KR20170005642A - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 제1도전형 전극, 제2도전형 전극 및 빛을 출력하는 출사면을 구비하는 반도체 발광소자와, 상기 제1도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제1배선라인, 및 상기 제1배선라인과 교차하게 배치되며, 상기 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제2배선라인을 포함하고, 상기 반도체 발광소자의 주변에서 상기 디스플레이 장치의 전면을 향하여 빛을 반사하게, 상기 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING}
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이는 상기 반도체 발광 소자의 발광 효율을 향상시켜야 한다는 필요성이 존재할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 이러한 필요성을 충족시키는 메커니즘에 대하여 제시한다.
본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 휘도를 향상하는 구조 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 휘도를 향상하면서도 배선라인의 저항을 감소시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 구현하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 제1도전형 전극, 제2도전형 전극 및 빛을 출력하는 출사면을 구비하는 반도체 발광소자와, 상기 제1도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제1배선라인, 및 상기 제1배선라인과 교차하게 배치되며, 상기 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제2배선라인을 포함한다. 상기 디스플레이 장치는 전면 및 후면을 구비하고, 상기 반도체 발광소자의 주변에서 상기 전면을 향하여 빛을 반사하게, 상기 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸도록 형성된다.
실시 예에 있어서, 상기 제2배선라인은 사다리 형상으로 이루어진다. 상기 제2배선라인에는 일 방향으로 따라 차례로 배열되며, 상기 제2배선라인을 관통하는 복수의 관통부들이 형성될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제2배선라인은, 일 방향을 따라 연장되어 라인을 형성하며, 상기 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 라인부, 및 상기 라인부에서 상기 일 방향과 수직한 방향으로 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 제2배선라인은 차례로 적층되며, 각각 금속재질로 형성되는 복수의 레이어들을 구비한다. 상기 복수의 레이어들은 각각 다른 재질로 형성될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광소자를 덮도록 배치되는 형광체층을 포함하며, 상기 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸서, 상기 형광체층에서 반사된 빛을 상기 전면을 향하여 반사한다. 상기 형광체층의 하부에는 반사 방지층이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸도록 형성됨에 따라, 반도체 발광소자의 주변에서 빛을 반사시켜 휘도가 향상될 수 있다. 특히, 이러한 구조에 의하면, 형광체를 통하여 여기된 빛 중에서 하부로 반사된 빛을 재반사시킬 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접착층을 통하여 측면으로 여기된 빛을 차단하여 혼색 방지의 효과를 부여할 수 있게 된다.
나아가, 본 발명에 의하면, 고정세임에도 불고하고, 배선의 폭을 증가하여 배선 저항을 감소시키는 효과를 가져올 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이고, 도 16은 도 13의 평면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도다.
도 18은 도 17의 J-J를 따라 취한 단면도이며, 도 19는 도 17의 K-K를 따라 취한 단면도이며, 도 20a는 도 17의 평면도이다.
도 20b, 도 20c 및 도 20d는 각각 도 20a의 I-I, Ⅱ-Ⅱ, Ⅲ-Ⅲ를 따라 취한 단면도이다.
도 21a, 도 21b, 도 21c, 도 22a, 도 22b, 도 22c, 22d, 도 22e 및 도 22f는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 플립 칩 타입이 적용된 경우에는 동일평면상에 제1 및 제2전극이 배치되므로 고정세(파인 피치)의 구현이 어려운 문제가 있다. 이하, 이러한 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 타입의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.
이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다.
도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다.
상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.
보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.
상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 이 경우에, 상기 형광체에 의하여 여기된 빛이 디스플레이 장치의 전면으로 빠져나가지 못하고 디스플레이 장치의 후면을 향하여 진행하는 경우가 발생한다. 이러한 경우에, 디스플레이 장치의 휘도가 저감될 수 있다. 또한, 상기에서 설명된 본 발명의 디스플레이 장치에는 반도체 발광소자의 크기가 작아, 디스플레이 장치의 휘도를 증가시키기 어려운 문제가 있다.
본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 제시한다. 이하, 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이며, 도 16은 도 13의 평면도이다.
도 13, 도 14, 도 15 및 도 16의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광소자에서 새로운 배선 구조가 적용된 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자(예를 들어 수직형 반도체 발광소자)를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다.
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 기판(2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 형광체층(2080) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. 따라서, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(2030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 기판(2010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(2020)이 기판(2010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다.
