JP2006173190A - 半導体装置の製造方法及びicチップ配列用支持材 - Google Patents

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耕司 田崎
Hironobu Ishizaka
裕宣 石坂
Masahito Shibuya
正仁 渋谷
Kosuke Tanaka
耕輔 田中
Shigehiro Konno
繁宏 近野
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Abstract

【課題】微小なICチップを効率よく配線基板に搭載することができるようにする。
【解決手段】伸張性を有するICチップ配列用支持材3の一方の面に複数のICチップ2を配列し、ICチップ2の間隔が配線基板6の間隔とほぼ等しくなるようにICチップ配列用支持材3を伸張し、少なくとも1個以上のICチップ2もしくは1箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個のICチップ2と配線基板6との位置合わせを同時に行い、その後にICチップ2を配線基板6に搭載する。
【選択図】図3

Description

本発明は、ICチップを配線基板に実装した半導体装置に関して、生産性に優れた製造方法及びそれに用いる部材に関する。
現在、ICチップを配線基板に搭載する主な方式として、素子を1個ずつ搭載するワン・バイ・ワン方式が用いられている。このワン・バイ・ワン方式を用いた実際の搭載機はロータリータイプと、ロボットタイプに大別される。
ロータリータイプは図1に示すように、素子53を搭載するヘッド50の位置は動かさずに、基板54を動かして素子53を実装する所定の位置をヘッド51の下に持ってくる方式で、ヘッド51は素子53をピックアップ〜搭載という一連の動作を単純化している。そのため素子53の1個当たりの搭載に要する時間は0.1秒以下という高速動作が可能となるが、素子53の供給をエンボス加工されたテープ52のエンボス部に素子を1列に挿入したテーピングの状態で行う必要がある。図中、A部は部品をピックアップする位置を示し、B部は部品をマウントする位置を示している。図2でも同様である。
一方、ロボットタイプは図2に示すように、基板54を動かさずに素子53を搭載するヘッド55を動かす方式なので各種形態の部品を高精度に装着することができ、素子53等の部品の供給方法もテーピングだけでなく、ウエハやトレイ56にも対応できるが、素子53の1個当たりの搭載に要する時間はロータリータイプに比べて長くなる。
ICチップにはマイクロプロセッサに代表されるロジックLSIやメモリLSI、プロセッサとメモリ及び周辺回路が1つの素子内に組み込まれたシステムLSI等があり、高集積化、高機能化が図られている。また、各種ダイオードに代表される、単体では回路を形成しない個別半導体(ディスクリート・デバイス)があり、1mm程度への小型化や高機能化が図られている。
大型で外部端子数が多いLSI素子はロボットタイプで精度よく基板に搭載する必要があり、一方、端子数が少なく高い位置精度が要求されないディスクリート部品はロータリータイプで高速実装される場合も多い。
小型ICチップの特殊な例として、近年RFID(Radio Frequency Identification)タグ用に、無線通信用の回路や固体識別のための情報を書き込むためのメモリから構成される、大きさが1mm程度かそれ以下のICチップが開発されている。RFIDタグを用いる非接触式固体識別システムは、物のライフサイクル全体を管理するシステムとして、製造、物流、販売等すべての業態で注目されており、システムの構築が進められているが、その実現のためには安価かつ大量にICチップをアンテナに実装する必要があり、その手法の開発にも注目が集まっている。
エレクトロニクス実装大事典 614頁、社団法人 エレクトロニクス実装学会編、2000年
ICチップの搭載技術の課題に、小型化、高速化への対応が挙げられる。特に、前述したRFIDタグは近い将来に年間数十億から数百億個の需要が予想される。そのためには非常に生産性の高い実装方式の実現が不可欠である。試しに年間100億個のRFIDタグを生産する場合の1個あたりのタクトタイムを計算すると、休み無く稼動した場合でも1個当たり0.003秒となる。実装ラインを増やすことで対応することは可能であるが、生産コストの増大につながり、本質的な解決にはならない。
また、RFIDタグはICチップとアンテナとから構成される単純な構造であるがゆえに、その安価な生産にはICチップの低価格化すなわち小型化が不可欠である。現在、株式会社日立製作所から販売されている「ミューチップ」は0.5mm以下のICチップをアンテナに実装したものである。今後、半導体回路の設計技術及び細線化技術の進歩に伴いさらなるICチップの微小化が予想され、ICチップのハンドリングは従来の搭載ヘッドによる真空吸着方式では困難となる。
本発明は、前記に鑑みてなされたものであり、微小なICチップを効率よく配線基板に搭載することができる半導体装置の製造方法及びICチップ配列用フィルムを提供することを目的とする。
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法及びICチップ配列用フィルムは、以下の通りである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ICチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、伸張性を有するICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程と、前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるように前記ICチップ配列用支持材を伸張する工程と、少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ICチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することを特徴とする。
伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ICチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、伸張性を有する第1のICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を伸張する工程と、伸張性を有する第2のICチップ配列用支持材に転写する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を伸張するという工程と、を前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識マークを用いて位置決めをする工程と、複数個の前記ICチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行い、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化され、かつ表面に粘着層を形成された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ICチップの表面に粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有するICチップ配列用支持材の一方の面に転写し、前記ICチップの表面に形成された前記粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ICチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ICチップの表面に第1の粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有する第1のICチップ配列用支持材の粘着面に転写し、前記ICチップの表面に形成された前記第1の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ICチップの表面に第2の粘着剤層を形成する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、第1のICチップ配列用支持材上に仮固定された前記ICチップを伸張性を有する前記第2のICチップ配列用支持材に転写し、前記第2の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、を前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
本発明に係るICチップ配列用支持材は、前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の有機樹脂フィルムであることを特徴とする。
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の天然ゴム又は合成ゴムシートであることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において用いられる、弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上であることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において、前記ICチップ配列用支持材が伸張性と少なくとも一方の表面に粘着性を有するICチップ配列用支持材であることが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有するICチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記ICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ICチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有する第1のICチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材上に仮固定された前記ICチップを伸張性及び粘着性を有する第2のICチップ配列用支持材に転写し仮固定する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、をICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の有機樹脂フィルムからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された2層フィルムであることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の天然ゴム又は合成ゴムシートからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された2層フィルムであることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において用いられる、弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上であるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の表面に粘着剤層が形成されたシート状材料であることが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置において、複数の前記ICチップを複数の前記配線基板に、前記方法で搭載する際に、前記ICチップのベース基材面と前記配線基板の前記ICチップを固定する所定の面とを接着剤を介して固定し、前記ICチップの回路面上に形成された外部端子と、前記配線基板上の所定の端子とを、金属ワイヤで電気的に接続することが好ましい。
ICチップと配線基板とを含む半導体装置において、複数の前記ICチップを複数の前記配線基板に、前記方法で搭載する際に、前記ICチップの回路面上に形成された外部端子と前記配線基板の前記ICチップを接続固定する端子とを対向させ、導電性材料又は異方導電性材料又は非導電性材料を介して電気的接続かつ固定することが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において、前記ICチップが無線通信用のICチップであり、前記配線基板が送受信アンテナであることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において、前記ICチップが、固体識別のための識別情報を記憶し、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されており、前記配線基板が送受信アンテナであり、前記ICチップの一方の面に形成された外部電極が送受信アンテナの一つの端子に接続され、前記ICチップの他方の面に形成された外部電極が金属ワイヤ又は金属箔または導電性接着剤を介して、前記送受信アンテナの別の端子に接続されることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において、前記ICチップの1辺の大きさが、0.5mm以下であることが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法及びICチップ配列用支持材によれば、次のような効果を得ることができる。すなわち、複数個のICチップを配列用支持材に配列し、その支持材を伸張してICチップを配線基板の配列された間隔とほぼ等しくした後に一括して位置合わせをすればICチップを効率よく配線基板に搭載することができる。特に一辺の長さが0.5mm以下のICチップを搭載する場合には、微小な素子を1個ずつハンドリングする必要がなく有効である。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
