが考えられる。
例えば、メッシュパターンの線幅d1が1μmの場合、メッシュパターンの透過率Pe1が75%以上、メッシュパターンのシート抵抗が100Ω以下となるメッシュパターンの配列ピッチd2は10μmである。また、メッシュパターンの線幅d1が5μmの場合、透過率Pe1が75%以上、メッシュパターンのシート抵抗が100Ω以下となるメッシュパターンの配列ピッチd2は50〜300μmである。同様に、メッシュパターンの透過率Pe1が75%以上、メッシュパターンのシート抵抗が100Ω以下となる配列ピッチd2は、d1が10μmの場合、100〜500μm、d1が20μmの場合、200〜500μm、d1が30μmの場合、300〜500μ、d1が50μmの場合、500〜1000μm、d1が100μmの場合、1000μmである。
これにより、発光モジュール10の透過性を確保するとともに、メッシュパターンの抵抗を小さくすることができる。メッシュパターンの線幅と配列ピッチは、上記したd1、d2の範囲から選択すればよい。上記の例ではd2の上限は、銀(Ag)メッシュのシート抵抗等により規定した。
なお、メッシュパターン(導体層)と透明フィルムを一つのユニットとして、透過率を設定するようにしてもよい。厚さ100μmのPETフィルムの透過率はおおよそ91%程度である。この場合には、導体層23と透明フィルム21からなるユニットの透過率Pe2は、図18Aに示される対応表の透過率Pe1に0・91(=91%)を乗じて得られる値とするのがよい。
例えば、図18B及び図18Cに示される対応表の透過率Pe2は、透過率Pe1に0・91(=91%)を乗じた値となっている。導体層23が透明フィルム21に形成される場合には、図18B(Agメッシュ)及び図18C(Cuメッシュ)に示される透過率Pe2が75%以上となるように、メッシュパターンの線幅d1と配列ピッチd2を設定する必要がある。
例えば、導体層23が銀(Ag)からなる場合に、透過率Pe2を75%以上、メッシュパターンのシート抵抗を100Ω(100Ω/□)以下とするには、図18Bに示される対応表の着色されたマトリクスに対応するように線幅d1と配列ピッチd2を設定する必要がある。これにより、発光モジュール10の透過性を確保するとともに、メッシュパターンの抵抗を小さくすることができる。ここで、シート抵抗100Ωは、ほぼ透過率Pe2の90%に対応している。
導体層23が銀からなる場合には、線幅d1が10μmで配列ピッチd2が500μm、或いは線幅d1が5μmで配列ピッチd2が300μmのときに、シート抵抗が50Ω/□以下程度となる。
また、導体層23が銅(Cu)からなる場合に、メッシュパターンのシート抵抗を100Ω(100Ω/□)以下とするには、図18Cに示される対応表の着色されたマトリクスに対応するように線幅d1と配列ピッチd2を設定する必要がある。これにより、発光モジュール10の透過性を確保するとともに、メッシュパターンのシート抵抗を小さくすることができる。なお、図18Cのフレームf1に囲まれた範囲では、メッシュパターンのシート抵抗が100Ω(100Ω/□)以下となるが、配列ピッチd2に対して線幅d1が小さすぎる。このため、この範囲に対応するd1,d2を線幅及び配列ピッチの設定値から除外することとしてもよい。
導体層23が銅からなる場合には、線幅d1が5μmで配列ピッチd2が300μm、或いは線幅d1が10μmで配列ピッチd2が500μmのときに、シート抵抗が10Ω/□以下程度となる。
以上説明したように、メッシュパターンの透過率は75%以上とするのが好ましい。また、メッシュパターンと透明フィルム21をユニットとして考え、その透過率を75%以上とするようにしてもよい。あるいは、メッシュパターンと透明フィルム21、樹脂層24をユニットとして考え、その合計の透過率を60%以上、70%以上、或いは75%以上とするようにしてもよい。更にはメッシュパターンと透明フィルム21、22、樹脂層24をユニットとして考え、その合計の透過率を60%以上、70%以上、或いは75%以上とするようにしてもよい。
メッシュパターンのシート抵抗は100Ω(100Ω/□)以下とするのがよい。メッシュパターンとして銀(Ag)を用いた場合は、シート抵抗として50Ωを切るものを得ることも可能である。このため、メッシュパターンとして、銀又は銀合金等を用いて70Ω/□以下、例えば50Ω/□以下のシート抵抗を容易に実現できる。また、銅(Cu)を用いた場合は、シート抵抗として10Ωを切るものを得ることも可能である。このため、メッシュパターンとして、銅又は銅合金等を用いて30Ω/□以下、例えば10Ω/□以下のシート抵抗を実現できる。
メッシュパターンとしては、銀(Ag)や銅(Cu)の他、これらの合金や化合物を用いてもよい。例えば、銀では、Ag−Cu、Ag−Cu−Sn、塩化銀(Ag−Cl)、銅では、Cu−Cr等が使用できる。
なお、メッシュパターンの線幅d1、メッシュパターンの配列ピッチd2については、線幅d1や配列ピッチd2が大きくなるとメッシュパターンの線が目立つようになる。このため、線幅d1を50μm以下、d2を1000μm以下とするのがよい。好ましくは、線幅d1を20μm以下、配列ピッチd2を500μm以下、より好ましくは線幅d1を15μm以下、配列ピッチd2を300μm以下とするのがよい。一例としては、線幅d1が20μm以下、配列ピッチd2が500μm以下である。
なお、メッシュパターンの膜厚は1〜2μmとした。また、図18Cで示した、線幅d1が1μm、配列ピッチd2が200〜1000μmのものは、細長い形状となり、孤立パターンに近くなる。このためラインパターンが、倒れないよう、より配列ピッチd2が小さなものを用いることが好ましい。信頼性上、好ましい線幅/配列ピッチの比(d1/d2)は0.002以上である。
《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略又は簡略する。本実施形態に係る発光モジュール10Aは、発光素子30が、並列に接続されている点で、第1の実施形態に係る発光モジュール10と相違している。
