KR20170083906A - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170083906A
KR20170083906A KR1020160003384A KR20160003384A KR20170083906A KR 20170083906 A KR20170083906 A KR 20170083906A KR 1020160003384 A KR1020160003384 A KR 1020160003384A KR 20160003384 A KR20160003384 A KR 20160003384A KR 20170083906 A KR20170083906 A KR 20170083906A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
phosphor
electrode
disposed
Prior art date
Application number
KR1020160003384A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102481524B1 (ko
Inventor
최환준
이용한
박성진
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020160003384A priority Critical patent/KR102481524B1/ko
Priority to US15/208,752 priority patent/US10096750B2/en
Priority to PCT/KR2016/007840 priority patent/WO2017122891A1/en
Priority to CN201680004498.6A priority patent/CN107211504B/zh
Priority to EP16863204.0A priority patent/EP3228157B1/en
Publication of KR20170083906A publication Critical patent/KR20170083906A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102481524B1 publication Critical patent/KR102481524B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H05B37/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 기판상에 배치되는 접착층과, 상기 접착층에 부착되며, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 및 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 포함하며, 상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되며, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING}
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이에는 형광체층을 이용하여 상기 반도체 발광 소자에서 발광되는 빛을 여기하는 구조가 적용될 수 있다. 이 경우에, 상기 형광체층에는 혼색을 방지하기 위한 격벽 구조물이 구비될 수 있으나, 이에 대한 연구가 미비한 실정이다. 특히, 반도체 발광 소자를 이용하여 고화질 디스플레이를 구현하는 경우에, 반도체 발광 소자가 작아져야 하나 이에는 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 펜타일(pentile) 방식의 디스플레이 구동이 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이에 활용될 수 있으나, 이와 관련한 격벽 구조물에 대한 연구는 전무하다. 따라서, 본 발명에서는 새로운 형태의 격벽 구조물에 대하여 제시한다.
본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 형광체의 충진공간이 보다 넓어질 수 있는 형광체층의 구조 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 플렉서블이 가능하며, 혼색을 방지할 수 있는 새로운 형태의 격벽 구조를 갖는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서 펜타일(pentile) 방식의 구조를 구현하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 기판상에 배치되는 접착층과, 상기 접착층에 부착되며, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 및 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 포함하며, 상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되며, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩된다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 격벽부들은 금속 박막들에 의하여 감싸진 공간에 광투과성 물질이 채워지도록 형성된다.
상기 복수의 격벽부들은 각각 적어도 사변을 가지며, 상기 금속박막들은 상기 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나를 따라 순차적으로 배치되는 변들에 각각 구비될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 형광체부들은 적색 형광체부들, 녹색 형광체부들 및 황색 형광체부들 중 적어도 하나를 구비한다.
상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치될 수 있다.
상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들과 상기 황색 형광체부들의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 있어서, 청색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소와, 적색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소가 순차적으로 배치된다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 격벽부들은, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 제1격벽부와, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮는 제2격벽부를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는, 상기 제1방향을 따라 연장되는 제1부분, 및 상기 제1부분에서 상기 제2방향으로 돌출되는 제2부분을 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 격벽부의 바닥면에는 반사율을 저감하는 무반사(Anti-reflection) 코팅층이 형성된다.
또한, 본 발명은, 기판 위에 형성된 접착층에 복수의 반도체 발광 소자들을 결합하는 단계, 및 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 형광체층은, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되며, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법을 제시한다.
실시 예에 있어서, 상기 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 반도체 발광 소자들을 덮도록 광투과성 물질을 도포하는 단계, 상기 광투과성 물질을 식각한 후에, 상기 광투과성 물질에 금속 박막을 증착하는 단계, 및 상기 광투과성 물질이 식각된 부분에 형광체를 충전하여 상기 형광체부들을 생성하는 단계를 포함하며, 상기 광투과성 물질은 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에서 미식각되며, 상기 광투과성 물질이 미식각된 부분을 상기 금속 박막이 감싸도록 이루어진다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 복수의 격벽부들 중 적어도 하나가 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩됨에 따라, 형광체가 충전되는 공간이 보다 확보될 수 있다.
또한, 본 발명은 금속 박막내에 광투과성 물질을 충전함에 따라, 플렉서블 특성을 가지는 디스플레이에 적합한 격벽부를 구현할 수 있다. 이를 통하여, 광투과성 물질에 의하여 유연한 재질이 격벽부에 이용될 수 있으며, 나아가, 반도체 발광소자에서 출력되는 빛이 형광체층의 두께방향으로 투과될 수 있다. 따라서, 청색의 빛을 출력하는 경우에 청색 반도체 발광소자에는 격벽부가 중첩되는 구조가 가능하게 된다.
또한, 본 발명에서는 복수의 격벽부들이 가로방향 및 세로방향으로 각각 형광체부들의 사이에 배치됨에 따라, 펜타일 방식의 하드웨어에서 형광체부의 크기는 커지면서도 혼색을 방지할 수 있는 격벽 구조를 구현한다. 이를 통하여, 다른 방식에 비하여 동일한 화소 크기에서 높은 해상도를 구현하며, 특히 녹색에 해당하는 화소의 면적이 보다 확보되어 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 14a는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 14b는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이고, 도 15는 도 13의 I- I를 따라 취한 단면도이고, 도 16은 도 13의 J 부분의 평면도이다.
