JP6546278B2 - マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 - Google Patents

マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、表示に用いられるマイクロ発光ダイオードに関し、より具体的には、マイクロ発光ダイオードの搬送方法、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法、マイクロ発光ダイオード装置及びマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器に関する。
マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）技術は、マイクロサイズのＬＥＤアレイを基板に高密度集積することである。現在、マイクロ発光ダイオード技術は発展し始め、産業界では、高品質マイクロ発光ダイオード製品の市場登場が期待されている。高品質マイクロ発光ダイオード製品は、既に市場に登場している例えばＬＣＤ／ＯＬＥＤのような従来の表示製品に対し多大な影響を与えている。
マイクロ発光ダイオードを製造する過程に、まずドナーウェハにマイクロ発光ダイオードを形成し、続いてマイクロ発光ダイオードを、例えばディスプレイである受け基板に搬送する。
マイクロ発光ダイオードを製造する過程における１つの難題は、如何にマイクロ発光ダイオードをドナーウェハから受け基板に搬送するかである。従来技術において、一般的に静電型ピックアップの方式により前記搬送を実行する。静電型ピックアップの過程には、搬送ヘッドアレイを使用しなければならない。搬送ヘッドアレイは、その構造が比較的複雑であり、その信頼性を考慮しなければならない。搬送ヘッドアレイを製造するには余分なコストがかかる。搬送ヘッドアレイを利用するピックアップの前に、位相を変化させなければならない。また、搬送ヘッドアレイを利用する製造過程に、マイクロ発光ダイオードの位相を変化させるサーマルバジェットは制限され、一般的に３５０℃より小さく、又は、より具体的には、２００℃より小さく、そうでなければ、マイクロ発光ダイオードの性能が劣化する。一般的に、搬送ヘッドアレイを利用する製造過程に２回搬送しなければならず、すなわち、ドナーウェハからキャリアウエハまでの搬送及びキャリアウエハから受け基板までの搬送が必要である。
米国特許ＵＳ８、３３３、８６０Ｂ１は、マイクロデバイスを搬送する搬送ヘッドアレイを開示し、搬送ヘッドにおける電極に電圧を印加することによってマイクロデバイスをピックアップする。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
米国特許ＵＳ８、４２６、２２７Ｂ１は、マイクロ発光ダイオードアレイを形成する方法を開示し、搬送ヘッドを使用してマイクロ発光ダイオードアレイを受け基板に搬送する。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
本発明の一つの目的は、マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる新しい技術的解決手段を提供することである。
本発明の一実施例によれば、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成することと、受け基板に異方性導電層を設置することと、マイクロ発光ダイオードを受け基板における異方性導電層と接触させることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することと、異方性導電層に対する処理を行うことにより、マイクロ発光ダイオードを受け基板における接続パッドに電気的に接続させることと、を含むマイクロ発光ダイオードの搬送方法を提供する。
好ましくは、異方性導電層に対する処理を行うステップは、さらに、補助基板を用いて、マイクロ発光ダイオード側から異方性導電層に圧力を印加することを含む。
好ましくは、異方性導電層に対する処理を行う温度は１５０℃〜２００℃であり、印加される圧力は１ＭＰａ〜４ＭＰａであり、圧力を印加する時間は１０秒〜３０秒である。
好ましくは、補助基板は平板型のリジット基板である。
好ましくは、補助基板の表面には仮結合されたポリマーが塗布されており、異方性導電層に対する処理を行うステップは、さらに、仮結合されたポリマーによって補助基板と異方性導電層を結合させることと、圧力を印加した後、仮結合されたポリマーによって補助基板を結合解除させ、補助基板を除去することと、を含む。
好ましくは、前記方法は、さらに、仮結合されたポリマーをエッチングすることにより、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含む。
好ましくは、異方性導電層は、異方性電導膜、異方性電導ペースト及び異方性導電テープの少なくとも一つである。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を用いてマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法を提供する。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を用いて製造されたマイクロ発光ダイオード装置を提供し、前記マイクロ発光ダイオードは異方性導電層によって受け基板における接続パッドと電気的に接触される。
本発明の別の実施例によれば、本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器を提供する。
本発明の別の実施例によれば、少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から支持体に搬送することと、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを支持体からスペア基板に搬送することと、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板から受け基板に搬送することと、を含むマイクロ発光ダイオードの搬送方法を提供する。
好ましくは、オリジナル基板はレーザー透過性を有し、少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から支持体に搬送するステップは、マイクロ発光ダイオードが形成されているオリジナル基板を、表面に光放出接着剤がある支持体に取り付けることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射して、オリジナル基板から前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、支持体側から光を照射して、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することとを含み、前記マイクロ発光ダイオードは光放出接着剤を介して支持体に接着される。前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを支持体からスペア基板に搬送するステップは、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを有する支持体をスペア基板に結合させることと、支持体側から光を照射して、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを放出することと、を含む。
好ましくは、光放出接着剤はＵＶ照射テープであり、支持体は硬性のものである。
好ましくは、支持体の材料はＰＥＴである。
好ましくは、スペア基板の表面にはエラストマー又はポリマーが有り、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを支持体からスペア基板に搬送するステップは、さらに、エラストマー又はポリマーによって前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板に結合させることを含み、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板から受け基板に搬送するステップは、さらに、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードと受け基板における接続パッドを位置合わせすることと、エラストマー又はポリマーによって前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、を含む。