図19は本実施形態に係る発光モジュール10Aの平面図である。図19に示されるように、発光モジュール10Aは、長手方向をY軸方向とするモジュールである。この発光モジュール10Aは、15個の発光素子30〜3015を光源とする。
図3を参照するとわかるように、発光モジュール10Aは、1組の透明フィルム21,22、透明フィルム21,22の間に形成された樹脂層24、樹脂層24の内部に配置された15個の発光素子30〜3015を有している。
上記1組の透明フィルム21,22のうち、透明フィルム21の下面には、厚さが0.05μm〜10μm程度の導体層23が形成されている。図19に示されるように、導体層23は、複数のメッシュパターン201〜220から構成される。各メッシュパターン201〜220は、銅(Cu)や銀(Ag)などの金属材料からなる。
メッシュパターン201〜220それぞれはL字状に整形されている。透明フィルム21の左側(−X側)の領域では、透明フィルム21の−X側の外縁に沿ってメッシュパターン201が配置されている。そして、当該メッシュパターン201から内側に向かって順番にメッシュパターン202〜209が配置されている。また、透明フィルム21の右側(+X側)の領域では、透明フィルム21の+X側の外縁に沿ってメッシュパターン220が配置されている。そして、当該メッシュパターン201から内側に向かって順番にメッシュパターン219〜210が配置されている。
また、発光モジュール10Aでは、透明フィルム21の中心を通りY軸に平行な中心線CLを挟むにように、メッシュパターン201とメッシュパターン218〜220が対向している。同様に、メッシュパターン202〜204とメッシュパターン217が対向し、メッシュパターン205とメッシュパターン214〜216が対向し、メッシュパターン206〜208とメッシュパターン213が対向し、メッシュパターン209とメッシュパターン210〜212が対向している。
15個の発光素子30〜3015は、中心線CL上に等間隔に配置され、中心線CLを介して相互に対向する1組のメッシュパターンにわたって配置される。このため、メッシュパターン201をコモンパターンとして、発光素子30〜30、及びメッシュパターン218〜220が相互に並列に接続される。以下同様に、メッシュパターン217をコモンパターンとして、発光素子30〜30、及びメッシュパターン202〜204が相互に並列に接続される。メッシュパターン205をコモンパターンとして、発光素子30〜30、及びメッシュパターン214〜216が相互に並列に接続される。メッシュパターン213をコモンパターンとして、発光素子3010〜3012、及びメッシュパターン206〜208が相互に並列に接続される。メッシュパターン209をコモンパターンとして、発光素子3013〜3015、及びメッシュパターン210〜212が相互に並列に接続される。
以上説明したように本実施形態に係る発光モジュール10Aでは、各コモンパターンとしてのメッシュパターン201,205,209,213,217に対して、各発光素子30〜3015が並列に接続されている。このため、コモンパターンを基準として、各発光素子30〜3015に接続されるメッシュパターン202〜204,206〜208,210〜212,214〜216,218〜220それぞれに所定の電圧を印加することで、各発光素子30〜3015を個別に駆動することができる。
なお、上記実施形態では、発光素子30の発光色については言及していないが、例えば、赤色に発光する発光素子30R、青色に発光する発光素子30G、緑色に発光する発光素子30Bなどを実装することで、発光モジュールを種々の色で発光させることができる。
上記実施形態では、等間隔に配置された15個の発光素子30を有する発光モジュール10Aについて説明した。これに限らず、発光素子30R,30G,30Bを、各発光素子30R,30G,30Bからの光が混色する程度に近接配置することで、発光モジュールを中間色発光させることとしてもよい。
図20は、近接配置された発光素子30R,30G,30Bを光源とする発光モジュール10Bを示す図である。図20に示されるように、発光モジュール10Bは、5組の発光素子30R,30G,30Bを有している。各組の発光素子30R,30G,30BはL字状に配置され、発光素子30Rに隣接するように2つの発光素子30G,30Bが配置されている。発光素子30Rと発光素子30Gとの間の距離dと、発光素子30Rと発光素子30Bとの間の距離dは、0.15〜1mm程度である。
発光モジュール10Bでは、赤、青、緑にそれぞれ発光する発光素子30R,30G,30Bが近接配置されている。そして、それぞれの発光素子30R,30G,30Bを個別に発光させることができる。このため、発光素子30R,30G,30Bを個別に駆動させることで、発光モジュール10を赤、青、緑や白色、中間色に発光させることができる。
また、本実施形態では、図19及び図20に示されるように、発光モジュール10が、L字状のメッシュパターン201〜220を有している場合について説明した。メッシュパターンの形状は、これに限られるものではなく、任意に決定することができる。例えば、図21に示されるように、発光モジュール10のすべての発光素子30R,30G,30Bに接続されるコモンパターンとしてのメッシュパターン221と、長方形状のメッシュパターン222〜224と、複数の箇所で屈曲するメッシュパターン225〜230から、導体層23が構成されていてもよい。
《第3の実施形態》
図22A〜22Dは、接続パッドPとメッシュパターンとの接続例である。第1の実施形態、第2の実施形態のいずれにも用いることができる。
図22Aは、接続パッドPとメッシュパターンが1本のラインパターンで接続している例を示す。図22B,図22Cは、高密度のRGB発光モジュールの例で、接続パッドPが2本のラインパターンと接続している例である。図22Bは、一例として発光モジュールの周辺のメッシュパターンを示す図である。図22Cは、一例として発光モジュールの中間部のメッシュパターンを示す図である。図22Dは接続パッドPとメッシュパターンの他の接続例である。