도 17a, 도 17b, 도 17c, 도 17d 및 도 17e는 도 16의 격벽부들의 변형예들을 나타내는 평면도이다.
도 18a 및 도 18b는 각각 도 15의 격벽부들의 변형예들을 나타내는 단면도들이다.
도 19a, 도 19b, 도 19c, 도 20a, 도 20b, 도 20c, 20d 및 도 20e는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 다른 실시예들을 나타내는 개념도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 플립 칩 타입이 적용된 경우에는 동일평면상에 제1 및 제2전극이 배치되므로 고정세(파인 피치)의 구현이 어려운 문제가 있다. 이하, 이러한 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 타입의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.
이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다.
도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다.
상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.
보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.
상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다. 이에, 본 발명에서는, 형광체의 충진공간이 보다 넓어질 수 있는 형광체층의 구조나 플렉서블이 가능한 종래와 다른 새로운 형태의 격벽 구조를 제시한다.
또한, 상기에서 설명된 디스플레이 장치는 각 화소에 동일한 모양으로 형광체를 증착하여 적색, 녹색 및 청색을 구현하는 real ppi type의 구조를 가진다. 이에 본 발명에서는 디스플레이 장치를 펜타일(pentile) 방식으로 구현하는 새로운 구조를 제시한다.
이하, 새로운 격벽 구조를 가지는 펜타일(pentile) 방식의 디스플레이 장치의 구조에 대하여, 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 14a는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 14b는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이고, 도 15는 도 13의 I- I를 따라 취한 단면도이고, 도 16은 도 13의 J 부분의 평면도이다.
도 13, 도 14a, 도 14b, 도 15 및 도 16의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광소자에서 새로운 형광체층의 구조가 적용된 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다.
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 기판(2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 제2전극(2040) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. 따라서, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(2030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 기판(2010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(2020)이 기판(2010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 바와 같이, 디스플레이 장치(2000)는, 복수의 반도체 발광소자(2050)를 덮도록 배치되는 형광체층(2080)을 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(2050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(2080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다.
도시에 의하면, 상기 형광체층(2080)은 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들(2084)을 구비한다.
복수의 형광체부들(2084)은 적색 형광체를 구비하는 적색 형광체부(2084a)와 녹색 형광체를 구비하는 녹색 형광체부(2084b)를 포함할 수 있다. 적색의 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(2051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체부(2084a)가 적층 될 수 있고, 녹색의 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(2051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체부(2084b)가 적층될 수 있다.
한편, 적색 형광체부(2084a)와 녹색 형광체부(2084b)의 사이에는 하나의 격벽부(2085)가 배치된다. 이 경우에, 상기 복수의 격벽부들(2085) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩된다. 또한, 상기 복수의 격벽부들(2085) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향을 따라 빛을 투과하도록 이루어진다. 보다 구체적으로, 청색의 화소를 이루는 부분에서 청색 반도체 발광 소자(2051c) 상에는 하나의 격벽부들(2085)가 배치되며, 상기 청색 반도체 발광 소자(2051c)에서 발광되는 빛을 색의 변환없이 외부로 투과한다.
이 경우에, 청색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소와, 적색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소가 순차적으로 배치되도록, 청색에 해당하는 격벽부, 녹색 형광체부, 적색 형광체부 및 청색에 해당하는 격벽부가 번갈아 증착될 수 있다.
제1전극(2020)의 각 라인을 따라 하나의 색상에 해당하는 형광체부나 격벽부가 형성되는 것이 아니라, 어느 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 되고, 다른 라인은 복수의 색상을 제어하는 라인이 될 수 있다. 예를 들어, 제1전극(2020)의 어느 라인에는 녹색 형광체부가 배치되며, 다른 라인에는 적색 형광체부와 청색에 해당하는 격벽부가 번갈아 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(2040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 녹색(G)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 적색과 청색을 서로 공유하는 디스플레이 장치가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 퀀텀닷(QD)이 상기 형광체부에 충전되어, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
보다 구체적인 예로서, 상기 복수의 격벽부들(2085)은 제1격벽부(2086)와 제2격벽부(2087)를 포함한다.
상기 제1격벽부(2086)는 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치된다. 따라서, 상기 복수의 형광체부들(2084) 중 적어도 일부는 상기 제1격벽부(2086)를 사이에 두고 배치된다. 이 경우에, 상기 적어도 일부의 형광체부들(2084)은 적색 형광체, 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1격벽부(2086)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체부(2084a)와 녹색 형광체부(2084b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되지 않는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제1격벽부(2086)의 하부에는 반도체 발광소자가 미배치된다.
한편, 상기 제2격벽부(2087)는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮도록 이루어진다. 이 경우에, 상기 제2격벽부(2087)에 의하여 덮이는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는 청색 반도체 발광소자(2051c)를 포함한다. 즉, 상기 제2격벽부(2087)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체부(2084a)와 녹색 형광체부(2084b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제2격벽부(2087)의 하부에는 청색 반도체 발광소자(2051c)가 배치된다.