제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
여기에서, 제1전극(2020) 및 제2전극(2040)은 각각 복수의 배선라인들을 포함할 수 있다. 이 경우에 상기 제1전극(2020)은 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(2156)과 전기적으로 연결되는 제1배선라인(2020a)을 구비하며, 상기 제2전극(2040)은 상기 제1배선라인과 교차하게 배치되며, 제2도전형 전극(2152)과 전기적으로 연결되는 제2배선라인(2040a)을 구비할 수 있다. 한편, 상기 제1배선라인(2020a)은 데이터 신호를 전달하는 데이터 배선라인이 되며, 상기 제2배선라인(2040a)은 스캔 신호를 전달하는 스캔 배선라인이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1배선라인(2020a)이 스캔 배선라인이 되며, 상기 제2배선라인(2040a)이 데이터 배선라인이 되는 것도 가능하다.
도 13 및 도 16을 참조하면, 상기 반도체 발광소자의 주변에서 디스플레이 장치의 전면을 향하여 빛을 반사하게, 상기 제2배선라인(2040a)은 상기 반도체 발광소자의 출사면(2153a)을 감싸도록 형성된다. 이 경우에, 상기 출사면(2153a)은 빛이 외부로 나오는 면으로서, 반도체 발광소자의 제2도전형 반도체층(2153)의 상면이 될 수 있다. 반도체 발광소자가 언도프된(Undoped) 반도체층을 구비하는 경우에는 상기 출사면(2153a)은 상기 언도프된(Undoped) 반도체층의 상면이 될 수 있다.
보다 구체적인 예로서, 상기 제2배선라인(2040a)은 라인부(2041)와 복수의 돌출부들(2042)을 구비할 수 있다.
상기 라인부(2041)는 일 방향을 따라 연장되어 라인을 형성하며, 상기 제2도전형 전극(2152)과 전기적으로 연결되며, 상기 복수의 돌출부들(2042)은 상기 라인부(2041)에서 상기 일 방향과 수직한 방향으로 돌출된다. 이 경우에, 각각의 반도체 발광소자는 상기 복수의 돌출부들(2042)의 사이에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2배선라인(2040a)은 상기 라인부(2041)와 평행하게 배치되며, 상기 돌출부들(2042)과 연결되는 평행부(2043)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 돌출부들(2042)의 단부들이 상기 평행부(2043)와 각각 연결될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 각각의 반도체 발광소자는 상기 라인부(2041)와 평행부(2043)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 라인부(2041)에서 상기 제2도전형 전극(2152)과의 접촉이 있으므로, 상기 라인부(2041)은 폭이 넓게 형성될 수 있다. 환언하면, 상기 평행부(2043)는 상기 라인부(2041)보다 폭이 좁도록 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 돌출부들(2042)도 상기 라인부(2041)보다 폭이 좁도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 배선라인의 폭은 반도체 발광소자의 사이 간격의 50 내지 80%로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 평행부(2043)나 돌출부들(2042)의 폭이 라인부(2041)보다 좁아짐에 따라, 반도체 발광소자의 측면에서 발광되는 빛을 가리지 않으면서도, 보다 넓은 면적으로 배선이 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 라인부(2041)의 폭은 반도체 발광소자의 사이 간격의 37.5 내지 85% 이고, 상기 평행부(2043)의 폭은 반도체 발광소자의 사이 간격의 12.5 내지 50% 의 범위가 될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 라인부(2041)의 폭은 15 내지 25 마이크로미터이고, 상기 평행부(2043)의 폭은 5 내지 15 마이크로미터이고, 상기 반도체 발광소자들은 각 열의 사이 간격이 30 내지 40 마이크로미터가 될 수 있다.
또한, 상기 돌출부들(2042)의 폭은 4 내지 6 마이크로미터가 될 수 있으며, 상기 열 내에서 반도체 발광소자들의 사이 간격은 8 내지 10 마이크로미터가 될 수 있다.
상기 제2배선라인(2040a)은 상기 돌출부들(2042)이 일정한 간격으로 반복 배치됨에 따라 사다리 형상으로 이루어지며, 상기 반도체 발광소자는 사다리 형상의 내부 빈공간에 배치될 수 있다. 상기 빈공간은 상기 제2배선라인(2040a)을 상기 디스플레이 장치의 두께방향을 따라 관통하는 관통부들(2044)이 될 수 있다. 즉, 상기 제2배선라인(2040a)에는 일 방향으로 따라 차례로 배열되며, 상기 제2배선라인(2040a)을 관통하는 복수의 관통부들(2044)이 형성될 수 있다. 이 경우에, 일 방향을 따라 배치되는 복수의 반도체 발광소자들은 각각 상기 복수의 관통부들(2044)에 배치된다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 제2배선라인(2040a)은 복수의 레이어들(2045, 2046, 2047)을 구비할 수 있다.
상기 복수의 레이어들(2045, 2046, 2047)은 각각 금속재질로 형성되며, 차례로 적층될 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 상기 제2배선라인(2040a)은 제1레이어(2045), 제2레이어(2046) 및 제3레이어(2047)를 포함할 수 있다.
