CN116953007A - 一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，包括：获取芯片框架样品；对芯片框架样品做横断面处理；将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪，进行N次能谱映射后，获得芯片框架样品的成分分析粗略结果；其中，所述N次能谱映射包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射；对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选，得到芯片框架样品的成分分析精确结果。本发明结合横断面处理和多次能谱映射实现了用于芯片框架开发新产品的成分分析，对未知芯片框架成分分析调研有很重要的作用，能够帮助研发新产品时确定调研的芯片框架的成分信息。
Description
技术领域
本发明涉及芯片框架成分分析技术领域，具体而言，涉及一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法。
背景技术
随着芯片国产化替代的发展，踊跃出很多国产芯片厂商去完成国产化替代的使命。因此，开启芯片框架新产品调研的工作必不可少。在这样一个发展背景下，芯片框架未知成分的调研方法应运而生，为芯片国产化替代注入不可磨灭的攻坚力量。
然而，现阶段还没有一种针对芯片框架的成分分析方法。
发明内容
本发明旨在提供一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，以解决上述存在的问题。
本发明提供的一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，包括：
获取芯片框架样品；
对芯片框架样品做横断面处理；
将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪，进行N次能谱映射后，获得芯片框架样品的成分分析粗略结果；其中，所述N次能谱映射包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射；
对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选，得到芯片框架样品的成分分析精确结果。
进一步的，所述对芯片框架样品做横断面处理包括：
对芯片框架样品的任一管脚做横断面处理；
对芯片框架样品进行喷金。
进一步的，喷金前，还包括如下处理：
对芯片框架样品进行抛光；
对芯片框架样品进行清洗；
将芯片框架样品吹干。
优选地，采用去离子水对芯片框架样品进行清洗。
进一步的，对芯片框架样品的任一管脚做横断面处理时，切割到管脚正中。
进一步的，进行N次能谱映射时：
第1次对芯片框架样品的整体进行能谱映射；
第2~N次对芯片框架样品的局部进行能谱映射。
进一步的，每次对芯片框架样品的局部进行能谱映射时，将扫描电镜的倍率放大。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
本发明结合横断面处理和多次能谱映射实现了用于芯片框架开发新产品的成分分析，对未知芯片框架成分分析调研有很重要的作用，能够帮助研发新产品时确定调研的芯片框架的成分信息。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法的流程图。
图2为本发明实施例中第一次能谱分析时扫描电镜中芯片框架样品的整体图。
图3为本发明实施例中第一次能谱分析时能谱仪中芯片框架样品的能谱映射图。
图4为本发明实施例中第二次能谱分析时扫描电镜中芯片框架样品的局部放大图。
图5为本发明实施例中第二次能谱分析时扫描电镜中芯片框架样品的边缘放大图。
图6为本发明实施例中第二次能谱分析时能谱仪中芯片框架样品的能谱映射图。
图7为本发明实施例中第三次能谱分析时扫描电镜中芯片框架样品的局部放大图。
图8为本发明实施例中第三次能谱分析时能谱仪中芯片框架样品的能谱映射图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
如图1所示，本实施例提出一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，包括：
获取芯片框架样品；
对芯片框架样品做横断面处理；
将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪，进行N次能谱映射后，获得芯片框架样品的成分分析粗略结果；其中，所述N次能谱映射包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射；
对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选，得到芯片框架样品的成分分析精确结果。
示例：
S1，获取芯片框架样品；
S2，获取到芯片框架样品后，将芯片框架样品送到实验室做断面处理，包括：
对芯片框架样品的任一管脚做横断面处理（Cross-Section），一般切割到管脚正中即可，但并不限定仅对一个管脚做横断面处理；
然后用抛光液对芯片框架样品进行抛光；
接着用去离子水（Deionized Water，DI水）对芯片框架样品进行清洗；
再用风枪将芯片框架样品吹干；
最后，将芯片框架样品放到喷金台进行喷金，通过喷金可以让芯片框架样品在扫描电镜（Scanning Electron Microscope，SEM）拍照时能获得更清晰的图像。
S3，将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪（SEM-EDX）进行能谱映射：
芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪后，首先通过扫描电镜找到芯片框架样品的位置，然后对芯片框架样品进行聚焦调试；
第一次能谱映射：当芯片框架样品在扫描电镜中完成聚焦调试后，对通过扫描电镜对芯片框架样品的整体进行拍照，记录芯片框架样品的整体图像，如图2所示；此时，需要通过能谱仪（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy，EDX）做第一次能谱映射（EDXMapping），从而初步得到芯片框架样品的大致成分，如图3所示，能够看到三种元素，分别为Ni、Cu、C，但是还远不够预期；
第二次能谱映射：将扫描电镜的倍率放大，能够看到芯片框架样品的边缘有轻微的不同，如图4所示；选中芯片框架样品的边缘，并将扫描电镜的倍率放大，能够在芯片框架样品的边缘发现有明显的层次感，可以根据这些层次感，粗略地知道在芯片框架样品上有几层不同的元素，但不能确定它们是什么元素成分，如图5所示；此时，通过能谱仪做第二次能谱映射，进一步得到芯片框架样品的元素成分，如图6所示，能够看到六种元素，分别为Ni、Cu、C、O、Pd、Ag，但还是不够预期。
第三次能谱映射：想要更加精确的知道该芯片框架样品的元素成分，还需要进一步放大芯片框架样品的局部去做能谱分析，如图7、图8所示，能够看到七种元素，分别为C、O、Cu、Au、Pd、Ni、Ag，但并不意味着这个芯片框架样品的元素成分就都是这七种元素，因此，此时得到的是芯片框架样品的成分分析粗略结果。
S4，对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选：根据专家经验和对相关芯片框架产品的信息了解情况，可以确定C、O这两种不导电元素不是芯片框架成分元素，从而得到此芯片框架样品应该是含有五种元素，分别为Cu、Au、Pd、Ni、Ag。由此，通过能谱映射的分布情况，得到此芯片框架产品为镀镍钯银金的铜框架。
由此，本实施例通过对芯片框架样品进行横断面处理+3次能谱映射，得到了芯片框架样品的元素成分。需要说明的是，能谱映射不一定需要三次才能达到预期，可以根据实际应用情况去进行，但至少需要做两次，包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，包括：
获取芯片框架样品；
对芯片框架样品做横断面处理；
将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪，进行N次能谱映射后，获得芯片框架样品的成分分析粗略结果；其中，所述N次能谱映射包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射；
对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选，得到芯片框架样品的成分分析精确结果。
2.根据权利要求1所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，所述对芯片框架样品做横断面处理包括：
对芯片框架样品的任一管脚做横断面处理；
对芯片框架样品进行喷金。
3.根据权利要求2所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，喷金前，还包括如下处理：
对芯片框架样品进行抛光；
对芯片框架样品进行清洗；
将芯片框架样品吹干。
4.根据权利要求3所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，采用去离子水对芯片框架样品进行清洗。
5.根据权利要求2所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，对芯片框架样品的任一管脚做横断面处理时，切割到管脚正中。
6.根据权利要求1所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，进行N次能谱映射时：
第1次对芯片框架样品的整体进行能谱映射；
第2~N次对芯片框架样品的局部进行能谱映射。
7.根据权利要求6所述的用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，其特征在于，每次对芯片框架样品的局部进行能谱映射时，将扫描电镜的倍率放大。
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| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20231027 |