상기에서 설명된 구조의 구현을 위하여, 또한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소내에서는 상기 제1격벽부(2086)와 상기 제2격벽부(2087)가 각각 하나씩 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1격벽부(2086)와 상기 제2격벽부(2087)는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향과 수직한 방향을 따라 형성되는 폭(W)의 크기가 서로 다르도록 형성될 수 있다.
이 경우에, 상기 제1격벽부(2086)는 상기 제2격벽부(2087)보다 상기 폭의 크기가 작도록 이루어진다. 상기 제2격벽부(2087)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 크거나 같도록 이루어지며, 따라서 상기 제1격벽부(2086)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 작도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제2격벽부(2087)의 폭은 픽셀 간의 피치(pitch)의 70 내지 135 % 의 크기가 될 수 있다. 이는 상기 제2격벽부(2087)가 너무 크면 적색 화소 및 녹색 화소의 발광영역이 충분히 확보되지 못하게 되며, 너무 작으면 청색 화소와 적색 화소 또는 청색 화소와 녹색 화소간의 광의 간섭이 발생할 수 있기 때문이다.
또한, 이 경우에 상기 제1격벽부(2086)의 폭은 픽셀 간의 피치(pitch)의 10 내지 40 %의 크기가 될 수 있다. 이러한 예로서, 피치가 30 마이크로미터인 경우에, 상기 제1격벽부(2086)의 폭은 10 마이크로미터 이하로 형성될 수 있다. 이는 발광면적을 충분히 확보하기 위함이다.
도시에 의하면, 상기 형광체부(2084)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 크도록 이루어질 수 있다. 이에 더하여, 단위 화소내에 격벽부가 2개만이 존재하고, 상기 2개 중에서 하나(예를 들어, 제1격벽부)의 폭이 작아지므로, 상기 형광체부(2084)의 폭은 보다 증가할 수 있게 된다. 이와 같이, 상기 형광체부(2084)의 폭이 커지므로 기존보다 형광체부의 충전 공간이 보다 확보될 수 있으며, 따라서 충전되는 형광체의 양이 보다 증가될 수 있다. 이 경우에, 상기 형광체부에 충전되는 형광체의 입도는 3 내지 15 마이크로 미터의 크기가 가능하게 된다.
이 경우에, 상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치된다. 이를 통하여, 세로방향(제1방향에 해당)과 가로방향(제2방향에 해당)으로 모두 빛의 누수를 막을 수 있게 된다. 또한, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 이를 통하여, 펜타일 방식의 디스플레이 장치에서 가로방향과 세로방향으로 새로운 격벽 구조가 적용될 수 있다.
이 때에, 상기 제1격벽부(2086)과 제2격벽부(2087)는 상기 가로방향 및 세로방향을 따라 형성되는 폭의 크기가 서로 다르도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 청색의 빛을 투과하는 제2격벽부(2087)는 세로방향과 가로방향의 폭이 다르도록 형성될 수 있다. 도시에 의하면, 세로방향의 폭이 가로방향의 폭보다 큰 경우가 예시된다.
한편, 상기 제1격벽부(2086)과 제2격벽부(2087)는 한 픽셀(pixel)씩 끊어져 형성될 수 있다. 이를 통하여, 연결된 공간의 경우 빛이 가이드되어 다른 픽셀에 간섭을 일으키는 것을 완화 또는 방지할 수 있다.
또한, 도시에 의하면, 상기 복수의 격벽부의 바닥면에는 반사율을 저감하는 무반사(Anti-reflection) 코팅층(2090)이 형성될 수 있다. 상기 무반사 코팅층(2090)은 비전도성 재질을 구비하며, 이를 통하여 제2전극(2040)과 격벽부의 사이가 절연될 수 있다.
상기 격벽부들(2085)의 구조에 대하여 보다 상세히 설명하면, 상기 복수의 격벽부들은 금속 박막들(2088)에 의하여 감싸진 공간에 광투과성 물질이 채워지도록 형성된다. 예를 들어, 상기 복수의 격벽부들(2085)은, 가장자리에 형성되는 하나 또는 하나 이상의 금속 박막들(2088)을 구비하며, 상기 금속 박막들(2088)의 사이에는 광투과성 물질(2089)이 채워지도록 형성된다.
상기 광투과성 물질(2089)은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 예를 들어 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다. 이러한 재질들은 고온에서 견고해지는 성질이 없기에 플렉서블 디스플레이에 적용되는 격벽부의 재질로서 적합하다.
상기 제2격벽부가 청색 반도체 발광소자를 덮기에, 청색 화소에 해당하는 부분에서는 상기 광투과성 물질(2089)이 청색 반도체 발광소자와 오버랩하게 된다. 이 경우에, 상기 청색 반도체 발광소자와 오버랩되는 광투과성 물질(2089)은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치될 수 있다. 본 예시에서는 상기 청색 반도체 발광소자와 오버랩되는 광투과성 물질(2089)은 가로 방향으로는 상기 녹색 형광체부들의 사이에 배치되고, 세로 방향으로는 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치된다.