상기 제1레이어(2045)는 반도체 발광소자의 제2도전형 전극(2152)과 오버랩되어 상기 제2도전형 전극(2152)과 접촉하도록 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1레이어(2045)는 Ti 또는 Cr 을 구비하며, 이들의 증착에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제2레이어(2046)는 상기 디스플레이 장치의 후면에서 전면을 향하는 방향을 기준으로, 상기 제1레이어(2045)에 적층되며, 스캔 신호 또는 데이터 신호를 상기 제2도전형 전극(2152)으로 전달하도록 형성된다. 따라서, 상기 제2레이어(2046)는 도전성이 높은 Cu 를 구비하여, 상기 제1레이어(2045)보다 높은 도전율을 가질 수 있다. 또한, 저항의 저감을 위하여 상기 제2레이어(2046)는 상기 제1레이어(2045) 및 제3레이어(2047)보다 두께가 두껍도록 형성될 수 있다.
상기 제3레이어(2047)는 상기 제2레이어에 적층되어, 상기 제2레이어보다 반사율이 높은 물질로 이루어진다. 이러한 예로서, 상기 제3레이어(2047)는 Ti, Al 또는 Ag 을 구비할 수 있으며, 상기 제3레이어(2047)가 상기 반도체 발광소자의 주변에서 디스플레이 장치의 전면을 향하여 빛을 반사하는 부분이 된다.
상기에서 설명된 본 발명의 배선라인에 의하면, 반도체 발광소자의 주변에서 빛을 반사시켜 휘도가 향상될 수 있다. 특히, 이러한 구조에 의하면, 형광체를 통하여 여기된 빛 중에서 하부로 반사된 빛을 재반사시킬 수 있다.
한련, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 이에, 본 발명에서는, 형광체의 충진공간이 보다 넓어질 수 있는 형광체층의 구조나 플렉서블이 가능한 종래와 다른 새로운 형태의 격벽 구조를 제시한다.
이하, 본 발명의 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 17은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 18은 도 17의 J-J를 따라 취한 단면도이며, 도 19는 도 17의 K-K를 따라 취한 단면도이며, 도 20a은 도 17의 평면도이고, 도 20b, 도 20c 및 도 20d는 각각 도 20a의 I-I, Ⅱ-Ⅱ, Ⅲ-Ⅲ를 따라 취한 단면도이다.
도 17, 도 18, 도 19 및 도 20a의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(3000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한 디스플레이 장치에서 새로운 형광체층의 구조가 적용된 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다.
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12 또는 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 예를 들어, 디스플레이 장치(3000)는 기판(3010), 제1전극(3020), 전도성 접착층(3030), 제2전극(3040) 및 복수의 반도체 발광 소자(3050)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 10 내지 도 12 또는 도 13 내지 도 16을 참조한 설명으로 갈음한다.
전술한 바와 같이, 디스플레이 장치(3000)는, 복수의 반도체 발광소자(3050)를 덮도록 배치되는 형광체층(3080)을 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(3050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(3080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 이 경우에, 전술한 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸서, 상기 형광체층(3080)에서 반사된 빛을 상기 전면을 향하여 반사하게 된다.
도시에 의하면, 상기 형광체층(3080)은 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들(3084)과, 상기 복수의 형광체부들(3084)의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들(3085)을 구비한다.
복수의 형광체부들(3084)은 적색 형광체를 구비하는 적색 형광체부(3084a)와 녹색 형광체를 구비하는 녹색 형광체부(3084b)를 포함할 수 있다. 적색의 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(3051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체부(3084a)가 적층 될 수 있고, 녹색의 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(3051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체부(3084b)가 적층될 수 있다.
한편, 적색 형광체부(3084a)와 녹색 형광체부(3084b)의 사이에는 하나의 격벽부(3085)가 배치된다. 이 경우에, 상기 복수의 격벽부들(3085) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(3080)의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩된다. 또한, 상기 복수의 격벽부들(3085) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(3080)의 두께 방향을 따라 빛을 투과하도록 이루어진다. 보다 구체적으로, 청색의 화소를 이루는 부분에서 청색 반도체 발광 소자(3051c) 상에는 하나의 격벽부들(3085)가 배치되며, 상기 청색 반도체 발광 소자(3051c)에서 발광되는 빛을 색의 변환없이 외부로 투과한다.
이 경우에, 제1배선라인(3020a)을 따라 형광체부나 격벽부가 형성될 수 있다. 따라서, 제1배선라인(3020a)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 또한, 제2배선라인(3040a)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 퀀텀닷(QD)이 상기 형광체부에 충전되어, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
보다 구체적인 예로서, 상기 복수의 격벽부들(3085)은 제1격벽부(3086)와 제2격벽부(3087)를 포함한다.
