JP2013196854A - 蛍光体基板およびこれを備えた表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示色が薄くなる現象が生じることを防止した蛍光体基板およびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられた画素１２と、画素１２を区画する隔壁１３と、を備え、画素１２は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素１２Ｒと、青色光による表示を行う青色サブ画素１２Ｂと、これら２色とは異なる第三色光による表示を行う第三色サブ画素と、を少なくとも含み、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔は、他の画素間の間隔よりも大きいことを特徴とする蛍光体基板１０。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体基板およびこれを備えた表示装置に関する。

近年、従来主流であったブラウン管を使用した表示装置から、薄型のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表示装置へのニーズが高まりつつある。ＦＰＤには様々な種類のものがある。例えば、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、または、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ等が知られている。

有機ＥＬディスプレイとしては、青色〜青緑色発光する有機発光層を有する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子からの青色〜青緑色発光を励起光として吸収し、緑色を発光する蛍光体層からなる緑色画素と、前記の青色〜青緑色発光を励起光として吸収し、赤色に発光する蛍光体層からなる赤色画素と、前記の青色〜青緑色発光を励起光として吸収し、青色に発光する蛍光体層、あるいは、前記の青色〜青緑色発光を散乱させる散乱体層からなる青色画素と、を備え、フルカラー発光可能なものが知られている。

上記のような蛍光体層を備えた蛍光体基板を用いた表示装置では、異なる色の画素の光が混ざり易く、その結果、表示色が薄くなる（色薄まり）現象が生じるという問題がった。特に、赤色サブ画素に入射すべき励起光が、青色サブ画素に入射して、赤色サブ画素からの赤色発光に、青色サブ画素からの青色発光が混ざった場合の赤色表示の色薄まりが顕著であった。
このような色薄まりは、例えば、偏光板を含む液晶層から構成される光量変調層と蛍光体基板の距離が大きいために生じると考えられる。すなわち、赤色サブ画素に対応する光量変調層を通過した励起光が、隣り合う他の色のサブ画素に入射し、散乱（蛍光体を励起）してしまうことが一因であると考えられる。

このような課題を解決した表示装置としては、各画素の開口部の幅を小さくするとともに、マイクロレンズを用いて赤色サブ画素に入射するべき励起光が、隣り合う他の色のサブ画素に入射することを防止したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００９−１３４２７５号公報

しかしながら、各画素の開口部の幅を小さくすると、各サブ画素から発光する光量が少なくなり、表示装置の発光効率が低下するという課題があった。また、マイクロレンズを用いることで、表示装置を構成するための部材が多くなり、コストが嵩むという課題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、開口部が広くて効率が高く、構成する部材も少なくて簡便に表示装置が形成できるとともに、色薄まりの影響を最小限に防止することが可能な蛍光体基板およびこれを備えた表示装置を提供することを目的とする。

本発明の蛍光体基板は、基板と、該基板上に設けられた画素と、該画素を区画する隔壁と、を備え、前記画素は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、これら２色とは異なる第三色光による表示を行う第三色サブ画素と、を少なくとも含み、前記赤色サブ画素と前記青色サブ画素の間隔は、他の画素間の間隔よりも大きいことを特徴とする。

本発明の蛍光体基板において、前記赤色サブ画素に、励起光源から入射した励起光により赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に、前記励起光により青色光を発する青色蛍光体層が設けられ、前記第三色サブ画素に、前記励起光により第三色の光を発する第三色蛍光体層が設けられたことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記赤色サブ画素に、励起光源から入射した励起光により赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に、前記励起光を散乱させる散乱体層が設けられ、前記第三色サブ画素に、前記励起光により第三色の光を発する第三色蛍光体層が設けられたことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記第三色は、緑色であることが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記画素は、さらに、赤色光、青色光および緑色光と同じか、または異なる第四色光による表示を行う第四色サブ画素を含み、前記赤色サブ画素と前記青色サブ画素は、それぞれの長辺が離隔するように設けられたことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記第四色サブ画素に、前記励起光により第四色の光を発する第四色蛍光体層が設けられたことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記赤色サブ画素が表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、前記青色サブ画素が表示する青色光の主波長をλ_ｂ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｂ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記赤色サブ画素が表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、前記緑色サブ画素が表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｇ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことが好ましい。

本発明の蛍光体基板において、前記緑色サブ画素が表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_４＝λ_ｇの関係を満たすことが好ましい。

本発明の表示装置は、本発明の蛍光体基板と、前記画素に照射する励起光を射出する指向性の光源と、前記蛍光体基板に重ねて設けられ、前記蛍光体基板の前記画素に入射する前記励起光の光量を調節する励起光量変調層と、を備えたことを特徴とする。

本発明の表示装置において、前記蛍光体基板の蛍光体の画素開口部と前記励起光量変調層の画素開口部とは、互いの位置がおよそ合うように形成されていることが好ましい。

本発明の表示装置において、前記励起光量変調層は、液晶層と、該液晶層を挟んで設けられた２枚の偏光板とから構成されていることが好ましい。

本発明によれば、表示色が薄くなる現象が生じることを防止した蛍光体基板を提供することができる。

蛍光体基板の第一実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第二実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第三実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第四実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第五実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第六実施形態を示す概略断面図である。 蛍光体基板の第七実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 蛍光体基板の第八実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 ３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を示し、各色サブ画素の主波長を決定する方法を示す図である。 表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。 光源を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 光源を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。 光源を構成する無機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の一適用例である携帯電話を示す外観図である。 表示装置の一適用例である薄型テレビを示す外観図である。 表示装置の一適用例である携帯型ゲーム機を示す外観図である。 表示装置の一適用例であるノートパソコンを示す外観図である。 表示装置の一適用例であるタブレット端末を示す外観図である。 実施例１の表示装置の発光スペクトルを示すグラフである。 実施例１および比較例１における３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大した図である。 実施例１および比較例１における３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大した図である。 実施例２および比較例２における３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大した図である。 実施例３における３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大した図である。