なお、以下に記載の実施の形態は、最良の形態の一例であり、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
図3に本発明の半導体装置の製造方法の概略図を示す。図3(a)は半導体ウエハ1がダイシング加工等の手法を用いて個片化された状態を示す。各ICチップ2は個片化されても分離しないようにダイシングテープに仮固定されている。
図3(b)はダイシングテープ4上に整列したICチップ2の上から支持材固定治具21に固定されたICチップ配列用支持材3(以下、配列用支持材という。)を重ね、粘着剤層を介してICチップ2を配列用支持材3に転写する際の断面図である。所定の範囲のICチップ2を確率よく転写するために転写用治具22を使用するとよい。
ここで、ICチップ2を配列用支持材3に転写するための粘着剤層は、図4(a)に示すように、配列用支持材3のベース基材3Aの表面に形成された粘着剤層3Cであってもよく、もしくは図4(b)に示すように、個片化されたICチップ2の上に塗布等の手法で形成した粘着剤層3Cであってもよい。粘着材層の粘着力は良好な転写性を得るためにダイシングテープの粘着力より強くしておくほうがよい。
図3(c)は配列用支持材上にICチップ2が仮固定された状態を上面からみた図であり、図3(d)はICチップ2が下面になるように配置した場合の断面構造を示す。
図3(e)は支持材固定治具に対し、先端がほぼ平坦な伸張用治具23を配列用支持材3の上から押し下げながらICチップ2の間隔が所定の長さになるように配列用支持材3を伸ばす方法の断面図である。この方法はICチップ2の間隔をほぼ等方的に広げることに好適である。
配列用支持材3を1回伸張しただけではICチップ2の間隔が所定の長さにならない場合、続いてICチップ2を第2の配列用支持材3に転写し、上記と同様の方法で伸張することを繰り返し、ICチップ2の間隔を所定の長さにする。
次に図3(f)に示すように、所定の間隔に広げられたICチップ2が配線基板支持材5上に配列された配線基板6に対向するように配列用支持材3を重ね、配線基板6に搭載する。この際、複数個が配列されたICチップ2と配線基板6の位置決めは、各々所定の1箇所ずつを選んで行ってもよく、または、複数箇所を選んで全体のバランスを見ながら行ってもよい。配線基板6の搭載部にはあらかじめICチップ2の接続材料8を形成しておくとよい。また、ICチップ2を確率よく配線基板6に搭載するために転写用治具26を用い、ICチップ2を配線基板6に押し付けるように搭載することが好ましい。
図3(g)は平面上に配列された配線基板6にICチップ2が搭載された状態を示す。
次にICチップ2と配線基板6の電気的な接続を行うが、接続構造が図5(b)に示すように配線基板6にICチップ2の裏面を固定し、ICチップ2の回路面上の外部端子2Aと配線基板6上の接続端子6Aとを例えばワイヤボンディングで接続する場合には、ICチップ2を配線基板6に搭載する際に、図5(a)に示すようにICチップ2の外部端子2A面が配列用支持材3に仮固定されていなければならない。
同様に、接続構造が図6(b)に示すようにICチップ2の外部端子2Aを配線基板6の接続端子に直接接続するフリップチップ方式の場合には、ICチップ2を配線基板6に搭載する際に、図6(a)に示すようにICチップ2の裏面が配列用支持材3に仮固定されていなければならない。
配列用支持材3を伸ばす方法としては、図3(e)に示した方法に限らず、例えば図7に示すように配列用支持材3の周囲をチャッキングした状態で伸張用治具24を外側に引っ張る方式でもよい。この方式はチャッキングした伸張用治具24の引っ張り量を調整することでICチップ2の間隔を任意の方向に任意の量だけ広げることが可能である。
また、図8に示すように、スライドする平板を重ねた状態の伸張用治具25を包むように袋状の配列用支持材3を被せ、平板の重なりが小さくなる方向にスライドすることで袋状の配列用支持材3を伸ばすことができる。この方式はICチップ2の間隔を特定の方向にのみ広げることが可能である。
さらに、図9(a)に示すように袋状の配列用支持材3に空気等を導入して風船状に膨らませることもできる。続いて図9(b)に示すように平面状の配線基板6に押し付けることでICチップ2を配線基板6に搭載する。この方式は袋状の内部に導入される空気等の圧力が配列用支持材3に均等に掛かるため、ICチップ2の間隔を等方的に広げることが可能である。
本発明における配列用支持材3はポリエチレン、塩化ビニル等の有機材料からなるフィルム又は天然ゴムもしくは合成ゴムシートのような一様なフィルムでもよく、また、図10に上面からみた概略図を示すような繊維又は糸又は糸ゴム等を編んだ繊維状基材3Bや、図11に示すように繊維状基材3Bに粘着剤を含浸あるいは塗布する等の手法で少なくともその表面に粘着剤層3Cを形成したものでもよい。
配列用支持材3は可能な限り伸び率が大きいものがよく、引張破壊伸びが好ましくは200%以上、さらに好ましくは600%以上が好適である。
本発明にてICチップ2を接続する場合に注意しなければならないのは、先に述べた従来のワン・バイ・ワン方式のようにICチップ2を1個ずつピックアップし、配線基板6との位置決めを個々に行わないので、ICチップ2と配線基板6の位置決め精度は配列用支持材3の伸張の精度に依存することである。
接続構造が図12(a)に示すようなワイヤボンディング方式である場合、ICチップ2の1辺の長さC1と配線基板6上の搭載パッドの長さS1との関係から、配列用支持材3の伸張の際に許容される最大のずれ量は±(S1−C1)/2である。例えば、C1=1.0mm、S1=2.0mmの場合、許容ずれ量は±0.5mmとなる。
同様に、接続構造が図12(b)に示すようなフリップチップ方式である場合、ICチップ2の外部端子2Aの内側の沿面間距離C2と配線基板6の搭載パッド間の沿面間距離S2との関係から、配列用支持材3の伸張の際に許容される最大のずれ量は±(C2−S2)/2であり、例えばC2=0.7mm、S2=0.1mmの場合、許容ずれ量は±0.3mmとなる。
いずれの場合も配列用支持材3への転写と伸張を複数回繰り返す場合の上記の許容ずれ量は、最終的に配線基板6に搭載する時点での累積ずれ量となるので、1回あたりの伸張時の精度はより小さく制御しなければならない点に注意が必要である。
