KR101987698B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극; 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되는 제2도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층; 및 상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층(패시베이션층)을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이에서 배선기판 상에 성장기판에 성장된 반도체 발광 소자가 전사될 수 있다. 이때, 다양한 형태의 반도체 발광 소자 제작이 가능한 반도체 발광 소자 구조를 구현하기 위하여 상기 반도체 발광 소자의 선택전사가 이루어질 수 있다. 하지만, 상기 선택전사를 수행할 때, 성장기판상의 반도체 발광 소자 중 전사를 원하지 않는 반도체 발광 소자가 배선기판상에 일부 전사되는 것과 같은 불량이 발생하여, 제조비가 높아지는 단점이 있다. 이에 본 발명에서는 선택전사할 때, 불량이 감소된 선택전사가 구현될 수 있는 반도체 발광 소자 구조 및 이의 제조방법을 제시한다.
한국공개특허공보 제10-2016-0126779호 (2016.11.02.)
본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는 디스플레이 장치에서 배선기판에 성장기판상의 반도체 발광 소자를 선택전사할 때, 안정성과 신뢰성이 향상된 반도체 발광 소자의 구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 디스플레이 장치에서 배선기판에 성장기판상의 반도체 발광 소자를 선택전사할 때, 제조공정에서 불량을 감소시켜, 제조원가를 절감할 수 있는 반도체 발광 소자의 구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 반도체 발광 소자들의 동작전압을 낮추어, 광추출 효율을 향상된 반도체 발광 소자들을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 반도체 발광 소자들을 구비하며, 상기 반도체 발광 소자들 중 적어도 하나는, 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극과 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되는 제2도전형 반도체층과 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층, 및 상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층(패시베이션층)을 구비할 수 있다.
실시예에 있어서, 상기 절연층은 제1절연부, 제2절연부를 포함하고, 상기 제1절연부는 반도체 발광 소자의 최외각에서 제1도전형 전극 일면의 일부와 오버랩되며 제1도전형 전극의 가장자리를 환형을 이루면서 덮도록 형성되어 상기 제1도전형 전극을 보호하고, 상기 제2절연부는 상기 제1도전형 전극의 측면, 상기 제1도전형 반도체층의 측면, 상기 제2도전형 반도체층의 측면을 감쌀 수 있다. 상기 제1도전형 전극은 점착전극과 전도전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 전극과 상기 제1절연부 사이에 절연면이 형성될 수 있다. 상기 절연면에 상기 점착전극이 형성되고, 상기 점착전극의 면적은 상기 절연면의 면적보다 크거나 동일한 면적으로 형성되어 상기 절연면을 완전히 덮을 수 있다. 상기 점착전극은 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 나아가 상기 전도전극은 하나 이상의 금속층으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 전도전극은 제1도전형 반도체와 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 전도전극은 상기 제1도전형 전극의 산화를 방지하는 산화방지층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1절연부와 상기 제2절연부는 연속된 층으로 형성될 수 있다.
실시예에서, 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되는 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층 및 상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층(패시베이션층)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 개시한다.
또한, 기판상에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 성장시키는 단계와, 식각을 통하여 상기 기판상에서 반도체 발광소자들을 아이솔레이션하는 단계와, 상기 반도체 발광소자들의 제1도전형 반도체층의 일면에 제1도전형 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1도전형 전극의 일면을 적어도 일부 감싸고, 상기 제1도전형 전극의 측면, 상기 제1도전형 반도체층의 측면, 상기 제2도전형 반도체층의 측면을 감싸는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제1도전형 전극을 배선기판과 연결하고 상기 제2도전형 반도체층에 제2도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법을 개시한다.