상기 제1격벽부(3086)는 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치된다. 따라서, 상기 복수의 형광체부들(3084) 중 적어도 일부는 상기 제1격벽부(3086)를 사이에 두고 배치된다. 이 경우에, 상기 적어도 일부의 형광체부들(3084)은 적색 형광체, 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1격벽부(3086)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체부(3084a)와 녹색 형광체부(3084b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되지 않는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제1격벽부(3086)의 하부에는 반도체 발광소자가 미배치된다.
한편, 상기 제2격벽부(3087)는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮도록 이루어진다. 이 경우에, 상기 제2격벽부(3087)에 의하여 덮이는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는 청색 반도체 발광소자(3051c)를 포함한다. 즉, 상기 제2격벽부(3087)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체부(3084a)와 녹색 형광체부(3084b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제2격벽부(3087)의 하부에는 청색 반도체 발광소자(3051c)가 배치된다.
상기에서 설명된 구조의 구현을 위하여, 또한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소내에서는 상기 제1격벽부(3086)와 상기 제2격벽부(3087)가 각각 하나씩 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1격벽부(3086)와 상기 제2격벽부(3087)는 상기 형광체층(3080)의 두께 방향과 수직한 방향을 따라 형성되는 폭(W)의 크기가 서로 다르도록 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1격벽부(3086)는 상기 제2격벽부(3087)보다 상기 폭의 크기가 작도록 이루어진다. 상기 제2격벽부(3087)의 폭은 상기 반도체 발광소자(3050)의 폭보다 크거나 같도록 이루어지며, 따라서 상기 제1격벽부(3086)의 폭은 상기 반도체 발광소자(3050)의 폭보다 작도록 형성될 수 있다.
이러한 예로서, 상기 제2격벽부(2087)의 폭은 청색 반도체 발광소자(2051c)의 크기보다 일측 기준으로 1 내지 2 마이크로미터가 더 크도록 이루어질 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 반도체 발광 소자의 폭이 20 내지 22 마이크로미터이고, 피치(pitch)가 28 내지 30 마이크로미터인 경우에, 상기 제2격벽부(2087)의 폭은 20 내지 40 마이크로미터가 될 수 있다.
또한, 이 경우에 상기 제1격벽부(2086)의 폭은 픽셀 간의 피치(pitch)의 10 내지 40 %의 크기가 될 수 있다. 이러한 예로서, 피치가 30 마이크로미터인 경우에, 상기 제1격벽부(2086)의 폭은 5 내지 7 마이크로미터로 형성될 수 있다.
도시에 의하면, 단위 화소내에 격벽부가 2개만이 존재하고, 상기 2개 중에서 하나(예를 들어, 제1격벽부)의 폭이 작아지므로, 상기 형광체부(3084)의 폭은 보다 증가할 수 있게 된다. 이와 같이, 상기 형광체부(3084)의 폭이 커지므로 기존보다 형광체부의 충전 공간이 보다 확보될 수 있으며, 따라서 충전되는 형광체의 양이 보다 증가될 수 있다.
한편, 상기 제2격벽부(3087)의 경우 한 픽셀(pixel)씩 끊어져 형성될 수 있다. 이를 통하여, 연결된 공간의 경우 빛이 가이드되어 다른 픽셀에 간섭을 일으키는 것을 완화 또는 방지할 수 있다.
상기 격벽부들(3085)의 구조에 대하여 보다 상세히 설명하면, 상기 복수의 격벽부들(3085) 중 적어도 하나는, 가장자리에 형성되는 하나 또는 하나 이상의 금속 박막들(3088)을 구비하며, 상기 금속 박막들(3088)의 사이에는 광투과성 물질(3089)이 채워지도록 형성된다.
상기 광투과성 물질(3089)은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 예를 들어 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다. 이러한 재질들은 고온에서 견고해지는 성질이 없기에 플렉서블 디스플레이에 적용되는 격벽부의 재질로서 적합하다.
예를 들어, 상기 금속 박막들(3088)은 빛이 반사되도록 상기 형광체부(3084)의 측면을 덮도록 이루어진다.
상기 금속 박막들(2088)은 격벽부들(3085)의 일측 가장자리에 배치되는 제1금속박막(3088a)과, 타측 가장자리에 배치되는 제2금속박막(3088b)을 구비할 수 있다. 상기 금속 박막들(3088)은 상기 격벽부의 상하단에는 존재하지 않게 된다. 즉, 상기 제1금속박막(3088a)과 제2금속박막(3088b)은 상기 격벽부의 폭방향을 따라 서로 분리되도록 이루어진다. 이러한 구조를 통하여 광투과성 재질을 투과하는 빛이 상기 격벽부의 상단에서 외부로 출력될 수 있게 된다.