本発明の蛍光体基板およびこれを備えた表示装置の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

［蛍光体基板］
（１）第一実施形態
図１は、蛍光体基板の第一実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態に係る蛍光体基板１０は、基板１１と、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられた画素１２と、画素１２を区画する隔壁１３とから概略構成されている。
画素１２は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素１２Ｒと、青色光による表示を行う青色サブ画素１２Ｂと、緑色光による表示を行う緑色サブ画素１２Ｇとから構成されている。また、１つの画素１２において、赤色サブ画素１２Ｒと、青色サブ画素１２Ｂと、緑色サブ画素１２Ｇとが、並列に配置されている。
また、赤色サブ画素１２Ｒに、励起光源（図示略）から入射した励起光により赤色光（蛍光）を発する赤色蛍光体層１４が設けられ、青色サブ画素１２Ｂに、励起光源（図示略）から入射した励起光を散乱させる青色蛍光体層１５が設けられ、緑色サブ画素１２Ｇに、励起光源（図示略）から入射した励起光により緑色光（蛍光）を発する緑色蛍光体層１６が設けられている。

基板１１と、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６との間において、赤色サブ画素１２Ｒに赤色カラーフィルター１７が設けられている。また、基板１１と、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６との間において、青色サブ画素１２Ｂに青色カラーフィルター１８が設けられている。さらに、基板１１と、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６との間において、緑色サブ画素１２Ｇに緑色カラーフィルター１９が設けられている。
また、蛍光体基板１０の厚さ方向において、基板１１と隔壁１３との間、かつ、蛍光体基板１０の厚さ方向と垂直な方向において、赤色カラーフィルター１７と青色カラーフィルター１８との間、青色カラーフィルター１８と緑色カラーフィルター１９との間、および、緑色カラーフィルター１９と赤色カラーフィルター１７との間に、ブラックマトリックス２０が設けられている。

さらに、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６と、カラーフィルター（赤色カラーフィルター１７、青色カラーフィルター１８、緑色カラーフィルター１９）との間に、基板１１の屈折率、あるいは、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の屈折率よりも屈折率が低い低屈折率層２１が設けられている。

また、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２およびｄ_３は、ｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３の関係を満たしている。
なお、間隔ｄ_１は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間に設けられたブラックマトリックス２０の幅に等しい。また、間隔ｄ_２は、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間に設けられたブラックマトリックス２０の幅に等しい。また、間隔ｄ_３は、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間に設けられたブラックマトリックス２０の幅に等しい。

以下、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法は、これらに限定されるものではない。

「基板」
基板１１としては、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６からの発光を外部に取り出す必要があることから、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の発光領域で、光を透過する必要があり、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。
これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板を用いることが好ましい。さらに、ガスバリア性を向上させる観点から、プラスチック基板に無機材料をコートした基板がより好ましい。

「蛍光体層」
赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６は、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤ等の励起光源からの励起光を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する。ただし、励起光源として指向性を有する青色発光を適用する場合、青色蛍光体層１５を設けずに、当該指向性を有する励起光を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような散乱体層を適用してもよい。

また、必要に応じて、シアン光、イエロー光に発光する蛍光体層を画素に加えることが好ましい。ここで、シアン光、イエロー光に発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の３原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲をさらに拡げることが可能となる。

赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。

蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。以下に、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。

有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等が挙げられる。
また、緑色蛍光色素としては、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、および、ローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。

無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ_２、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。
また、緑色蛍光体としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、（ＳｒＢａ）Ａl_１２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、（ＢａＭｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ^２＋、（ＢａＣａＭｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋、Ｚｒ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋、Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。
また、赤色蛍光体としては、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳｉＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５．５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５等が挙げられる。

また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、あるいは、それらの併用によるもの等が挙げられる。
また、励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、蛍光体材料としては、無機系蛍光体材料を用いることが好ましい。さらに、無機系蛍光体材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ_５０）が、０．５〜５０μｍであることが好ましい。無機系蛍光体材料の平均粒径が０．５μｍ未満であると、無機系蛍光体材料の発光効率が急激に低下する。一方、無機系蛍光体材料の平均粒径が５０μｍを超えると、高解像度にパターニングすることが困難になる。

また、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。

また、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６は、前記の高分子材料（結着用樹脂）として、感光性の樹脂（感光性樹脂）を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、パターニングすることが可能となる。
ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、および、硬質ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）からなる群より選択される１種類、または、２種類以上の混合物を用いることが可能である。
また、感光性樹脂を用いた場合、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６は、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等のウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料を直にパターニングすることにより形成することも可能である。

赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の膜厚は、通常１００ｎｍ〜１００μｍ程度であるが、１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。また、励起光源からの励起光の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過光を低減するためには、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。
赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、励起光源からの励起光を十分に吸収することが不可能であるため、発光効率の低下や、必要とされる色に励起光の透過光が混じることによる色純度の悪化といった問題が生じる。一方、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の膜厚が１００μｍを超えると、励起光源からの励起光を既に十分に吸収することから、発光効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストのアップに繋がる。

一方、青色蛍光体層１５の代わりとして、散乱体層を適用する場合、光散乱性粒子は、有機材料から構成されていてもよいし、無機材料から構成されていてもよいが、無機材料から構成されていることが好ましい。これにより、外部（例えば、励起光源）からの指向性を有する励起光を、より等方的かつ効果的に、拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を用いることにより、光および熱に安定な光散乱体層を形成することが可能となる。
また、光散乱性粒子としては、透明度が高いものを用いることが好ましい。また、光散乱性粒子としては、低屈折率の母材中に、母材よりも高屈折率の微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が散乱体層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。

