KR101476688B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나를 구비하는 배선기판과, 상기 배선기판을 덮는 전도성 접착층과, 상기 전도성 접착층에 결합되며, 상기 제1전극 및 제2전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광 소자들을 포함하며, 상기 전도성 접착층은 상기 배선기판상에서 복수의 영역으로 구획되도록 제1영역에 배치되는 제1전도성 접착층과, 상기 제1영역과 연속되는 제2영역에 배치되는 제2전도성 접착층을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
또한, 이에 더하여 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이에서 제조 신뢰성을 향상시키는 구조가 착안 될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광 소자를 단위 화소로 구현한 디스플레이 장치의 수율을 향상시키는 구조를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은 반도체 발광 소자와 전극 배선의 연결시에 통전 신뢰성을 가지는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르는 디스플레이 장치는, 제1전극 및 제2 전극 중 적어도 하나를 구비하는 배선기판과, 상기 배선기판을 덮는 전도성 접착층과, 상기 전도성 접착층에 결합되며 상기 제1전극 및 제2전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광 소자들을 포함한다. 상기 전도성 접착층은 상기 배선기판상에서 복수의 영역으로 구획되도록 제1영역에 배치되는 제1전도성 접착층과, 상기 제1영역과 연속되는 제2영역에 배치되는 제2전도성 접착층을 구비한다.
본 발명과 관련한 일 예에 따르면, 상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층의 경계부는 상기 복수의 반도체 발광 소자들의 사이에 형성된다. 상기 반도체 발광소자들은 복수의 열을 따라 배치되고, 상기 경계부는 상기 복수의 열들의 적어도 일부의 사이에서 상기 열들과 평행하게 형성될 수 있다. 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 복수의 라인으로 형성되며, 상기 제1전극의 복수의 라인 및 상기 제2전극의 복수의 라인 중 어느 하나는 상기 복수의 열을 따라 배열될 수 있다.
상기 경계부는 상기 제1전도성 접착층 및 상기 제2전도성 접착층에 각각 형성되는 제1경계부 및 제2경계부를 구비하고, 상기 제1 및 제2경계부는 상기 복수의 반도체 발광 소자들의 사이에서 서로 맞닿도록 형성된다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 전도성 접착층은 상기 배선기판에 결합되는 복수의 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)을 포함한다. 상기 복수의 이방성 전도성 필름은 상기 제1 및 제2전도성 접착층에 해당하는 제1 및 제2이방성 전도성 필름을 구비하며, 상기 제1 및 제2이방성 전도성 필름의 경계부는 열압착에 의한 변형에 따라 서로 맞닿도록 형성될 수 있다. 상기 복수의 이방성 전도성 필름은 서로 이격되게 배치된 상태에서 열압착되며, 상기 경계부는 상기 열압착에 의하여 수지가 유동하여 상기 복수의 이방성 전도성 필름들의 사이 공간을 채움에 따라 서로 맞닿게 될 수 있다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 전도성 접착층은 상기 배선기판에 결합되는 단일의 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)을 포함하며, 상기 제1전도성 접착층 및 제2전도성 접착층은 상기 단일의 이방성 전도성 필름을 관통하는 관통홀에 의하여 구획된다. 상기 관통홀은 라인을 이루도록 일방향으로 길게 형성될 수 있다. 상기 관통홀은 열압착에 의한 상기 단일의 이방성 전도성 필름의 변형에 따라 메워질 수 있다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 복수의 반도체 발광 소자들은 적어도 일부가 상기 전도성 접착층에 매립되며, 상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층의 경계부로 빛이 투과되는 것이 차단될 수 있도록 상기 전도성 접착층은 불투명 수지를 구비한다. 상기 불투명 수지는 블랙 또는 화이트 수지를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 배선기판은 플렉서블한 PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 기판 중 어느 하나가 될 수 있다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 복수의 영역은 상기 제1전극의 배열을 따라 배치되거나, 상기 제2전극의 배열방향을 따라 배치된다.