図22B〜図22Dでは、既存のラインパターンLX,LY以外に、ラインパターンLX,LYと接続パッドPとを接続する追加のラインパターンLPが形成されている。
接続パッドPとメッシュパターンの接続では、接続パッドPに直接接続されるラインパターンの数が2本以上になるように、ラインパターンLPを設けるのが好ましい。追加のラインパターンLPを設けることにより、メッシュパターンの強度の向上を図ることが出来る。またゴミ等に起因するプロセス不良によるパターン欠損に対する信頼性が高まる。
また、接続パッドPに複数本のラインパターンを接続することで、ラインパターンLX,LYそれぞれに流れる電流を小さくすることができる。このため、過電流によるラインパターンLX,LYの断線などを防止することができる。したがって、万が一、複数本のラインパターンLX,LYのうちのいずれかが断線したとしても、健全なラインパターンを介して、接続パッドPに実装される発光素子30へ電力を供給し続けることができる。このように、補強パターンとして追加のラインパターンLPを設けることができる。
《第4の実施形態》
複数の発光素子を備える発光モジュールにおいては、1層の配線層を用いて電源ラインを引き回すことに限界が生じる場合がある。図23A〜図24Bは発光モジュールの配線を多層配線にしたときの発光モジュールの例を示す図である。
光透過型の発光モジュールを多層化する場合、メッシュパターンを多層化して、それぞれの層を下層配線や、上層配線として使用することが考えられる。
図23A〜図23Cは、表裏面にメッシュパターン301,302が形成された透明フィルム21(PETフィルム)を有する発光モジュールを説明するための図である。発光素子は、透明フィルム21の表裏面に実装することができる。図23Aは透明フィルム21の平面図である。図23Bは透明フィルム21の断面図である。図23Cは、透明フィルム21が積層されることにより形成される発光モジュールを示す図である。この発光モジュールは、2つの透明フィルム21が、1組の透明フィルム303の間に配置される。透明フィルム21同士は、接着層305を介して積層される。
図23Aに示されるように、透明フィルム21に形成されたメッシュパターン301,302は、実線、破線でそれぞれ示される。メッシュパターン301,302のラインパターンは、互いに1/2ピッチオフセットしている。また、メッシュパターン301,302が重なる箇所には接続部306が設けられる。接続部306は、透明フィルム21にスル―ホールを設け、このスル―ホールに、導電性ペーストを充填したり、めっき等を施すことにより形成することができる。メッシュパターン301,302は、接続部306によって、電気的に接続される。
第1乃至第3の実施形態と同様、透明フィルム21のメッシュパターン301,302のうちの一方のメッシュパターンに、LEDなどの発光素子が接続される。透明フィルム同士の間に空間が形成される場合には、当該空間に樹脂が充填される。図23Aの黒丸は、接続部306、或いはメッシュパターン301,302同士の接続可能部を示している。上下のメッシュパターン301,302は、夫々所望の配線形状に加工されている。なお、透明フィルム21の表裏両面のメッシュパターン301、302に、LEDなどの発光素子を別々に接続してもよい。即ち、表裏一方のメッシュパターン301に第1の発光素子を接続し、表裏他方のメッシュパターン302に第2の発光素子を接続してもよい。
図24Aは、メッシュパターン301が形成される透明フィルム21(PETフィルム)と、メッシュパターン302が形成される透明フィルム22(PETフィルム)を示す断面図である。メッシュパターン301,302は、透明フィルム21,22それぞれの対向面に形成される。
図23Aを参照するとわかるように、メッシュパターン301,302は実線、破線でそれぞれ示される。メッシュパターン301,302のラインパターンは、互いに1/2ピッチオフセットしている。また、メッシュパターン301,302が重なる箇所に、メッシュパターン301,302を接続するための接続部306が設けられている。
第1乃至第3の実施形態と同様、透明フィルム21、22のメッシュパターン301,302には、発光素子が接続される。また、透明フィルム21,22の間の空間には樹脂が充填される。メッシュパターン301,302の接続は、0Ω抵抗、ダミーチップ等を用いて行われる。なお、メッシュパターン301,302を、透明フィルム21,22の間の空間から引き出した後に、メッシュパターン301,302同士を接続することとしてもよい。また、LEDなどの発光素子は、メッシュパターン301、302の一方に接続される。しかし、所望により、メッシュパターン301、302の両方にLEDなどの発光素子を別々に接続してもよい。即ち、メッシュパターン301に第1の発光素子、メッシュパターン302に第2の発光素子を接続してもよい。
この例の場合の発光素子としては、第1乃至第3の実施形態で説明した片面2電極タイプの発光素子の他、両面に電極を有する両面電極タイプの発光素子を用いることもできる。両面電極タイプの発光素子を用いる場合には、一方の電極がメッシュパターン301に接続され、他方の電極がメッシュパターン302に接続される。
多層配線の導体層の一方をメッシュパターン、他方をITO等の透明導電膜で構成することもできる。また、多層配線部分を発光モジュールの周辺部のみに設けたり、発光素子が接続されるメッシュパターン等の下地配線パターン自体を多層配線構造にすることも可能である。
《第5の実施形態》
図25A〜図25Fは、メッシュパターンの他の例を示す図である。図25Aは、ラインパターンが45°傾斜したメッシュパターンMP1を示している。図25Bは、ラインパターンを曲線にしたメッシュパターンMP2を示している。図25Cは、ラインパターンが円を形成するメッシュパターンMP3を示している。図25D,図25E,及び図25Fは、ラインパターンが多角形を形成するメッシュパターンMP4,MP5,MP6を示している。