光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、無機材料としては、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。

また、光散乱性粒子として、無機材料から構成された粒子（無機微粒子）を用いる場合には、無機微粒子としては、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（アナタース型の屈折率：２．５０、ルチル型の屈折率：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）等が挙げられる。

光散乱性粒子として、有機材料から構成された粒子（有機微粒子）を用いる場合には、有機微粒子としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。

上述した光散乱性粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。樹脂材料としては、例えば、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。

「隔壁」
隔壁１３は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなしている。
また、隔壁１３の平面形状としては、格子状、ストライプ状など、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の周囲を囲む各種の形状が挙げられる。
障壁１３は、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル系樹脂、ノボラック系樹脂またはエポキシ樹脂などの樹脂材料を、フォトリソグラフィー法等の手法によりパターニングして形成することができる。
なお、隔壁１３の断面形状は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状（順テーパー形状）に限定されるものではなく、基板１１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状（逆テーパー形状）であってもよい。このような逆テーパー形状は、露光部が現像剥離されるネガレジストを用いて形成することができる。

隔壁１３は、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６で生じた蛍光を反射または散乱するために、光反射性または光散乱性を有していてもよい。これにより、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６から側方に逃げる蛍光成分を、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６側に反射させることができる。

隔壁１３が光反射性を有する場合、隔壁１３の表面が反射材料で覆われていてもよい。このような反射材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。
隔壁１３が光散乱性を有する場合、隔壁１３は、上記の樹脂材料に、上記の散乱体層に用いられる光散乱性粒子を分散したものによって形成されていてもよい。

「カラーフィルター」
赤色カラーフィルター１７、青色カラーフィルター１８、緑色カラーフィルター１９としては、従来のカラーフィルターが用いられる。ここで、カラーフィルターを設けることによって、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６によって吸収されず、これらの蛍光体層を透過してしまう励起光が外部に漏れ出すことを防止できるので、蛍光体層からの発光と励起光の混色による発光の色純度の低下を防止することができる。さらに、赤色サブ画素１２Ｒ、青色サブ画素１２Ｂおよび緑色サブ画素１２Ｇの色純度を高めることができ、ひいては、蛍光体基板１０による色再現範囲を拡大することができる。

また、赤色サブ画素１２Ｒに設けられた赤色カラーフィルター１７、青色サブ画素１２Ｂに設けられた青色カラーフィルター１８および緑色サブ画素１２Ｇに設けられた緑色カラーフィルター１９は、外光のうち、各蛍光体材料を励起する励起光を吸収するため、外光による赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の発光を低減・防止することができ、蛍光体基板１０による表示のコントラストの低下を低減・防止することができる。一方、赤色カラーフィルター１７、青色カラーフィルター１８および緑色カラーフィルター１９によって、蛍光体層（赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６）に吸収されず蛍光体層（赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６）を透過した励起光が外部に漏れ出すことを防止できるので、蛍光体層（赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６）からの発光と励起光の混色による発光の色純度の低下を防止することができる。

「低屈折率層」
低屈折率層２１は、基板１１の屈折率、あるいは、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の屈折率よりも屈折率が低くなっている。
これにより、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６からの発光（蛍光）が、光取出し側となる基板１１を導波して、基板１１の側面に導波することによって生じる発光の損失を低減することができる。すなわち、低屈折率層２１と基板１１との屈折率差を利用し、基板１１から空気層（外部）へ取り出すことができない臨界角以上の光を、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６と低屈層２１との屈折率差で反射させ、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６を介して、基板１１と反対側に形成されている反射部材（赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６と、光源との間で生じた励起光は透過し、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６からの発光を反射させる反射層（誘電体多層膜、バンドパスフィルター、金属の超薄膜等）、無機ＥＬ部や有機ＥＬ部に設けられた半透明電極または反射電極）で反射させて、その反射光を、再度、基板１１方向に出射させることにより、基板１１を導波する発光の損失を低減することができ、蛍光体基板１０を適用した表示装置の消費電力を低減することや、輝度を向上させることができる。

低屈折率層２１に用いることができる材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、フッ素系樹脂（Ｐｏｌｙ（１，１，１，３，３，３−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３７５、Ｐｏｌｙ（２，２，３，３，４，４，４−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３８３、Ｐｏｌｙ（２，２，３，３，３−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３９５、Ｐｏｌｙ（２，２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．４１８、メソポーラスシリカ（ｎ＝１．２）、エアロゲル（ｎ＝１．０５）等の膜で形成されていてもよく、赤色カラーフィルター１６、緑色カラーフィルター１７および青色カラーフィルター１８と、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６との間の空間に導入されたドライエアー、窒素等の気体で形成されていてもよく、前記の空間を減圧状態にして形成されていてもよい。

「封止膜」
また、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６における基板１１とは反対側の面（以下、「一方の面」と言うこともある。）１４ａ、１５ａ、１６ａを覆うように、封止膜が設けられていてもよい。
封止膜は、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の一方の面１４ａ、１５ａ、１６ａに樹脂を塗布することによって形成される。あるいは、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の一方の面１４ａ、１５ａ、１６ａを覆うように、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等からなる無機膜を形成した後、さらに、その無機膜を覆うように、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布するか、または、無機膜を覆うように樹脂膜を貼り合わせることによって、封止膜を形成することもできる。

この封止膜により、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６に、外部からの酸素や水分が混入するのを防止することができ、ひいては、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６の劣化を低減することができる。さらに、蛍光体基板１０を表示装置に適用したとき、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６に含まれる酸素や水分が液晶層、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等に到達し、液晶層、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等を劣化させることを防止することができる。