또한, 본 발명은, 전극을 포함하는 제1기판상에 복수의 전도성 접착층들을 형성하는 단계와, 복수의 반도체 발광 소자들이 배치된 제2기판을 상기 전극와 상기 반도체 발광 소자들이 마주보도록 배치하는 단계와, 상기 제1기판과 상기 제2기판을 열압착하여, 상기 반도체 발광 소자들을 상기 복수의 전도성 접착층들에 결합시키는 단계, 및 상기 제2기판을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 전도성 접착층들은 상기 열압착시에 늘어날 수 있는 공간을 가지도록 서로에 대하여 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법을 개시한다. 상기 복수의 전도성 접착층들의 경계부가 서로 맞닿도록, 상기 공간은 상기 열압착에 의한 상기 복수의 전도성 접착층들의 늘어남에 의하여 채워질 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 반도체 발광 소자의 거리가 충분히 크며, 도전성 접착층이 연성을 가지므로 롤링이 가능한 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 전도성 접착층을 복수의 영역으로 구획함에 따라, 상판하판의 전극 배선을 연결시에 합착부분의 수지두께가 균일하게 된다. 이를 통하여 디스플레이 장치의 수율이 향상되며, 전극 배선의 연결시에 통전 신뢰성이 확보될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도.
도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도.
도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도.
도 10a 및 도 10b은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우와 구획하지 않은 경우를 나타내는 개념도들.
도 11a 및 도 11b는 도전성 접착층의 열합착에 의한 변형을 나타내는 개념도들.
도 12a, 도 12b 및 도 12c는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 일 실시예를 나타내는 개념도, 평면도 및 단면도.
도 13은 도전성 접착층과 디스플레이 패널의 상대크기를 나타내는 개념도들.
도 14는 도 13의 B-B 라인을 따라 취한 단면도.
도 15는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 다른 일 실시예들을 나타내는 도면.
도 16a, 도 16b 및 도 16c는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 또 다른 일 실시예를 나타내는 개념도, 평면도 및 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 반도체 발광 소자와 전극 배선의 연결시에 통전 신뢰성을 확보할 수 있는 구조가 고려될 수 있다. 이하, 상기 통전 신뢰성을 확보할 수 있는 구조에 대하여 설명한다.
도 10a 및 도 10b은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우와 구획하지 않은 경우를 나타내는 개념도들이며, 도 11a 및 도 11b는 도전성 접착층의 열합착에 의한 변형을 나타내는 개념도들이다.
본 도면들은 이방성 전도성 필름을 이용하여 디스플레이 장치의 배선기판(310)과 반도체 발광소자(350)의 웨이퍼가 열합착 된 후의 평면도를 확대한 모식도들이다.
도 10a에 의하면, 배선기판(310)과 반도체 발광소자(350)를 전기적으로 연결하기 위하여 반도체 발광 소자(350)를 성장시킨 성장 기판, 도전성 접착층(330) 및 배선기판(310)이 차례로 적층되며, 이 상태에서 열압착이 수행된다. 본 예시에서 상기 도전성 접착층(330)은 이방성 도전성 필름이 될 수 있다.
본 발명에서는 열압착을 수행할 시에 이방성 도전성 필름은 일정형태의 간격과 폭으로 분할하여 배치되며, 분할된 필름들은 배선기판의 수평배선전극(340) 사이에 매칭된다. 즉, 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획된다. 상기 분할에 의하여 필름 사이에 형성되는 공간(S)은 전극 배선이나 패드들의 구조물이 없어 이방성 도전성 필름의 수지가 상기 공간을 향하는 유동방향(F1)으로 흘러나와 이동할 수 있는 통로(channel)의 역할을 하게 된다.
도 10b와 같이 분할이 없는 경우에, 수평방향의 전극(340)과 수직방향의 보조전극(전극패드, 370)가 서로 분리되어 형성된 배선기판(310)에서 열합착시에, 이방성 전도성 필름의 수지의 유동방향은 주로 좌/우 방향으로 흐르게 된다. 또한, 배선기판에 일대일로 매칭되어 반도체 발광소자(350)가 형성된 웨이퍼의 경우 수지의 유동방향은 반도체 발광소자(350)의 배열 방향에 따라 상하로 주로 흐르게 된다. 이와 같은 구조에 의하면, 중앙부의 수지의 유동방향(F2)은 외곽으로 원활하게 흐르기가 어려운 방향이 되는 문제가 발생한다.
