KR101387847B1 - 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법, 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 발광소자 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 6
- 230000001268 conjugating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002428 photodynamic therapy Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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Abstract
롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 제조방법으로, 복수 개의 전극 패턴이 형성된 일 측 플라스틱 시트와, 복수 개의 단위 발광소자가 접착된 타 측 플라스틱 시트를 롤러로 동시에 이동시키는 단계; 상기 이동된 일 측 플라스틱 시트의 전극 패턴으로 상기 타 측 플라스틱 시트의 발광소자가 접촉되는 단계; 상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합되는 단계; 및 상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합됨에 따라 상기 타 측 플라스틱 시트와 상기 발광소자가 떨어지는 단계를 포함하는 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법이 제공된다.
Description
본 발명은 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법, 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법, 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 발광소자에 관한 것이다.
최근의 정보화 사회에서 디스플레이는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 더 한층 강조되고 있다. 특히 반도체 발광소자 중 하나인 발광소자인 LED는 액정(LCD), CRT와는 달리 자체 발광을 하므로, 낮은 전력에서 고휘도의 빛을 발광하는 장점이 있으며, 이러한 장점으로 인하여, 다양한 전자기기의 디스플레이로 각광받고 있다.
LED (Light Emitting Diode)는 전기에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 발광반도체 소자로서 정공을 소수캐리어로 갖는 p형 반도체와 전자를 소수캐리어로 갖는 n형 반도체의 이종접합 구조를 가진다.
하지만, 이와 같은 LED는 고온, 다양한 화학물질의 사용이 요구되는 반도체 공정에 의하여 제조되므로, 현재까지 LED는 제조 기판의 한계, 즉, 실리콘 등의 딱딱한(rigid) 기판의 한계를 극복할 수 없다는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 대한민국 등록특허 10-1077789호는 실리콘 기판에서 이미 제조된 LED 스택을 플렉서블한 BLU층에 직접 전사시켜, 기존의 실리콘 기판 상에서 제조된 것처럼 소자의 정렬구조가 우수한 플렉서블 발광다이오드 제조방법을 개시한다. 하지만, 상기 기술은 화학적 식각을 사용하므로, 제조공정상 경제성과 안전성이 떨어지는 문제가 있다. 더 나아가, 상기 방법은 각각의 개별 소자를 화학적으로 정밀하게 식각하여야 하므로, 공정 시간이 오래 걸린다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 대량 생산이 가능한 플렉서블 발광소자 전사 방법과 이에 기반한 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 제조방법으로, 복수 개의 전극 패턴이 형성된 일 측 플라스틱 시트와, 복수 개의 단위 발광소자가 접착된 타 측 플라스틱 시트를 롤러로 동시에 이동시키는 단계; 상기 이동된 일 측 플라스틱 시트의 전극 패턴으로 상기 타 측 플라스틱 시트의 발광소자가 접촉되는 단계; 상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합되는 단계; 및 상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합됨에 따라 상기 타 측 플라스틱 시트와 상기 발광소자가 떨어지는 단계를 포함하는 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 일 측 플라스틱 시트와, 복수 개의 단위 발광소자가 접착된 타 측 플라스틱 시트를 롤러로 동시에 이동시키는 단계에서, 상기 일 측 플라스틱 시트와 타 측 플라스틱 시트 사이의 거리가 달라진다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 일 측 플라스틱 시트와 상기 타 측 플라스틱 시트의 거리는 이송 중 짧아진 후, 멀어지며, 상기 일 측 플라스틱 시트와 상기 타 측 플라스틱 시트의 거리가 짧아지는 영역에서, 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수 개의 단위 발광 소자는 상기 복수 개의 전극 패턴에 대응되며, 상기 일 측 및 타 측 플라스틱 시트 상에는 접착재가 도포된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 타 측 플라스틱 시트와 단위 발광소자 사이의 접착력은, 상기 전극 패턴과 상기 단위 발광소자 사이의 접착력보다 약하다.
