TWI692291B - 動態隨機存取記憶體模組 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種動態隨機存取記憶體模組，其包括殼體、電路基板以及氟素電子工程液。殼體內部具有容置空間，且側邊開設有開口。電路基板上設置有至少一動態隨機存取記憶體晶片，電路基板容置於容置空間中，且電路基板的一端設置有自開口突出至殼體外部的至少一電路接點。氟素電子工程液密封於所述容置空間內且熱連接於至少一所述動態隨機存取記憶體晶片。

Description

動態隨機存取記憶體模組
本發明涉及一種動態隨機存取記憶體模組，特別是涉及一種殼體內填充有氟素電子工程液的動態隨機存取記憶體模組。
動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，簡稱DRAM)的運作效能與工作溫度息息相關，為了能確保DRAM在最佳的工作溫度下運行，良好的散熱解決方案一直以來都是相關產業所關注的焦點之一。
現階段散熱方式不外乎金屬接觸產品導熱、風扇對流散熱或是通過金屬導熱片連接導熱液間接散熱。但是在實際應用上，風扇對流散熱的效果有限，金屬直接接觸或搭配金屬導熱片連接導熱液體的散熱方式，其熱傳導的效果，都會受到熱傳導路徑的限制，不但要考慮接觸面的面積是否充足以及接觸面的導熱效率是否均勻等問題，以往通過金屬導熱片連接導熱液間接散熱的方案，更會有傳導路徑上經過多次介質轉換的問題，散熱效率難稱理想。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種動態隨機存取記憶體模組，以使動態隨機存取記憶體晶片能維持在最佳工作溫度。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種動態隨機存取記憶體模組，其包括一殼體、一電路基板以及一氟素電子工程液。所述殼體內部具有一容置空間，且 所述殼體的側邊開設有一開口。所述電路基板上設置有至少一動態隨機存取記憶體晶片，具有至少一所述動態隨機存取記憶體晶片的所述電路基板容置於所述容置空間中，且所述電路基板的一端設置有自所述開口突出至所述殼體外部的至少一電路接點。氟素電子工程液密封於所述容置空間內且熱連接於至少一所述動態隨機存取記憶體晶片。
較佳地，所述氟素電子工程液包括由以下結構所表示之一化合物：Rf-O-Rh-O-Rf’。其中，Rf和Rf’是是相同或不同的氟代脂肪族基團的組合，且Rf和Rf’分別含有1個氫原子；Rh是具有2至8個碳原子和至少4個氫原子的直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基，且所述化合物不含-O-CH2-O-。較佳地，其中，Rf和Rf’分別含有至少2個碳原子以及至少3個氟原子。
較佳地，所述氟素電子工程液包括由以下結構所表示之一化合物：Y-Rf-CH2OCH2Rf’-Y。其中，Rf和Rf’分別含有至多一個氫原子，且Rf和Rf’是相同或不同的下列基團：具有1至10個碳原子的全氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基、具有1至10個碳原子的部份氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基以及前述各種化合物的其中一或多個碳原子經鍵聯氮或氧雜原子置換的衍生物；其中，Y包括H、F或RfCH2OCH2-基團中的一種或二種以上；所述化合物分子至少包括6個碳原子。較佳地，其中，Rf和Rf’之中的至少一個含有3至8個碳原子，且Rf和Rf’之中的至少一個含有至少3個氟原子。
較佳地，所述氟素電子工程液還混合有全氟三丙胺。
較佳地，所述殼體開設有一液體注入口，所述液體注入口填充有一防漏膠體。
較佳地，所述殼體具有至少一透光部，且所述電路基板上設置有至少一發光模組，所述發光模組容置於所述容置空間中，所述發光模組發出的光穿過所述透光部。較佳地，所述發光模組包 括一紅光發光單元、一綠光發光單元以及一藍光發光單元。
較佳地，所述殼體設有至少一第一嵌卡部，所述電路基板設置有至少一第二嵌卡部，所述第一嵌卡部與所述第二嵌卡部相互嵌卡。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的動態隨機存取記憶體模組，其能通過“氟素電子工程液密封於殼體的容置空間內”以及“氟素電子工程液熱連接於至少一動態隨機存取記憶體晶片”的技術方案，以使動態隨機存取記憶體晶片能維持在最佳工作溫度下，進而使動態隨機存取記憶體晶片能持續以最高效能的狀態運行。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