한편, 상기 복수의 격벽부들은 각각 적어도 사변을 가지며, 상기 금속박막들은 가로방향 과 세로방향 중 적어도 하나를 따라 순차적으로 배치되는 변들에 각각 구비될 수 있다. 이러한 예로서, 가로방향 및 세로방향을 따라 각 형광체부들은 금속 박막들에 의하여 감싸질 수 있다.
또한, 상기 금속 박막들(2088)은 빛이 반사되도록 상기 형광체부(2084)의 측면을 덮도록 이루어진다. 이러한 구조에 의하면, 적색 형광체부 또는 녹색 형광체부는 사면이 모두 금속 박막으로 코팅될 수 있다.
상기 금속 박막들(2088)은 가로방향으로 격벽부들(2085)의 한 쌍의 가장자리에 배치되는 제1금속박막(2088a)과 제2금속박막(2088b)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 금속 박막들(2088)은 세로방향으로 격벽부들(2085)의 한 쌍의 가장자리에 배치되는 제3금속박막(2088c)과 제4금속박막(2088d)을 구비할 수 있다.
상기 금속 박막들(2088)은 각각, 50 내지 1000 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1금속 박막(2088a), 제2금속 박막(2088b), 제3금속 박막(2088c) 및 제4금속 박막(2088d)은 각각, 100 내지 200 나노미터로 이루어질 수 있다.
상기 금속 박막들(2088)은 상기 격벽부의 상하단에는 존재하지 않게 된다. 이러한 구조를 통하여 광투과성 물질을 투과하는 빛이 상기 격벽부의 상단에서 외부로 출력될 수 있게 된다.
상기 제 상기 제1금속 박막(2088a), 제2금속 박막(2088b), 제3금속 박막(2088c) 및 제4금속 박막(2088d)은 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성되어 빛을 반사하며, 이를 통하여 형광체부들의 사이에서 혼색을 방지하게 된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 금속 박막은 TiOx, CrOx 등의 산화박막으로 대체되거나, 분산 브레그 반사경(DBR)의 구조가 적용될 수 있다.
상기 금속 박막들(2088)은 도시된 바와 같이, 단일 금속 박막으로 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 금속 박막들(2088)은 도 18a에 도시된 바와 같이 다층 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 도 18a 및 도 18b는 각각 도 15의 격벽부들의 변형예들을 나타내는 단면도들이다.
도시된 바와 같이, 금속 박막(2088)의 일면에는 산화 보호와 접착력을 향상하기 위한 다른 재질의 금속 박막(I1, I2)이 형성될 수 있다. 이 경우에, 다른 재질로서 티타늄, 니켈, 크롬 등이 이용될 수 있다.
또 다른 예로서, 도 18b에 도시된 바와 같이 상기 금속 박막(2088)과 상기 광투과성 물질의 사이에는 절연막(I2)이 형성될 수 있다. 상기 절연막(I3)은 불투광성 재질로 형성되며, 이러한 예로서 SiO2, SiNx 등이 이용될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 절연막(I2)은 블랙 매트릭스가 될 수 있다. 이 경우에, 상기 블랙 매트릭스는 대비비(contrast) 향상을 가져오는 추가적인 효과를 발휘할 수 있다.
다시 도 16를 참조하면, 상기 복수의 격벽부들(2085) 중 적어도 하나는 제1부분(2085e) 및 제2부분(2085f)을 포함한다. 상기 금속 박막(2088)은 상기 복수의 격벽부들(2085)의 가장자리에 배치되므로, 상기 금속 박막(2088)도 격벽부들(2085)와 마찬가지로, 제1부분(2088e) 및 제2부분(2088f)를 구비할 수 있다.
상기 제1부분(2085e)은 제1방향(세로방향)을 따라 연장되며, 상기 제2부분 (2085f)은 상기 제1부분(2085e)의 단부에서 상기 제1방향과 수직한 제2방향(가로방향)으로 돌출된다. 이러한 구조를 통하여, 상기 격벽부들은 반도체 발광소자들의 각각을 감싸면서 서로 연결될 수 있다.
다른 예로서, 도 17a, 도 17b, 도 17c, 도 17d 및 도 17e를 참조하면, 상기 복수의 격벽부들(2085) 중 적어도 하나는 상기 제1방향 또는 상기 제2방향을 따라 인접하는 격벽부와 분리될 수 있다. 도 17a, 도 17b, 도 17c, 도 17d 및 도 17e는 도 16의 격벽부들의 변형예들을 나타내는 평면도이다.
상기 부분적인 분리를 통하여, 디스플레이 장치에서 플렉서블의 성질이 확보될 수 있다.
이러한 예로서, 도 17a과 같이 셀 단위(3개의 반도체 발광소자를 포함하는 단위, CU)에서는 서로 끊어지고, 하나의 셀에서는 닫혀 있는 셀 단위(CU) 끊어진 닫힌 구조가 될 수 있다. 상기 셀 단위(CU)에서는 녹색 형광체부(2084b)들의 사이에 청색에 해당하는 격벽부가 배치되거나, 또는 녹색 형광체부(2084b), 적색 형광체부(2084a), 청색에 해당하는 격벽부가 모두 배치되는 것 등이 가능하다.