「平坦化膜」
さらに、封止膜における赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５および緑色蛍光体層１６と接する面とは反対側の面を覆うように、平坦化膜が設けられていてもよい。
平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。
これにより、蛍光体基板１０を、有機光源または液晶層と組み合わせた場合に、蛍光体基板１０と、有機光源または液晶層との間に空隙が生じることを防止でき、かつ、蛍光体基板１０と、有機光源または液晶層との密着性を向上することができる。

蛍光体基板１０では、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１と、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２と、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３とが、ｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３の関係を満たしている。すなわち、蛍光体基板１０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、および、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板１０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（２）第二実施形態
図２は、蛍光体基板の第二実施形態を示す概略断面図である。
図２において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板３０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２およびｄ_３は、ｄ_１＞ｄ_２＝ｄ_３の関係を満たしている点である。
図２では、青色サブ画素１２Ｂが、緑色サブ画素１２Ｇ側（赤色サブ画素１２Ｒではないもう一方の画素側）に寄るように蛍光体基板が形成されている。したがって、青色サブ画素１２Ｂともう一方で隣接する赤色サブ画素１２Ｒとの間隔ｄ_１が他より広くなっている。

蛍光体基板３０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、および、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板３０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（３）第三実施形態
図３は、蛍光体基板の第三実施形態を示す概略断面図である。
図３において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板４０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２およびｄ_３は、ｄ_１＞ｄ_２＝ｄ_３の関係を満たしている点である。
図３では、青色サブ画素１２Ｂが、緑色サブ画素１２Ｇ側に寄るとともに、赤色サブ画素１２Ｒも緑色サブ画素１２Ｇ側（青色サブ画素１２Ｂではないもう一方の画素側）に寄るように蛍光体基板が形成されている。したがって、青色サブ画素１２Ｂと赤色サブ画素１２Ｒとの間隔ｄ_１が他より広くなっている。

蛍光体基板４０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、および、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板４０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（４）第四実施形態
図４は、蛍光体基板の第四実施形態を示す概略断面図である。
図４において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板５０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２およびｄ_３は、ｄ_１＝ｄ_２＞ｄ_３の関係を満たしている点である。

蛍光体基板５０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２と等しいものの、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板５０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（５）第五実施形態
図５は、蛍光体基板の第五実施形態を示す概略断面図である。
図５において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板６０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、緑色光による表示を行う緑色サブ画素が、緑色サブ画素１２Ｇ_１と緑色サブ画素１２Ｇ_２に分割されて設けられている点、緑色サブ画素１２Ｇ_１と緑色サブ画素１２Ｇ_２がそれぞれ、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間に介在している点である。
また、本実施形態の蛍光体基板６０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇ_１の間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６Ａの間隔をｄ_２１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇ_２の間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６Ｂの間隔をｄ_２２、緑色サブ画素１２Ｇ_１と赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６Ａと赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３１、緑色サブ画素１２Ｇ_２と赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６Ｂと赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３２とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２１、ｄ_２２、ｄ_３１およびｄ_３２は、ｄ_１＞ｄ_２１＝ｄ_２２＝ｄ_３１＝ｄ_３２の関係を満たしている点である。

蛍光体基板６０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇ_１の間隔ｄ_２１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇ_２の間隔ｄ_２２、緑色サブ画素１２Ｇ_１と赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３１、および、緑色サブ画素１２Ｇ_２と赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３２よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板６０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（６）第六実施形態
図６は、蛍光体基板の第六実施形態を示す概略断面図である。
図６において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板７０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、画素１２は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素１２Ｒと、青色光による表示を行う青色サブ画素１２Ｂと、緑色光による表示を行う緑色サブ画素１２Ｇと、黄色光による表示を行う黄色サブ画素１２Ｙｅとから構成されている点、励起光源（図示略）から入射した励起光により黄色光（蛍光）を発する黄色蛍光体層７１が設けられている点、基板１１と、赤色蛍光体層１４、青色蛍光体層１５、緑色蛍光体層１６および黄色蛍光体層７１との間において、黄色サブ画素１２Ｙｅに黄色カラーフィルター７２が設けられている点、緑色サブ画素１２Ｇと黄色サブ画素１２Ｙｅがそれぞれ、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間に介在している点である。
また、本実施形態の蛍光体基板７０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３、赤色サブ画素１２Ｒと黄色サブ画素１２Ｙｅの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と黄色蛍光体層７１の間隔をｄ_４、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、黄色蛍光体層７１と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_５とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４およびｄ_５は、ｄ_１＞ｄ_２＝ｄ_３＝ｄ_４＝ｄ_５の関係を満たしている点である。

蛍光体基板７０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３、赤色サブ画素１２Ｒと黄色サブ画素１２Ｙｅの間隔ｄ_４、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_５よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板７０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（７）第七実施形態
図７は、蛍光体基板の第七実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図７において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板８０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、画素１２は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素１２Ｒと、青色光による表示を行う青色サブ画素１２Ｂと、緑色光による表示を行う緑色サブ画素１２Ｇと、黄色光による表示を行う黄色サブ画素１２Ｙｅとから構成されている点、励起光源（図示略）から入射した励起光により黄色光（蛍光）を発する黄色蛍光体層７１が設けられている点、１つの画素１２において、蛍光体基板８０を平面視した場合、赤色サブ画素１２Ｒと、青色サブ画素１２Ｂと、緑色サブ画素１２Ｇと、黄色サブ画素１２Ｙｅと、が格子状に配置されている点である。
また、本実施形態の蛍光体基板８０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３、赤色サブ画素１２Ｒと黄色サブ画素１２Ｙｅの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と黄色蛍光体層７１の間隔をｄ_４、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、黄色蛍光体層７１と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_５、黄色サブ画素１２Ｙｅと緑色蛍光体層１６の間隔、すなわち、黄色蛍光体層７１と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_６とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５およびｄ_６は、ｄ_１＞ｄ_４＞ｄ_３＝ｄ_５＝ｄ_６の関係を満たしている点である。