M:DRAM模組
1:殼體
1A:上殼體
1B:下殼體
11:容置空間
12:開口
13:液體注入口
14:第一嵌卡部
2:電路基板
21:DRAM晶片
22:電路接點
23:發光模組
24:第二嵌卡部
3:氟素電子工程液
4:防漏膠體
圖1為本發明第一實施例的動態隨機存取記憶體模組的立體組合示意圖。
圖2為本發明第一實施例的動態隨機存取記憶體模組的立體分解示意圖。
圖3為本發明第一實施例的殼體的立體組合示意圖。
圖4為本發明第一實施例的動態隨機存取記憶體模組沿圖1所示的IV-IV線段的剖面示意圖。
圖5為本發明第三實施例的動態隨機存取記憶體模組的立體分解示意圖。
圖6為本發明第三實施例的動態隨機存取記憶體模組的立體組合示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“動態隨機存取記憶體模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說 明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖4所示，圖1為本發明第一實施例的動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，簡稱DRAM)模組M的立體組合示意圖，圖2為本發明第一實施例的DRAM模組M的立體分解示意圖，圖3為本發明第一實施例的殼體1的立體組合示意圖，圖4為本發明第一實施例的DRAM模組M的剖面示意圖。由上述圖中可知，本發明第一實施例提供一種DRAM模組M，其包括殼體1、電路基板2以及氟素電子工程液3。殼體1內部具有容置空間11，且電路基板2設置於殼體內1，且氟素電子工程液3被密封於容置空間11內。
請一併參閱圖2及圖3所示，在本實施例中，殼體1包括上殼體1A以及下殼體1B，殼體1A與下殼體1B相互組裝後，於兩者之間形成容置空間11。殼體1的側邊開設有開口12，開口12與殼體1內部的容置空間11相連通。
承上所述，在本實施例中，電路基板2上設置有至少一DRAM晶片21，且電路基板2的一端設置有至少一電路接點22，電路接點22與DRAM晶片21電性連接。具體地說，電路基板2設置於殼體內1，以使DRAM晶片21容置於容置空間11中，且使電路基板2設置有電路接點22的一端自開口12突出至殼體1外。殼體1包括一上殼體1A及一下殼體1B，上殼體1A與下殼體1B兩者其中之一的內表面具有一鄰近於開口的凹槽。DRAM晶片2接觸上殼體1A與下殼體1B兩者其中之一的內表面。
復請參閱圖2及圖3所示，在本發明的部分實施例中，殼體1設有至少一第一嵌卡部14，電路基板設置有至少一第二嵌卡部24。在本實施例中，第一嵌卡部14為對應於容置空間11的多個嵌卡凸部，第二嵌卡部24為電路基板2周緣的多個嵌卡凹槽，當電路基板2被安裝至殼體1內時，第一嵌卡部14與第二嵌卡部24相互嵌卡，進而使電路基板2能夠穩固地與殼體1相互結合。然而，實際施作時，第一嵌卡部14與第二嵌卡部24的具體結構以及設置位置並不以上列所舉之例為限，第二嵌卡部24也可以是電路基板2上的通孔，而第一嵌卡部14則是穿過通孔的凸柱，以藉此固定電路基板2。
具體來說，電路基板2被放置於殼體1A與下殼體1B之間，以在上殼體1A與下殼體1B相互組裝時，使得電路基板2上設有DRAM晶片21的一部分被容置於容置空間11中並使得DRAM晶片21抵頂凹槽，且第一嵌卡部14與第二嵌卡部24相互嵌卡，而電路基板2上設置有電路接點22的一端則是自開口12突出至殼體1外。
復請參閱圖1所示，在本實施例中，殼體1在相反於開口12的一側開設有液體注入口13，以使得氟素電子工程液3能夠自液體注入口13被填充至容置空間11內。本發明的DRAM模組M，於液體注入口13填充有防漏膠體4，在氟素電子工程液3被注入容置空間11後，能通過防漏膠體4封閉液體注入口13，以藉此密閉容置空間11，避免氟素電子工程液3外漏。
請參閱圖4所示，本發明的氟素電子工程液3密封於容置空間11內，且氟素電子工程液3熱連接於至少一DRAM晶片21。藉此，DRAM晶片21運作過程中所產生的熱能，可以被均勻地傳導至氟素電子工程液3，並且由氟素電子工程液3進一步將熱能傳導至殼體1或其他散熱元件。
本發明所採用的氟素電子工程液3可以是全氟烷(Fluorinert，CAS編號：86508-42-1)，特別是具有9個碳的全氟碳化物。具體地說，可以採用產品型號為FC-3283，名稱為FLUORINERT Brand Electronic Liquid的電子化學液(選購自3M公司)，或者依照實際需要的工作條件，選擇類似性能的產品。
