JP6709046B2 - 半導体発光装置、及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光装置、及び半導体発光装置の製造方法に関する。

図３Ａ及び図３Ｂに、半導体発光ダイオード（ＬＥＤ、light emitting diode)素子に通電する従来技術による方法の例を示す。

図３Ａを参照する。半導体積層構造の上下面上に電極を備える、上下電極型のＬＥＤ素子７０の場合は、下側電極を、例えば導電性樹脂７１で、フレーム７２にマウントし、上側電極の電極パッド７３に、Ａｕワイヤ７４をボンディングすることで通電を行うのが一般的である。

図３Ｂを参照する。半導体積層構造の一方面側にｎ側電極８０ｎ及びｐ側電極８０ｐを備えるＬＥＤ素子８０の場合は、Ａｕバンプ８１によって実装基板８２と電気的に接続する、フリップチップ実装と呼ばれる通電方法がある。図３Ｂには、実装基板８２が配線８３，８４を備え、ｎ側電極８０ｎが配線８３と電気的に接続され、ｐ側電極８０ｐが配線８４と電気的に接続される例を示した。

ＬＥＤ素子をフレキシブルな基板（シート）に実装し、折り曲げ可能な発光装置を作製することが検討されている。たとえば透光性のシートを用いて、発光する、折り曲げ可能な樹脂シートを作製することができる。デザイン性の高い表示装置等への応用が考えられる。

個々のＬＥＤ素子を、ワイヤボンディングでフレキシブルなシートに実装すると、ワイヤが切断される可能性が高い。フリップチップ実装を行う場合は、シートに、ＬＥＤ素子に対応する配線パターンの形成が必要となることに加え、ＬＥＤ素子を高い位置決め精度で配置する必要がある等、実装工程が複雑になる。

ＬＥＤ素子をフレキシブルシートに実装する技術が知られている。導電層を備える２枚のシート間に、図３Ａに示すような上下電極型のＬＥＤ素子を挟持し、ＬＥＤ素子の上側電極を、上方のシートの導電層と接触させ、下側電極を、透明導電性接着剤を介して、下方のシートの導電層と導通させる発光装置が提案されている（例えば、特許５１６２９７９号）。２枚のシート間の、ＬＥＤ素子配置位置を除く領域に、絶縁ビーズを有する非導電性接着剤を充填できる。２枚のシートの導電層が接触することによるショートが防止される。

導電層を備える２枚の基板間に、導電性粒子を用いてＬＥＤ素子を接続する発光装置も提案されている(例えば、特開２０１５−３２４８３号)。発光装置は、ＬＥＤ素子と導電性粒子が絶縁性接着剤中に投入された塗布液を、２枚の基板間に配置し、ローラで加圧することで製造される。加圧により、ＬＥＤ素子の上下電極と上下基板の導電層の間に導電性粒子が接触配置されて、通電経路が確保される。導電性粒子は、ＬＥＤ素子が配置されない領域にも存在するが、導電性粒子のサイズは、ＬＥＤ素子の高さ（厚さ）よりも小さい。上下基板間において、ＬＥＤ素子部のみが選択的に通電され、他の位置では絶縁性が確保される。

ウエハ上のＬＥＤ素子を離間して、フレキシブル基板に転写する方法が提案されている(例えば、特開２００３−４５９０１号)。圧接ロールにより、フィルム状のシートを素子に押し当て、レーザ光を照射して、素子部分の接着層を可塑化することで、特定位置の素子をシートに転写する技術が提案されている。

特許５１６２９７９号公報 特開２０１５−３２４８３号公報 特開２００３−４５９０１号公報

実施例の目的は、高品質の半導体発光装置、及び高品質の半導体発光装置を製造する方法を提供することである。

実施例の一観点によれば、
第１導電層を備える第１基材と、
前記第１導電層上に配置された透明有機導電膜材料からなる接着層と、
複数の半導体発光素子であって、各々、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含む半導体積層、前記第１導電型半導体層に接続された第１電極、及び前記第１電極と対向する位置で、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極を備え、前記第１電極が前記接着層を介して前記第１導電層と対向配置され、前記第１導電層と電気的に接続された、複数の半導体発光素子と、
前記第２電極と対向配置された第２導電層を備える第２基材と、
を有し、
前記複数の半導体発光素子の間の前記接着層の表面部分は、前記透明有機導電膜材料の結合基の組み替えにより非導電性に改質されている、
半導体発光装置
が提供される。