또한 대면적의 이방성 전도성 필름이 사용되면, 합착면의 중앙부의 수지는 충분히 유동하여 외곽부로 흐르지 못하는 현상이 발생한다. 이방성 전도성 필름에 포함되는 수지의 경우 열합착시 수초이내에 경화되는 성질이 있을 뿐만 아니라, 수지의 이동거리가 길어지면 수초의 시간내에 충분히 흘러갈 수 없는 점도를 가지고 있다. 따라서, 수지의 유동을 방해하는 원인은, 배선기판의 배선이나 패드의 복잡한 형태로 인하여 수지 유동에 대한 장벽으로 작용하는 것과, 합착면의 대면적화에 따른 수지 유동의 장거리 이동경로 등이다.
이와 같이, 수지의 유동이 저하되는 현상이 발생되면, 통전성이 열합착하고자 하는 부위의 전면에 걸쳐 균일하게 발생되지 않게 된다.
도 11a 및 도 11b와 같이, 디스플레이 패널(301)에 이방성 전도성 필름(331)을 사용하여 반도체 발광소자와 배선기판을 연결하는 경우 이방성 전도성 필름(331)의 부착영역은 디스플레이 패널(301)의 크기와 동일하거나 크게 되며, 수지의 유동성이 떨어지는 현상이 더욱 심해진다.
외곽부의 경우 수지의 유동이 합착부의 최외곽을 통해 유동되어 흘러나갈 수 있어 적절한 합착두께를 유지하나, 중앙부의 경우 중앙부위의 경우 수지의 유동이 원활하지 못하여 외곽부대비 상대적으로 두껍게 충진된다. 이는 충진두께의 불균일을 가져오며, 이를 통하여 합착부의 중앙부와 외곽부의 도전볼 접촉이 불균일하게 발생된다.
도 11b는 이러한 대면적 패널의 합착 상태를 단면을 잘라 SEM을 통해 분석한 결과이다. 사진에서 왼쪽이 중앙부를 나타내며 오른쪽이 외곽부를 나타낸다. 대면적 열합착의 중앙부위의 경우, 수지 미유동에 의해 두껍게 레진이 충전되어 의해 도전볼이 상판/하판 전극 배선/패드를 연결하지 못하는 현상이 나타났고, 외곽부의 경우 레진의 외곽부로 유동하여 적절한 두께의 레진이 충진되며 상판과 하판 사이에서 도전볼이 적절한 상태로 눌려 있다. 즉 중앙부와 외곽부의 통전이 균일하게 발생하지 않는 현상이 나타난다.
다시 도 10a를 참조하면, 본 발명에서는, 구획 또는 분할을 통하여, 이방성 도전성 필름(330)의 중앙부분의 수지 유동이 장거리의 이동경로를 통하지 않고 인접한 빈 공간을 통하여 유동할 수 있도록 인위적으로 유도한다.
이러한 경우 레진의 유동은 화살표의 방향으로 빠져 나가게 되며 열합착 후에는 빈 공간들이 흘러들어온 레진으로 충진되어 없어진다. 이러한 방법으로 레진의 유동이 원활히 생길 수 있으며, 대면적 열합착시 전면적에 걸쳐 균일한 레진 충진 두께를 구현할 수 있게 된다. 이를 통해 적절한 도전볼의 눌림을 가져오며 이를 통해 균일한 전기 전도도를 구현할 수 있다.
이하, 도전성 접착층이 복수의 영역으로 구획된 디스플레이 장치의 상세 구조에 대하여 설명한다.
도 12a, 도 12b 및 도 12c는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 일 실시예를 나타내는 개념도, 평면도 및 단면도이다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(400)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(400)는 기판(410), 전도성 접착층(430) 및 복수의 반도체 발광 소자(450)를 포함한다. 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다. 다만, 이하 개념도 및 평면도에서는 상기 반도체 발광 소자는 생략하고 도시한다. 또한, 도 2 내지 도 4에 개시된 예시와 동일 또는 유사한 구성에 대해서 본 예시의 설명은 처음 설명으로 갈음되며, 이하 본 예시의내용은 앞선 예시와 달라지는 부분을 중심으로 설명된다..
기판(410)은 배선기판으로서, 플렉서블한 PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 기판 중 어느 하나가 될 수 있다. 또한, 상기 기판(410)에는 앞선 예시와 같이 전극이 형성된다.
도시에 의하면, 전도성 접착층(430)은 상기 기판(410)상에서 복수의 영역으로 구획된다. 이하, 복수의 영역의 최소단위인 제1 및 제2영역을 기준으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 더 많은 영역으로 분할될 수 있다.