好ましくは、前記方法は、さらに、成長基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成することと、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板に搬送することと、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板からオリジナル基板に搬送することと、を含む。
好ましくは、前記方法は、さらに、マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマーを塗布することと、ポリマーを硬化させることと、ポリマーをエッチングすることにより、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にN電極を形成することと、N電極においてパッケージングを行うことと、を含む。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を用いてマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法を提供する。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を使用して製造されたマイクロ発光ダイオード装置を提供する。
本発明の別の実施例によれば、本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器を提供する。
また、当業者であれば、従来技術に多くの問題が存在するが、本発明の各実施例又は請求項の技術的解決手段は、１つ又は複数の問題点のみを改善し、従来技術又は背景技術に挙げられた全ての技術的問題を同時に解決する必要がないことを理解すべきである。当業者であれば、１つの請求項に言及されていない内容を該請求項を制限するものとしてはならないことを理解すべきである。
以下、本発明のその他の特徴及びその利点が明瞭であるように、図面を参照して本発明の例示的な実施例を詳細に説明する。
添付の図面は明細書に合わせられ明細書の一部となり、本発明の実施例を示し、その説明とともに本発明の原理を解釈するのに用いられる。
本発明による方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明による方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。
以下、図面を参照して本発明の様々な例示的な実施例を詳細に説明する。注意すべきことは、別途具体的な説明がない限り、こられの実施例に記載の部品とステップの相対位置、数式及び数値は本発明の範囲を制限するものではない。
以下、少なくとも１つの例示的な実施例に対する説明は実質的に解釈的なものに過ぎず、本発明及びその応用又は使用を制限するものではない。
かかる分野における一般技術者の公知する技術、方法及び装置に対する詳細な説明は省略されるかも知れないが、適切な場合、前記技術、方法及び装置は明細書の一部と見なされるべきである。
ここで例示し検討される全ての実例において、いかなる具体的な数値は例示的なものに過ぎず、制限するためのものではないと解釈されるべきである。そのため、例示的な実施例のその他の実例は異なる数値を有することができる。
注意すべきことは、類似する符号とアルファベットは以下の図面において類似する項目を表示するため、ある項目が１つの図面に定義された場合、後の図面においてはさらに検討する必要がない。
以下、図面を参照して本発明の実施例と実例を説明する。
図１は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。
図１に示すように、ステップＳ１１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
前記レーザー透過性のオリジナル基板は、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板などであってもよい。前記マイクロ発光ダイオードは、ディスプレイパネルに取り付けられても良い。
当業者であれば、オリジナル基板に１つのマイクロ発光ダイオードを形成してもよく、又は複数のマイクロ発光ダイオードを形成してもよいことを理解すべきである。例えば、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードを形成することができる。前記複数のマイクロ発光ダイオードはアレイを形成することができる。
一実例において、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードが形成される場合、オリジナル基板は更に複数に分割され、より柔軟に搬送されることができる。
ステップＳ１２００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
例えば、前記受け基板はディスプレイパネルである。
例えば、前記接続パッドは、ディスプレイに用いられる赤色画素アレイ、黄色画素アレイ又は青色画素アレイに設置されることができる。
一実例において、複数のマイクロ発光ダイオードが形成された場合、複数のマイクロ発光ダイオードの少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された少なくとも１つの接続パッドと接触させることができる。前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードは、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちの１つ、複数又は全部であってもよい。当業者であれば、ここで、剥離される少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと接続パッドが接触することだけを説明したが、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちその他のマイクロ発光ダイオードも接続パッドと接触することができることを理解すべきである。
例えば、接触のステップにおいて、マイクロ発光ダイオードを液体フィルムを介して受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることができる。例えば、前記液体フィルムは、フラックスを含むことができる。ここで、液体フィルム（フラックス）の表面張力によって、マイクロ発光ダイオードは剥離されやすくなり、且つ成功率も非常に高い。
ステップＳ１３００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
一実例において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードが接続パッドと接触する場合、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板における少なくとも１つの領域を照射することにより、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域を技術者により選択することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域は、それぞれ前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードに対応することができる。前記少なくとも１つの領域は、オリジナル基板における一部の領域のみであってもよく、又は全ての領域であってもよい。
別の実例において、更に前記オリジナル基板を移動することによって、別のマイクロ発光ダイオードを搬送することができる。