図13にはRFIDタグ用のインレットを上面から見た概略図を示す。インレットとはRFIDタグ用のICチップと、無線にて送受信を行うためのアンテナとを接続したものである。図13に示したアンテナ10は通信周波数が900MHz〜数GHzのマイクロ波帯用に用いられる励振スリット10Aが形成されたダイポールアンテナの例であり、アンテナ10の2個の接続端子に、ICチップ9の2個の外部電極を図12(b)に示したフリップチップ方式で接続した例である。
図14(a)には、株式会社日立製作所の宇佐美によって開発された、2個の外部電極が表裏面に形成された両面電極素子(以下、ICチップという。)12の一方の面の電極をアンテナの一方の端子に直接接続し、もう一方の面に形成された電極と、それに対応するアンテナの端子とをワイヤボンディングで接続した例である。図14(b)に素子接続部近傍の断面外略図を示す。両面電極素子12の一方の面に形成された外部電極12Bはベース基材10A上に形成されたアンテナ10に接続材料8を介して接続され、もう一方の面に形成された外部電極12Aは金属ワイヤ7を介して励振スリット11を挟んで反対側のアンテナ10に接続されている。この場合、金属ワイヤ7を保護するためにICチップ12及び接続部を有機樹脂で封止することが好ましい。また、アンテナ10はそれ自身に十分な剛性があればベース基材10Aは無くてもよい。
両面電極素子を使用したRFIDインレットの例として、図15に示すように、金属箔13を介してICチップ12の外部電極12Aとアンテナ10の端子を接続する構造でもよい。各々の接続は接続材料8を介して行ってもよく、もしくは超音波を印可して外部電極12Aと金属箔13とを直接接合してもよい。この構造で金属箔13がICチップ12を覆うような大きさにすれば、ICチップ12の保護の効果が得られ好ましい。さらにこの空隙を有機樹脂で封止すれば保護の効果がより大きくなり好適である。
図16には両面電極12A、12Bとアンテナ10とを金属箔13を介して接続するRFIDインレットの例として各々の接続を異方導電接着剤14によって行う例を示す。異方導電接着剤14には導電粒子14Aが分散されており、この導電粒子14Aにより電気的接続が得られる。接着剤14がアンテナ10と金属箔13との空隙を充填できるような接着剤14の量を用いれば、接続と同時に封止による保護効果も得られ、好適である。
また、両面電極12A、12Bとアンテナ10とを金属箔13を介して接続するRFIDインレットの構造においては、図17に示すようにICチップ12のシリコンベース基板面12Cに形成する外部電極をシリコンベース基板面12C自身が兼ねることも可能である。また、金属箔13はベース基材15に支持されていてもよい。これは図15及び図16に示した構造においても同様である。
図14〜図17を用いて詳細に説明した両面電極素子12を使用したRFIDインレットの構造には、ICチップ12とアンテナ10とを接続するために高度な位置精度が不要である。さらに図15〜図17の構造では、適切な大きさの金属箔を用いることでICチップ12と金属箔13及び金属箔12とアンテナ10の接続に関しても高度な位置精度が不要となり、本発明のICチップの搭載方法の適用に非常に好適である。
以上に説明したように、ICチップを配列用支持材上に配列し、ICチップの間隔が配線基板の配列ピッチとほぼ同じ長さになるように配列用支持材を伸張すれば、効率よく配線基板に搭載することができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
<実施例1>
以下、図18を用いて、両面電極素子を使用したRFIDインレットを作製した実施例1を説明する。
まず、アンテナ10を、アルミニウム箔とポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムとを貼り合わせた幅250mmのアンテナ基材30のアルミニウム箔を所定のパターンにエッチングすることで、縦方向3.0mm、横方向60mmの間隔に形成した。(図18(a))
次に、RFIDインレット用の両面電極素子(以下、本実施例でICチップという。)を縦方向0.5mm、横方向0.5mmの間隔で形成した厚み0.15mmのウエハを作製した。
次にダイシング加工によってICチップを分割した。厚み0.03mmのダイシングブレードを使用したため、個片化されたICチップの大きさは縦方向0.47mm、横方向0.47mmであった。
次に、第1の配列用支持材として厚み0.04mm、標準粘着力0.2N/25mm、大きさ80mm×80mmの塩化ビニル基材とアクリル系粘着剤とからなる粘着フィルム(第1の粘着フィルム)を用意した。ここで、標準粘着力とは、SUS−430−BA板に対する粘着力で、剥離角度90°、剥離速度200mm/分、23℃にて測定したものである。以下でも同様とする。
次に、ダイシングされたウエハから縦80個×横4個の計320個のICチップ12を第1の粘着フィルム31に転写した。(図18(b))
次に第1の粘着フィルム31の周囲40箇所をクリップ32で固定し、縦方向のICチップ12の間隔が伸張前の1.16倍である0.58mmに、横方向の間隔が伸張前の1.5倍である0.75mmになるように調整しながらクリップ32を引っ張り、第1の粘着フィルム31を伸張させた。(図18(c))
次に第2の配列用支持材として厚み0.04mm、標準粘着力0.3N/25mm、大きさ80mm×80mmの塩化ビニル基材とアクリル系粘着剤とからなる粘着フィルム(第2の粘着フィルム)33を用意した。
次に、第1の粘着フィルム31に配列されているICチップ12を第2の粘着フィルム33に転写した。
次に第2の粘着フィルム33の周囲40箇所をクリップで固定し、縦方向のICチップ12の間隔が伸張前の1.16倍である0.67mmに、横方向の間隔が伸張前の1.5倍である1.13mmになるように調整しながらクリップを引っ張り、第2の粘着フィルム33を伸張させた。
この作業を繰り返し、かつ伸張にあわせて粘着フィルムの大きさを大きくしながら、第12の粘着フィルム312を伸張することによって縦方向のICチップ12の間隔を60mm、横方向の間隔を3.0mmにした。(図18(d))。
この際に、粘着フィルム312の粘着力はICチップ12を確実に転写するために少しずつ大きくなるように調整した。1回目の伸張から12回目の伸張までのICチップ12の間隔と1回の伸張の倍率及び各粘着フィルムの標準粘着力を表1にまとめて示す。
次に、アンテナ基板30上の所定の位置に異方導電接着フィルム(AC−2052P−45、日立化成工業(株)製)を仮固定した。