実施例の他の観点によれば、
各々、第１導電型層、活性層、第２導電型層を含む半導体積層、前記第１導電型層に接続された第１電極、前記第１電極に対向する位置で前記第２導電型層に接続された第２電極を備えた複数の半導体発光素子を、転送用シート上に配列した構成を形成する工程と、
第１ベース基板上に、第１導電層、化学処理可能な導電性接着層を積層した第１基材を準備する工程と、
前記転送用シート上の半導体発光素子を、前記導電性接着層上に転写し、前記導電性接着層に押し込み、前記転送用シートを剥離する工程と、
露出している前記導電性接着層表面を化学処理して非導電性にする工程と、
第２ベース基板上に、第２導電層を形成した第２基材を準備する工程と、
前記第２基材を、前記化学処理した接着層と接合する工程と、
を含む半導体発光装置の製造方法
が提供される。

実施例によれば、高品質の半導体発光装置を提供することができ、高品質の半導体発光装置を製造する方法を提供することができる。

、 、 、 、 、及び 図１Ａ〜図１Ｕは、半導体発光装置の製造工程を示す概略的な断面図である。 図２Ａ、２Ｂは、パターン化された半導体発光装置の製造工程を説明するための概略的な平面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、ＬＥＤ素子に通電する従来方法の例を示す概略的な断面図である。

微小なＬＥＤ素子を用いる場合、素子のピックアップが難しく、意図する位置にＬＥＤ素子を配設することが困難となる場合がある。なお、本明細書においてＬＥＤ素子等の半導体発光素子が微小であるとは、平面形状における最大の寸法が８０μｍ以下であることを意味する。切り代を考慮すると、有効な平面形状の最大寸法は、１０μｍ以上(対角線の長さは１４μｍ以上)と言えよう。発光機構を設ける場合、厚さは通常２μｍ以上となる。たとえば、平面形状の寸法が１０μｍ〜８０μｍであるとき、ＬＥＤ素子の横転を抑止するため、高さは１０μｍ以下であることが好ましい。高さの範囲は、２μｍ〜１０μｍとなろう。

図１Ａ〜図１Ｕを参照し、実施例による半導体発光装置の製造方法について説明する。

図１Ａを参照する。成長基板として、たとえば両面が研磨されたｃ面サファイア基板１１を準備し、有機金属化学気相成長(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD)法を用いて、サファイア基板１１上に、窒化物系半導体からなるデバイス構造層（エピタキシャル層）を形成する。まず、サファイア基板１１をＭＯＣＶＤ装置に投入し、１１００℃程度に昇温して、有機物を除去するサーマルクリーニングを行う。基板を５６０℃程度に降温し、原料ガスを供給することで、基板１１上に、ＧａＮ系低温バッファ層１２を成長する。例えば基板温度１１００℃程度で、結晶性を改善し、そのままトリメチルガリウム(trimethylgallium; TMG)、及びアンモニア（ＮＨ_３）を供給して、バッファ層１２上に、厚さ５００ｎｍ程度のアンドープＧａＮ層（下地層）１３を成長する。

ＴＭＧ、ＮＨ_３、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）を供給し、アンドープ層１３上に、例えば厚さ約４μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層１４を成長する。基板温度を例えば８５０℃程度に下げ、ｎ型層１４上に、たとえばＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層（活性層）１５を成長する。例えば、ＩｎＧａＮ井戸層は、ＴＭＧ、トリメチルインジウム(trimethylindium; TMI)、及び、ＮＨ_３の供給により、厚さ約３．５ｎｍに成長する。ＧａＮ障壁層は、ＴＭＧ及びＮＨ_３の供給により、厚さ約６ｎｍに成長する。井戸層と障壁層の成長を交互に、例えば９回ずつ繰り返し、発光層１５を形成する。