別の実例において、オリジナル基板を使用して搬送した後、ディスプレイパネルにおける一部のドットにマイクロ発光ダイオードが欠損する場合に対応するために、別のレーザー透過性のスペア基板を使用することができる。例えば、別のスペア基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、スペア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッド（欠損位置）と接触させ、スペア基板側からレーザーでスペア基板を照射することにより、スペア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。このような方式で、更にディスプレイの品質を向上させることができる。
マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送した後、受け基板にマイクロ発光ダイオードアレイを形成することができる。
マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送した後に、更に後続のステップを含むことができる。
例えば、更に受け基板において、剥離されたマイクロ発光ダイオードに対するリフロー半田付けを行うことができる。更に、マイクロ発光ダイオードに負極を蒸着させることができる。各色のマイクロ発光ダイオードが搬送された後にリフロー半田付けを行うことができる。これに代えて、全ての色のマイクロ発光ダイオードが搬送された後にリフロー半田付けを行ってもよい。
また、更に半田付けされたマイクロ発光ダイオードに対するポリマー充填を行うことができる。例えば、更にテーパ状の誘電体蒸着でポリマー充填を代替することができる。
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えばディスプレイパネルである。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えばディスプレイ装置である。
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えばディスプレイ装置を更に含む。本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用することで、前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
従来技術に対して、同じ条件において、本発明の技術的解決手段により製造されたマイクロ発光ダイオードは、より簡単で、確実であり高性能を維持することができ、その生産率も高く、コストも低い。
別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
本発明の技術的解決手段において、直接オリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、レーザーリフトオフの方式により受け基板に搬送する。本発明の技術的解決手段は従来技術において想到できなかったものである。
また、本発明によれば、マイクロ発光ダイオードを選択的に搬送することができる。
また、本発明の技術的解決手段において、１回のみの搬送を行うことができるが、従来技術においては２回の搬送を行わなければならない。
また、従来技術に比べて、本発明の技術的解決手段は更に高効率で、コストがより低く、且つ、余分な熱消費による製品性能の劣化が発生しない。
また、ピックアップヘッドを用いる従来技術に比べて、本発明は複雑なピックアップシステムの必要がないため、本発明により製造された製品は、コストがより低く、より信頼できる。
また、従来技術におけるマイクロ発光ダイオードと中央部のキャリア基板との仮結合の必要がないため、本発明により、更にコストを削減することができる。
本発明ではピックアップヘッドを用いる従来技術において考慮しなければならない結合層の位相変化を考慮する必要がないため、本発明による製造方法は高い生産率を有することができ、余分な熱負荷の制限が小さい。そのため、同じ条件において、製造されたマイクロ発光ダイオードは更に高い性能を有する。
以下、図２Ａ〜２Ｇを参照して本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を説明する。
図２Ａに示すように、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板１にマイクロ発光ダイオード２を形成する。前記マイクロ発光ダイオード２は、例えば、垂直のマイクロ発光ダイオード構造を有する。マイクロ発光ダイオード２は、例えば、ｎ型にドーピングされたＧａＮ層、複数の量子井戸構造、ｐ型にドーピングされたＧａＮ層、ｐ型金属電極及びマイクロバンプなどを含む。
図２Ａに示すように、複数のマイクロ発光ダイオード２を分割することができる。
図２Ｂに示すように、オリジナル基板１を反転させ、液体フィルム（例えば、フラックスを含む）５を有する受け基板４と一致するように合わせる。マイクロ発光ダイオード２におけるマイクロバンプはフラックスと接触する。受け基板４には接続パッド３が予め設置されている。例えば、接続パッド３は、赤色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｒ、青色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｂと緑色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｇを含む。
図２Ｃに示すように、レーザー６でオリジナル基板における一部の領域７を選択的に照射することにより、形成された複数のマイクロ発光ダイオードから、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂをオリジナル基板から剥離する。
図２Ｄに示すように、オリジナル基板１を持ち上げる。液体フィルムの表面張力の作用で、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂを簡単に剥離し、オリジナル基板１にその他のマイクロ発光ダイオードを残すことができる。
続いて、オリジナル基板を移動させ、図２Ｃ〜図２Ｄの操作を繰り返すことにより、複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することができる。
図２Ｅに示すように、複数のマイクロ発光ダイオードは受け基板４に搬送される。
図２Ｆに示すように、例えば、リフロー半田付けを介して複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に半田付けする。その後、フラックスを洗浄することができる。
図２Ｇに示すように、受け基板にポリマー８を充填し密閉する。その後、例えば、ＩＴＯ材料を利用して、Ｎ型金属電極９を蒸着させる。
図３は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
図３に示すように、ステップＳ２１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
ステップＳ２２００において、受け基板に異方性導電層を設置する。
例えば、異方性導電層は、異方性導電膜（ＡＣＦ）、異方性導電ペースト（ＡＣＧ）と異方性導電テープ（ＡＣＴ）の少なくとも１つである。
ステップＳ２３００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板における異方性導電層と接触させる。例えば、マイクロ発光ダイオードと受け基板における異方性導電層を接着させることができる。このステップにおいて、例えば、まずマイクロ発光ダイオードと受け基板における対応の接続パッドを位置合わせすることができる。
ステップＳ２４００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
例えば、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードに対してそれぞれ上記ステップを実行することができる。それぞれ３種類の発光ダイオードに対して上記搬送を実行することは、上記ステップに対する簡単な繰り返しと見なすことができるため、ここで、詳細な説明を省略する。上記ステップにおけるそれぞれが１つの解決手段において実行されたことがあれば、該解決手段は本発明の保護範囲に含まれる。