도시에 의하면, 강성을 보강하기 위하여, 격벽부의 제1부분과 제2부분이 만나는 지점에서는 돌출부(2085c)가 돌출될 수 있다. 또한, 상기 돌출부(2085c)는 셀단위의 가장자리에 있는 격벽부에서 돌출될 수 있다. 이 경우에, 도 13, 도 14a, 도 14b 및 도 15를 참조하여 전술한 구조는 셀 단위 연결된 닫힌 구조가 될 수 있다.
다른 예로서, 도 17b와 같이 동일색 픽셀간 세로방향으로 격벽이 없는 구조도 가능하다. 보다 구체적으로 녹색 형광체부(2084b)는 세로방향, 즉 제2전극이 연장되는 방향을 따라 격벽부가 없이 서로 연결될 수 있다.
또 다른 예로서, 도 17c 같이 셀 단위(CU)로 끊어지고, 셀 내에서 격벽부가 일부 미배치되는 구조로서, 셀 단위로 끊어진 개방 구조도 가능하다. 도시에 의하면, 셀 단위(CU)에서 세로방향을 따라 상측에는 격벽부가 없으며, 따라서 셀 단위(CU)에서 일부가 개방된다. 한편, 17d와 같이 셀 단위(CU)로 연결된 비대칭 구조 등이 가능하다.
이와 같이, 본 발명은 상기 격벽부들은, 서로 연결되는 막힘구조를 이루거나, 인접하는 격벽부들에서 한쪽에만 형성되어 한쪽만 막는 한쪽 돌출구조를 형성하는 등의 여러가지 구조로 활용될 수 있다. 또한, 본 발명에서는 서로 분리되고, 일부는 서로 연결되는 구조를 통하여 플렉서블한 성질과 강성을 모두 확보하기 위한 설계 자유도가 향상될 수 있다.
또 다른 예로서, 도 17e와 같이, 각각의 서브픽셀에 대응하는 격벽부들의 폭은 크기가 서로 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부들과 형광체부들은 서로 조합되어 벌집 모양을 형성하게 되나, 상기 벌집 모양의 각각의 방들의 크기가 서로 다른 형태가 될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1격벽부(2086)와 제2격벽부(2087)의 폭은 각각 가로방향 또는 세로방향을 따라 가변될 수 있다. 이를 통하여, 본 발명에서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 영역별 크기가 달라질 수 있다.
예를 들어, 청색에 해당하는 제2격벽부(2087), 녹색 형광체부(2084b) 및 적색 형광체부(2084a)는 서로에 대한 크기가 다르도록 이루어질 수 있다. 도시된 바와 같이, 적색 형광체부(2084a) 및 청색에 해당하는 제2격벽부(2087)는 녹색 형광체부(2084b)보다 크기가 더 클 수 있다. 또는 적색 형광체부(2084a), 청색에 해당하는 제2격벽부(2087) 및 녹색 형광체부(2084b)의 순서로 점차적으로 작아질 수 있으며, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 영역별 크기가 달라지게 된다. 또한, 상기 크기의 변화는 세로방향을 따라 형광체부 또는 격벽부의 길이가 서로 달라짐에 의하여 구현될 수 있다. 이 경우에, 세로방향의 길이는 적색 형광체부(2084a) 및 청색에 해당하는 제2격벽부(2087)가 녹색 형광체부(2084b)보다 길어질 수 있다. 다른 예로서, 세로방향의 길이는 적색 형광체부(2084a)가 가장 크고, 청색에 해당하는 제2격벽부(2087) 및 녹색 형광체부(2084b)의 순서로 작아질 수 있다. 다만, 본 발명의 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 가로방향의 길이도 변화되는 것도 가능하다.
이상에서 살펴본 새로운 형광체층 구조에 의하면, 플렉서블 특성을 가지는 디스플레이에 적합한 격벽부가 구현될 수 있다. 이하에서는, 위에서 살펴본 새로운 형광체층 구조를 형성하는 제조하는 방법에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다. 도 19a, 도 19b, 도 19c, 도 20a, 도 20b, 도 20c, 20d 및 도 20e는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이며, 도 21은 도 20b에서 금속박막을 증착하는 개념을 나타내는 개념도이다.
도 19a, 도 19b 및 도 19c는, 도 13의 G-G방향에서 바라본 단면도들을 참조하여 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 20a, 도 20b, 도 20c, 20d 및 도 20e은, 도 13의 H-H방향에서 바라본 단면도들을 참조하여 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 제조방법에 의하면, 기판에 복수의 반도체 발광 소자들을 결합하는 단계가 진행된다. 예를 들어, 성장기판에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 성장시키고, 식각을 통하여 각 반도체 발광소자를 생성한 후에 제1도전형 전극(2156)과 제2도전형 전극(2152)을 형성한다(도 19a).
성장기판(2101)(웨이퍼)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(2101)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
제1도전형 전극(2156) 및 제1도전형 반도체층은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 제2도전형 전극(2152) 및 제2도전형 반도체층은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
이 경우에, 전술한 바와 같이, 상기 제2도전형 전극(2152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)의 측면)으로부터 돌출된다.
다음으로, 상기 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자를 전도성 접착층(2030)을 이용하여 배선기판에 결합하며, 성장기판을 제거한다(도 19b).