상기 제1금속박막(3088a)과 제2금속박막(3088b)은 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성되어 빛을 반사하며, 이를 통하여 형광체부들의 사이에서 혼색을 방지하게 된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 금속 박막은 TiOx, CrOx 등의 산화박막으로 대체되거나, 분산 브레그 반사경(DBR)의 구조가 적용될 수 있다.
한편, 도시에 의하면 상기 제1격벽부(3086) 및 제2격벽부(3087) 중 적어도 하나의 하부에는 반사 방지층(3090)이 형성될 수 있다. 상기 반사 방지층(3090)은 back anti reflection 물질로 코팅된 레이어로서, 접착 유기물을 구비할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 반사 방지층(3090)은 격벽부들의 광투과성 재질의 하부에 배치될 수 있다. 이 경우에, 상기 반사 방지층(3090)은 각 격벽의 폭과 동일한 폭을 가지도록 형성된다. 또한, 상기 반사 방지층(3090)은 빛의 반사를 방지하는 역할뿐만 아니라, 접착 레이어의 역할을 하게 된다.
구체적으로, 전도성 접착층의 경우에, 하부 반사가 심하여 격벽의 패턴시에 이로 인하여 고정세(fine)의 패턴 구현이 어려우나, 상기 반사 방지층에 의하여 이러한 문제가 해결될 수 있다. 또한, 상기 반사 방지층(3090)는 전도성 접착층의 표면 상태에 따라 격벽부와의 접착력이 저하는 되는 문제를 해결한다.
한편, 도 20a를 참조하면, 상기 복수의 격벽부들(3085)은 평면상에서 일부분이 돌출된 형상으로 이루어진다. 이러한 형상에 의하여, 상기 금속 박막(3088)의 증착 정도가 조절될 수 있다. 보다 구체적으로, 도 20b 내지 도 20d와 같이, 이러한 형상에 의하여 격벽부들(3085)의 하부가 증착되는 방향에서 가려지며, 따라서 격벽부들(3085)의 하부에는 금속 박막(3088)이 미배치되는 부분이 발생하게 된다. 이를 통하여 제2배선라인(3040a)과 금속 박막(3088)의 사이에 단락(short)에 의한 리키지 경로(leakage path)가 발생하는 것이 방지될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 복수의 격벽부들(3085) 중 적어도 하나는 베이스부(3085a) 및 돌출부(3085b)를 포함한다. 상기 금속 박막(3088)은 상기 복수의 격벽부들(3085)의 가장자리에 배치되므로, 상기 금속 박막(3088)도 격벽부들(3085)와 마찬가지로, 베이스부(3088a) 및 돌출부(3088b)를 구비할 수 있다.
상기 베이스부(3085a)는 제1방향을 따라 연장되며, 상기 돌출부(3085b)는 상기 베이스부(3085a)의 단부에서 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 돌출된다. 상기 제1방향은 동일한 색상으로 형성되는 하나의 형광체부가 연장되는 방향이며, 상기 제2방향은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 화소가 차례로 배치되는 방향이 될 수 있다.
상기 돌출부(3085b)에 의하여, 상기 베이스부(3085a)에 형성되는 금속 박막(또는 금속 박막의 베이스부, 3088a)과 상기 돌출부(3085b)에 형성되는 금속 박막(또는 금속 박막의 돌출부, 3088b)은 상기 형광체층(3080)의 두께 방향을 따라 서로 길이가 다르도록 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 돌출부(3085b)에 형성되는 금속 박막(또는 금속 박막의 돌출부, 3088b)은 상기 기판과의 간격이 상기 베이스부(3085a)에 형성되는 금속 박막(또는 금속 박막의 베이스부, 3088a)보다 더 크도록 이루어질 수 있다.
이 경우에, 상기 돌출부는 상기 형광체층(3080)의 두께 방향으로 상기 반도체 발광소자의 배선전극의 적어도 일부와 중첩하도록 배치된다. 예를 들어, 상기 제2방향은 제2배선라인(3040a)과 평행한 방향이 될 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 제2배선라인(3040a)과 상기 돌출부에 형성되는 금속 박막(또는 금속 박막의 돌출부, 3088b)은 이격 거리가 충분히 확보될 수 있게 된다.
이상에서 살펴본 새로운 형광체층 구조에 의하면, 플렉서블 특성을 가지는 디스플레이에 적합한 격벽부가 구현될 수 있다. 이하에서는, 위에서 살펴본 새로운 형광체층 구조를 형성하는 제조하는 방법에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다. 도 21a, 도 21b, 도 21c, 도 22a, 도 22b, 도 22c, 22d, 도 22e 및 도 22f는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 21a, 도 21b 및 도 21c는, 도 17의 J-J방향에서 바라본 단면도들을 참조하여 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 22a, 도 22b, 도 22c, 22d 및 도 22e은, 도 13의 K-K방향에서 바라본 단면도들을 참조하여 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 제조방법에 의하면, 기판에 복수의 반도체 발광 소자들을 결합하는 단계가 진행된다. 예를 들어, 성장기판에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 성장시키고, 식각을 통하여 각 반도체 발광소자를 생성한 후에 제1도전형 전극(3156)과 제2도전형 전극(3152)을 형성한다(도 21a).