ステップＳ２５００において、異方性導電層を処理することにより、マイクロ発光ダイオード（電極）と受け基板における接続パッドを電気的に接続させる。
一実例において、補助基板を使用して、マイクロ発光ダイオード側から異方性導電層に圧力を印加することができる。例えば、異方性導電層を処理する温度は１５０℃〜２００℃であってもよい。例えば、印加される圧力は１ＭＰａ〜４ＭＰａである。例えば、圧力を印加する時間は１０秒〜３０秒である。
一実例において、補助基板は平板型のリジッド基板であってもよい。本願の発明者は、リジッド基板を用いることによってマイクロ発光ダイオードに発生可能な変位を減少させることができることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。
例えば、補助基板の表面には仮結合のポリマーが塗布されることができる。この場合、ステップＳ２５００は、さらに、仮結合のポリマーを介して補助基板を異方性導電層に結合させることと、圧力を印加した後、仮結合のポリマーを介して補助基板を結合解除させることによって、補助基板を除去することと、を含むことができる。補助基板をマイクロ発光ダイオードと仮結合させる利点は、マイクロ発光ダイオードの位置を相対的に固定し、異方性導電層を処理する期間におけるマイクロ発光ダイオードの変位を減少させることができることである。
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対し通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、仮結合のポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
例えば、受け基板は表示基板であってもよい。受け基板には、マイクロ発光ダイオードに電気的に接続させるために、リード線及び接続パッドを予め設置することができる。
この実施例において、異方性導電層によりマイクロ発光ダイオードと受け基板を接続させる。このような処理は比較的に簡単であり、大量生産により適切である。
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用して前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置において、マイクロ発光ダイオードは、異方性導電層を介して受け基板における接続パッドと電気的に接触するが、これは従来技術におけるマイクロ発光ダイオード装置と異なる。
該別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
図４Ａ〜図４Ｌは本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。
図４Ａに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板２０１には赤色マイクロ発光ダイオード２０２がある。例えば表示基板などの受け基板２０４には異方性導電膜（ＡＣＦ）２０３がある。受け基板２０４はマイクロ発光ダイオードを接続するための信号リード線２０５及び接続パッド２０５’を有する。
図４Ｂに示すように、小さい力でオリジナル基板２０１（赤色マイクロ発光ダイオード２０２）を異方性導電膜２０３と接触させる。例えば、搬送しようとする赤色マイクロ発光ダイオード２０２を受け基板２０４における接続パッドと位置合わせすることができる。レーザー２０６でオリジナル基板２０１を照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｃには剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒが示されている。
図４Ｄはオリジナル基板２０７及びその緑色マイクロ発光ダイオード２０８を示す。剥離しようとする緑色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
図４Ｅは、緑色マイクロ発光ダイオード２０８が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２０９を介して少なくとも１つの緑色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｆは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒと緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇを示す。
図４Ｇはオリジナル基板２１０及びその青色マイクロ発光ダイオード２１１を示す。剥離しようとする青色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
図４Ｈは、青色マイクロ発光ダイオード２１１が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２１２を介して少なくとも１つの青色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｉは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇと青色マイクロ発光ダイオード２１１ｂを示す。
３色の発光ダイオードを搬送した後、欠陥が存在するか否かを点検し、修復することができる。
図４Ｊには補助基板２１３が示されている。補助基板２１３は平板型のリジッド基板、例えば、ガラス基板である。補助基板２１３には、ポリマー２１４、例えば、３Ｍ ＬＣ５２００／５３２０ポリマーが塗布されている。該ポリマーは、例えば紫外線により硬化されることができ、且つ赤色レーザーにより結合解除されることができる。
図４Ｋにおいて、補助基板２１３を介してＡＣＦ ２０３に対する処理を行う。例えば、処理条件は、温度が１５０℃〜２００℃、印加される圧力が１ＭＰａ〜４ＭＰａ、圧力を印加する時間が１０秒〜３０秒である。前記処理により、ＡＣＦ ２０３は垂直方向にマイクロ発光ダイオードを対応する接続パッドと接続させる。
その後、（ポリマー２１４を介して）補助基板２１３に対する結合解除を行う。
図４Ｌにおいて、下記のような通常の後続処理を実行する。ポリマー２１４をエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極２１５（例えば、ＩＴＯ材料電極）を形成し、Ｎ電極においてパッケージング２１６（例えば、ＰＥＴ積層を行う）を行う。
図５は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法のもう一つの例示的な実施例を示すフローチャートである。
図５に示すように、ステップＳ３１００において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から支持体に搬送する。例えば、オリジナル基板はレーザー透明性を有する。
一例において、該ステップは、マイクロ発光ダイオードが形成されているオリジナル基板を、表面に光放出接着剤がある支持体に取り付けることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射して、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、支持体側から光を照射することにより、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することとを含むことができ、前記マイクロ発光ダイオードは光放出接着剤を介して支持体に接着される。この実例において、支持体は透光性を有する。
例えば、前記光放出接着剤は紫外線照射テープ（ＵＶ Ｔａｐｅ）であってもよい。例えば、支持体は剛性のものである。搬送過程に、マイクロ発光ダイオードの変位は最終的製品の品質に影響を与える。本願の発明者は、剛性の支持体を用いることによって、このような変位を減少させることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。例えば、支持体の材料はＰＥＴであってもよい。