進一步來說，氟素電子工程液3可以包括由以下結構所表示之一化合物：Rf-O-Rh-O-Rf’。其中Rf和Rf’是相同或不同的氟代脂肪族基團，且Rf和Rf’分別含有1個氫原子；Rh是具有2至8個碳原子和至少4個氫原子的直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基，且所述化合物不含-O-CH2-O-。
Rf和Rf’具有疏油性和疏水性，是穩定、惰性以及非極性的單價部分，在較佳的實施例中，可採用飽和的單價部分。在本發明的部分實施例中，Rf和Rf’可以含有一個氯。本發明的Rf和Rf’通常含有至少約2個碳原子，例如3至20個碳原子，較佳為3至7個碳原子。可含有直鏈、支鏈或環狀氟化亞烷基或其與直鏈、支鏈或環狀亞烷基的組合。在本發明的多數實施例中，化合物通常不含可聚合的烯烴不飽和鍵，和可選擇地含有連結的雜原子，如二價氧，或三價氮(例如C3F7OCFHCF2)。Rf和Rf’基團可以含有至少3個氟原子，例如較佳為4個氟原子，在一些實施方案中，也可以採用至少6個氟原子(例如，CF3CFHCF2,HCF2CF2,CFClHCF2,(C2F5)(CF3CFH)CF,等)。如同前述，Rf和Rf’分別含有1個氫原子，具體來說，可以是化學式為CXF2XH的氟代脂肪族基團，其中X約為2至8，較佳為3或4。總的來說，在本發明的 較佳實施例中，Rf和Rf’分別含有至少2個碳原子以及至少3個氟原子，且分別含有1個氫原子。
Rh是具有2至8個碳原子和至少4個氫原子的直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基。其中，Rh可含有一個或多個連結雜原子。Rh的例子也包括亞烷基或氟代亞烷基等基團。
本發明的氟素電子工程液3所採用的氫氟醚化合物通常是惰性的，且不含-O-CH2-O-。具體應用上，其具有較高的介電強度和較低的導電性，並且具有良好的熱穩定性。
值得一提的是，在本實施例的不同實施態樣中，氟素電子工程液3中還可以混合全氟三丙胺(Perfluoro-tri-n-propylamine，CAS編號：338-83-0)於其中。
[第二實施例]
復請參閱圖4所示，本發明的DRAM模組M，其所採用的氟素電子工程液3除了可以是第一實施例所採用的化合物之外，在本發明的其他可能的實施方式中，也可以採用由以下結構所表示之化合物：Y-Rf-CH2OCH2Rf’-Y。
其中Rf和Rf’分別含有至多一個氫原子，且Rf和Rf’是相同或不同的下列基團：具有1至10個碳原子的全氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基、具有1至10個碳原子的部份氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基以及前述各種化合物的其中一或多個碳原子經鍵聯氮或氧雜原子置換的衍生物；其中，Y包括H、F或RfCH2OCH2-基團中的一種或二種以上；所述化合物分子至少包括6個碳原子。較佳地，其中，Rf和Rf’之中的至少一個含有3至8個碳原子，且Rf和Rf’之中的至少一個含有至少3個氟原子。
同樣地，在本實施例中，氟素電子工程液3中也可以混合有全氟三丙胺。
[第三實施例]
以下藉圖4至圖6說明本發明第三實施例。請參閱圖4至圖6所示，圖4為本發明第一實施例的DRAM模組M的剖面示意圖，圖5為本發明第三實施例的DRAM模組M的立體分解示意圖，圖6為本發明第三實施例的DRAM模組M的立體組合示意圖。由上述圖中可知，本發明第三實施例的電路基板2上還設置有至少一發光模組23，發光模組23容置於容置空間11中，在本實施例中，發光模組23包括紅光發光單元、綠光發光單元以及藍光發光單元(未分別標號)，以便能夠通過紅光發光單元、綠光發光單元以及藍光發光單元混合出不同顏色的光線，但本發明並不以此為限，發光模組23也可以僅提供單一波長的光。
承上所述，在本發明的第三實施例中，殼體1具有至少一透光部，且發光模組23發出的光能夠穿過透光部以照射至殼體1外。具體地說，在本實施例中，殼體1全部為透明材質所製成，但本發明並不以此為限，也可以只針對發光模組23所對應的位置，採用透光材質製作。據此，能夠有效提高DRAM模組M的外觀視覺效果，且由於本發明的DRAM模組M在容置空間11內密封有氟素電子工程液3，因此發光模組23會與DRAM晶片21共同被浸泡於氟素電子工程液3中，因此，發光模組23所發出的光線會先經過氟素電子工程液3，呈現出新穎的視覺效果。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的DRAM模組M，其能通過“氟素電子工程液3密封於殼體1的容置空間11內”以及“氟素電子工程液3熱連接於至少一DRAM晶片21”的技術方案，以使DRAM晶片21能維持在最佳工作溫度下，進而使DRAM晶片21能持續以最高效能的狀態運行。