상기 전도성 접착층(430)은 제1영역에 배치되는 제1전도성 접착층(431)과, 상기 제1영역과 연속되는 제2영역에 배치되는 제2전도성 접착층(432)을 구비한다. 이러한 배치를 통하여 상기 제1전도성 접착층(431)과 상기 제2전도성 접착층(432)의 사이에는 경계부(431a, 432a)가 형성된다.
본 예시에서 디스플레이 장치는 도 6을 참조하여 설명한 프로세스와 같이, 전극을 포함하는 제1기판상에 복수의 전도성 접착층들을 형성하고, 복수의 반도체 발광 소자들이 배치된 제2기판(성장기판)을 상기 전극와 상기 반도체 발광 소자들이 마주보도록 배치한 후에, 상기 제1기판과 상기 제2기판을 열압착하여, 상기 반도체 발광 소자들을 상기 복수의 전도성 접착층들에 결합시키고, 상기 제2기판을 제거하는 단계를 통하여 제조될 수 있다.
도 12a를 참조하면, 복수의 전도성 접착층들을 형성하는 단계에서 상기 복수의 전도성 접착층들(431, 432)은 상기 열압착시에 늘어날 수 있는 공간(433)을 가지도록 서로에 대하여 이격 배치된다. 도 12c는 도 12b의 A-A라인을 따라 취한 단면도로서, 도 12b 및 도 12c를 참조하면, 완성된 디스플레이 장치에서 상기 복수의 전도성 접착층들(431, 432)의 경계부(431a, 432a)가 서로 맞닿도록, 상기 열압착을 통하여 결합시키는 단계에서 상기 공간은 상기 열압착에 의한 상기 복수의 전도성 접착층들(431, 432)의 늘어남에 의하여 채워지게 된다.
이 경우에, 상기 제1전도성 접착층(431)과 상기 제2전도성 접착층(432)의 경계부(431a, 432a)는 상기 복수의 반도체 발광 소자들(450)의 사이에 형성된다.
상기 전도성 접착층은 상기 기판(410)에 결합되는 복수의 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 이방성 전도성 필름은 상기 제1 및 제2전도성 접착층(431, 432)에 해당하는 제1 및 제2이방성 전도성 필름을 구비할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 전도성 접착층은 전술한 바와 같이 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등을 될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 반도체 발광소자들(450)은 복수의 열을 따라 배치되고, 상기 경계부(431a, 432a)는 상기 복수의 열들의 적어도 일부의 사이에서 상기 열들과 평행하게 형성된다. 제1전극(420) 및 제2전극(440)은 각각 복수의 라인으로 형성되며, 상기 제1전극(420)의 복수의 라인 및 상기 제2전극(440)의 복수의 라인 중 어느 하나는 상기 복수의 열을 따라 배열된다.
상기 제1전도성 접착층(431)과 상기 제2전도성 접착층(432)은 경계부(431a, 432a)는 상기 제2전극의 복수의 라인과 평행하게 형성되도록 배치된다. 즉, 상기 제1전도성 접착층(431)과 상기 제2전도성 접착층(432)은 사이의 공간이 상기 제2전극과 평행하도록 배치된다.
보다 구체적으로, 기판(410, 또는 배선기판)에은 수평방향의 전극 배선(제2전극)과 그 사이에 공통전극 패드(보조전극)가 형성되어 있다. 전도성 접착층의 수지는 수평방향의 제2전극(420)을 따라 유동이 원할하며, 특히 보조전극(470)이 존재하지 않는 공간을 통해 주로 유동할 수 있다. 본 예시에서는 이방성 전도성 필름들은 수평방향에 따라 스트라이프(stripe) 형태로 배치되며, 상기 필름들의 분할된 공간과 공통전극이 없는 수평배선 기판이 상호 정렬하여 부착된다.
이 경우에, 분할된 필름들의 경계에 수평방향의 긴 빈공간이 형성되고, 상기 빈공간은 수지가 유동할 수 있는 유동공간으로 작용한다. 스트라이프(stripe) 형태의 필름들의 폭은 포함하는 수평전극 배선의 개수에 따라 넓어지거나 좁아질 수 있으며, 필름들이 좁고 분할이 많이 될수록 수지의 유동성은 향상된다. 따라서 적절한 분할을 통한 미세한 수지 유동 제어가 가능하게 된다.