실시예에서 상세하게, 상기 제1도전형 전극을 형성하는 단계는 점착전극과 전도전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 제1도전형 전극의 일면에 상기 제1절연부가 형성되지 않은 영역의 상기점착점극을 식각하여, 상기 전도전극을 외부로 노출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법을 개시한다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 반도체 발광 소자의 제1도전형 전극을 감싸는 절연층을 반도체 발광 소자의 최외각에 배치시킴으로써, 반도체 발광 소자를 보호할 수 있다. 이를 통하여, 반도체 발광 소자가 선택전사될 때, 제1도전형 전극과 배선기판이 합금을 형성하는 것이 방지되어 반도체 발광 소자의 안정성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 대면적 웨이퍼에서 성장한 반도체 발광 소자의 제1도전형 전극의 일부에 점착전극을 형성함으로써, 반도체 발광 소자 내에서 제1도전형 전극의 접착력을 향상할 수 있다. 이를 통하여, 반도체 발광 소자가 선택전사될 때, 제1도전형 전극이 탈락하는 불량을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에서는 저항성분이 큰 제1도전형 반도체층과 제1도전형 전극 사이에서 보다 넓은 접촉면적을 형성함으로써, 제1도전형 반도체층과 제1도전형 전극 사이에 전류 주입이 원활히 이루어질 수 있다. 이를 통하여, 반도체 발광 소자들의 동작전압이 감소되며, 광추출 효율이 개선될 수 있다. 따라서 디스플레이 장치의 휘도가 크게 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광 소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 본 발명의 실시예의 단면도이다.
도 12는 도 10의 라인 F-F를 따라 취한 본 발명의 실시예의 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 실시예의 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13b는 비교예의 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 14a, 도 14b, 도 14c, 도 14d, 도 14e, 도 14f, 도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 16은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 선택전사방법 흐름도이다.
도 17a, 도 17b 및 도 17c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 선택전사를 나타내는 개략도이다.
도 18a, 도 18b 및 도 18c는 비교예의 반도체 발광 소자를 이용한 선택전사를 나타내는 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 제1기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
제1기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 제1기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 제1기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 제1기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 제1기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뾰족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광 소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 디스플레이 장치는 상기 전사기판에 상기 반도체 발광 소자가 성장된 성장기판의 반도체 발광 소자를 전부 전사가 수행된다. 따라서, 다양한 형태의 반도체 발광 소자의 전사를 구현하기에 제약이 따르며, 제조비가 높은 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 반도체 발광 소자를 제시한다. 이하, 새로운 구조의 반도체 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광 소자가 적용된 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11은 도10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 12는 도 10의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 13a는 새로운 구조의 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10, 도 11 및 도 12의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능하다.
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
또한, 접착층(1033)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)과 반도체 발광 소자(1050) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(1033)을 형성하여 제1전극(1020)과 반도체 발광 소자(1050)를 물리적으로 접촉시킬 수 있다. 이에 반도체 발광 소자(1050)과 제1전극(1020)이 서로 연결되어 전기적으로 도통될 수 있다. 덧붙여, 접착층(1033)은 실버 페이스트, 주석 페이스트 및 솔더 페이스트로 형성할 수 있다. 접착층(1033)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
나아가, 접착층(1033)이 배치된 구조에서는 반도체 발광 소자(1050)들의 사이에 형성된 갭에는 전류가 흐르지 않는 물질이 충전될 수 있다. 이러한 예로써, 상기 갭에는 폴리이미드(1070)가 충전될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자들을 사이에 두고, 제1전극(1020)과 제2전극(1040)이 배치될 수 있다. 제2전극(1040)은 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 복수개가 배치될 수 있다. 제1전극(1020)과 제2전극(1040)은 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의해 전기적으로 연결된다.
도시에 의하면, 제2전극(1040)은 폴리이미드(1070) 상에 배치될 수 있다. 즉, 폴리이미드(1070)는 기판(1010)과 제2전극(1040)의 사이에 있을 수 있다. 상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 접착층(1033)에 의하여 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
다른 실시예에서, 접착층(1030)이 전술된 이방성 전도성 필름으로 대체될 수도 있다. 상기 이등방성 전도성 필름으로 상기 접착층을 형성하는 경우, 제2전극(1040)은 상기 이방성 전도성 필름 상에 배치될 수도 있다. 즉, 상기 이방성 전도성 필름은 기판(1010)과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 또한, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 이등방성 전도성 필름에 의하여 결합되어, 제1전극(1020)과 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 폴리이미드(1070) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.
도시와 같이, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050) 상에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 형광체층(1080)이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(1091)는 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 할 수 있다.
또한, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)의 전극을 상/하로 배치할 수 있다. 따라서, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
도 13a는 본 발명의 실시예의 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13a를 참조하면, 본 발명의 실시예에서 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156), 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155), 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154), 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153), 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)및 절연층(패시베이션층)(1157)을 포함한다.