성장기판(3101)(웨이퍼)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(3101)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
제1도전형 전극(3156) 및 제1도전형 반도체층은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 제2도전형 전극(3152) 및 제2도전형 반도체층은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
이 경우에, 전술한 바와 같이, 상기 제2도전형 전극(3152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)의 측면)으로부터 돌출된다.
다음으로, 상기 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자를 전도성 접착층(3030)을 이용하여 배선기판에 결합하며, 성장기판을 제거한다(도 21b).
상기 배선기판은 제1전극(3020)이 형성된 상태이며, 상기 제1전극(3020)은 하부 배선으로서 상기 전도성 접착층(2030)내에서 도전볼 등에 의해 제1도전형 전극(3156)과 전기적으로 연결된다.
이후에, 언도프된(Undoped) 반도체층(3153a)을 식각하여 제거한 후에, 상기 돌출된 제2도전형 전극(3152)을 연결하는 배선라인을 형성한다(도 21c). 상기 배선라인은 상부 배선으로서, 상기 제2도전형 전극(3152)과 직접 연결되는 제2배선라인(3040a)이 될 수 있다.
이 경우에, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 주변에서 형광체층에서 반사된 빛을 되반사하게, 상기 배선라인은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 출사면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 배선라인의 구조는 도 13 내지 도 20d을 참조하여 전술한 제2배선라인에 대한 설명으로 갈음한다.
또한, 전술한 바와 같이 상기 배선라인은 복수의 레이어들로 형성될 수 있다. 이를 위하여, 상기 배선라인을 형성하는 단계는, 상기 도전형 전극과 오버랩되어 상기 도전형 전극과 접촉하는 제1레이어를 증착하는 단계와, 상기 제1레이어에 적층되며, 상기 제1레이어보다 두꺼운 두께로 제2레이어를 형성하는 단계, 및 상기 제2레이어보다 반사율이 높은 물질로 이루어지는 제3레이어를 상기 제2레이어에 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 형성한다. 상기 형광체층은, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하게 된다. 이 경우에 상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다.
도시에 의하면, 먼저, 반사 저감층를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 도 22a를 참조하면, 상기 복수의 반도체 발광 소자들에 반사 저감층(3090)을 코팅을 코팅한다.
다음으로, 격벽부를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 도 22b를 참조하면, 상기 복수의 반도체 발광 소자들에 광투과성 물질(RT)을 도포한다.
상기 광투과성 물질(RT)은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 전술한 바와 같이, 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다.
이 후에, 상기 광투과성 물질(RT)과 상기 반사 저감층(3090)을 식각하고, 상기 광투과성 물질(RT)과 상기 반사 저감층(3090)이 식각된 부분(LR)에 형광체를 충전하여 상기 형광체부들을 생성하는 단계가 진행된다.
보다 구체적으로, 도 22c에 의하면, 상기 광투과성 물질(RT)과 상기 반사 저감층(3090)이 식각되며, 이 경우에 상기 광투과성 물질(RT)과 상기 반사 저감층(3090)은 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에서 미식각된다. 즉, 상기 식각에 의하여 상기 광투과성 물질(RT)과 상기 반사 저감층(3090)은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 부분(LT1)과, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮도록 배치되는 부분(LT2)으로 구획될 수 있다.
이 경우에, 상기 복수의 격벽부들은 베이스부와 및 돌출부를 포함하는 형상으로 식각될 수 있다. 예를 들어, 상기 식각된 광투과성 재질은 상기 금속 박막의 증착 방향을 따라 상기 광투과성 재질의 적어도 일부가 가려지도록 상기 베이스부의 단부에서 돌출되는 돌출부를 포함하게 된다.
도 22d에 의하면, 상기 광투과성 물질을 식각한 후에, 상기 광투과성 물질(RT)에 금속 박막(2088)을 증착하는 단계가 진행된다. 이 경우에, 상기 금속 박막(3088)은 증착 기술을 이용하거나, 또는 스퍼터(sputter)를 이용하여 광투과성 물질(RT)의 전체 외면에 증착될 수 있다. 상기 금속 박막은 전술한 바와 같이, 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성될 수 있다.
이 후에, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나에 대응되는 부분에 상기 반도체 발광소자에서 발광된 빛의 투과하도록, 상기 금속 박막의 적어도 일부를 제거한다(도 22e 참조).