次に、第12の粘着フィルム312上に仮固定された320個の素子12が、アンテナ基板30のアンテナ10上に仮固定された異方導電接着フィルム14に対向する向きで所定の位置になるように位置決めし、重ね合わせた後に粘着フィルム312の裏面から平坦な表面をもつ転写治具で押さえつけてICチップ12をアンテナ基板30のアンテナ10に搭載した。(図18(e))
次に、アルミニウム箔とPETフィルムとを貼り合わせたアンテナ基材30を縦方向1.5mm、横方向4.0mmの大きさに切断し、アルミニウム箔面に異方導電接着フィルム(AC−2052P−45、日立化成工業(株)製)を仮固定した。
次に、アルミニウム箔面に仮固定された異方導電接着フィルム16が、アンテナ基板上に搭載されたICチップ12と対向する向きに重ねた。(図18(f))
次に、その上からICチップ12の厚みに等しい突起を形成した圧着ヘッドを所定の位置に合わせ、圧着ヘッドを降下し、温度180℃、荷重4Nの条件で20秒間圧着し、図17に示す構造のRFIDインレットを得た。
こうして得た320個のRFIDインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでICチップ12に記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
Figure 2006173190
<実施例2>
以下、両面電極素子(以下、本実施例でICチップという。)を使用したRFIDインレットを作製した実施例2を説明する。
まず、アンテナの作製、ウエハの作製及びICチップの個片化を実施例1と同様にして行った。
次に、第1の配列用支持材としてナイロン及びポリウレタン製のパンティストッキングを用意し、大きさ80mm×80mmに切断した。
次に、パンティストッキングに原材料が多糖類である液状のりをなるべく一様に塗り、温風で10秒程度乾燥させ、第1の配列用支持材(以下、のり付きストッキングという。)を作製した。
次に、ダイシングされたウエハから縦80個×横4個の計320個のICチップを第1ののり付きストッキングに転写した。
次に第1ののり付きストッキングの周囲40箇所をクリップで固定し、縦方向のICチップの間隔が伸張前の1.55倍である0.78mmに、横方向の間隔が伸張前の3.3倍である1.65mmになるように調整しながらクリップを引っ張り、第1ののり付きストッキングを伸張させた。
次に第1ののり付きストッキングと同じ材料で、第2ののり付きストッキングを用意した。この際、粘着力が第1ののり付きストッキングより大きくなるように、乾燥条件を調整した。
次に、第1ののり付きストッキングに配列されているICチップを第2ののり付きストッキングに転写した。
次に第2ののり付きストッキングの周囲40箇所をクリップで固定し、縦方向のICチップの間隔が伸張前の1.55倍である1.20mmに、横方向の間隔が伸張前の3.3倍である5.45mmになるように調整しながらクリップを引っ張り、第2ののり付きストッキングを伸張させた。
この作業を繰り返し、かつ伸張にあわせてのり付きストッキングの大きさを大きくしながら、第4ののり付きストッキングを伸張することによって縦方向のICチップの間隔を60mm、横方向の間隔を3.0mmにした。
この際に、のり付きストッキングの粘着力はICチップを確実に転写するために少しずつ大きくなるように液状のりの乾燥条件で調整した。1回目の伸張から4回目の伸張までのICチップの間隔と1回の伸張の倍率を表2にまとめて示す。
以下の工程は実施例1と同様にして図17に示す構造のRFIDインレットを得た。
こうして得た320個のRFIDインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでICチップに記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
Figure 2006173190
<実施例3>
以下、両面電極素子(以下、本実施例でICチップという。)を使用したRFIDインレットを作製した実施例3を説明する。
まず、アンテナの作製、ウエハの作製及びICチップの個片化を実施例1と同様にして行った。
次に、第1の配列用支持材としてゴム風船を用意した。
次に、ゴム風船の表面に原材料が多糖類である液状のりをなるべく一様に塗り、温風で10秒程度乾燥させ、第1の配列用支持材(以下、のり付きゴム風船という。)を作製した。
次に、ダイシングされたウエハから縦4個×横4個の計16個のICチップを第1のゴム風船に転写した。
次に第1のゴム風船に圧縮空気を導入し、縦方向、横方向ともにICチップの間隔が伸張前の5倍である2.5mmになるように調整しながら、第1のゴム風船を伸張させた。
次に第1のゴム風船と同じ材料で、第2のゴム風船を用意した。この際、粘着力が第1のゴム風船より大きくなるように、乾燥条件を調整した。
次に、第1のゴム風船に配列されているICチップを第2のゴム風船に転写した。
次に第2のゴム風船に圧縮空気を導入し、縦方向、横方向ともにICチップの間隔が伸張前の5倍である12.5mmになるように調整しながら、第2のゴム風船を伸張させた。
第3のゴム風船についても同様の作業を繰り返し、伸張することによって縦方向、横方向のICチップの間隔を60mmにした。
この際に、ゴム風船の粘着力はICチップを確実に転写するために少しずつ大きくなるように液状のりの乾燥条件で調整した。1回目の伸張から3回目の伸張までのICチップの間隔と1回の伸張の倍率を表3にまとめて示す。
以下の工程は実施例1と同様にして図17に示す構造のRFIDインレットを得た。
こうして得た16個のRFIDインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでICチップに記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
Figure 2006173190

以上のように、実施例1〜実施例3のいずれにおいても、本発明の実現性を確認することができた。
従来工法のロータリータイプを説明するための図である。 従来工法のロボットタイプを説明するための図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。 本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。 本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。 本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。 本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。 本発明の半導体配列用支持材の構造の一例を示す平面図である。 本発明の半導体配列用支持材の構造の一例を示す断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。 本発明に好適なRFIDインレットの構造の一例を示す図である。 本発明に好適なRFIDインレットの構造の一例を示す図である。 本発明に好適なRFIDインレットの構造の一例を示す図である。 本発明に好適なRFIDインレットの構造の一例を示す図である。 本発明に好適なRFIDインレットの構造の一例を示す図である。 本発明の実施例1を説明する工程図である。