蛍光体基板８０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３、赤色サブ画素１２Ｒと黄色サブ画素１２Ｙｅの間隔ｄ_４、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_５、黄色サブ画素１２Ｙｅと緑色蛍光体層１６の間隔ｄ_６よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板８０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

（８）第八実施形態
図８は、蛍光体基板の第八実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図８において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の蛍光体基板９０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、画素１２は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素１２Ｒと、青色光による表示を行う青色サブ画素１２Ｂと、緑色光による表示を行う緑色サブ画素１２Ｇと、黄色光による表示を行う黄色サブ画素１２Ｙｅとから構成されている点、励起光源（図示略）から入射した励起光により黄色光（蛍光）を発する黄色蛍光体層７１が設けられている点、１つの画素１２において、蛍光体基板８０を平面視した場合、赤色サブ画素１２Ｒと、青色サブ画素１２Ｂと、緑色サブ画素１２Ｇと、黄色サブ画素１２Ｙｅと、が格子状に配置されている点、平面視した場合、青色サブ画素１２Ｂが略菱形状をなしている点である。
また、本実施形態の蛍光体基板８０が、上述の第一実施形態の蛍光体基板１０と異なる点は、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、赤色蛍光体層１４と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_１、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔、すなわち、青色蛍光体層１５と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔、すなわち、緑色蛍光体層１６と赤色蛍光体層１４の間隔をｄ_３、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔、すなわち、黄色蛍光体層７１と青色蛍光体層１５の間隔をｄ_５、黄色サブ画素１２Ｙｅと緑色蛍光体層１６の間隔、すなわち、黄色蛍光体層７１と緑色蛍光体層１６の間隔をｄ_６とすると、これらの間隔ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_５およびｄ_６は、ｄ_１＞ｄ_２＝ｄ_６＞ｄ_３＝ｄ_５の関係を満たしている点である。

本実施形態では、画素１２が、赤色サブ画素１２Ｒ、青色サブ画素１２Ｂおよび緑色サブ画素１２Ｇ以外に、赤色光、青色光および緑色光とは異なる第四色光による表示を行う第四色サブ画素として、黄色サブ画素１２Ｙｅを備えている。
第四色光としては、赤色光を青色光方向に薄める色でなければ、特に限定されるものではない。
赤色サブ画素１２Ｒが表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、青色サブ画素１２Ｂが表示する青色光の主波長をλ_ｂ、第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｂ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことが好ましい。
各色サブ画素の主波長は、図９に示す通りに、次のように決定される。
まず、色度座標上に白色点Ｗと蛍光体の画素から出射される色度点Ｃをプロットする。この２点を結ぶ直線がスペクトル軌跡と交わる点（交点）をＤとする。この交点Ｄの単色光刺激の波長を主波長とする。
また、赤色サブ画素１２Ｒが表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、緑色サブ画素１２Ｇが表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｇ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことが好ましい。
さらに、緑色サブ画素１２Ｇが表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_４＝λ_ｇの関係を満たすことが好ましい。
すなわち、このような関係を満たす第四色光は、オレンジ〜黄色〜黄緑〜緑の色の光であることが好ましい。

蛍光体基板９０によれば、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１が、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３、黄色サブ画素１２Ｙｅと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_５、黄色サブ画素１２Ｙｅと緑色蛍光体層１６の間隔ｄ_６よりも大きいので、励起光源から発せられた、赤色サブ画素１２Ｒに入射すべき励起光が、青色サブ画素１２Ｂに入射することを防止できる。ひいては、赤色サブ画素１２Ｒからの赤色発光に、青色サブ画素１２Ｂからの青色発光が混ざって、赤色表示の色薄まりが生じるのを防止できる。したがって、赤色サブ画素１２Ｒから発光する光量が少なくなることを防止でき、蛍光体基板９０を用いた表示装置の発光効率が低下することを防止できる。

［表示装置］
図１０は、表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。
図１０において、図１に示した蛍光体基板１０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態に係る表示装置１００は、蛍光体基板１０と、蛍光体基板１０の画素１２に照射する励起光を射出する指向性の光源１１０と、蛍光体基板１０に重ねて設けられ、画素１２に入射する励起光の光量を調節する励起光量変調層１２０とから概略構成されている。

励起光量変調層１２０は、例えば、液晶素子から構成されており、一対の偏光板１２１，１２２と、一対の透明電極（図示略）と、一対の配向膜（図示略）と、基板（図示略）と、を備え、一対の配向膜の間に液晶層１２３が挟持された構造をなしている。
励起光量変調層１２０は、一対の電極を用いて液晶層に印加する電圧を画素毎に制御可能な構成とされ、光源１１０の全面から射出された光の透過率を画素毎に制御する。すなわち、励起光量変調層１２０は、光源１１０からの光を画素毎に選択的に透過させる光シャッターとしての機能を有するようになっている。また、励起光量変調層１２０と光源１１０とを両方共ＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることもできる。
また、蛍光体基板１０と励起光量変調層１２０は、封止基板１３１を介して積層されている。
また、偏光板１２１の液晶層１２３側の面１２１ａには、遮光層（ブラックマトリクス）１２４が設けられている。遮光層１２４により、励起光量変調層１２０の画素開口部は、蛍光体基板１０の画素開口部とおよそ中心位置が合うように形成されている。

光源１１０としては、公知の紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子等が用いられるが、本実施形態はこれらの光源に限定されるものではなく、公知の材料、公知の製造方法で作製した光源を用いることができる。
ここで、紫外光としては、主発光ピークが３６０〜４１０ｎｍの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが４１０〜４７０ｎｍの発光が好ましい。