第1乃至第4の実施形態に係る発光モジュールは、表示、装飾、照明などに用いることが出来るが、発光モジュールが有するメッシュパターンに近接してストライプやメッシュ等のグリッドパターンが存在する場合、両者の間にモアレが生じる場合がある。以降説明の便宜上、透過率の高い部分と低い部分からなるメッシュパターンやグリッドパターンなどを、便宜的にグリッドパターンと称する。
例えば、第1乃至第4の実施形態の発光モジュールを、液晶表示装置のバックライトとして、液晶ディスプレイと密着させて使用する場合、相手方の画素アレイとの間のピッチのずれがモアレの原因となることがある。図25Aに示されるメッシュパターンMP1は、対象物のストライプやメッシュ等のグリッドパターンに対して発光モジュール側のラインパターンを45°傾斜させたものである。メッシュパターンMP1は、例えば、正方形や長方形の発光パネルの辺に対して45度傾斜した状態で形成されている。このように、液晶ディスプレイなどの対象物に対して、メッシュパターンMP1のラインパターンを傾斜させることで、モアレの発生を防止することができる。
図25Bに示されるラインパターンを曲線にしたメッシュパターンMP2や、図25Cに示されるラインパターンが円を形成するメッシュパターンMP3も、ラインパターンと対象物のグリッドパターンとが直線的に交差することがないのでモアレを防止する効果がある。また、図25D,図25E,図26Fに、それぞれ示されるラインパターンが多角形(正方形を除く)を構成するメッシュパターンMP4,MP5,MP6も、ラインパターンに斜め成分が生じるので、モアレを防止する効果がある。
以上、メッシュパターンについて、発光モジュールを、液晶表示装置のバックライトとして適用する例を用いて説明したが、第4の実施形態のように、発光モジュール内に上下2つのメッシュパターンが存在する場合にも、図25A〜図25Fに係るメッシュパターンを用いることができる。
図25Aに示されるメッシュパターンを用いる場合には、上下2つのメッシュパターンのうち、一方のメッシュパターンのラインパターンを、他方のメッシュパターンのラインパターンに対して45°傾斜させればよい。図25B〜図25Fに示されるメッシュパターンを用いる場合には、例えば一方のメッシュパターンを正四角形からなるパターンにし、他方のメッシュパターンを図25B〜図25Fに示されるメッシュパターンのいずれかにするなど、適宜組み合わせて適用すればよい。図25B〜図25Fに示されるメッシュパターン同士を組み合わせることも可能である。
《第6の実施形態》
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、発光素子30が中心線CL上に配置されている場合について説明した。これに限らず、例えば図26に示されるように、曲線L1上に配置されていてもよい。図26は、円錐の一部を平面に展開したものである。この発光モジュールは仕上がり状態(組み立てた状態)が曲面を為し、発光素子は円錐の周囲に一直線に並ぶ。
この場合には、導体層23を構成するメッシュパターン231〜238を、曲線L1に直交する一対の外縁を有する扇状に形成することが考えられる。メッシュパターン231〜238を、扇状にすることで、各メッシュパターン231〜238の大きさや形状を均一化することができる。これにより、各メッシュパターン231〜238の電流密度が一定になり、ラインパターンLX,LYの発熱や断線の発生頻度を低減することができる。
また、導体層23を構成するメッシュパターン231〜238の形状は扇状ではなく、例えば、図27に示されるように、相互に平行な外縁を有する短冊状であってもよい。この場合には、メッシュパターン231〜238の形状や大きさは、導体層23の形状に依存して相互に異なることにもなり得る。しかしながら、メッシュパターン231〜238の外縁が相互に平行になっているため、発光素子30の角度を変えることなく、当該発光素子30をメッシュパターン231〜238へ接続することができる。したがって、マウンタなどを使用して発光素子30を実装する場合には、メッシュパターン231〜238に対する発光素子30の位置決めが容易になる。
図26、図27では導体層23をメッシュパターンにより構成した。しかしメッシュパターンに限らず導体層23をITOなどの透明導電膜で構成する場合にも適用できる。なお、メッシュパターンやITOのパターン間におけるスリットは、直線状としてもよいし、第1の実施形態で例示したジグザグ形状としてもよい。
《第7の実施形態》
上記実施形態では、発光素子として片面2電極タイプのものを用いたが、一例として図28に示される両面電極タイプの発光素子1も適宜使用可能である。発光素子1は、一辺が0.3mm乃至3mmの正方形のLEDチップである。図28に示されるように、発光素子1は、基材7と、基材7の上面に積層されるP型半導体層4、発光層(PN接合界面やダブルヘテロ接合構造、或いは多重量子井戸構造の発光部位)5、及びN型半導体層6を有している。なお、P型半導体層4とN型半導体層6の位置は逆であってもよい。また、P型半導体層4の上面にはパッド2が設けられ、基材7の下面にはパッド3が設けられている。そして、パッド2にはバンプ8が設けられている。
図29は、発光素子1を備える発光パネル20Aの側面図である。発光パネル20Aでは、透明フィルム21,22の双方に導体層23,23が形成される。例えば、導体層23には接続パッドPを介してバンプ8が接続され、導体層23には、パッド3が接続される。
図30Aには、導体層23を構成するメッシュパターンMP8と、導体層23を構成するメッシュパターンMP7が示されている。図30Aに示されるように、メッシュパターンMP7のラインパターンと、メッシュパターンMP8のラインパターンは、相互に45度の角度をなす。このため、メッシュパターンMP7とメッシュパターンMP8との間でのモアレの発生が抑制される。