상기 배선기판은 제1전극(2020)이 형성된 상태이며, 상기 제1전극(2020)은 하부 배선으로서 상기 전도성 접착층(2030)내에서 도전볼 등에 의해 제1도전형 전극(2156)과 전기적으로 연결된다.
이후에, 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)을 식각하여 제거한 후에, 상기 돌출된 제2도전형 전극(2152)을 연결하는 제2전극(2040)을 형성한다(도 19c). 상기 제2전극(2040)은 상부 배선으로서, 상기 제2도전형 전극(2152)과 직접 연결된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 언도프된 반도체층은 UV 레이저를 흡수하는 다른 형태의 흡수층으로 대체될 수 있다. 상기 흡수층은 버퍼층이 될 수 있으며, 저온 분위기에서 형성되며, 반도체층과 성장기판과의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 과정에 의하여 형성된 반도체 발광소자들을 덮도록 반사율을 저감하는 무반사(Anti-reflection) 코팅층(2090)이 코팅된다. 즉, 상기 복수의 반도체 발광소자들과 후술하는 광투과성 물질의 사이에 무반사 코팅층(2090)을 형성하는 단계가 진행된다. 상기 무반사 코팅층(2090)은 비전도성 재질을 구비하며, 예를 들어 전도성 접착층의 일면상에 상기 제2전극(2040)을 덮도록 상기 비전도성 재질이 도포될 수 있다. 이러한 구조를 통하여, 상기 제2전극(2040)과 격벽부와의 절연 구조가 구현될 수 있다.
다음으로, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 형성한다. 상기 형광체층은, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하게 된다. 이 경우에 상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다.
도시에 의하면, 먼저, 격벽부를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 도 20a를 참조하면, 상기 복수의 반도체 발광 소자들에 광투과성 물질(RT)을 도포한다.
상기 광투과성 물질(RT)은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 전술한 바와 같이, 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다.
이 후에, 상기 광투과성 물질을 식각하고, 상기 광투과성 물질(RT)이 식각된 부분(LR)에 형광체를 충전하여 상기 형광체부들을 생성하는 단계가 진행된다.
보다 구체적으로, 도 20b에 의하면, 상기 광투과성 물질(RT)이 식각되며, 이 경우에 상기 광투과성 물질(RT)은 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에서 미식각된다. 즉, 상기 식각에 의하여 상기 광투과성 물질(RT)은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 부분(LT1)과, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮도록 배치되는 부분(LT2)으로 구획될 수 있다.
이 경우에, 상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 세로방향 및 가로방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되도록 식각될 수 있다.
또한, 상기 복수의 격벽부들은 제1부분, 제2부분 및 돌출부를 포함하는 형상으로 식각될 수 있다. 예를 들어, 상기 식각된 광투과성 물질은 상기 금속 박막의 증착 방향을 따라 상기 광투과성 물질의 적어도 일부가 가려지도록 상기 제1부분의 단부에서 돌출되는 제2부분이나 돌출부를 포함하게 된다.
도 20c에 의하면, 상기 광투과성 물질을 식각한 후에, 상기 광투과성 물질(RT)에 금속 박막(2088)을 증착하는 단계가 진행된다. 이를 통하여, 상기 광투과성 물질이 미식각된 부분을 상기 금속 박막이 감싸도록 이루어질 수 있다.
이 경우에, 상기 금속 박막(2088)은 증착 기술을 이용하거나, 또는 스퍼터(sputter)를 이용하여 광투과성 물질(RT)의 전체 외면에 증착될 수 있다. 상기 금속 박막은 전술한 바와 같이, 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성될 수 있다.
이 때에, 공자전 원리를 이용한 장비를 사용하여 금속 박막을 증착하면 일정 높이와 폭 비율을 통한 내부 측면에 증착 정도가 조절 가능하다.
이 후에, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에 상기 반도체 발광소자에서 발광된 빛의 투과하도록, 상기 금속 박막의 적어도 일부를 제거한다(도 20d 참조).
이러한 예로서, 상기 격벽부의 상면(반도체 발광소자에서 가장 먼 면)에서 금속 박막이 제거될 수 있으며, 이 경우에 반도체 발광소자에 영향을 최소화하도록, 건식 식각에 의하여 상기 금속 박막의 상부가 제거될 수 있다. 또한, 이 때에 격벽부들를 제외한 영역에서 무반사 코팅층이 제거될 수 있다. 이러한 프로세스에 의하면, 상기 복수의 격벽부의 바닥면에서만 반사율을 저감하는 무반사(Anti-reflection) 코팅층이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 20e와 같이, 금속 박막이 증착된 광투과성 물질의 사이에 형광체를 충전하여 형광체부를 생성한다.
상기 형광체부를 생성하는 예로서, 먼저, 포토 레지스터를 도포 및 현상한 후에, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 순차적으로 도포하는 방법이 이용될 수 있다.
다른 예로서, 상기 금속 박막이 증착된 광투과성 물질의 사이에 황색 형광체을 충전한 후에, 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 합착하는 방법이 이용될 수 있다. 이 경우에, 형광체부는 컬러 필터와 조합되어 에 적색, 녹색, 및 청색의 단위화소를 구현하게 된다.