符号の説明
1:半導体ウエハ
2:ICチップ
2A:ICチップ外部端子
3:配列用支持材
3A:ベース基材
3B:繊維状基材
3C:粘着剤層
4:ダイシングテープ
5:配線基板支持材
6:配線基板
6A:接続端子
7:金属ワイヤ
8:接続材料

Claims (21)

  1. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ICチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体の製造方法において、
    伸張性を有するICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程と、
    前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるように前記ICチップ配列用支持材を伸張する工程と、
    少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ICチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ICチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、
    伸張性を有する第1のICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を伸張する工程と、伸張性を有する第2のICチップ配列用支持材に転写する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を伸張するという工程と、を前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
    少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ICチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
  5. 伸張性を有する前記ICチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ICチップを配列する工程が、個片化され、かつ表面に粘着層を形成された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ICチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、
    複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、
    複数個の前記ICチップの表面に粘着剤層を形成する工程と、
    分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有するICチップ配列用支持材の一方の面に転写し、前記ICチップの表面に形成された前記粘着剤層を介して仮固定する工程と、
    前記ICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ICチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、
    複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  7. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ICチップの表面に第1の粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有する第1のICチップ配列用支持材の粘着面に転写し、前記ICチップの表面に形成された前記第1の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ICチップの表面に第2の粘着剤層を形成する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、第1のICチップ配列用支持材上に仮固定された前記ICチップを伸張性を有する前記第2のICチップ配列用支持材に転写し、前記第2の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、を前記ICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
    複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  8. 請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の有機樹脂フィルムであることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  9. 請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の天然ゴム又は合成ゴムシートであることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  10. 請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上であることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  11. 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ICチップ配列用支持材が伸張性と少なくとも一方の表面に粘着性を有するICチップ配列用支持材であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、
    複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、
    分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有するICチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、