본 발명은 또한 상술한 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법에 의하여 플라스틱 시트에 전사된 복수 개의 단위 발광소자 상에, 상기 복수 개의 단위 발광소자에 대응되는 복수 개의 칼라필터를 적층하는 단계; 및 상기 컬러 필터 상에 패시브층, 광시야각 필름, 편광필름 및 보호필름을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광시야각 필름, 편광 필름 및 보호필름 사이에는 접착층이 구비되며, 상기 단위 발광소자는, n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층 및 상부 금속전극층으로 이루어지며, 상기 상부 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이룬다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 단위 발광소자는 희생기판에서 제조된 후, 상기 희생기판에 조사되는 레이저에 의하여 상기 희생기판으로부터 분리된다.
본 발명은 또한 상술한 플렉서블 발광소자 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 발광소자를 제공한다.
본 발명은 롤러를 이용하여 실리콘 기판에서 제조된 발광소자와 같은 전자 소자를 원하는 플라스틱 시트에 전사시킨다. 따라서, 롤러에 의하여 자동으로 공급되어 이송되는 플라스틱 시트에 복수 개의 단위 발광소자 소자를 대량으로 하나의 단일 공정으로 전사시켜, 산업적 측면에서의 플렉서블 발광소자 제조가 가능하다. 또한, 본 발명은 수직 형태의 플렉서블 발광다이오드를 레이저 리프트 오프 방식으로 제조하므로, 우수한 공정 경제성을 갖는다.
도 1 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러 기반 전사 방법과 이를 이용한 플렉서블 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 15 내지 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 15 내지 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 따른, 접착수지 및 그 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
이하의 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 상세한 설명이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하는 것이 아님은 당연할 것이다. 따라서, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다.
또한 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 제조방법을 제공한다.
즉, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 회전하는 롤러에 의하여 기판이 이동하는 소위 롤(Roll) 방식으로 플렉서블 발광소자를 플라스틱으로 전사한다. 본 발명은 특히 복수 개의 단위 발광소자 소자를, 롤러로 이송시켜 하부 전극이 패턴된 플라스틱 시트로 상기 단위 발광소자 소자를 일대일로 대응시켜 전사시킨다. 이로써, 롤러 이송에 따라 발광소자 소자를 대량으로 정밀하게 제조할 수 있다.
도 1 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러 기반 전사 방법과 이를 이용한 플렉서블 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 1은 복수 개의 롤러(411)에 의하여 플라스틱 시트(601)가 이송되는 전사 장치를 나타내는 도면이다. 도 9를 참조하면, 상기 플라스틱 시트(601) 상부에는 접착층(751)이 도포된 상태이며, 상기 롤러(411)는 서로 대향되도록 구성되나, 대향되는 롤러간 거리는 달라진다. 특히 롤러간 거리가 짧아짐에 따라 플라스틱 시트(601) 사이의 거리 또한 짧아지며, 상기 짧아지는 거리 부분에서 플라스틱 시트에서의 소자 전사가 이루어진다. 즉, 롤-투-롤 방식으로 이송되는 도중 양 측 플라스틱 시트간 거리가 가까워짐에 따라 상기 일 측 플라스틱 시트에 접착된 복수 개의 단위 발광소자 소자는, 소자의 하부 기판이 상기 타 측 플라스틱 시트, 보다 구체적으로는 전극(200)에 접촉되어, 전극위로 전사된다.
도 2는 발광소자 칩(821)을 일 측 플라스틱 시트에 붙이고, 롤러를 이송시키면서 전극(811)이 형성된 타 측 플라스틱 시트(751)에 전사시키는 구성을 나타낸다. 도 2에서 개시된 방법을 이용하면 플렉서블 발광소자를 선택적으로 넓은 면적에 정밀하게 전사 할 수 있다. 특히 전극과 플렉서블 발광소자 간의 접착력을, 상기 플라스틱 시트와 플렉서블 발광소자 칩(821) 사이의 접착력보다 강하게 구성함으로써, 전극(811)과 접촉한 발광소자 칩(821)은, 상기 전극(811)에 접착되고, 접촉 후 멀어지는 거리에 의하여 상기 일 측 플라스틱 시트로부터 떨어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 상에는 에폭시와 같은 전도성 접착제 등이 도포될 수 있다. ,
도 3 및 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 상기 플렉서블 발광소자가 전사되는 플라스틱 시트의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 3 및 4를 참조하면, 플라스틱 시트(11) 상에 프린트스크린 또는 PVD 방식 등에 따라 전극(20) 패턴이 형성될 수 있다. 상기 패턴된 전극(20) 위치에, 상기 도 2에서 도시되는 발광소자 칩(30)이 롤-투-롤 방식으로 전사되며, 롤-투-롤 공정 제어에 따라 정확한 위치로 발광소자 칩이 상기 전극 패턴(20)위로 전사될 수 있다.