基板温度を１０００℃程度まで昇温し、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ_３、ドーパントガスとしてビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（bis(cyclopentadienyl)magnesium; CP₂Mg）を供給し、発光層１５上に、厚さ約１５ｎｍのＭｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層（電子ブロック層）を成長する。基板温度を１１００℃程度に昇温し、例えばＴＭＧ、ＮＨ_３、ドーパントガスとしてＣＰ_２Ｍｇを供給し、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層上に、厚さ約１００ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層を成長する。Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層とＭｇドープｐ型ＧａＮ層を併せてｐ型層１６として示した。以下、バッファ層１２は図示を省略する。

図１Ｂを参照する。７００℃で１分間の熱処理を行うことにより、ｐ型層１６の活性化（アクティベーション）処理を行う。ｐ型層１６上に、たとえばスパッタリングにより、厚さ約２０ｎｍのＩＴＯ(indium tin oxide)膜１７を成膜する。

図１Ｃを参照する。ＩＴＯ膜１７上に、レジスト１８を塗布、パターニングした後、ＩＴＯエッチング液を用いて、ＩＴＯ膜１７をウェットエッチングし、第１ｐ側電極をパターニングする。パターニングしたＩＴＯ膜１７を第１ｐ側電極と呼ぶことがある。

図１Ｄを参照する。レジスト１８を残した状態で、たとえばドライエッチング、一例としてＣｌ_２ガスを用いた反応性イオンエッチング(reactive ion etching; RIE)を行い、レジスト開口内のｐ型層１６及び発光層１５を除去する。エッチングは、ｎ型層１４の中間深さまで、たとえばｐ型層１６表面から約２μｍの深さまで行う。これにより、連続したｎ型層上の発光素子間を分離する溝が形成される。

図１Ｅを参照する。レジスト１８を除去し、たとえば４５０℃で５分間、酸素アニールする。その後、例えばスパッタリングにより、第１ｐ側電極１７上、及び、第１ｐ側電極１７間（発光素子間）の溝内部に、厚さ約３００ｎｍのＳｉＯ_２保護膜（絶縁膜）２０を成膜する。

図１Ｆを参照する。第１ｐ側電極１７上の保護膜２０の一部を開口する。例えばレジストパターンを形成し、バッファードフッ酸(buffered hydrofluoric acid; BHF)を用いて開口内のＳｉＯ_２保護膜をエッチングする。エッチング後、レジストパターンは除去する。

図１Ｇを参照する。保護膜２０上、及び、保護膜２０に形成された開口内に、例えばスパッタリングにより、第２ｐ側電極２１となるＩＴＯ膜を、厚さ約２００ｎｍ形成する。第２ｐ側電極２１は、保護膜２０に形成された開口内で、第１ｐ側電極１７と電気的に接続する。

図１Ｈを参照する。例えばサファイア基板である補強用基板２３を基板１１の表面側に貼り合わせる。貼り合わせは、たとえば第２ｐ側電極２１上に、貼り合わせ用接合剤２２をスピンコートで塗布し、１３０℃で１０分間、両基板１１、２３間に、２５０Ｎの力を加えることにより行う。接合剤２２として、たとえばＢＲＥＷＥＲ ＳＣＩＥＮＣＥ，Ｉｎｃ．のＢｒｅｗｅｒＢＯＮＤ ２２０を用いることができる。

図１Ｉを参照する。たとえばエキシマレーザを用いたレーザリフトオフにより、成長基板１１を剥離する。図１Ｊを参照する。成長基板１１を剥離することで露出した半導体表面から、ＲＩＥで約１μｍ半導体層をエッチングし、バッファ層１２(図１Ａ)，アンドープＧａＮ層１３を除去し、ｎ型層１４を露出させる。

図１Ｋを参照する。ｎ型層１４上に、例えば電極形成領域に開口を有するレジストパターンを形成し、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を成膜し、レジスト上の電極膜をリフトオフし、各素子毎のｎ側電極２４を形成する。