도 12c를 참조하면, 제조된 디스플레이 장치에서 상기 경계부는 상기 제1전도성 접착층 및 상기 제2전도성 접착층에 각각 형성되는 제1경계부(431a) 및 제2경계부(432a)를 구비하고, 상기 제1 및 제2경계부(431a, 432a)는 서로 맞닿도록 형성된다. 즉, 제1 및 제2이방성 전도성 필름의 경계부는 열압착에 의한 변형에 따라 서로 맞닿도록 형성된다. 즉, 상기 복수의 이방성 전도성 필름은 서로 이격되게 배치된 상태에서 열압착되며, 상기 경계부는 상기 열압착에 의하여 수지가 유동하여 상기 복수의 이방성 전도성 필름들의 사이 공간을 채움에 따라 서로 맞닿게 된다.
도시에 의하면, 상기 제1 및 제2경계부(431a, 432a)는 복수의 반도체 발광 소자들의 사이에서 서로 맞닿도록 형성된다. 이를 통하여, 반도체 발광소자(450)의 빛이 외부로 방출될 때에 굴절 등의 영향이 미치지 않도록 한다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자들의 적어도 일부가 상기 전도성 접착층(430)에 매립됨에 따라, 반도체 발광 소자(450)의 사이에 격벽이 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(450)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. 이 때, 반도체 발광 소자(450)는 전도성 접착층(430)의 상부영역에 3면이 완전히 매립될 수 있다. 이렇게 반도체 발광 소자(450)가 전부 매립됨으로써, 반도체 발광 소자(450)의 사이에 빛을 차단하는 효과가 극대화될 수 있다.
또한, 상기 격벽을 형성하는 전도성 접착층(430)은 불투명 수지를 포함하여 반도체 발광 소자들(300) 사이로 빛이 투과되는 것을 차단한다. 즉, 상기 불투명 수지에 의하여 상기 제1전도성 접착층(431)과 상기 제2전도성 접착층(432)의 경계부(431a, 431b)로 빛이 투과되는 것이 차단된다. 이를 위하여, 상기 불투명 수지는 블랙 또는 화이트 수지를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 예로서 상기 반도체 발광 소자(450)의 사이로 빛을 차단하기 위하여, 전도성 접착층(430)은 착색될 수 있다.
상기 설명과 같이, 본 예시에서는 전도성 접착층을 복수의 영역으로 구획함에 따라, 상판하판의 전극 배선을 연결시에 합착부분의 수지두께가 균일하게 된다. 이하, 본 발명의 여러가지 다른 실시예에 대하여 설명한다.
도 13은 도전성 접착층과 디스플레이 패널의 상대크기를 나타내는 개념도들이며, 도 14는 도 13의 B-B 라인을 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 다른 일 실시예들을 나타내는 도면들이다.
도 13을 참조하면, 전도성 접착층이 기판상에서 구획되는 복수의 영역은 제2전극(140)의 배열을 따라 배치될 뿐만 아니라, 제1전극(120, 이상 도 3a 참조)의 배열방향을 따라 배치될 수 있다.
도시된 바와 같이, 배선기판의 형성된 전극 배선/패드의 형태 및 방향에 대해서 전도성 접착층을 분할될 수 있으며, 이 때에 배선기판에 형성된 전극 배선/패드의 밀도가 낮은 경우 좀더 매크로한 형태로 분할하여 붙이는 것도 가능하다.
예를 들어, 도 13의 (a)와 같이 전도성 접착층(430)은 제1전극(120)을 따라 복수로 배치되는 경우 외에도, 도 13의 (b)와 같이 제2전극(140)을 따라 복수로 배치될 수 있다. 도 13의 (b)의 경우에는 전도성 접착층(530)이 수직전극을 따라 분할되므로, 도 14와 같은 구조가 가능하게 된다.