導体層23のメッシュパターンと導体層23のメッシュパターンとの組み合わせは、種々の組み合わせが考えられる。例えば、図30Bに示されるメッシュパターンMP9のように、導体層23を構成するメッシュパターンを、そのラインパターンが多角形を構成するメッシュパターンとしてもよい。また、例えば、図30Cに示されるメッシュパターンMP11のように、導体層23に、ラインパターンが多角形を構成するメッシュパターンを形成し、導体層23にメッシュパターンMP10のようにラインパターンが曲線となるメッシュパターンを形成してもよい。このような場合にも、導体層23,23それぞれのメッシュパターンの間でのモアレの発生を抑制することができる。
以上、第1の実施形態1乃至第7の実施形態について詳述した。実施形態では、図11、図12を用いてで述べたように、導体層23を、レーザを用いて切断することにより、メッシュパターン23a〜23iを形成する場合について主に説明した。しかしこれに限らず、メッシュパターン23a〜23iをフォトリソグラフィーやインクジェット塗布、スクリーン印刷、グラビア印刷によって形成することとしてもよい。
上記実施形態では、図15及び図16で述べたように、樹脂層24が熱可塑性樹脂240からなる場合について説明した。しかし、これに限らず、樹脂層24は、熱硬化性を有する樹脂、或いはこれらの組み合わせから構成されていてもよい。発光素子の背面と透明フィルムの間には樹脂層を残しても残さなくてもよい。
上記実施形態では、メッシュパターンが銅或いは銀からなるものとした。しかしこれに限らず、メッシュパターンは、金(Au)、白金(Pt)などの金属で構成されていてもよい。
上記実施形態では、接続パッドPは主にメッシュパターンの幅広部として形成した。接続パッドPは一般にはメッシュパターンの幅広延在部であるが、格子の交点に幅広部を設けて接続パッドとしたり、格子を埋めて接続パッドとしたり、LEDチップ周辺のメッシュを太くして格子上でLEDと接続するものも概念に含まれる。また、通常の格子の辺や交点で接続するようにするものでも実施形態は許容する。また、接続パッドをメッシュパターンと別層の金属層により構成することも許容されるものである。
上記実施形態にかかるメッシュパターンを構成するラインパターンのピッチが、等ピッチになっていない場合には、発光パネルの透明度にムラができることが考えられる。例えば、図31A,図31Bに示されるように、メッシュパターンMPCに隣接する2つのメッシュパターンMP12,MP13同士の距離が、各メッシュパターンを構成するラインパターンのピッチより小さい場合には、メッシュパターンMP12とメッシュパターンMP13の境界で透明度が低下する。このような場合には、図31A,及び図31Bに示されるように、メッシュパターンMP12,MP13のラインパターンを部分的に間引くことで、発光パネルの透明度のムラを抑制することができる。
図31A、図31Bに示したメッシュパターンは、メッシュパターン間の隙間を目立たなくする上でも有効である。図31Cは、2次元のメッシュパターンから1本のラインパターンを取り除いて、電気的に分離された左右2つのメッシュパターンMP12、MP13が作られた場合を示す。そして、図31Dは、対向辺を有する2つのメッシュパターンMP12、MP13が近接して設けられた場合を示す。先述した図31A、図31Bに示される構造は、図31Dに示したような近接したメッシュパターンMP12,MP13間の隙間を目立たなくする上で有効である。メッシュパターン間の上下方向の隙間は、先述したジグザグ状のスリットとしたり、対向するラインパターンを部分的に間引いたり、あるいはこれらを組み合わせることができる。
以上、本発明の第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、第5の実施形態、第6の実施形態、第7の実施形態について説明した。これら第1乃至第7の実施形態は、相互に組み合わせ可能であることは勿論である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施しうるものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 発光素子
2,3 パッド
4 P型半導体層
5 発光層
6 N型半導体層
7 基材
8 バンプ
10,10A,10B 発光モジュール
20,20A 発光パネル
21,22,303 透明フィルム
23 導体層
23a〜23i,201〜238,MP1〜MP13,MPC メッシュパターン
24 樹脂層
30,30R,30G,30B 発光素子
31 ベース基板
32 N型半導体層
33 活性層
34 P型半導体層
35,36 パッド
37,38 バンプ
40 フレキシブルケーブル
41 基材
42 カバーレイ
42a 開口部
43 導体層
43a,43b 導体パターン
50 コネクタ
50a 端子
60 補強板
240 熱可塑性樹脂
305 接着層
306 接続部
LP,LX,LY ラインパターン
P 接続パッド

Claims (28)

  1. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    複数の前記導体パターンのうちの相互に隣接する第1導体パターンと第2導体パターンの境界では、前記第1導体パターンの前記ラインパターンと、前記第2導体パターンの前記ラインパターンとが、交互に配列されている発光モジュール。
  2. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、
    前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンと、
    前記発光素子が接続される接続パッドと、を有し、
    前記接続パッドと前記導体パターンは複数本のラインパターンにより接続される発光モジュール。
  3. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    ある導体パターンと、高さの異なる配線層とにより多層配線が形成される発光モジュール。