도 5는 상술한 롤-투-롤 방식으로 플라스틱 시트(11) 및 전극(20)에 전사된 복수 개의 단위 발광소자(30)를 나타내는 도면이다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 단위 발광소자(30)는 사파이어 기판과 같은 투명 기판으로부터 레이저 리프트 오프 방식으로 분리된 발광소자 칩인데, 상기 단위 발광소자(30) 제조방법은 이하 상세히 설명한다. 도 5에서의 단위 발광소자는, n-GaN(301)/양자우물층(302)/p-GaN층(303) 및 상기 p-GaN층(303)과 오믹 컨택을 이루는 전극(305)로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 발광소자 제조방법은 이하 상세히 설명된다.
도 6에서는 상기 플라스틱 시트(101) 상에 전사된 단위 발광소자(30) 상에 형광체를 함유하는 봉지재(400)가 도포된다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 봉지재, 형광체는 종래의 발광소자 제조공정에서 사용되는 물질이 될 수 있으며, 본 발명은 특정 봉지재, 형광체 물질에 그 범위가 한정되지 않는다.
도 7을 참조하면, 상기 봉지재(400) 상에 ITO와 같은 투명전극(500)이, 상기 단위 발광소자(30) 상에 각각 적층되며, 상기 투명전극(50)은 상기 발광소자(30)의 상부전극(350)과 연결된다.
도 8을 참조하면, 상기 단위 발광소자(30)의 투명전극(50) 상에 각각 적색, 청색, 녹색, 백색 컬러필터(60)가 형성된다. 상기 컬러필터(60)는 각각의 단위 발광소자(30) 상에 구비되며, 이로써 각각의 발광원에 대응되는 칼라 발광 소자가 완성된다.
도 9 및 10을 참조하면, 상기 컬러필터(60) 상에 패시브층(45)가 적층되고, 다시 상기 패시브층(45) 상에 접착층(70)이 도포된다.
도 11 내지 14를 참조하면, 상기 접착층(70) 상에 광시야각 필름(71)이 적층되고, 상기 또 다른 접착층(70)과, 상기 접착층(70) 위에 편광필름(72)이 적층된다. 이후 상기 편광필름(72) 상에 별도의 보호필름(75)이 적층되어, 각 개별 소자별로 칼라필터가 독립적으로 구비된 수직형 발광 다이오드가 완성된다(도 14 참조).
이하 본 발명의 일 실시예에 따라 레이저 리프트 오프 방식으로 수직형 발광 다이오드를 제조하는 방법을 상세히 설명한다. 하기 설명되는 수직형 발광 다이오드는 도 1 내지 5를 통하여, 전극 패턴(20) 상에 전사되는 발광소자 칩(30)에 대응된다.
도 15 내지 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 15를 참조하면, 사파이어 또는 유리와 같이 투명한 희생 기판(100) 상에 순차적으로 적층된 버퍼층(미도핑GaN, 200)/n-GaN(201)/양자우물층(202)/p-GaN층이 도시된다. 본 발명의 일 실시예에서 양자우물층(202)은 GaN/InGaN로 이루어지며, 상기 기능층의 적층은 종래 기술에 따르므로, 이에 대한 상세한 설명은 이하 생략한다.
도 16 및 17을 참조하면, 상기 사파이어 기판(100)상에 제조된 LED 소자층을, 포토리쏘그래피 및 에칭 공정을 통하여 패터닝한다. 이로써 사파이어 기판(100)상에 정렬된 복수 개의 단위 소자층의 어레이 구조가 완성된다. 본 발명의 일 실시예에서 포토레지스트(300)는 SU-8과 같은 고분자 수지가 사용되었으며, 패터닝 후 제거된다.