도 14를 참조하면, 복수의 반도체 발광 소자(550)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(580)이 형성된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(550)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(580)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(580)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(581) 또는 녹색 형광체(582)가 될 수 있다. 또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(591)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(591)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 전도성 접착층들(531, 532)은 상기 블랙 매트릭스(591)와 대응하는 위치에서 구획될 수 있다. 이와 같이, 전도성 접착층들이 수직방향을 따라 구획됨에 따라 전도성 접착층들의 경계부(531a, 532a)는 상기 블랙 매트릭스(591)에 의하여 덮이게 된다. 이를 통하여, 상기 경계부(531a, 532a)가 존재함은 외부로부터 가려질 수 있다
또한, 도 13의 (c)를 참조하면, 전도성 접착층(630)은 좌우상하로 분할되며, 따라서 제1 및 제2전극(120, 140)의 배열을 따라 각각 복수로 배치될 수 있다. 또한, 전도성 접착층은 도 13의 (d)와 같이, 전도성 접착층(730)은 제2전극을 따라 보다 많이 분할 될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1전도성 접착층(831) 및 제2전도성 접착층(832)은 단일의 이방성 전도성 필름을 관통하는 관통홀(834)에 의하여 구획될 수 있다. 상기 관통홀(834)은 라인을 이루도록 일방향으로 길게 형성된다. 즉, 하나의 이방성 전도성 필름에 복수의 관통라인이 형성되며, 상기 관통라인이 앞선 실시예에서 전도성 접착층간의 이격공간의 역할을 하게 된다.
상기 관통홀(834)에 의하여 필름의 내부에서 형성되는 공간은 전극 배선이나 패드들의 구조물이 없어 이방성 도전성 필름의 수지가 유동하여 흘러나와 이동할 수 있는 통로(channel)의 역할을 하게 된다. 또한, 상기 관통홀(834)은 열압착에 의한 상기 단일의 이방성 전도성 필름의 변형에 따라 메워지게 되면, 이를 통하여 완성된 디스플레이 장치에서는 상기 관통홀(834)이 수지로 인하여 충진될 수 있다.
또한, 상기에서 설명된 디스플레이 장치의 구조는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 16a, 도 16b 및 도 16c를 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
도 16a, 도 16b 및 도 16c는 도전성 접착층을 복수의 영역으로 구획한 경우의 또 다른 일 실시예를 나타내는 개념도, 평면도 및 단면도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치(900)는 기판(910), 전도성 접착층(930) 및 복수의 반도체 발광 소자(950)를 포함한다. 이하, 도 7 내지 도 9에 개시된 예시와 동일 또는 유사한 구성에 대해서 본 예시의 설명은 처음 설명으로 갈음되며, 본 예시의 내용은 앞선 예시와 달라지는 부분을 중심으로 설명된다..
기판(910)은 배선기판으로서, 플렉서블한 PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 기판 중 어느 하나가 될 수 있다. 또한, 상기 기판(910)에는 앞선 예시와 같이 전극이 형성된다.
도시에 의하면, 전도성 접착층(930)은 상기 기판(910)상에서 복수의 영역으로 구획된다. 이하, 복수의 영역의 최소단위인 제1 및 제2영역을 기준으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 더 많은 영역으로 분할될 수 있다.
본 예시에서는 이방성 전도성 필름들은 일방향에 따라 스트라이프(stripe) 형태로 배치된다. 이러한 경우 이방성 전도성 필름들의 수지 유동은 형성된 배선의 방향과 평행한 방향으로 주로 형성된다. 이 경우에, 수지의 진행방향을 한 방향이 아닌 이방성 전도성 필름들이 분할된 공간으로, 즉 양쪽 방향으로 유도할 수 있다.
이방성 전도성 필름들의 폭은 포함하는 반도체 발광소자의 열의 개수에 따라 넓어지거나 좁아 질 수 있다. 또한, 이방성 전도성 필름들이 좁고 분할이 많이 될수록 수지의 유동성은 향상될 수 있다.
도 16a를 참조하면, 복수의 전도성 접착층들을 형성하는 단계에서 상기 복수의 전도성 접착층들(931, 932)은 상기 열압착시에 늘어날 수 있는 공간(933)을 가지도록 서로에 대하여 이격 배치된다. 도시에 따르면, 반도체 발광소자의 간격을 기준으로 전도성 접착층들(931, 932)이 분할된다. 즉, 반도체 발광소자들이 사이에 전도성 접착층들(931, 932)의 사이 공간이 배치되며, 상기 사이 공간은 제1전극(920)과 평행한 방향(제2전극에 수직한 방향)으로 배열된다. 이 때에, 제2전극(940)은 전도성 접착층의 상면에 형성되므로, 복수의 전도성 접착층들을 형성하는 단계에서는 제2전극이 없으며, 따라서 도 16a에서는 는 제2전극이 미도시되었다.