図１Ｌを参照する。半導体積層上に各ＬＥＤ素子を分離する溝形状の開口を有するレジストパターンを形成し、たとえばＣｌ_２ガスを用いたＲＩＥを行う。各素子間領域で、ｎ型層１４、保護膜２０、第２ｐ側（ＩＴＯ）電極２１をエッチングし、各素子を分離する分離溝１９を形成する。ＲＩＥ後、レジストパターンは除去する。分離溝の形成位置に矢印を付した。複数のＬＥＤ素子１０が作製される。

図１Ｍを参照する。ＬＥＤ素子１０のｎ側電極２４側をＵＶシート２５に貼り合わせて固定する。ＵＶシート２５は、ＵＶ（紫外）光の照射で粘着力が弱まる粘着シートである。

図１Ｎを参照する。剥離剤を用いて接合剤２２をエッチングし、補強用基板２３を剥離する。剥離剤として、たとえばＢｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．の Ｗａｆｅｒ ＢＯＮＤ Ｒｅｍｏｖｅｒ を使用することができる。

図１Ｏを参照する。ＵＶシートをエキスパンドし、素子間距離を所望の値（例えば１００μｍ）にする。尚、エキスパンドを行う場合、ＬＥＤ素子１０間の間隔は、ＵＶシート２６がのびる範囲で任意に選択可能である。エキスパンドはしなくてもよい。ウエハの一部の領域を露出するカバーフィルムを形成し、露出した一部の領域を別のＵＶフィルムに転写してもよい。カバーフィルムの形状を変えて、文字や図形の形で素子を転写することもできる。

ＬＥＤ素子１０は、窒化物系半導体で形成されたｎ型層１４、発光層１５及びｐ型層１６を備える。また、ｎ型層１４に電気的に接続されたｎ側電極２４、及び、ｐ型層１６に電気的に接続されたｐ側電極１７、２１を含む。たとえば発光層１５とｐ型層１６の縁部、及び、ｎ型層１４の縁部の一部には、保護膜（絶縁膜）２０が配置されている。少なくとも発光層１５の側面を保護膜２０で覆い、導電性流体中でもｎ型層１４とｐ型層１６を分離する。電気的短絡が防止される。

ＬＥＤ素子１０は、たとえば一辺が２０μｍの正方形の平面形状と、６μｍの高さをもつ、上下電極型の微小な半導体発光素子である。作製するのが微小なＬＥＤ素子１０であるため、実施例においては、たとえば素子分離にダイシングを用いず、各素子間領域をエッチングして分離溝を形成し（図１Ｌ参照）、補強用基板２３を除去する（図１Ｎ参照）。なお、上述の構成のＬＥＤ素子１０においては、平面形状における最大の寸法は、２８μｍ（正方形の対角線部分）となる。

図１Ｐを参照する。たとえばポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate; PET)で形成された第１ベース基板３１上に、ＩＴＯで形成された第１導電層３２が配置された第１基板を準備する。第１ベース基板３１は、ＰＥＴの他、ポリエーテルサルホン(polyethersulfone; PES)、ポリカーボネート(polycarbonate; PC)、ポリアリレート(polyarylate; PAR)等で形成された樹脂シートや、ガラス基板でもよい。第１導電層３２を形成する材料には、ＩＴＯの他、ＺｎＯやナノＡｇ粒子が分散されたペースト等を用いることができる。

第１導電層３２上に、第１接着層３３を形成する。第１接着層３３は、透明有機導電膜材料であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ(ポリ３，４エチレンジオキシチオフェンポリスチレンサルフォネート、poly (3,4-ethylene dioxythiophene) poly (styrene sulfonate))の１．５％以下水溶液とプロピレングリコールを、１：１で混合した混合液を、第１導電層３２上にスピンコートで塗布し、厚さ約３μｍに形成することができる。混合比は１：１に限らない。透明有機導電膜材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの他、例えば、ポリアセチレン、ポリアニリン等の導電性高分子を使用することができる。溶媒はプロピレングリコールに限らず、エチレングリコールやその他の多価アルコール、フェノール化合物、ケトン化合物、更に、それらの混合溶液等、水和性があり、粘度を高める効果のあるものを使用できる。