제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
제1도전형 전극(1156)은 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 제1도전형 전극(1156)은 점착전극(1156a)과 전도전극(1156b)을 포함할 수 있다. 한편, 활성층(1154)은 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 제2도전형 전극(1152)은 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다. 또한, 활성층(1154)은 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 사이에 배치되며, 제1도전형 전극(1156)과 제2전극(1040)의 사이에 흐르는 전류에 의하여 빛을 발광하게 된다.
절연층(패시베이션층)(1157)을 반도체 발광 소자(1050)의 최외각에 구비함으로써, 반도체 발광 소자(1050) 안정화 특성의 향상할 수 있다. 절연층(1157)은 반도체 발광 소자(1050)의 제1도전형 반도체층(1155), 활성층(1154), 제2도전형 반도체층(1153) 및 제1도전형 전극(1156)을 감쌀 수 있다.
절연층(1157)은 제1절연부(1157a), 제2절연부(1157b)를 포함할 수 있다. 제1절연부(1157a)는 제1도전형 전극(1156) 일면의 일부와 오버랩되는 형태일 수 있다. 상세하게, 제1절연부(1157a)는 제1도전형 전극(1156)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있으며, 환형을 이룰 수도 있다. 또한, 제1절연부(1157a)는 제1도전형 전극(1156)의 점착전극(1156a)이 형성된 영역과 완전히 오버랩되도록 형성될 수 있다.
제2절연부(1157b)는 제1도전형 전극(1156)의 측면, 제1도전형 반도체층(1155)의 측면 및 제2도전형 반도체층(1153)의 측면을 감싸는 형태일 수 있다. 제2절연부(1157b)가 반도체 발광 소자(1050)의 감싸는 형태로 절연보호막을 형성하여, 반도체 발광 소자(1050)의 안전성을 더 확보할 수 있다. 나아가, 제1절연부(1157a)와 제2절연부(1157b)는 연속된 층일 수 있다.
제1도전형 전극(1156)과 제1절연부(1157a) 사이에는 절연계면(1161)이 형성된다. 절연계면(1161)에 점착전극(1156a)이 배치될 수도 있다. 점착전극(1156a)은 절연계면(1161)의 면적과 동일하거나 더 큰 면적으로 형성되어 절연계면(1161)을 커버할 수 있다. 절연계면(1161)에 점착전극(1156a)을 배치함으로써, 제1도전형 전극(1156)과 절연층(1157)의 접착력이 향상될 수 있다. 점착전극(1156a)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 점착전극(1156a)이 1nm 내지 10nm의 두께로 형성될 수도 있다. 상기 점착전극에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
전도전극(1156b)은 제1도전형 반도체층(1155)과 전기적 접촉이 형성되고, 하나 이상의 금속층으로 형성될 수 있다. 전도전극(1156b)은 제1도전형 반도체층(1155)과 오믹(ohmic) 접촉을 형성하는 오믹 접촉층을 포함할 수도 있다. 예시로써, ITO, 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 니켈-은(Ni-Ag) 중 어느 하나 이상이 전도전극(1156b)의 오믹 접촉층을 구성할 수 있다. 나아가, 전도전극(1156b)은 제1도전형 전극(1156)의 산화를 방지하는 산화방지층을 더 포함할 수 있다. 예시로써 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt) 중 어느 하나 이상이 전도전극(1156b)의 산화방지층을 구성할 수 있다. 상기 전도전극에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 살펴본 새로운 디스플레이 장치 구조에 의하면, 후술될 반도체 발광 소자가 성장된 성장기판의 반도체 발광 소자를 선택전사할 경우, 안정성과 신뢰성이 향상된 반도체 발광 소자의 구조 및 이의 제조방법을 제공된다. 또한, 디스플레이 장치에서 배선기판에 성장기판상의 반도체 발광 소자를 선택전사할 때, 제조공정에서 불량을 감소시켜, 제조원가를 절감할 수 있는 반도체 발광 소자의 구조 및 이의 제조방법을 제공된다. 그리고 반도체 발광 소자들의 동작전압을 낮추어, 광추출 효율이 향상될 수 있다.
도 13b는 비교예의 반도체 발광 소자(2050)를 나타내는 개념도이다.