도 16b는 합착공정이 끝난 디스플레이 장치를 나타내며, 도 16c는 도 16b의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 16b 및 도 16c를 참조하면, 완성된 디스플레이 장치에서 상기 복수의 전도성 접착층들(931, 932)의 경계부(931a, 932a)가 서로 맞닿도록, 상기 열압착을 통하여 결합시키는 단계에서 상기 공간은 상기 열압착에 의한 상기 복수의 전도성 접착층들(931, 932)의 늘어남에 의하여 채워지게 된다. 이 후에, 제2전극(940)이 복수의 전도성 접착층들(931, 932)의 경계부(931a, 932a)를 가로지도록 형성된다.
이와 같은 구조에 의하면, 수직형 반도체 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에서도 통전 신뢰성이 확보될 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (19)

  1. 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나를 구비하는 배선기판;
    상기 배선기판을 덮는 전도성 접착층;
    상기 전도성 접착층에 결합되며, 상기 제1전극 및 제2전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광 소자들을 포함하며,
    상기 전도성 접착층은 상기 배선기판상에서 복수의 영역으로 구획되도록 제1영역에 배치되는 제1전도성 접착층과, 상기 제1영역과 연속되는 제2영역에 배치되는 제2전도성 접착층을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층의 경계부는 상기 복수의 반도체 발광 소자들의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자들은 복수의 열을 따라 배치되고,
    상기 경계부는 상기 복수의 열들의 적어도 일부의 사이에서 상기 열들과 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 복수의 라인으로 형성되며, 상기 제1전극의 복수의 라인 및 상기 제2전극의 복수의 라인 중 어느 하나는 상기 복수의 열을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 경계부는 상기 제1전도성 접착층 및 상기 제2전도성 접착층에 각각 형성되는 제1경계부 및 제2경계부를 구비하고, 상기 제1 및 제2경계부는 상기 복수의 반도체 발광 소자들의 사이에서 서로 맞닿는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 접착층은 상기 배선기판에 결합되는 복수의 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 이방성 전도성 필름은 상기 제1 및 제2전도성 접착층에 해당하는 제1 및 제2이방성 전도성 필름을 구비하며,
    상기 제1 및 제2이방성 전도성 필름의 경계부는 열압착에 의한 변형에 따라 서로 맞닿도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 이방성 전도성 필름은 서로 이격되게 배치된 상태에서 열압착되며, 상기 경계부는 상기 열압착에 의하여 수지가 유동하여 상기 복수의 이방성 전도성 필름들의 사이 공간을 채움에 따라 서로 맞닿게 되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 접착층은 상기 배선기판에 결합되는 단일의 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF)을 포함하며,
    상기 제1전도성 접착층 및 제2전도성 접착층은 상기 단일의 이방성 전도성 필름을 관통하는 관통홀에 의하여 구획되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 관통홀은 라인을 이루도록 일방향으로 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 관통홀은 열압착에 의한 상기 단일의 이방성 전도성 필름의 변형에 따라 메워지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 발광 소자들은 적어도 일부가 상기 전도성 접착층에 매립되며, 상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층의 경계부로 빛이 투과되는 것이 차단될 수 있도록 상기 전도성 접착층은 불투명 수지를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 불투명 수지는 블랙 또는 화이트 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는
    디스플레이 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 배선기판은 플렉서블한 PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 영역은 상기 제1전극의 배열을 따라 배치되거나, 상기 제2전극의 배열방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 발광 소자들의 일면 상에는 형광체층이 형성되고, 상기 형광체층은 각각의 형광체 사이에 위치하는 블랙 매트릭스를 구비하며,
    상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층은 상기 블랙 매트릭스와 대응하는 위치에서 구획되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1전도성 접착층과 상기 제2전도성 접착층의 경계부는 상기 블랙 매트릭스에 의하여 덮이는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  18. 전극을 포함하는 제1기판상에 복수의 전도성 접착층들을 형성하는 단계;
    복수의 반도체 발광 소자들이 배치된 제2기판을 상기 전극와 상기 반도체 발광 소자들이 마주보도록 배치하는 단계;
    상기 제1기판과 상기 제2기판을 열압착하여, 상기 반도체 발광 소자들을 상기 복수의 전도성 접착층들에 결합시키는 단계; 및
    상기 제2기판을 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 전도성 접착층들은 상기 열압착시에 늘어날 수 있는 공간을 가지도록 서로에 대하여 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수의 전도성 접착층들의 경계부가 서로 맞닿도록, 상기 공간은 상기 열압착에 의한 상기 복수의 전도성 접착층들의 늘어남에 의하여 채워지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
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