以下、光源１１０として好適に利用可能な発光素子について説明する。

「有機ＥＬ素子」
図１１は、光源１１０を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。
有機ＥＬ素子基板１４０は、基板１４１と、基板１４１の一方の面１４１ａ上に設けられた有機ＥＬ素子１４２とから概略構成されている。
有機ＥＬ素子１４２は、基板１４１の一方の面１４１ａ上に順に設けられた、第一電極１４３と、有機ＥＬ層１４４と、第二電極１４５とから概略構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子１４２は、基板１４１の一方の面１４１ａ上に、第一電極１４３および第二電極１２５からなる一対の電極と、これら一対の電極間に挟持された有機ＥＬ層１４４と、を備えている。
第一電極１４３および第二電極１４５は、有機ＥＬ素子１４２の陽極または陰極として対で機能する。
第一電極１４３と第二電極１４５との間の光学距離は、微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）を構成するように調整されている。

有機ＥＬ層１４４は、第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって順に積層された、正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、有機発光層１４８、正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１から構成されている。
正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、有機発光層１４８、正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１は、それぞれ単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、有機発光層１４８、正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。

正孔注入層１４６は、第一電極１４３からの正孔の注入を効率よく行うものである。
正孔輸送層１４７は、有機発光層１４８への正孔の輸送を効率よく行うものである。
電子輸送層１５０は、有機発光層１４８への電子の輸送を効率よく行うものである。
電子注入層１５１は、第二電極１４５からの電子の注入を効率よく行うものである。
正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、電子輸送層１５０および電子注入層１５１は、キャリア注入輸送層に該当する。

なお、有機ＥＬ素子１４２は上記の構成に限定されるものではなく、有機ＥＬ層１４４が、有機発光層の単層構造であっても、有機発光層とキャリア注入輸送層の多層構造であってもよい。有機ＥＬ素子１４２の構成としては、具体的には、下記のものが挙げられる。
（１）第一電極１４３と第二電極１４５の間に、有機発光層のみが設けられた構成
（２）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔輸送層および有機発光層がこの順に積層された構成
（３）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（４）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（５）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（６）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（７）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（８）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（９）第一電極１４３側から第二電極１４５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
これら有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。

また、第一電極１４３の端面を覆うようにエッジカバー１５２が形成されている。すなわち、エッジカバー１５２は、第一電極１４３と第二電極１４５の間でリークを起こすことを防止するために、第一電極１４３と第二電極１４５の間において、基板１４１の一方の面１４１ａに形成された第一電極１４３のエッジ部を覆うように設けられている。

以下、有機ＥＬ素子基板１４０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。

基板１４１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板または金属基板を用いることが好ましい。

さらに、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板、金属基板に無機絶縁材料をコーティングした基板が好ましい。このような無機材料をコーティングした基板を用いることにより、プラスチック基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合に最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬの劣化（有機ＥＬは、特に、少量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。）を解消することが可能となる。また、金属基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬ層の膜厚は、１００〜２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が、顕著に起こることが知られている。）を解消することが可能となる。

また、ＴＦＴを形成する場合には、基板１４１としては、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することは困難であるが、線膨張係数が１×１０^−５／ ℃ 以下の鉄−ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことにより、金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。
また、プラスチック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスチック基板にガラス基板上のＴＦＴを転写することにより、プラスチック基板上にＴＦＴを転写形成することができる。

さらに、有機ＥＬ層１４４からの発光を基板１４１とは反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機ＥＬ層１４４からの発光を基板１４１側から取り出す場合には、有機ＥＬ層１４４からの発光を外部に取り出すために、透明または半透明の基板を用いる必要がある。

基板１４１に形成されるＴＦＴは、有機ＥＬ素子１４２を形成する前に、予め基板１４１の一方の面１４１ａに形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。
本実施形態におけるＴＦＴとしては、公知のＴＦＴが挙げられる。また、ＴＦＴの代わりに、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。

アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能なＴＦＴは、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。
ＴＦＴを構成する活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。

ＴＦＴを構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ_４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ_４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ^＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。

本実施形態におけるＴＦＴを構成するゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ_２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等からなる絶縁膜が挙げられる。

また、本実施形態におけるＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができる。これら信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。有機ＥＬ素子基板１２０のＴＦＴは、上記のような構成とすることができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。

アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯまたはＴａ_２Ｏ_５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等により、層間絶縁膜をパターニングすることもできる。

有機ＥＬ素子１４２からの発光を基板１４１とは反対側（第二電極１４５側）から取り出す場合には、外光が基板１４１の一方の面１４１ａに形成されたＴＦＴに入射して、ＴＦＴの特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を形成することが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、例えば、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、Ｎｉ_ｘＺｎ_ｙＦｅ_２Ｏ_４等の無機絶縁材料等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、基板１４１の一方の面１４１ａにＴＦＴ等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子８２の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、第二電極の断線、第一電極と第二電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。

このような平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。

第一電極１４３および第二電極１４５は、有機ＥＬ素子１４２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極１４３を陽極とした場合、第二電極１４５は陰極となり、第一電極１４３を陰極とした場合、第二電極１２５は陽極となる。

第一電極１４３および第二電極１４５を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層１４４への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等の透明電極材料等が挙げられる。

また、陰極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層１４４への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、または、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

第一電極１４３および第二電極１４５は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。
第一電極１４３および第二電極１４５の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。

表示装置の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機ＥＬ層１４４からの発光を第一電極１４３または第二電極１４５側から取り出す場合には、第一電極１４３または第二電極１４５として半透明電極を用いることが好ましい。
半透明電極の材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。