도 13b를 참조하면, 비교예의 반도체 발광 소자(2050)는 절연층(패시베이션층)(2157)이 반도체 발광 소자(1050)의 최외각에 구비되지 않는다. 즉, 상기 비교예의 최외각에 제1도전형 전극(2156)이 구비되어 양각의 형태일 수 있다. 또한, 상기 비교예는 절연층(2157a)의 외각으로 제1도전형 전극(2156)이 형성되어 있으므로, 상기 점착전극을 형성하기 어렵다.
비교예의 반도체 발광 소자(2050)는 제1도전형 전극(2156)이 최외각에 배치되어 양각의 형태이기 때문에, 후술될 선택전사과정에서 절연층(2157)에 의해서 보호될 수 없다. 또한, 유체가 채워진 챔버 속에 상기 반도체 발광 소자들 및 상기 기판을 널고 상기 기판에 상기 반도체 발광 소자들이 스스로 조립되는 자가조립 방식으로 상기 기판 상에 상기 반도체 발광 소자들을 배치할 때, 최외각에 배치된 제1도전형 전극(2156)끼리 접촉하여 불량이 야기될 수도 있다. 이러한 문제 또한 해결하기 위해서, 본 발명에서는 상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층을 배치는 제1도전형 전극의 음각의 형태로 반도체 발광 소자를 구현하여, 상기 반도체 발광 소자를 보호할 수 있다.
또한, 비교예의 반도체 발광 소자(2050)는 도 13a에서 전술된 본 발명의 실시예보다 제1도전형 반도체층(2155)과 제1도전형 전극(2156) 사이 접촉계면의 면적이 좁게 형성되어 전류 주입이 원활히 이루어지지 않을 수 있다. 이에, 비교예의 반도체 발광 소자(2050)는 보다 높은 동작 전압을 가지게 되는 단점이 있다.
상세하게, 비교예의 절연층(2157)은 제1도전형 반도체층(2155)의 적어도 일부 일면과 제1도전형 반도체층(2155)의 측면, 제2도전형 반도체층(2153)의 측면을 감싸는 형태일 수 있다. 또한, 절연층(2157)은 제1도전형 반도체층(2155)의 일면의 일부를 감싸는 제1절연부(2157a)로 이루어질 수 있다. 제1도전형 반도체층(2155)과 제1절연부(2157a) 사이에는 절연계면(2161)이 형성된다.
제1도전형 전극(2156)은 제1도전형 반도체층(2155)의 일면에 형성된다. 또한, 도시하는 것과 같이, 제1도전형 전극(2156)의 가장자리의 일부는 제1절연부(2157a)의 일면에 형성된다.
즉, 비교예는 반도체 발광 소자(2050)의 제1도전형 전극(2156)이 최외각에배치되는 양각의 형태일 수 있으며, 제1절연부(2157a)의 타면에 전극이 형성되지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시예(도 13a)의 제1도전형 반도체층(1155)과 제1도전형 전극(1156) 사이 접촉계면의 면적이 비교예의 제1도전형 반도체층(2155)과 제1도전형 전극(2156) 사이 접촉계면의 면적보다 더 넓다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자(1050)는 저항성분이 큰 제1도전형 반도체층(1155)과 제1도전형 전극(1156) 사이에서 보다 넓은 접촉면적을 형성함으로써, 제1도전형 반도체층과 제1도전형 전극 사이에 전류 주입이 원활히 이루어질 수 있다. 따라서, 비교예의 반도체 발광 소자(2050) 보다 낮은 동작 전압을 가지게 된다. 나아가 보다 낮은 동작 전압으로 인하여, 본 발명의 실시예의 반도체 발광 소자(1050)는 광추출 효율이 개선될 수 있으며, 디스플레이 장치의 휘도가 크게 향상되는 효과가 있다.
반도체 발광 소자(2050)의 제1도전형 전극(2156), 절연층(2157) 및 절연계면(2161)을 제외한 제1도전형 반도체층(2155), 활성층(2154), 제2도전형 반도체층(2153) 및 제2도전형 전극(2152)은 도 13a를 참조할 수 있다. 즉, 전술한 예시에서 제1도전형 반도체층(1155), 활성층(1154), 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 전극(1152)으로 대체될 수 있으며, 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
이하에서는 위에서 살펴본 새로운 디스플레이 장치의 구조를 형성하는 제조 방법에 대하여 구체적으로 살펴본다. 도 14a, 도 14b, 도 14c, 도 14d, 도 14e, 도 14f, 도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 14a 내지 도 14f는 성장기판에 반도체 발광 소자를 형성하는 단계를 도시한다.