도 18을 참조하면, 상기 단위 소자층의 상부층인 p-GaN(203) 상에 금속층(400)이 적층되어, p-GaN오믹컨택이 완성된다.
도 19를 참조하면, 상기 사파이어 기판 및 소자층 및 금속층(400) 상에 합금층(450)이 증착되는데, 상기 합금층은 추후 진행되는 공융접합(eutectic bonding)이 가능한 물질이다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 합금층으로는 In/Pd/Cr이 사용되었으나, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않는다. 상기 합금층(450)의 적층에 의하여 소자층은 모두 상기 합금층 내부에 함몰된 형태를 이룬다.
도 20을 참조하면, 상기 소자층 및 금속층(400)을 덮고 있는 합금층(450)에, 상기 합금층(450)과 동일 물질층(450)이 증착된 실리콘 기판(150)을 접촉시킨 후, 열 및 압력을 가하여 공융접합을 진행한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 공융접합은 2-3MPa, 온도는 섭씨 200도에서 진행되었으나, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않는다.
도 21을 참조하면, 도 20의 공융접합 공정에 의하여 상기 합금층(450)은 용융되며, 이로써 합금층(450) 상에 실리콘 기판(150)이 접합된 형태가 완성된다.
도 22 및 23을 참조하면, 상기 사파이어 기판(100)의 후면에 레이저를 인가하여, 이로써 상기 소자층을 사파이어 기판으로부터 리프트-오프 시킨다. 상기 공정에 따라 조사되는 레이저는, 버퍼층(200) 표면의 GaN 분해를 발생시켜, 상기 발생하는 질소 압력으로 인하여 사파이어 기판(100)과 그 상부의 소자층은 분리된다.
도 24를 참조하면, 상기 버퍼층(200)을 플라즈마식각하여, 하부의 n-GaN층(201)이 하부에 드러나도록 한다.
도 25를 참조하면, 상기 n-GaN층(201) 하부에 또 다른 금속층(400)을 증착하여, n-GaN오믹컨택을 형성한다.
도 25를 참조하면, 상기 n-GaN오믹컨택을 형성하는 금속층(400)에 열 분리 테이프(600)를 접착시킨다. 상기 열 분리 테이프(600)는 특정 온도 이상의 열에 의하여 접착력을 잃게 되는 테이프이다.
도 27을 참조하면, 상기 합금층(450)을 습식 식각 공정으로 제거한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 습식 식각 공정은 인듐(In)을 특정적으로 제거하는 용액에 상기 합금층(450)을 침지시키는 방식으로 합금층(450)을 제거하였으나, 이외에도 건식 식각 방식 등도 사용가능하며, 상기 합금층 제거에 따라 상부의 p-GaN오믹컨택이 외부로 노출된다.
도 28 및 29를 참조하면, 열 분리 테이프(Thermal Release Tape, 600) 위에 있는 소자를, 금속 라인(400)이 형성되어 있는 플렉서블 기판(160)과 이방성 도전필름(ACF, 500)을 이용하여 접합시킨다.
도 30 내지 31을 참조하면, 열 인가를 통하여 상기 열 분리 테이프를 제거하고, 소자를 뒤집은 후, 광투과성이 좋은 보호층(301)으로 상기 소자를 도포한다. 이로써 플렉서블한 플라스틱 시트(160) 상에 형성된 어레이 구조의 복수 LED 단위 소자가 완성된다. 이후, 상기 보호층(301)을 일부 패터닝하며, p-GaN인터커넥션층(401)과, 소자 상의 n-GaN오믹컨택(400)을 외부로 노출시킨다.
본 발명에 따른 플렉서블 수직 발광다이오드는, p-GaN컨택과 플렉서블 기판 사이에 p-GaN인터커넥션층(electrical interconnection, 401)이 소자 영역 측면에 형성된 구조를 가지며, 상기 인터커넥션층(401)은 소자 작동시전기신호 전달 및 열방출의 통로가 된다.
