JP5945736B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1に係る発光素子を図面に基づいて説明する。図1は、本実施の形態に係る発光素子の断面図である。また、図2は、本実施の形態に係る発光素子がサブマウントに実装される以前の状態を、電極側から見た図である。バンプが形成される(p電極とバンプとの接合面となる)領域は、点線にて示された領域である。図1に示す発光素子は、バンプPを介在させて実装基板Bにフリップチップ実装されるLEDチップである。
本発明の実施の形態1に係る発光素子の第1変形例について、図面に基づいて説明する。なお、図4においては、図1と同じ構成(材質)のものは同符号を付して説明を省略する。
本発明の実施の形態1に係る発光素子の第2〜第5変形例について、図面に基づいて説明する。
本発明の実施の形態2に係る発光素子を図面に基づいて説明する。なお、図8においては、図4と同じ構成(材質)のものは同符号を付して説明を省略する。本実施の形態2に係る発光素子は、接着誘電膜と反射導電膜との間に、酸化物を構成する酸素の一部が脱離した酸素欠損膜を密着誘電膜として更に設けたことを特徴とするものである。
12 半導体層
121 n型窒化物半導体層
122 窒化物発光層
123 p型窒化物半導体層
13 透明導電膜
14 反射層
141 低屈折率誘電膜
142 接着誘電膜
143 反射導電膜
145 貫通孔
146 溝
147,147a,147b 溝
148,148a,148b 溝
15 n電極
16 p電極
Claims (11)
- 光透過性を有する基板と、
前記基板に、n型層、発光層およびp型層が積層された半導体層と、
前記p型層上に積層され、前記p型層より屈折率が小さい透明導電膜と、
前記透明導電膜上に、導通領域を除くように積層され、前記p型層より屈折率が小さい低屈折率誘電膜と、
前記低屈折率誘電膜上に積層され、金属元素の酸化物からなる第1の誘電膜を含む接着誘電膜と、
前記接着誘電膜上に積層され、前記導通領域において前記透明導電膜と導通し、且つ金属層からなる反射導電膜と、
前記反射導電膜上に形成されたp電極と、
前記p電極と接合する複数のバンプを備え、
前記接着誘電膜は、前記p電極と前記複数のバンプとの各々の接合面を前記透明導電膜へ投影した複数の投影領域に設けられていることを特徴とする発光素子。 - 前記導通領域は、前記複数の投影領域以外の領域に設けられている請求項1記載の発光素子。
- 前記第1の誘電膜は、前記反射導電膜と接して形成されている請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記接着誘電膜と前記反射導電膜との間に、酸化物を構成する酸素の一部が脱離した酸素欠損膜を設けた請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記酸素欠損膜は、Al 2 O 3−x (但し、0<x<3)により形成された請求項4に記載の発光素子。
- 前記導通領域は、前記透明導電膜の周縁部に設けられている請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記導通領域は、前記複数のバンプの間に設けられ、該バンプより小さい輪郭を有する請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記導通領域は、前記透明導電膜の中心を対称点として点対称に配置されている請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記第1の誘電膜は、Al 2 O 3 ,Ta 2 O 5 ,ZrO 2 ,Nb 2 O 5 ,TiO 2 のいずれかの誘電膜から形成されている請求項1から8のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記低屈折率誘電膜は、シリコン化合物からなる請求項1から9のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記接着誘電膜は、前記低屈折率誘電膜よりも薄く形成された請求項1から10のいずれか1項に記載の発光素子。
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