도 14a를 참조하면, 성장기판(W, 또는 반도체 웨이퍼)에 제2도전형 반도체층(1153), 활성층(1154), 제1 도전형 반도체층(1155)을 각각 배치시킨다. 성장기판(W)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(W)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 성장기판(W)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
나아가, 성장기판(W) 상에 제2도전형 반도체층(1153), 활성층(1154) 및 제1도전형 반도체층(1155)을 순차적으로 성장시킨다. 따라서, 제2도전형 반도체층(1153), 활성층(1154) 및 제1도전형 반도체층(1155)이 형성된다.
제2도전형 반도체층(1153)은 n형 반도체층으로서, n-GaN 과 같은 질화물 반도체층이 될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(1155)은 p형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진성 또는 도핑된 반도체기판에 불순물을 주입하여, 상기 제1도전형 및 제2도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물 주입에 의하여 p-n 접합이 형성된 영역이 상기 활성층과 같은 역할을 할 수도 있다. 상기 제1도전형, 제2도전형 반도체층 및 활성층에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 14b를 참조하면, 다음으로 성장기판(W) 상에서 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 소자를 형성하기 위한 식각 과정이 수행된다. 즉, 상기 제1도전형 반도체층(1155), 활성층(1154) 및 제2도전형 반도체층(1153)을 식각하여 상기 기판상에서 반도체 발광 소자들이 고립(isolation)된다.
예를 들어, 상기 제1도전형 반도체층(1155), 활성층(1154) 및 제2도전형 반도체층(1153)의 적어도 일부를 식각하여, 상기 기판상에서 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 소자를 형성한다. 이 경우에, 상기 식각은 기판이 드러날때까지 진행될 수 있다. 다른 예로서, 반도체 발광 소자의 사이에서 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일부를 남겨놓은 상태까지 식각이 진행될 수도 있다.
도 14c 내지 도 14d를 참조하면, 제1도전형 전극(1156)은 상기 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 소자들 상에 형성한다. 보다 구체적으로, 제1도전형 전극(1156)은 전도전극(1156b)과 점착전극(1156a)으로 이루어질 수 있다. 상세하게, 제1도전형 전극(1156)은 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 전도전극(1156b)을 형성될 수 있으며, 전도전극(1156b)의 일면에 순차적으로 점착전극(1156a)을 형성한다.
예를 들어, 전도전극(1156b)은 제1도전형 반도체층(1155)과 전기적 접촉이 형성되고, 하나 이상의 금속층으로 형성될 수 있다. 전도전극(1156b)은 ITO, 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 니켈-은(Ni-Ag) 중 어느 하나 이상을 포함하여 제1도전형 반도체층(1155)과 오믹(ohmic) 접촉을 형성하는 오믹 접촉층을 포함할 수도 있다. 또한, 전도전극(1156b)은 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt) 중 어느 하나 이상을 포함하여 제1도전형 전극(1156)의 산화를 방지하는 산화방지층을 더 포함할 수 있다. 상기 전도전극에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 점착전극(1156a)은 전도전극(1156b)과 후술되는 절연층(패시베이션층)(1157) 간의 접착력을 향상하기 위한 전극으로써, 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 점착전극에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 14e를 참조하면, 절연층(1157)이 형성될 수 있다. 절연층(1157)은 제1도전형 전극(1156)의 일면을 적어도 일부를 감싸는 형태일 수 있다. 또한, 절연층(1157)은 상기 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 소자의 측면(제1도전형 전극(1156)의 측면, 제1도전형 반도체층(1155)의 측면, 활성층(1154)의 측면 및 제2도전형 반도체층(1153)의 측면)을 감싸는 형태일 수 있다.
절연층(1157)은 상기 반도체 발광 소자의 측면으로 방출되는 빛을 반사하도록, 서로 다른 굴절률을 가지는 복수의 레이어를 구비할 수도 있다. 또한, 상기 복수의 레이어는 상대적으로 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질이 반복하여 적층될 수 있다.