이상에서는, 세로방향을 따라 배열되는 제1전극(2020)의 어느 라인에는 녹색 형광체부가 배치되며, 다른 라인에는 적색 형광체부와 청색에 해당하는 격벽부가 번갈아 배치되는 경우를 기준으로 본 발명의 구성을 설명하였다. 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체부의 배열은 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 이하, 이러한 변형예에 대하여 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 다른 실시예들을 나타내는 개념도들이다.
도 21을 참조하면, 도 13 내지 18b를 참조하여 전술한 예시에서 녹색 형광체부(2085b)의 일부가 황색 형광체부(2084c)로 대체될 수 있다.
구체적으로, 상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들(2085b)과 상기 황색 형광체부들(2084c)의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들(2085a)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1전극(2020)의 어느 라인에는 녹색 형광체부(2085b)와 황색 형광체부(2085c)가 번갈아 배치되며, 다른 라인에는 적색 형광체부(2085a)와 청색에 해당하는 격벽부가 번갈아 배치될 수 있다.
이러한 배치에 의하면, 가로방향으로 첫번째 열에는 적색, 녹색, 청색 및 황색 형광체부가 배열되고, 다음 열에서는 청색, 황색, 적색 및 녹색 형광체부가 배열되는 구조가 가능하게 된다.
다른 예로서, 도 22를 참조하면, 도 13 내지 18b를 참조하여 전술한 예시에서 녹색 형광체부(2085b)의 일부가 백색 형광체부(2085d)로 대체될 수 있다.
구체적으로, 상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들(2085b)과 상기 백색 형광체부들(2085d)의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들(2085a)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1전극(2020)의 어느 라인에는 녹색 형광체부(2085b)와 백색 형광체부(2085d)가 번갈아 배치되며, 다른 라인에는 적색 형광체부(2085b)와 청색에 해당하는 격벽부가 번갈아 배치될 수 있다.
이러한 배치에 의하면, 가로방향으로 첫번째 열에는 적색, 녹색, 청색 및 백색 형광체부가 배열되고, 다음 열에서는 청색, 백색, 적색 및 녹색 형광체부가 배열되는 구조가 가능하게 된다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 배선전극이 형성되는 기판;
    상기 기판상에 배치되는 접착층;
    상기 접착층에 부착되며, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들; 및
    빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 포함하며,
    상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되며, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들은 금속 박막들에 의하여 감싸진 공간에 광투과성 물질이 채워지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들은 각각 적어도 사변을 가지며, 상기 금속박막들은 상기 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나를 따라 순차적으로 배치되는 변들에 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 금속 박막에서 빛이 반사되도록 상기 금속 박막들은 상기 형광체부들의 측면을 덮도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 형광체부들은 적색 형광체부들, 녹색 형광체부들 및 황색 형광체부들 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 광투과성 물질은 상기 제1방향 및 제2방향 중 어느 하나를 따라 상기 녹색 형광체부들과 상기 황색 형광체부들의 사이에 배치되고, 다른 하나를 따라 상기 적색 형광체부들의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    청색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소와, 적색 빛과 녹색 빛을 출력하는 화소가 순차적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들은,
    상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 제1격벽부와, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮는 제2격벽부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2격벽부에 의하여 덮이는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는 청색 반도체 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 형광체부들 중 적어도 일부는 상기 제1격벽부를 사이에 두고 배치되며,
    상기 제1격벽부와 상기 제2격벽부는 상기 제1방향 및 제2방향을 따라 형성되는 폭의 크기가 서로 다르도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는,
    상기 제1방향을 따라 연장되는 제1부분; 및
    상기 제1부분에서 상기 제2방향으로 돌출되는 제2부분을 포함하는 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1부분 및 제2부분 중 적어도 하나는 인접하는 격벽부와 이어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1부분과 상기 제2부분이 만나는 지점에서 돌출되는 돌출부를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 제1방향 또는 상기 제2방향을 따라 인접하는 격벽부와 분리되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부의 바닥면에는 반사율을 저감하는 무반사(Anti-reflection) 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제17항에 있어서,
    상기 무반사 코팅층은 비전도성 재질을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  18. 기판 위에 형성된 접착층에 복수의 반도체 발광 소자들을 결합하는 단계; 및
    상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 형광체층은, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며,
    상기 복수의 격벽부들은 서로 교차하는 제1방향 및 제2방향의 각각을 따라 상기 형광체부들의 사이에 순차적으로 배치되며, 순차적으로 배치되는 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 형광체층을 형성하는 단계는,
    상기 복수의 반도체 발광 소자들을 덮도록 광투과성 물질을 도포하는 단계;
    상기 광투과성 물질을 식각한 후에, 상기 광투과성 물질에 금속 박막을 증착하는 단계; 및
    상기 광투과성 물질이 식각된 부분에 형광체를 충전하여 상기 형광체부들을 생성하는 단계를 포함하며,
    상기 광투과성 물질은 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에서 미식각되며, 상기 광투과성 물질이 미식각된 부분을 상기 금속 박막이 감싸도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 발광소자들과 상기 광투과성 물질의 사이에 무반사 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
KR1020160003384A 2016-01-11 2016-01-11 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 KR102481524B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160003384A KR102481524B1 (ko) 2016-01-11 2016-01-11 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US15/208,752 US10096750B2 (en) 2016-01-11 2016-07-13 Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
PCT/KR2016/007840 WO2017122891A1 (en) 2016-01-11 2016-07-19 Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
CN201680004498.6A CN107211504B (zh) 2016-01-11 2016-07-19 使用半导体发光器件的显示装置及制造方法
EP16863204.0A EP3228157B1 (en) 2016-01-11 2016-07-19 Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160003384A KR102481524B1 (ko) 2016-01-11 2016-01-11 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170083906A true KR20170083906A (ko) 2017-07-19
KR102481524B1 KR102481524B1 (ko) 2022-12-26

Family

ID=59275934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160003384A KR102481524B1 (ko) 2016-01-11 2016-01-11 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10096750B2 (ko)
EP (1) EP3228157B1 (ko)
KR (1) KR102481524B1 (ko)