    前記ICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ICチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、
    複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  13. ICチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ICチップが形成されたウエハの前記ICチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ICチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有する第1のICチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、前記第1のICチップ配列用支持材上に仮固定された前記ICチップを伸張性及び粘着性を有する第2のICチップ配列用支持材に転写し仮固定する工程と、前記第2のICチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、をICチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
    複数個の前記ICチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも1個以上の前記ICチップもしくは1箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、
    前記ICチップを前記配線基板に搭載する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  14. 請求項11から13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の有機樹脂フィルムからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された2層フィルムであることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  15. 請求項11から13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上の天然ゴム又は合成ゴムシートからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された2層フィルムであることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  16. 請求項11から13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
    弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが0.01〜0.2mmで、かつ引張破壊伸びが200%以上であるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の表面に粘着剤層が形成されたシート状材料であることを特徴とするICチップ配列用支持材。
  17. ICチップと配線基板とを含む半導体装置において、
    複数の前記ICチップを複数の前記配線基板に、請求項1から16のいずれか1項に記載の方法で搭載する際に、前記ICチップのベース基材面と前記配線基板の前記ICチップを固定する所定の面とを接着剤を介して固定し、前記ICチップの回路面上に形成された外部端子と、前記配線基板上の所定の端子とを、金属ワイヤで電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  18. ICチップと配線基板とを含む半導体装置において、
    複数の前記ICチップを複数の前記配線基板に、請求項1から16のいずれか1項に記載の方法で搭載する際に、前記ICチップの回路面上に形成された外部端子と前記配線基板の前記ICチップを接続固定する端子とを対向させ、導電性材料又は異方導電性材料又は非導電性材料を介して電気的接続かつ固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 請求項1から7、請求項11から13、請求項17又は18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ICチップが無線通信用のICチップであり、前記配線基板が送受信アンテナであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. 請求項19に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ICチップが、固体識別のための識別情報を記憶し、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されており、前記配線基板が送受信アンテナであり、前記ICチップの一方の面に形成された外部電極が送受信アンテナの一つの端子に接続され、前記ICチップの他方の面に形成された外部電極が金属ワイヤ又は金属箔または導電性接着剤を介して、前記送受信アンテナの別の端子に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  21. 請求項19又は20に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ICチップの1辺の大きさが、0.5mm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281264A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP2012119459A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Kyocera Kinseki Corp 素子部品搭載装置
KR20190022444A (ko) * 2016-06-30 2019-03-06 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
JP2019153718A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社ディスコ デバイスの移設方法
WO2020235535A1 (ja) 2019-05-21 2020-11-26 株式会社ハリーズ 電子部品取付装置、電子装置の製造方法及びストラップの製造方法