도 32 및 33을 참조하면, 금속층을 증착시킨 후, 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝하며, 상기 오믹컨택(400) 상에 형성된 금속라인(402)을 완성한다. 이로써 본 발명에 따른 수직 형태의 플렉서블 LED는 수직 구조를 가지며, 측면으로 연장된 p-GaN컨택 등을 통하여 안정된 발광과 더불어, 소자 동작시 발생되는 열을 측면으로 효과적으로 분산시킬 수 있다. 즉, 본 발명은 두 개의 금속전극층 중 어느 하나를 n-GaN층상에 적층하여, 제 1 오믹컨택(400)을 이루고, 또한 나머지 하느를 소자층 하부의 상기 p-GaN층과 오믹컨택(401)을 이루게 하고, 이를 연장하여 측면에 노출시킴으로써 소자에서 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.
이상 살핀 바와 같이 본 발명은 상술한 바와 같이 화학적 식각 방식이 아닌, 레이저 리프트 오프 방식으로 발광다이오드를 제조하므로, 경제성과 안전성이 개선된다. 또한 공융접합 방식으로 금속간 접합을 유도하므로, 전사시 발생하는 소자의 이탈 등의 문제를 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 발광다이오드는 그 자체로 조명 등의 광학 소자에 사용될 수 있으며, 아울러 LCD 등과 같은 디스플레이 소자의 백라잇유닛으로도 사용될 수 있다. 또한 광역학 치료 등의 목적으로도 다양하게 활용될 수 있으며, 이는 모두 본 발명의 범위에 속한다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (12)
- 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 제조방법으로,
복수 개의 전극 패턴이 형성된 일 측 플라스틱 시트와, 복수 개의 단위 발광소자가 접착된 타 측 플라스틱 시트를 롤러로 동시에 이동시키는 단계;
상기 이동된 일 측 플라스틱 시트의 전극 패턴으로 상기 타 측 플라스틱 시트의 발광소자가 접촉되는 단계; 및
상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합되는 단계; 및
상기 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합됨에 따라 상기 타 측 플라스틱 시트와 상기 발광소자가 떨어지는 단계를 포함하는 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 1항에 있어서,
상기 일 측 플라스틱 시트와, 복수 개의 단위 발광소자가 접착된 타 측 플라스틱 시트를 롤러로 동시에 이동시키는 단계에서, 상기 일 측 플라스틱 시트와 타 측 플라스틱 시트 사이의 거리가 달라지는 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 2항에 있어서,
상기 일 측 플라스틱 시트와 상기 타 측 플라스틱 시트의 거리는 이송 중 짧아진 후, 멀어지는 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 3항에 있어서,
상기 일 측 플라스틱 시트와 상기 타 측 플라스틱 시트의 거리가 짧아지는 영역에서, 전극 패턴으로 상기 발광소자가 접합되는 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 4항에 있어서,
상기 복수 개의 단위 발광 소자는 상기 복수 개의 전극 패턴에 대응되는 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 5항에 있어서,
상기 일 측 및 타 측 플라스틱 시트 상에는 접착재가 도포되는 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 6항에 있어서,
상기 타 측 플라스틱 시트와 단위 발광소자 사이의 접착력은, 상기 전극 패턴과 상기 단위 발광소자 사이의 접착력보다 약한 것을 특징으로 하는, 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법. - 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법에 의하여 플라스틱 시트에 전사된 복수 개의 단위 발광소자 상에, 상기 복수 개의 단위 발광소자에 대응되는 복수 개의 칼라필터를 적층하는 단계; 및
상기 컬러 필터 상에 패시브층, 광시야각 필름, 편광필름 및 보호필름을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 칼라 발광소자 제조방법. - 제 8항에 있어서,
상기 광시야각 필름, 편광 필름 및 보호필름 사이에는 접착층이 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 칼라 발광소자 제조방법. - 제 9항에 있어서, 상기 단위 발광소자는,
n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층 및 상부 금속전극층으로 이루어지며, 상기 상부 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 칼라 발광소자 제조방법. - 제 10항에 있어서,
상기 단위 발광소자는 희생기판에서 제조된 후, 상기 희생기판에 조사되는 레이저에 의하여 상기 희생기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 플렉서블 칼라 발광소자 제조방법. - 제 11항에 따른 플렉서블 칼라 발광소자 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 칼라 발광소자.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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