半透明電極の膜厚は、５〜３０ｎｍが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分に行えず、干渉の効果を十分に得るとこができない。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、表示装置の輝度および発光効率が低下するおそれがある。
また、第一電極１４３または第二電極１４５としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。反射率の高い電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等からなる反射性金属電極（反射電極）、この反射性金属電極と透明電極を組み合わせた電極等が挙げられる。

電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層１４６、電子注入層１５１）と電荷輸送層（正孔輸送層１４７、電子輸送層１５０）に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。

電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ素子用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

正孔注入層１４６および正孔輸送層１４７の材料としては、公知のものが用いられ、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物や無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、４，４’−（シクロヘキサン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＴＡＰＣ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（ＤＰＡＳ）、Ｎ１，Ｎ１’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（Ｎ１−フェニル−Ｎ４，Ｎ４−ジ−ｍ−トリルベンゼン−１，４−ジアミン）（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ３，Ｎ３，Ｎ３”’， Ｎ３”’−テトラ−ｐ−トリル−［１，１’：２’，１”：２”，１”’−クォーターフェニル］−３，３”’−ジアミン（ＢＴＰＤ）、４，４’−（ジフェニルシランジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＤＴＡＳｉ）、２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンティン（Ａｄ−Ｃｚ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子化合物；２−メチル−９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。

正孔注入層１４６の材料としては、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層１４７の材料よりも、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層１４７の材料としては、正孔注入層１４６の材料よりも、正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

正孔注入層１４６および正孔輸送層１４７は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、正孔の注入性および輸送性をより向上させるためには、正孔注入層１４６および正孔輸送層１４７は、アクセプターを含むことが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ素子向けの公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

アクセプターは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）、六フッ化ヒ酸イオン（ＡｓＦ_６ ⁻）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等が挙げられる。

有機材料としては、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ_４）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブタジエン（ＨＣＮＢ）、ジシクロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）等のシアノ基を有する化合物；トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）、ジニトロフルオレノン（ＤＮＦ）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル；クロラニル；ブロマニル等が挙げられる。
これらの中でも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ_４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が好ましい。

正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１の材料としては、公知のものが用いられ、低分子材料であれば、ｎ型半導体である無機材料；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、１，３−ビス（５−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−１，３，４−オキサジアゾールー２−イル）ベンゼン（ＯＸＤ７）等のオキサジアゾール誘導体；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；チオピラジンジオキシド誘導体；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；ジフェノキノン誘導体；フルオレノン誘導体；ベンゾジフラン誘導体；８−ヒドロキシキノリノラート−リチウム（Ｌｉｑ）等のキノリン誘導体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）等のフルオレン誘導体；１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（ＴｍＰｙＰＢ）、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（ＴｐＰｙＰＢ）等のベンゼン誘導体；２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）等のベンゾイミダゾール誘導体；３，５−ジ（ピレン−１−イル）ピリジン（ＰＹ１）等のピリジン誘導体；３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）等のビフェニル誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体；トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）等のトリフェニルボラン誘導体；ジフェニルビス（４−（ピリジン−３−イル）フェニル）シラン（ＤＰＰＳ）等のテトラフェニルシラン誘導体；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等が挙げられる。特に、電子注入層９１の材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物；酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

電子注入層１５１の材料としては、陰極からの電子の注入および輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層１５０の材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層１５０の材料としては、電子注入層１５１の材料よりも、電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

電子輸送層１５０および電子注入層１５１は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、電子の輸送性および注入性をより向上させるためには、電子輸送層１５０および電子注入層１５１は、ドナーを含むことが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

ドナーは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；希土類元素；アルミニウム（Ａｌ）；銀（Ａｇ）；銅（Ｃｕ）；インジウム（Ｉｎ）等が挙げられる。
有機材料としては、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が挙げられる。

芳香族３級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類等が挙げられる。

上記の縮合多環化合物が「置換基を有する」とは、縮合多環化合物中の１つ以上の水素原子が、水素原子以外の基（置換基）で置換されていることを指し、置換基の数は特に限定されず、全ての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。
置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数６〜１５のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。

アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。
直鎖状または分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
環状のアルキル基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。

アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素数が２〜１０のアルキル基において、炭素原子間の１つの単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが挙げられる。
アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
アリール基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

これらの中でも、ドナーとしては、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。

有機発光層１４８は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、有機発光層１４８の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

有機発光層１４８に用いられる低分子発光材料（ホスト材料を含む）としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’−ビス−（２，２−ジ−ｐ−トリル−ビニル）−ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）；４，４’−ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル−ジ（ｏ−トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル−（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ−Ｆ）等のシラン誘導体；９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６−ジ（９−カルバゾリル）−９−（２−エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−（４−ジフェニルホスホリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６−ビス（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニル−カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＣ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’−ビス（４−カルバゾール−９−イル）フェニル）−ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’−（（２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン−３，７−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン（ｍ−Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン−２，２’−ジイルビス（４，１−フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’−ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４−ビス（フェノキシ）−６−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体等が挙げられる。

有機発光層１４８に用いられる高分子発光材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ^３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。

有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。

有機発光層１４８に用いられる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようドーパントとしては、紫外発光材料であれば、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルセクシフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス（２−フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

なお、有機ＥＬ層１４４を構成する各層の材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料または電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料および電子輸送材料もホスト材料として使用できる。

正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、有機発光層１４８、正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１各層の形成方法としては、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザー転写法等が用いられる。
ウエットプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させた液体を用いる、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法；インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。
上記の塗布法や印刷法に用いられる液体は、レベリング剤、粘度調整剤等、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。

ドライプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を用いる、抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が用いられる。
正孔注入層１４６、正孔輸送層１４７、有機発光層１４８、正孔防止層１４９、電子輸送層１５０および電子注入層１５１の各層の膜厚は、通常１〜１０００ｎｍ程度であるが、１０〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。一方、膜厚が２００ｎｍを超えると、有機ＥＬ層１４４の抵抗成分によって駆動電圧が上昇し、結果として、消費電力が上昇する。