US11670526B2 (en) 2017-11-21 2023-06-06 Hallys Corporation Electronic component mounting device for mounting electronic components

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS547575A (en) * 1977-06-20 1979-01-20 Tdk Electronics Co Ltd Way of mounting electronic parts
JPS5617385A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
JPS5731150A (en) * 1980-08-01 1982-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Supporting method of wafer
JPS5752143A (en) * 1980-09-16 1982-03-27 Toshiba Corp Mounting method and device for semiconductor pellet
JPH0677317A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の組立方法
JPH0730209A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光素子実装体の製造方法
JPH09198481A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Toshiba Chem Corp 電子タグ
JP2000163543A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Hitachi Ltd 無線icカードおよびその製造方法
JP2003085516A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Nec Tokin Corp 非接触通信媒体及びその製造方法
JP2003142534A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Toray Eng Co Ltd アライメント方法および装置
JP2004127981A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sony Corp ボンディング装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS547575A (en) * 1977-06-20 1979-01-20 Tdk Electronics Co Ltd Way of mounting electronic parts
JPS5617385A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
JPS5731150A (en) * 1980-08-01 1982-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Supporting method of wafer
JPS5752143A (en) * 1980-09-16 1982-03-27 Toshiba Corp Mounting method and device for semiconductor pellet
JPH0677317A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の組立方法
JPH0730209A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光素子実装体の製造方法
JPH09198481A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Toshiba Chem Corp 電子タグ
JP2000163543A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Hitachi Ltd 無線icカードおよびその製造方法
JP2003085516A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Nec Tokin Corp 非接触通信媒体及びその製造方法
JP2003142534A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Toray Eng Co Ltd アライメント方法および装置
JP2004127981A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sony Corp ボンディング装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281264A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP2012119459A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Kyocera Kinseki Corp 素子部品搭載装置
KR20190022444A (ko) * 2016-06-30 2019-03-06 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
KR102528636B1 (ko) 2016-06-30 2023-05-03 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
US11670526B2 (en) 2017-11-21 2023-06-06 Hallys Corporation Electronic component mounting device for mounting electronic components
JP2019153718A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社ディスコ デバイスの移設方法
JP7072977B2 (ja) 2018-03-05 2022-05-23 株式会社ディスコ デバイスの移設方法
WO2020235535A1 (ja) 2019-05-21 2020-11-26 株式会社ハリーズ 電子部品取付装置、電子装置の製造方法及びストラップの製造方法

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