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透明性の基板に形成されにくい。そのため、一実例において、予め赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後赤色マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板に搬送することによって、最終的に受け基板に搬送することができる。例えば、該実施例において、成長基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成することができる。続いて、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板に搬送する。その後、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板からオリジナル基板に搬送する。
ステップＳ３２００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを支持体からスペア基板に搬送する。
例えば、スペア基板はその表面にエラストマー又はポリマーを有する。例えば、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板に結合させる。
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを有する支持体をスペア基板に結合させることと、支持体側から光を照射して、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを放出することと、を含むことができる。
ステップＳ３３００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板から受け基板に搬送する。
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと受け基板における接続パッドを位置合わせすることと、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することとを含むことができる。
例えば、それぞれ赤色マイクロ発光ダイオード、青色マイクロ発光ダイオードと緑色マイクロ発光ダイオードに対して上記搬送ステップを実行することができる。ここで、詳細な説明を省略する。
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対して通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマーを塗布することと、ポリマーを硬化させることと、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
本発明の発明者は、マイクロ発光ダイオードの搬送過程に、一般的にオリジナル基板における一部のマイクロ発光ダイオードのみを搬送することを発見した。直接マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送する場合、オリジナル基板に残されたマイクロ発光ダイオードを汚染させやすい。この実施例において、中間を経由する支持体の搬送により、このような汚染を減少させることができる。
該もう一つの実施例において、本発明は、さらに、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を含む。該製造方法は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
該また別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を利用することで前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
該また別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板に直接形成されることができない。そのため、予め別の基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後、サファイア基板に搬送しなければならない。図６Ａ〜図６は本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。
図６Ａに示すように、例えばＧａＡｓ基板などの成長基板３０１に赤色マイクロ発光ダイオード３０２を形成する。
図６Ｂに示すように、仮結合のポリマー３０３により、赤色マイクロ発光ダイオード３０２と例えばシリコン基板などの中間基板３０４を結合させる。ポリマー３０３は、例えば、熱剥離テープ（ＴＲＴ）である。
図６Ｃに示すように、例えば、湿式エッチングにより成長基板３０１を除去する。
図６Ｄに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板３０６にフォトレジスト３０５が塗布されている。フォトレジスト３０５により、オリジナル基板３０６は赤色マイクロ発光ダイオード３０２に結合される。フォトレジスト３０５は、２００℃以上の温度に耐えられるが、一般的には２５０℃以上である。
図６Ｅに示すように、２００℃より小さい温度で、ポリマー３０３を処理して、中間基板３０４を除去する。
図６Ｆに示すように、各赤色マイクロ発光ダイオード３０２を隔離するために、フォトレジスト３０５に対するＯ２プラズマエッチングを実行する。
図７Ａ〜図７Ｌは、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。
図７Ａに示すように、オリジナル基板４０６にはフォトレジスト４０５と赤色マイクロ発光ダイオード４０２がある。赤色マイクロ発光ダイオード４０２は紫外線照射テープ４１１に取り付けられている。紫外線照射テープ４１１は、剛性のＰＥＴ支持体４１２に位置する。レーザー４１３により、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図７Ｂに示すように、支持体４１２側から紫外線を照射することにより、剥離されていない赤色マイクロ発光ダイオードを放出する。
剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、オリジナル基板４０６から離脱されやすい。図７Ｃに示すように、剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、紫外線照射テープ４１１に接着され、その他の赤色マイクロ発光ダイオードは依然としてオリジナル基板４０６に残される。
図７Ｄに示すように、例えばガラス基板などのスペア基板４１５にはエラストマー／ポリマー４１６がある。例えば、スピンコートによりエラストマー／ポリマー４１６をスペア基板４１５に塗布することができる。エラストマー／ポリマー４１６は、例えばＰＤＭＳ又は３Ｍ ＬＣ５３２０であってもよく、且つ、例えば紫外線により硬化されることができる。
図７Ｅに示すように、支持体側から紫外線を完全に照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオード及びエラストマー／ポリマー４１６を放出する。
その後、例えば、マイクロ発光ダイオードにはマイクロバンプがない場合、銀ペーストを利用してスペア基板４１５におけるマイクロ発光ダイオードをシルクスクリーン印刷することができる。
図７Ｆに示すように、スペア基板４１５における赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒと受け基板４１７における接続パッド４１９を位置合わせする。例えば、受け基板４１７は表示基板であり、信号リード線４１８を含む。例えば、リフローにより、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒを接続パッド４１９に結合させる。リフローの温度は、例えば２６０℃より高くてもよい。その後、レーザーリフトオフにより、スペア基板４１５と受け基板４１７を分離する。
図７Ｇは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９と赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒがある。