図１Ｑを参照する。ＬＥＤ素子１０が配列したＵＶシート２５（図１Ｏ参照）の、素子１０側を第１接着層３３に押し当てる。ＬＥＤ素子１０は、第１接着層３３内に押し込まれる。８０℃で３０分間、軽く保持し、第１接着層３３を乾燥させる。なお、第１接着層３３は導電性を有するため、ＬＥＤ素子１０のｐ側電極１７、２１は、第１導電層３２と電気的に接続される。

図１Ｒを参照する。ＵＶシート２６にＵＶ光を照射し、ＵＶシート２５を剥離する。図１Ｑ及び図１Ｒに示す工程によって、ＬＥＤ素子１０が転写され、第１基板に付着される。

図１Ｓを参照する。第１接着層３３表面の非導電化処理（導電性を絶縁性に変える化学的処理）を行う。具体的には、処理液（導電性を失わせる処理剤）として、たとえばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの化学処理液、一例としてヘレウス株式会社の Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｅｔｃｈ を用い、第１接着層３３の表面改質を行う。Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｅｔｃｈ が接触した第１接着層３３部分は、結合基が変わることで非導電性に変化する。なお、第１接着層３３は、Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｅｔｃｈ によりエッチングされるわけではない。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの場合、ＰＳＳがＰＥＤＯＴへのドーピング剤として作用し、ＰＥＤＯＴのπ結合からπ電子を引き抜くことで、導電性を発現する。上記の非導電化する化学処理液は、結合基を組み替えることで、ドーピング効果を失わせる働きをするものである。その他の例としてポリアセチレン、ポリアニリン等の導電性高分子を第１接着層として使用した場合も、同様にπ結合が導電性発現のポイントとなっているが、適宜ドーピング効果を失わせる薬液で処理することで非導電化させることができる。

第１接着層３３の非導電化処理により、第１接着層３３の導電性領域３３Ａ表面上に非導電性領域３３Ｂが形成される。また、Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｅｔｃｈ が到達しない領域３３Ａは導電性を保つ。通常の処理では、少なくともＬＥＤ素子１０の直下領域は非導電化されない。ＬＥＤ素子１０のｐ側電極１７、２１は、第１導電層３２と電気的に接続された状態である。

図１Ｔを参照する。第１ベース基板同様、ＩＴＯで形成された第２導電層３７が配置されたＰＥＴ等の第２ベース基板３６を準備する。第２導電層３７上に、第１接着層３３同様の第２接着層３８を形成する。なお、第２ベース基板側から光を取り出す必要がない場合は、ＰＥＴ等の透明基板に代え、不透明基板を用いることもできる。第２導電層３７の上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液とプロピレングリコールを１：１で混合した混合液をスピンコートし、第２接着層を形成した。第２接着層は、第１接着層と同様の材料を選択できる他、Ａｇペースト等の導電性樹脂を用いることもできる。

図１Ｕを参照する。第１導電性基板のＬＥＤ素子側と、第２導電性基板の接着層側を押し当てて、軽く保持した状態で、１００℃で１０分乾燥させ、２枚のシートを接着した。第１導電層３２、第２導電層３７間に電圧を印加することにより、両導電層に接続された複数のＬＥＤ素子を発光させることができる。

図２Ａ，２Ｂは、選択された領域内のＬＥＤ素子のみを転写して図形パターンを表示する例を示す。図２Ａは、図１Ｏに対応する。エキスパンドしたＵＶシート２５上にマトリックス状に配置されたＬＥＤ素子１０が配列されている。斜線を付したＳ字型の選択領域２８内のＬＥＤ素子１０を対応する形状の治具を用いて、別のＵＶシート上に転写し、図１Ｑ、１Ｒに示す工程で、第１ベース基板３１上の第１接着層３３上に転写する。その後、図１Ｓ、１Ｔ，１Ｕの工程を経ることにより、図２Ｂに示すＳ字状にＬＥＤ素子が配列された表示装置を得る。

以上、実施例に沿って説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。半導体発光素子としてＩｎＡｌＧａＮ系発光ダイオードを用いる場合を説明したが、ＩｎＡｌＧａＡｓ系材料、ＩｎＡｌＧａＰ系材料を用いた半導体発光ダイオード等を用いることもできる。例示した材料、数値は制限的意味を持たない。その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。