도 14f를 참조하면, 제1도전형 전극(1156)의 일면에 절연층(1157)이 형성되지 않은 영역의 점착전극(1156a)을 식각할 수 있다. 즉, 점착전극(1156a)이 식각되어, 전도전극(1156b)이 외부로 노출된 반도체 발광 소자를 형성한다. 후술되는 제1도전형 전극(1156)을 기판(1010)을 연결하는 단계에서, 접착층(1033)에 의하여 전도전극(1156b)이 기판(1010)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 점착전극(1156a)이 식각됨에 따라, 점착전극(1156a)에 비하여 상대적으로 전기 전도도가 우수한 전도전극(1156b)이 기판(1010)과 연결될 수 있다. 이에 반도체 발광 소자(1050)가 기판(1010)과 접촉 연결될 때, 접촉저항이 줄어들어 광추출 효율이 향상될 수 있다.
도 15a 내지 도 15c는 제1도전형 전극(1156)을 기판(1010)과 연결하고 제2도전형 반도체층(1155)에 제2도전형 전극(1153)을 형성하는 단계를 도시한다.
도 15a를 참조하면, 반도체 발광 소자(1050)들은 기판(1010)과 물리적, 전기적으로 연결되도록 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 연결에 접착층(1033)이 이용될 수 있다. 접착층(1033)은 실버 페이스트, 주석 페이스트 및 솔더 페이스트로 형성할 수 있다. 접착층(1033)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
접착층(1033)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)과 반도체 발광 소자(1050) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 접착층(1033)으로 제1전극(1020)과 반도체 발광 소자(1050)를 물리적으로 접촉시킴으로써, 반도체 발광 소자(1050)가 제1전극(1020)에 전기적으로 연결할 수 있다.
접착층(1033)이 배치된 구조에서는 반도체 발광 소자(1050)들의 사이에 형성된 갭에는 전류가 흐르지 않는 물질이 충전될 수 있다. 이러한 예로써, 상기 갭에는 폴리이미드(1070)가 충전될 수 있다.
다른 실시예에서, 반도체 발광 소자(1050)들은 이방성 전도성 필름에 의하여,기판(1010)과 물리적, 전기적으로 연결되도록 결합될 수 있다. 반도체 발광 소자(1050)들이 상기 이방성 전도성 필름으로 기판(1010)과 연결될 경우, 반도체 발광 소자(1050)들 사이의 갭이 상기 이방성 전도성 필름으로 충전될 수도 있다.
나아가, 성장기판(W)의 반도체 발광 소자(1050)는 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)으로 상기 성장기판으로부터 분리될 수 있다.
도 15b를 참조하면, 반도체 발광 소자(1050)의 제2도전형 반도체층(1153) 타면에 제2도전형 전극(1152)을 증착하여 형성할 수 있다. 증착된 제2도전형 전극(1152)은 제2전극(1040)과 연결될 수 있다. 제2전극(1040)은 상부 배선으로서, 제2도전형 전극(1152)과 물리적, 전기적으로 연결된다. 바람직하게 제2도전형 전극(1152)은 제2전극(1040)과 오믹(ohmic) 접촉에 의하여 서로 연결될 수 있다. 상세하게, 제2전극(1040)은 인쇄 또는 증착에 의하여 제2도전형 전극(1152)과 접촉되어 연결될 수 있다.
도 15c를 참조하면, 복수의 반도체 발광소자(1050) 상에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비하여, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 선택전사방법 흐름도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예에서 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 선택전사방법은 성장기판에 반도체 발광 소자를 제작하는 단계(S1), 상기 성장기판 상의 반도체 발광 소자에 선택적으로 접착층을 형성하는 단계(S2), 상기 접착층이 형성된 반도체 발광 소자와 기판을 접촉하는 단계(S3) 및 상기 성장기판의 반도체 발광 소자를 분리하는 단계(S4)를 포함한다.
단계 S1에서, 도 14a 내지 도 14f에서 전술된 제조 방법으로 반도체 발광 소자를 제작할 수 있다. 상세하게, 성장기판 상에 제2도전형 반도체층(1153), 활성층(1154) 및 제1도전형 반도체층(1155)을 순차적으로 성장시킨다. 다음으로 상기 성장기판 상에서 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 소자를 형성하기 위한 식각 과정이 수행된다. 연속적으로, 제1도전형 전극(1156)을 형성하기 위하여 전도전극(1156b)과 점착전극(1156a)을 순차적으로 형성한다. 점착전극(1156a)의 일면의 일부와 제2도전형 반도체층(1153), 활성층(1154) 및 제1도전형 반도체층(1155)의 측면에 절연층(1157)을 형성한다. 절연층(1157)이 형성되지 않은 점착전극(1156a) 영역을 식각하여, 전도전극(1156b)이 외부로 노출되게 한다.