  4. 前記導体パターンは、前記発光素子の陽極又は陰極が接続されるパッドを有し、
    前記パッドには、2本以上の前記ラインパターンが接続される請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  5. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    複数の前記導体パターンのうちの相互に隣接する第1導体パターンと第2導体パターンの境界では、前記第1導体パターンの前記ラインパターンと、前記第2導体パターンの前記ラインパターンとが、相互に隣接した状態で、境界に沿って配列され、
    前記発光素子の陽極又は陰極が接続され、2本以上の前記ラインパターンが接続されるパッドを有する発光モジュール。
  6. 前記第1絶縁フィルムに対向して配置される第2絶縁フィルムを有する請求項乃至のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  7. 前記第2絶縁フィルムに形成され、複数のラインパターンからなるメッシュパターンを含み、
    前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンは、前記メッシュパターンの前記ラインパターンと交差する請求項に記載の発光モジュール。
  8. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    前記第1絶縁フィルムに形成される複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    前記第1絶縁フィルムに対向して配置される第2絶縁フィルムと、
    前記第2絶縁フィルムに形成され、複数のラインパターンからなるメッシュパターンと、
    を備え、
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    複数の前記導体パターンのうちの相互に隣接する第1導体パターンと第2導体パターンの境界では、前記第1導体パターンの前記ラインパターンと、前記第2導体パターンの前記ラインパターンとが、相互に隣接した状態で、境界に沿って配列され、
    前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンは、前記メッシュパターンの前記ラインパターンと交差する
    発光モジュール。
  9. 前記メッシュパターンの前記ラインパターンは曲線を含む請求項7又は8に記載の発光モジュール。
  10. 前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンの少なくとも一方は曲線である請求項7乃至9のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  11. 前記発光素子を制御する制御回路に接続され、
    前記発光素子同士は、前記制御回路に、相互に並列になるように接続される請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  12. 前記発光素子それぞれは、陽極と陰極のうちの一方が、共通の前記導体パターンに接続される請求項11に記載の発光モジュール。
  13. 前記発光素子は所定の曲線上に配置され、前記導体パターンは、前記曲線に直交する1組の直線によって規定される扇状である請求項1乃至12のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  14. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記発光素子は所定の曲線上に配置され、前記導体パターンは、前記曲線に直交する1組の直線によって規定される扇状である発光モジュール。
  15. 前記発光素子は所定の曲線上に配置され、前記導体パターンそれぞれは、前記曲線に交差する所定の直線に平行な辺を介して隣接する請求項1乃至12のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  16. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記発光素子は所定の曲線上に配置され、前記導体パターンそれぞれは、前記曲線に交差する所定の直線に平行な辺を介して隣接する発光モジュール。
  17. 前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、
    前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンと、
    前記発光素子が接続される接続パッドと、を有し、
    前記接続パッドと前記導体パターンは複数本のラインパターンにより接続される請求項1及び3乃至16のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  18. 前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    前記ラインパターンは、曲線又は多角形を構成する請求項1乃至17のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  19. 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
    複数の導体パターンと、
    複数の前記導体パターンのうちのいずれか2つの前記導体パターンに接続される発光素子と、
    前記第1絶縁フィルムに対して、前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    前記ラインパターンは、曲線又は多角形を構成する発光モジュール。