実施例による半導体発光装置は、様々な発光装置、たとえばＬＥＤ素子をフレキシブル基板に実装した、折り曲げ可能な発光装置、一例として自由曲面上の微細パターンから発光する発光シートに利用可能である。たとえば、デザイン性の高い、車載シグネチャーランプに用いることができる。また、携帯電話等のウェアラブル機器、遊戯機器、装飾品、インテリアにおけるデザインの描画を、光によって行う際に利用することが可能である。

１０ ＬＥＤ素子
１１ サファイア基板
１２ バッファ層
１３ アンドープ層
１４ ｎ型層
１５ 活性層
１６ ｐ型層
１７ ＩＴＯ膜(第１ｐ側電極)
１８ レジスト
２０ 保護膜
２１ 第２ｐ側電極
２２ 接合剤
２３ 補強用基板
２４ ｎ側電極
２５ ＵＶシート
３１ 第１ベース基板
３２ 第１導電層
３３ 第１接着層
３３Ａ 非導電性領域
３３Ｂ 導電性領域
３６ 第２ベース基板
３７ 第２導電層
３８ 第２接着層

Claims (9)

1. 第１導電層を備える第１基材と、
   前記第１導電層上に配置された透明有機導電膜材料を含む接着層と、
   複数の半導体発光素子であって、各々、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含む半導体積層、前記第１導電型半導体層に接続された第１電極、及び前記第１電極と対向する位置で、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極を備え、前記第１電極が前記接着層を介して前記第１導電層と対向配置され、前記第１導電層と電気的に接続された、複数の半導体発光素子と、
   前記第２電極と対向配置された第２導電層を備える第２基材と、
   を有し、
   前記複数の半導体発光素子の間の前記接着層の表面部分は、前記透明有機導電膜材料の結合基の組み替えにより非導電性に改質されている、
   半導体発光装置。
2. 前記接着層は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系材料を含む請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記複数の半導体発光素子は、パターン化された領域内に分布している請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記複数の半導体発光素子の各々は、平面形状の寸法が１０μｍ〜８０μｍ、高さが２μｍ〜１０μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
5. 各々、第１導電型層、活性層、第２導電型層を含む半導体積層、前記第１導電型層に接続された第１電極、前記第１電極に対向する位置で前記第２導電型層に接続された第２電極を備えた複数の半導体発光素子を、転送用シート上に配列した構成を形成する工程と、
   第１ベース基板上に、第１導電層、化学処理可能な導電性接着層を積層した第１基材を準備する工程と、
   前記転送用シート上の半導体発光素子を、前記導電性接着層上に転写し、前記導電性接着層に押し込み、前記転送用シートを剥離する工程と、
   露出している前記導電性接着層表面を化学処理して非導電性にする工程と、
   第２ベース基板上に、第２導電層を形成した第２基材を準備する工程と、
   前記第２基材を、前記化学処理した接着層と接合する工程と、
   を含む半導体発光装置の製造方法。
6. 前記接着層がＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系材料を含み、前記化学処理が前記接着層表面をＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの改質液で液相処理する工程を含む請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
7. 前記複数の半導体発光素子を、転送用シート上に配列した構成を形成する工程が、前記複数の半導体発光素子の少なくとも前記活性層の側面を保護膜で覆う工程を含む、
   請求項５又は６に記載の半導体発光装置の製造方法。
8. 前記転送用シート上に複数の半導体発光素子を配列した構成を形成する工程が、前記半導体積層上方に、第２導電側電極を形成し、その上に補強用基板を接合剤を介して結合し、成長用基板を剥離し、露出した半導体表面に第１導電側電極を形成し、素子間領域をエッチングして除去し、前記第１導電側電極に前記転送用シートを結合し、前記補強用基板を剥離することを含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
9. 前記複数の半導体発光素子の各々は、平面形状の寸法が１０μｍ〜８０μｍ、高さが２μｍ〜１０μｍである請求項５〜８のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
   

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