図７Ｈはスペア基板４２０から受け基板４１７に緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇを搬送することを示す図である。スペア基板４２０はエラストマー／ポリマー４２１を有する。
図７Ｉは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ及び緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇがある。
図７Ｊは、スペア基板４２３から受け基板４１７に青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂを搬送することを示す図である。スペア基板４２３はエラストマー／ポリマー４２４を有する。
図７Ｋは、分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇ及び青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂがある。
図７Ｌにおいて、搬送後のマイクロ発光ダイオードに対して下記のような通常の後続処理を実行する。マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマー４２６を塗布し、ポリマー４２６を硬化させ、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極４２７を形成し、Ｎ電極においてパッケージング（図示せず）を行う。
既に実例を通じて本発明の幾つかの特定の実施例を詳細に説明したが、当業者であれば、以上の実例は説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲を制限するためのものではないことを理解すべきである。当業者であれば、本発明の範囲と趣旨を逸脱しない限り、上記実施例を修正することができることを理解すべきである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により制限される。

Claims (7)

  1. マイクロ発光ダイオードが形成されたオリジナル基板を、表面に光放出接着剤を有する支持体に取り付けることにより、前記マイクロ発光ダイオードを前記光放出接着剤によって前記支持体に接着することと、
    前記オリジナル基板側から前記オリジナル基板にレーザーを照射することにより、前記オリジナル基板から少なくとも一つの前記マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離することと、
    前記支持体側から前記支持体に光を照射することにより、剥離されていない前記マイクロ発光ダイオードを放出することと、
    を含む、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードをレーザー透過性の前記オリジナル基板から透光性の前記支持体に搬送するステップと、
    前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを有する前記支持体をスペア基板に結合させることと、
    前記支持体側から前記支持体に光を完全に照射することにより、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを放出することと、
    を含む、前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを前記支持体から前記スペア基板に搬送するステップと、
    前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを前記スペア基板から受け基板に搬送するステップと、
    を含むことを特徴とするマイクロ発光ダイオードの搬送方法。
  2. 前記光放出接着剤はＵＶ照射テープであり、前記支持体は硬性のものであることを特徴とする請求項１に記載の搬送方法。
  3. 前記支持体の材料はＰＥＴであることを特徴とする請求項１に記載の搬送方法。
  4. 前記スペア基板は、表面にエラストマー又はポリマーを有し、
    前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを前記支持体から前記スペア基板に搬送するステップは、さらに、
    前記エラストマー又はポリマーによって前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを前記スペア基板に結合させることを含み、
    前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを前記スペア基板から前記受け基板に搬送するステップは、さらに、
    前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードと前記受け基板における接続パッドを位置合わせすることと、
    前記エラストマー又はポリマーによって前記少なくとも一つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の搬送方法。
  5. 成長基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成することと、
    赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板に搬送することと、
    赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板から前記オリジナル基板に搬送することと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の搬送方法。
  6. 前記マイクロ発光ダイオードを有する前記受け基板にポリマーを塗布することと、
    前記ポリマーを硬化させることと、
    前記ポリマーをエッチングすることにより、前記マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、
    前記マイクロ発光ダイオードの前記エピタキシャル層にＮ電極を形成することと、
    前記Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の搬送方法。
  7. 請求項１に記載の方法を用いて前記マイクロ発光ダイオードを前記受け基板に搬送する方法を含むことを特徴とする、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230161410A (ko) 2021-03-26 2023-11-27 린텍 가부시키가이샤 워크 핸들링 시트 및 디바이스 제조 방법
KR20230161411A (ko) 2021-03-26 2023-11-27 린텍 가부시키가이샤 워크 핸들링 시트 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416425B2 (en) 2009-02-09 2019-09-17 X-Celeprint Limited Concentrator-type photovoltaic (CPV) modules, receiver and sub-receivers and methods of forming same
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US9761754B2 (en) 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
CN110060987B (zh) 2014-06-18 2021-03-12 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