CN (1) CN107211504B (ko)
WO (1) WO2017122891A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030482A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20190077789A (ko) 2017-12-26 2019-07-04 한국광기술원 마이크로 led를 이용한 디스플레이 및 그 제조방법
KR20190137728A (ko) 2019-10-28 2019-12-11 한국광기술원 마이크로 led를 이용한 디스플레이 및 그 제조방법
KR20200082872A (ko) 2018-12-31 2020-07-08 한국광기술원 마이크로 반도체 발광소자 제조방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
DE102016224090B4 (de) * 2016-12-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR102060471B1 (ko) * 2017-02-01 2019-12-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102650950B1 (ko) 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
KR102516440B1 (ko) 2018-02-01 2023-03-31 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102552602B1 (ko) * 2018-07-10 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US11476236B2 (en) * 2018-11-07 2022-10-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Display apparatus
WO2020116978A1 (ko) 2018-12-06 2020-06-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US11201267B2 (en) 2018-12-21 2021-12-14 Lumileds Llc Photoresist patterning process supporting two step phosphor-deposition to form an LED matrix array
CN117239020A (zh) 2018-12-26 2023-12-15 亮锐有限责任公司 两步磷光体沉积来制得矩阵阵列
US10930825B2 (en) 2018-12-26 2021-02-23 Lumileds Llc Two step phosphor deposition to make a matrix array
US11508876B2 (en) * 2018-12-31 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and display device having the same
KR102145016B1 (ko) * 2019-02-28 2020-08-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치
KR20210124594A (ko) * 2020-04-06 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN113285006B (zh) * 2021-03-30 2023-03-24 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140119515A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP2014199267A (ja) * 2011-08-05 2014-10-23 シャープ株式会社 蛍光体基板、表示装置および電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4984446B2 (ja) * 2005-07-11 2012-07-25 大日本印刷株式会社 発光層、正孔注入層の形成方法およびそれらを用いた有機発光デバイスの製造方法
WO2008069163A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
TWI374996B (en) 2009-04-15 2012-10-21 Semi Photonics Co Ltd Light emitting device with high cri and high luminescence efficiency
EP2423736A4 (en) * 2009-06-12 2012-11-14 Sharp Kk DISPLAY BOARD AND DISPLAY DEVICE
US20120229739A1 (en) * 2009-11-19 2012-09-13 Iichiroh Inoue Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
JP5635832B2 (ja) 2010-08-05 2014-12-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5105132B1 (ja) 2011-06-02 2012-12-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
US20120313120A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Albeo Technologies, Inc. Method For Depositing A Phosphor Layer On LEDs, And Apparatus Made Thereby
JP2015121569A (ja) * 2012-04-16 2015-07-02 シャープ株式会社 表示装置
DE102012106859B4 (de) 2012-07-27 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP2016062899A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 半導体発光装置
KR101688163B1 (ko) * 2015-03-30 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014199267A (ja) * 2011-08-05 2014-10-23 シャープ株式会社 蛍光体基板、表示装置および電子機器
KR20140119515A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030482A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20190077789A (ko) 2017-12-26 2019-07-04 한국광기술원 마이크로 led를 이용한 디스플레이 및 그 제조방법
KR20200082872A (ko) 2018-12-31 2020-07-08 한국광기술원 마이크로 반도체 발광소자 제조방법
KR20190137728A (ko) 2019-10-28 2019-12-11 한국광기술원 마이크로 led를 이용한 디스플레이 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102481524B1 (ko) 2022-12-26
EP3228157B1 (en) 2020-04-22
US20170200765A1 (en) 2017-07-13
US10096750B2 (en) 2018-10-09
EP3228157A1 (en) 2017-10-11
CN107211504B (zh) 2020-05-12
WO2017122891A1 (en) 2017-07-20
CN107211504A (zh) 2017-09-26
EP3228157A4 (en) 2018-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101688163B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102481524B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101771461B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US11088301B2 (en) Display device using semiconductor light-emitting element
KR101521939B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
EP3518626B1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
KR102605471B1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101529934B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20170005642A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101688160B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102014258B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102400901B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20160136148A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101707970B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101771460B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20180130357A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20170069723A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102462881B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20180038272A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101771463B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20160003511A (ko) 반도체 발광 소자 및 이의 제조방법
KR20190030057A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
GRNT Written decision to grant