  20. 前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    ある導体パターンと、高さの異なる配線層とにより多層配線が形成される請求項1,2,及び4乃至18のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  21. 前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    前記導体パターン又は前記導体パターンと前記第1絶縁フィルムとのユニットの透過率が75%以上であり、且つ前記導体パターンのシート抵抗が100Ω以下である請求項1乃至20のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  22. 前記導体パターンのシート抵抗が70Ω以下である請求項1乃至21のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  23. 前記導体パターンのシート抵抗が30Ω以下である請求項1乃至21のいずれか一項に記載の発光モジュール
  24. 前記ラインパターンの線幅が20μm以下である請求項1乃至21のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  25. 前記ラインパターンの配列ピッチが500μm以下である請求項1乃至21のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  26. 前記導体パターンは扇状又は所定の直線に並行な辺で構成され、
    表面が曲面に形成された請求項1乃至25のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  27. 前記導体パターンは、
    前記第1絶縁フィルムに形成され、相互に平行な複数の第1ラインパターンと、前記第1ラインパターンに交差し、相互に平行な複数の第2ラインパターンとを含み、
    複数の前記導体パターンのうちの相互に隣接する第1導体パターンと第2導体パターンの境界では、前記第1導体パターンの前記ラインパターンと、前記第2導体パターンの前記ラインパターンとが、相互に隣接した状態で、境界に沿って配列される請求項2,3,14,16、及び19のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  28. 前記第1導体パターンと前記第2導体パターンの境界では、前記第1導体パターンの前記ラインパターンと、前記第2導体パターンの前記ラインパターンとが、交互に配列されている請求項27に記載の発光モジュール。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3383146B8 (en) * 2017-03-31 2023-08-30 Inventronics GmbH Lighting device with ip protection and multidirectional bending capability, and method for manufacturing the same
KR102149083B1 (ko) * 2017-07-28 2020-08-27 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이
JP2019050298A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 東芝ホクト電子株式会社 発光パネル
JP6869594B2 (ja) * 2017-09-26 2021-05-12 エルジー・ケム・リミテッド 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法
US10854786B2 (en) 2017-09-26 2020-12-01 Lg Chem, Ltd. Transparent light emitting device display
KR101950665B1 (ko) * 2017-09-28 2019-02-20 김성규 투명 디스플레이 패널
TWI692291B (zh) * 2018-01-05 2020-04-21 威剛科技股份有限公司 動態隨機存取記憶體模組
CN207851472U (zh) * 2018-01-05 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及显示装置
CN111226319B (zh) * 2018-01-15 2023-10-20 株式会社Lg化学 透明发光装置显示器
KR102122817B1 (ko) * 2018-06-12 2020-06-15 케이알에코스타 주식회사 메탈 메쉬를 이용한 투명 디스플레이
JP7273280B2 (ja) * 2018-06-15 2023-05-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
KR102364569B1 (ko) * 2018-08-24 2022-02-17 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이
JP7165857B2 (ja) * 2018-09-03 2022-11-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021036575A (ja) * 2018-12-17 2021-03-04 東芝ホクト電子株式会社 発光装置、接合部の保護方法、発光装置の製造方法、及び、車両用灯具
KR102116393B1 (ko) * 2019-02-27 2020-05-28 (주) 글로우원 양면 전극을 구비한 투명 led 디스플레이