이러한 예로서, 상기 격벽부의 상면(반도체 발광소자에서 가장 먼 면)에서 금속 박막이 제거될 수 있으며, 이 경우에 반도체 발광소자에 영향을 최소화하도록, 건식 식각에 의하여 상기 금속 박막의 상부가 제거될 수 있다.
다음으로, 도 22f와 같이, 금속 박막이 증착된 광투과성 재질의 사이에 형광체를 충전하여 형광체부를 생성한다.
상기 형광체부를 생성하는 예로서, 먼저, 포토 레지스터를 도포 및 현상한 후에, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 순차적으로 도포하는 방법이 이용될 수 있다.
다른 예로서, 상기 금속 박막이 증착된 광투과성 재질의 사이에 황색 형광체을 충전한 후에, 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 합착하는 방법이 이용될 수 있다. 이 경우에, 형광체부는 컬러 필터와 조합되어 에 적색, 녹색, 및 청색의 단위화소를 구현하게 된다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 전면 및 후면을 구비하는 디스플레이 장치에 있어서,
    제1도전형 전극, 제2도전형 전극 및 빛을 출력하는 출사면을 구비하는 반도체 발광소자;
    상기 제1도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제1배선라인; 및
    상기 제1배선라인과 교차하게 배치되며, 상기 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제2배선라인을 포함하고,
    상기 반도체 발광소자의 주변에서 상기 전면을 향하여 빛을 반사하게, 상기 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2배선라인에는 일 방향으로 따라 차례로 배열되며, 상기 제2배선라인을 관통하는 복수의 관통부들이 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 일 방향을 따라 배치되는 복수의 반도체 발광소자들은 각각 상기 복수의 관통부들에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2배선라인은,
    일 방향을 따라 연장되어 라인을 형성하며, 상기 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 라인부; 및
    상기 라인부에서 상기 일 방향과 수직한 방향으로 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함하는 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2배선라인은 상기 라인부와 평행하게 배치되며, 상기 돌출부들과 연결되는 평행부를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자는 상기 라인부와 평행부의 사이와, 상기 돌출부들의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 평행부는 상기 라인부보다 폭이 좁도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2배선라인은 차례로 적층되며, 각각 금속재질로 형성되는 복수의 레이어들을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 레이어들은,
    상기 제2도전형 전극과 오버랩되어 상기 제2도전형 전극과 접촉하는 제1레이어;
    상기 제1레이어에 적층되며, 스캔 신호 또는 데이터 신호를 상기 제1도전형 전극으로 전달하는 제2레이어; 및
    상기 제2레이어에 적층되어, 상기 제2레이어보다 반사율이 높은 물질로 이루어지는 제3레이어를 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1레이어는 Ti 또는 Cr 을 구비하고, 상기 제2레이어는 Cu 를 구비하며, 상기 제3레이어는 Ti, Al 또는 Ag 을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2레이어는 상기 제1 및 제3레이어보다 두께가 두껍도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 발광소자를 덮도록 배치되는 형광체층을 포함하며,
    상기 제2배선라인은 상기 반도체 발광소자의 출사면을 감싸서, 상기 형광체층에서 반사된 빛을 상기 전면을 향하여 반사하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 형광체층은, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체부들과, 상기 복수의 형광체부들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며,
    상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는, 가장자리에 형성되는 하나 또는 하나 이상의 금속 박막들을 구비하며, 상기 금속 박막들의 사이에는 광투과성 물질이 채워지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 격벽부들은,
    상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 제1격벽부와, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮는 제2격벽부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1격벽부 및 제2격벽부 중 적어도 하나의 하부에는 반사 방지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1격벽부와 제2격벽부는 상기 형광체층의 두께 방향과 수직한 방향을 따라 형성되는 폭의 크기가 서로 다르도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  18. 기판 위에 형성된 접착층에 복수의 반도체 발광 소자들을 결합하는 단계;
    상기 복수의 반도체 발광소자의 도전형 전극과 전기적으로 연결되는 배선라인을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 형광체층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 반도체 발광소자들의 주변에서 상기 형광체층에서 반사된 빛을 되반사하게, 상기 배선라인은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 출사면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 배선라인을 형성하는 단계는,
    상기 도전형 전극과 오버랩되어 상기 도전형 전극과 접촉하는 제1레이어를 증착하는 단계;
    상기 제1레이어에 적층되며, 상기 제1레이어보다 두꺼운 두께로 제2레이어를 형성하는 단계; 및
    상기 제2레이어보다 반사율이 높은 물질로 이루어지는 제3레이어를 상기 제2레이어에 적층하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 발광 소자들에 반사 저감층을 코팅하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135335A (ko) * 2017-06-12 2018-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200056795A (ko) * 2018-11-15 2020-05-25 삼성전자주식회사 접합 부재 상에 무기 발광 소자 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 모듈 및 디스플레이 장치
WO2022025654A1 (ko) * 2020-07-31 2022-02-03 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
KR20220082930A (ko) * 2017-12-21 2022-06-17 루미레즈 엘엘씨 광 강도 적응형 led 측벽들

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102481524B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US11024773B2 (en) * 2016-11-07 2021-06-01 Goertek. Inc Micro-LED with vertical structure, display device, electronics apparatus and manufacturing method
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN111048656B (zh) * 2017-09-04 2024-06-14 首尔半导体株式会社 显示装置及该显示装置的制造方法
CN109728141B (zh) 2017-10-27 2021-02-23 隆达电子股份有限公司 像素结构
TWI781241B (zh) * 2017-11-08 2022-10-21 美商康寧公司 用於組裝顯示區域的裝置及方法
JP7418330B2 (ja) 2017-12-21 2024-01-19 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 照明デバイス
US11054112B2 (en) 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
CN110212064B (zh) 2018-02-28 2020-10-09 华为技术有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102115189B1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102652718B1 (ko) 2019-03-29 2024-04-01 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 구동 방법