단계 S2에서, 기판(1010)에 결합하기 위하여 상기 성장기판 상의 반도체 발광 소자(1050)에 선택적으로 접착층(1033)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 접착층(1033)은 S1단계의 반도체 발광 소자의 제1전도성 전극(1156)의 일면에 인쇄를 통하여 형성될 수 있다. 즉, 선택전사를 실시하기 위해서 접착층(1033)은 반도체 발광 소자(1050) 일부에만 형성한다. 접착층(1033)은 실버 페이스트, 주석 페이스트 및 솔더 페이스트일 수 있다. 접착층(1033)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 다른 실시예에서 접착층(1033)은 기판(1010)의 제1전극(1020) 상에 인쇄를 통하여 형성될 수도 있다. 즉, 선택전사를 실시하기 위해서 접착층(1033)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)의 일부에만 형성될 수도 있다.
단계 S3에서, 기판(1010)과 접착층(1033) 및 반도체 발광 소자(1050)를 물리적으로 접촉시킴으로써, 제1전극(1020)과 반도체 발광 소자(1050)가 전기적으로 연결될 수 있다.
단계 S4에서, 상기 성장기판의 반도체 발광 소자(1050)는 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)으로 성장기판으로부터 분리될 수 있다.
도 17a, 도 17b 및 도 17c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 선택전사를 나타내는 개략도이다.
도 17a, 도 17b 및 도 17c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 해당하는 반도체 발광 소자(도 13a 참조)의 선택전사가 도시된다. 구체적으로, 도 17a를 참조하면, 접착층(1033)은 성장기판(W)상의 반도체 발광 소자 중 선택전사될 반도체 발광 소자 (1050a, 1050c)에만 형성될 수 있다.
도 17b를 참조하면, 기판(1010)의 제1전극(1020)이 형성된 영역과 접착층(1033) 및 선택전사될 반도체 발광 소자(1050a, 1050c)를 물리적으로 접촉시킨다. 따라서, 기판(1010)의 제1전극(1020)과 반도체 발광 소자(1050a, 1050c)가 전기적으로 연결되는 것이 가능할 수 있다.
도 17c를 참조하면, 성장기판(W)의 선택전사될 반도체 발광 소자(1050a, 1050c)가 성장기판으로부터 분리될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 반도체 발광 소자(1050a, 1050b, 1050c 및 1050d)는 전술한 것과 같이 상기 절연층(패시베이션층)이 최외각에 배치되어 있다. 따라서, 제1도전형 전극(1156a, 1156b, 1156c 및 1156d)은 상기 절연층으로 보호될 수 있다.
즉, 반도체 발광 소자(1050b, 1050d)의 제1도전형 전극(1156b, 1156d)은 제1전극(1020)과 물리적 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제1도전형 전극(1156b, 1156d)과 제1전극(미도시)이 접촉하여 합금을 형성하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 절연계면(1161)에 점착전극(1156a)의 형성으로 절연층(1157)과 제1도전형 전극(1156)의 결합력이 더 강해질 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 발광 소자가 선택전사될 때, 후술될 비교예의 반도체 발광 소자와 비교하여 제1도전형 전극(1156)은 탈락이 방지될 수 있다.
도 18a, 도 18b 및 도 18c는 비교예의 반도체 발광 소자를 이용한 선택전사를 나타내는 개략도이다.
도 18a, 도 18b 및 도 18c를 참조하면, 상기 선택전사를 수행할 때, 비교예에 해당하는 반도체 발광 소자(도 13b 참조)의 불량유형이 도시된다. 구체적으로, 도 18a을 참조하면, 접착층(2033)은 성장기판(W)상의 반도체 발광 소자 중 선택전사될 반도체 발광 소자(2050a, 2050c)에만 형성될 수 있다.