更進一步來說，本發明將氟素電子工程液3由液體注入口13 注入容置空間11，並以防漏膠體4封閉液體注入口13，能簡化DRAM模組M製作程序。再者，本發明在電路基板2上設置發光模組23，使得發光模組23發出的光線可以依序通過氟素電子工程液3以及殼體1的透光部，而發射至殼體外，能夠呈現出獨特的視覺效果。此外，本發明的發光模組23包括紅光發光單元、綠光發光單元以及藍光發光單元，不但因此能夠混合出不同顏色的光線，且各種光線通過氟素電子工程液3所產生的視覺效果有各異其趣，大幅增加產品的獨特性而易受到消費者的青睞，有助於提高產品的競爭力。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
M‧‧‧DRAM模組
1‧‧‧殼體
2‧‧‧電路基板
21‧‧‧DRAM晶片
23‧‧‧發光模組
3‧‧‧氟素電子工程液

Claims (9)

  1. 一種動態隨機存取記憶體模組，其包括：一殼體，包括一上殼體及一下殼體，所述上殼體與所述下殼體一同定義一容置空間，所述殼體的側邊開設有一開口，其中，所述上殼體與所述下殼體兩者其中之一的內表面設有一鄰近於所述開口的凹槽；一電路基板，其上設置有至少一動態隨機存取記憶體晶片，具有至少一所述動態隨機存取記憶體晶片的所述電路基板容置於所述容置空間中，且所述電路基板的一端設置有自所述開口突出至所述殼體外部的至少一電路接點；以及一氟素電子工程液，其密封於所述容置空間內且熱連接於至少一所述動態隨機存取記憶體晶片；其中，所述動態隨機存取記憶體晶片接觸所述上殼體與所述下殼體兩者其中之一的內表面且抵頂所述凹槽；其中，所述殼體具有至少一透光部，且所述電路基板上設置有至少一發光模組，所述發光模組容置於所述容置空間中，所述發光模組發出的光通過所述透光部及所述氟素電子工程液。
  2. 如請求項1所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述氟素電子工程液包括由以下結構所表示之一化合物：Rf-O-Rh-O-Rf’；其中，Rf和Rf’是相同或不同的氟代脂肪族基團的組合，且每個Rf和Rf’分別含有1個氫原子；其中，Rh是具有2至8個碳原子和至少4個氫原子的直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基，且所述化合物不含-O-CH2-O-。
  3. 如請求項2所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，Rf和Rf’分別含有至少2個碳原子以及至少3個氟原子。
  4. 如請求項1所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述氟素電子工程液包括由以下結構所表示之一化合物：Y-Rf-CH2OCH2Rf’-Y；其中Rf和Rf’分別含有至多一個氫原子，且Rf和Rf’是由下列基團的一種或二種基團的組合：具有1至10個碳原子的全氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基、具有1至10個碳原子的部份氟化直鏈、環狀、或分支鏈伸烷基以及前述各種化合物的其中一或多個碳原子經鍵聯氮或氧雜原子置換的衍生物；其中，Y包括H、F或RfCH2OCH2-基團中的一種或二種以上；其中，所述化合物分子至少包括6個碳原子。
  5. 如請求項4所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，Rf和Rf’之中的至少一個含有3至8個碳原子，且Rf和Rf’之中的至少一個含有至少3個氟原子。
  6. 如請求項3或5所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述氟素電子工程液還混合有全氟三丙胺。
  7. 如請求項1所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述殼體開設有一液體注入口，所述液體注入口填充有一防漏膠體。
  8. 如請求項1所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述發光模組包括一紅光發光單元、一綠光發光單元以及一藍光發光單元。
  9. 如請求項1所述的動態隨機存取記憶體模組，其中，所述殼體設有至少一第一嵌卡部，所述電路基板設置有至少一第二嵌卡部，所述第一嵌卡部與所述第二嵌卡部相互嵌卡。
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