CN114798205A (zh) 2021-01-21 2022-07-29 厦门松霖科技股份有限公司 出水装置及花洒
KR20220138501A (ko) * 2021-04-02 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032383A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 삼성전자주식회사 면광원 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20090050950A (ko) * 2007-11-15 2009-05-20 소니 가부시끼 가이샤 유기 전계 발광 표시 장치

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3784213T2 (de) * 1986-10-29 1993-06-03 Toshiba Kawasaki Kk Elektronischer apparat mit einem keramischen substrat.
US5529634A (en) * 1992-12-28 1996-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US6576926B1 (en) * 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
TW483287B (en) * 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US7408196B2 (en) * 2002-12-25 2008-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US7557779B2 (en) * 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP4632697B2 (ja) * 2004-06-18 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2006295104A (ja) * 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
US8217396B2 (en) * 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
WO2008100042A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Color magnetic display pixel panel
CN101262723B (zh) * 2007-03-05 2011-02-02 株式会社日立显示器 有机发光显示装置及其制造方法
US7915816B2 (en) * 2007-05-14 2011-03-29 Sony Corporation Organic electroluminescence display device comprising auxiliary wiring
JP5216446B2 (ja) * 2007-07-27 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及び表示装置の作製方法
JP2010251360A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP5947000B2 (ja) * 2010-07-01 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電界駆動型表示装置
JP2012043583A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP5740901B2 (ja) * 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
JP5877992B2 (ja) * 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102050505B1 (ko) * 2011-02-10 2019-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치
KR102004305B1 (ko) * 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
JP5643720B2 (ja) * 2011-06-30 2014-12-17 株式会社沖データ ディスプレイモジュール及びその製造方法と表示装置
US8912547B2 (en) * 2012-01-20 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and semiconductor device
JP2013229013A (ja) * 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101422037B1 (ko) * 2012-09-04 2014-07-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
CN206250192U (zh) * 2013-02-28 2017-06-13 株式会社村田制作所 Esd 保护电路用半导体装置
KR102092707B1 (ko) * 2013-09-17 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR101476687B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101476688B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9937698B2 (en) * 2013-11-06 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and light-emitting device
KR102135360B1 (ko) * 2013-11-18 2020-07-17 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9423832B2 (en) * 2014-03-05 2016-08-23 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP6602585B2 (ja) * 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR101629268B1 (ko) * 2014-10-29 2016-06-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20170093832A (ko) * 2014-11-28 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 화상 처리 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기
TW201622112A (zh) * 2014-12-02 2016-06-16 群創光電股份有限公司 顯示面板
KR101688160B1 (ko) * 2015-01-27 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101688163B1 (ko) * 2015-03-30 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101614370B1 (ko) * 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
KR101771461B1 (ko) * 2015-04-24 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20160136148A (ko) * 2015-05-19 2016-11-29 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102353484B1 (ko) * 2015-05-27 2022-01-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP6815096B2 (ja) * 2015-05-27 2021-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
US10139663B2 (en) * 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102316325B1 (ko) * 2015-07-06 2021-10-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032383A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 삼성전자주식회사 면광원 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20090050950A (ko) * 2007-11-15 2009-05-20 소니 가부시끼 가이샤 유기 전계 발광 표시 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135335A (ko) * 2017-06-12 2018-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20220082930A (ko) * 2017-12-21 2022-06-17 루미레즈 엘엘씨 광 강도 적응형 led 측벽들
KR20200056795A (ko) * 2018-11-15 2020-05-25 삼성전자주식회사 접합 부재 상에 무기 발광 소자 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 모듈 및 디스플레이 장치
WO2022025654A1 (ko) * 2020-07-31 2022-02-03 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
US12002912B2 (en) 2020-07-31 2024-06-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus having the same

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