도 18b를 참조하면, 기판(2010)의 제1전극(2020)이 형성된 영역과 접착층(2033) 및 선택전사될 반도체 발광 소자(2050a, 2050c)를 물리적으로 접촉시킨다. 따라서, 기판(2010)의 제1전극(2020)과 반도체 발광 소자(2050a, 2050c)가 전기적으로 연결되는 것이 가능할 수 있다.
도 18c를 참조하면, 성장기판(W)의 선택전사될 반도체 발광 소자(2050a, 2050c)가 성장기판으로부터 분리될 수 있다. 이때, 비교예에서 반도체 발광 소자(2050a, 2050b, 2050c 및 2050d)의 최외각에 전술한 것과 같이 상기 제1도전형 전극이 형성되어 있다.
따라서, 반도체 발광 소자(2050b)의 제1도전형 전극(2156b)은 접착층(2033) 없이 기판(2010)의 제1전극(미도시)과 물리적으로 접촉할 수 있다. 상기 물리적 접촉에 의하여, 제1도전형 전극(2156b)은 제1전극(미도시)과 합금(alloy)을 형성할 수 있다. 그 결과, 상기 성장기판이 분리되는 과정에서 반도체 발광 소자(2050b)의 제1도전형 전극(2156b)이 탈락되는 불량이 야기된다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 복수의 반도체 발광 소자들을 구비하는 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자들 중 적어도 하나는,
    제1도전형 전극 및 제2도전형 전극;
    제1도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되는 제2도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층; 및
    상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층을 구비하며,
    상기 절연층은 제1절연부, 제2절연부를 포함하고,
    상기 제1절연부는 반도체 발광 소자의 최외각에서 제1도전형 전극 일면의 일부와 오버랩되며 제1도전형 전극의 가장자리를 환형을 이루면서 덮도록 형성되어 상기 제1도전형 전극을 보호하고,
    상기 제2절연부는 상기 제1도전형 전극의 측면, 상기 제1도전형 반도체층의 측면, 상기 제2도전형 반도체층의 측면을 감싸며,
    상기 제1도전형 전극은 점착전극과 전도전극을 구비하고, 상기 점착전극은 상기 제1절연부와 상기 전도전극의 사이에 배치되고,
    상기 제1도전형 전극과 상기 제1절연부 사이에는 절연면이 형성되고, 상기 절연면에 상기 점착전극이 배치되며,
    상기 점착전극은 상기 전도전극의 일면에 상기 제1절연부가 덮지 않은 영역에서 식각되어 상기 전도전극을 외부로 노출하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 점착전극의 면적은 상기 절연면의 면적보다 크거나 동일한 면적으로 형성되어 상기 절연면을 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 점착전극은 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전도전극은 하나 이상의 금속층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전도전극은 제1도전형 반도체와 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 전도전극은 상기 제1도전형 전극의 산화를 방지하는 산화방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1절연부와 상기 제2절연부는 연속된 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 디스플레이 장치는 시각정보가 출력되는 전면을 구비하고,
    상기 제2도전형 반도체층은 상기 제1도전형 반도체층 보다 상기 전면에 가깝게 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  13. 반도체 발광 소자에 있어서,
    제1도전형 전극 및 제2도전형 전극;
    제1도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되는 제2도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층; 및
    상기 반도체 발광 소자의 최외각에 절연층(패시베이션층)을 구비하며,
    상기 절연층은 제1절연부, 제2절연부를 포함하고,
    상기 제1절연부는 반도체 발광 소자의 최외각에서 제1도전형 전극 일면의 일부와 오버랩되며 제1도전형 전극의 가장자리를 환형을 이루면서 덮도록 형성되어 상기 제1도전형 전극을 보호하고,
    상기 제2절연부는 상기 제1도전형 전극의 측면, 상기 제1도전형 반도체층의 측면, 상기 제2도전형 반도체층의 측면을 감싸며,
    상기 제1도전형 전극은 점착전극과 전도전극을 구비하고, 상기 점착전극은 상기 제1절연부와 상기 전도전극의 사이에 배치되고,
    상기 제1도전형 전극과 상기 제1절연부 사이에는 절연면이 형성되고, 상기 절연면에 상기 점착전극이 배치되며,
    상기 점착전극은 상기 전도전극의 일면에 상기 제1절연부가 덮지 않은 영역에서 식각되어 상기 전도전극을 외부로 노출하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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