KR20200114055A (ko) * 2019-03-27 2020-10-07 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이
TWI708908B (zh) * 2019-06-10 2020-11-01 聯嘉光電股份有限公司 纖細線型led發光裝置
DE102021200044A1 (de) * 2021-01-05 2022-07-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anschlussträger, optoelektronische vorrichtung und verfahren zum herstellen eines anschlussträgers
KR20230128552A (ko) * 2021-03-01 2023-09-05 알프스 알파인 가부시키가이샤 전극 부재
JPWO2022185603A1 (ja) * 2021-03-04 2022-09-09

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0436131Y2 (ja) * 1986-11-21 1992-08-26
TW465122B (en) * 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
FR2892594B1 (fr) * 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
WO2007139098A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Sanyo Electric Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
KR20070117268A (ko) * 2006-06-08 2007-12-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시판
JP5670051B2 (ja) * 2009-12-25 2015-02-18 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5638399B2 (ja) * 2010-01-28 2014-12-10 富士フイルム株式会社 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
JP6166863B2 (ja) 2010-09-13 2017-07-19 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
JP2012123570A (ja) * 2010-12-07 2012-06-28 Hitachi Chem Co Ltd 静電容量型タッチパネル用電極シート及びその製造方法、並びに静電容量型タッチパネル
WO2012099150A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 富士フイルム株式会社 導電性フイルム及びそれを備えた表示装置
WO2013158543A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography
CN102723126B (zh) * 2012-05-09 2015-10-21 南昌欧菲光科技有限公司 一种基于随机网格的图形化透明导电薄膜
EP2698836A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil, electro-optic component and method of manufacturing these
JP5800320B2 (ja) * 2012-09-27 2015-10-28 富士フイルム株式会社 導電性フィルム並びにそれを備えるタッチパネル及び表示装置
CN108922959B (zh) 2013-03-28 2022-07-29 日亚化学工业株式会社 发光装置、及使用发光装置的装置
CN107768362B (zh) * 2013-03-28 2020-09-08 东芝北斗电子株式会社 发光装置及其制造方法
WO2014206759A1 (en) * 2013-06-25 2014-12-31 Koninklijke Philips N.V. Lighting device, luminaire and lighting device assembly method
KR102108846B1 (ko) * 2013-07-16 2020-05-11 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
DE102013012384A1 (de) * 2013-07-25 2015-01-29 Man Truck & Bus Ag Verfahren zum Fertigen einer gebauten Nockenwelle
US9513759B2 (en) * 2013-09-11 2016-12-06 Eastman Kodak Company Multi-layer micro-wire structure
TWI681559B (zh) * 2013-10-10 2020-01-01 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
TW201516803A (zh) * 2013-10-18 2015-05-01 Wintek Corp 觸控面板
CN106068491A (zh) * 2014-02-17 2016-11-02 Lg伊诺特有限公司 触摸窗口
KR101784406B1 (ko) * 2015-02-25 2017-10-12 금호전기주식회사 투명 전광 장치

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