KR102048378B1 (ko) 2014-06-18 2019-11-25 엑스-셀레프린트 리미티드 트랜스퍼가능한 반도체 구조체들의 방출을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US20160020131A1 (en) 2014-07-20 2016-01-21 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
WO2017105581A2 (en) 2015-10-02 2017-06-22 Semprius, Inc. Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (cpv) for space applications
EP3262694B1 (en) * 2015-10-20 2019-08-21 Goertek. Inc Method for transferring micro-leds and method for manufacturing micro-led device
EP3248226B1 (en) * 2015-11-04 2020-02-26 Goertek Inc. Micro-led transferring method and manufacturing method of micro-led device
GB2544335A (en) * 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US11230471B2 (en) 2016-02-05 2022-01-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed compound sensor device
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
TWI681508B (zh) 2016-02-25 2020-01-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US20180033768A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 Ananda H. Kumar Flat panel display formed by self aligned assembly
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US11220066B2 (en) * 2016-10-03 2022-01-11 Altec Industries, Inc. Spacer for use in precision bonding applications that provides enhanced shear strength
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10224231B2 (en) 2016-11-15 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
JP6850112B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-31 株式会社ディスコ Ｌｅｄ組み立て方法
US10325893B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Mass transfer of micro structures using adhesives
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
CN108886050A (zh) * 2017-01-24 2018-11-23 歌尔股份有限公司 微led装置、显示设备及微led制造方法
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US10403537B2 (en) 2017-03-10 2019-09-03 Facebook Technologies, Llc Inorganic light emitting diode (ILED) assembly via direct bonding
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
CN108695412B (zh) * 2017-04-10 2021-08-24 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 传输微小元件的方法
WO2018191883A1 (en) * 2017-04-19 2018-10-25 Goertek.Inc Micro-led array transfer method, manufacturing method and display device
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
US10836200B2 (en) 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
TWI706554B (zh) * 2017-12-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
KR102113200B1 (ko) * 2017-12-22 2020-06-03 엘씨스퀘어(주) 변형필름을 이용한 전사방법
KR102536305B1 (ko) * 2018-01-05 2023-05-24 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11387212B2 (en) * 2018-03-14 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of transferring a plurality of micro light emitting diodes to a target substrate, array substrate and display apparatus thereof
KR102076904B1 (ko) * 2018-03-16 2020-02-12 한국광기술원 Led 구조체 전사장치
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10505079B2 (en) 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
KR102503622B1 (ko) * 2018-05-31 2023-02-24 인스티튜트 오브 플렉서블 일렉트로닉스 테크놀로지 오브 투, 저장 유연성 소자의 과도 장치, 제조 방법 및 유연성 소자의 제작 방법
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
TWI660524B (zh) * 2018-07-17 2019-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
TW202008558A (zh) * 2018-07-23 2020-02-16 飛傳科技股份有限公司 晶片轉移之方法及其晶片轉移系統
KR20200015082A (ko) * 2018-08-02 2020-02-12 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법
CN109192821A (zh) * 2018-08-31 2019-01-11 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN109273565B (zh) * 2018-10-15 2021-02-02 华映科技（集团）股份有限公司 一种微发光二极管芯片的转移方法
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10796938B2 (en) * 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US11164905B2 (en) 2018-10-18 2021-11-02 Facebook Technologies, Llc Manufacture of semiconductor display device
US11257982B1 (en) 2018-10-18 2022-02-22 Facebook Technologies, Llc Semiconductor display device
US11227970B1 (en) 2018-10-18 2022-01-18 Facebook Technologies, Llc Light emitting diodes manufacture and assembly
CN111129235B (zh) * 2018-10-31 2021-10-22 成都辰显光电有限公司 一种微元件的批量转移方法
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
US11483937B2 (en) * 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
US11251139B2 (en) 2019-01-22 2022-02-15 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11322460B2 (en) 2019-01-22 2022-05-03 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11088121B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 X Display Company Technology Limited Printed LED arrays with large-scale uniformity
CN109887867B (zh) * 2019-03-08 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种微型器件转移装置和微型器件转移方法
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
US11094870B2 (en) 2019-03-12 2021-08-17 X Display Company Technology Limited Surface-mountable pixel packages and pixel engines
CN111834239B (zh) * 2019-04-23 2024-02-02 美科米尚技术有限公司 用于转移微型元件的方法
US10714374B1 (en) 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
CN110265348B (zh) * 2019-06-17 2021-07-20 上海天马微电子有限公司 一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备
CN110444480A (zh) * 2019-07-24 2019-11-12 浙江荷清柔性电子技术有限公司 制作柔性芯片的方法、柔性芯片
CN110581216B (zh) * 2019-08-02 2021-08-31 潍坊歌尔微电子有限公司 一种磁传感器的制造方法、磁传感器及电子设备
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
KR20210019323A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
US11127889B2 (en) * 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
US11626856B2 (en) 2019-10-30 2023-04-11 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11637540B2 (en) 2019-10-30 2023-04-25 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11315909B2 (en) 2019-12-20 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Displays with embedded light emitters
US11037912B1 (en) 2020-01-31 2021-06-15 X Display Company Technology Limited LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel
CN111403329B (zh) * 2020-03-26 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法
CN111477650B (zh) * 2020-04-16 2020-11-10 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移方法及转移装置
US11538849B2 (en) 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
CN112133210B (zh) * 2020-09-27 2022-06-17 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种Micro LED喷墨打印装置、转运方法、显示面板及显示装置
US11952266B2 (en) 2020-10-08 2024-04-09 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2002062825A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
JP4491948B2 (ja) * 2000-10-06 2010-06-30 ソニー株式会社 素子実装方法および画像表示装置の製造方法
JP2010177390A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 素子の移載方法および表示装置の製造方法
JP2010251360A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP5185344B2 (ja) 2010-09-06 2013-04-17 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
CN102244087A (zh) * 2011-07-29 2011-11-16 贵州大学 可控功率倒装阵列led芯片及其制造方法
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US9773750B2 (en) * 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9166114B2 (en) * 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
TWI594661B (zh) 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
JP2018508972A (ja) 2014-12-19 2018-03-29 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ バックプレーン上に発光ダイオードアレイを生成する方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230161410A (ko) 2021-03-26 2023-11-27 린텍 가부시키가이샤 워크 핸들링 시트 및 디바이스 제조 방법
KR20230161411A (ko) 2021-03-26 2023-11-27 린텍 가부시키가이샤 워크 핸들링 시트 및 디바이스 제조 방법

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