エッジカバー１５２は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ法またはウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。
また、エッジカバー１５２を構成する絶縁材料としては、公知の材料が用いられるが、本実施形態では、絶縁材料が特に限定されるものではない。
エッジカバー１５２は光を透過する必要があるので、エッジカバー１５２を構成する絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。

エッジカバー１５２の膜厚は、１００〜２０００ｎｍが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極１４３と第二電極１４５の間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間が掛り、生産効率の低下、エッジカバー１５２による第二電極１４５の断線の原因となる。

ここで、有機ＥＬ素子１４２は、第一電極１４３と第二電極１４５との干渉効果によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）、または、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有することが好ましい。第一電極１４３と第二電極１４５により微小共振器構造が構成されると、第一電極１４３と第二電極１４５との干渉効果により、有機ＥＬ層１４４の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層１４４の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層１４４で生じる発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層へ伝搬することが可能となり、表示装置の正面輝度を高めることができる。

また、第一電極１４３と第二電極１４５との干渉効果により、有機ＥＬ層１４４の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、赤色蛍光体および緑色蛍光体をより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することが可能となり、青色画素の色純度を向上させることができる。

また、本実施形態の表示装置は、外部駆動回路（走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路）に電気的に接続される。
ここで、有機ＥＬ素子基板１４０を構成する基板１４１としては、ガラス基板上に絶縁材料をコートした基板、より好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板、さらに好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板が用いられる。

「ＬＥＤ」
図１２は、光源１１０を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。
ＬＥＤ基板１６０は、基板１６１と、基板１６１の一方の面１６１ａ上に順に積層された第一のバッファ層１６２、ｎ型コンタクト層１６３、第二のｎ型クラッド層１６４、第一のｎ型クラッド層１６５、活性層１６６、第一のｐ型クラッド層１６７、第二のｐ型クラッド層１６８および第二のバッファ層１６９と、ｎ型コンタクト層１６３上に形成された陰極１７０と、第二のバッファ層１６９上に形成された陽極１７１とから概略構成されている。
なお、ＬＥＤとしては、他の公知のＬＥＤ、例えば、紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤ等を用いることができるが、具体的な構成は上記のものに限定されるものではない。

以下、ＬＥＤ基板１６０の各構成要素について詳細に説明する。
活性層１６６は、電子と正孔の再結合により発光を行う層であり、活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料として、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、Ｉｎ_ａＡｌ_ｂＧａ_{１−ａ−ｂ}Ｎ（０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）、青色活性層材料としては、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
また、活性層１６６としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが用いられる。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでもよいが、特にノンドープ（不純物無添加）の活性層とすると、バンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。

また、活性層１６６にドナー不純物またはアクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープのものと同じであれば、ドナー不純物をドープすることにより、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープすると、バンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶだけ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べて、その発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。

第二のｎ型クラッド層１６４および第一のｎ型クラッド層１６５としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層１６６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体で、第二のｎ型クラッド層１６４および第一のｎ型クラッド層１６５を構成した場合、第二のｎ型クラッド層１６４および第一のｎ型クラッド層１６５と、活性層１６６との間には、正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層１６６に閉じ込めることが可能となる。例えば、ｎ型Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）により、第二のｎ型クラッド層１６４および第一のｎ型クラッド層１６５を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。

第一のｐ型クラッド層１６７および第二のｐ型クラッド層１６８としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層１６６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体で、第一のｐ型クラッド層１６７および第二のｐ型クラッド層１６８を構成した場合、第一のｐ型クラッド層１６７および第二のｐ型クラッド層１６８と、活性層１６６との間には、電子に対する電位障壁ができ、電子を活性層１６６に閉じ込めることが可能となる。例えば、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）により、第一のｐ型クラッド層１６７および第二のｐ型クラッド層１６８を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。

ｎ型コンタクト層１６３としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができ、例えば、第二のｎ型クラッド層１６４および第一のｎ型クラッド層１６５に接して電極を形成する層としてｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１６３を形成することが可能である。また、第一のｐ型クラッド層１６７および第二のｐ型クラッド層１６８に接して電極を形成する層として、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を形成することも可能である。ただし、このｐ型コンタクト層は、第二のｎ型クラッド層１６４、第二のｐ型クラッド層１６８がＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第二のクラッド層（第二のｎ型クラッド層１６４、第二のｐ型クラッド層１６８）をコンタクト層とすることも可能である。

本実施形態で用いられる上記の各層の形成方法としては、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いることが可能であるが、本実施形態は特にこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えば、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは、他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に形成することが可能である。

「無機ＥＬ素子」
図１３は、表示装置を構成する無機ＥＬ素子基板（光源）の一実施形態を示す概略断面図である。
無機ＥＬ素子基板１８０は、基板１８１と、基板１８１の一方の面１８１ａ上に設けられた無機ＥＬ素子１８２とから概略構成されている。
無機ＥＬ素子１８２は、基板１８１の一方の面１８１ａに順に積層された、第一電極１８３、第一誘電体層１８４、発光層１８５、第二誘電体層１８６および第二電極１８７から構成されている。
第一電極１８３および第二電極１８７は、無機ＥＬ素子１８２の陽極または陰極として対で機能する。
なお、無機ＥＬ素子１８２としては、公知の無機ＥＬ素子、例えば、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子等を用いることができるが、具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。

以下、無機ＥＬ素子基板１８０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。

基板１８１としては、上記の有機ＥＬ素子基板１６０を構成する基板１６１と同様のものが用いられる。

第一電極１８３および第二電極１８７は、無機ＥＬ素子１８２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極１８３を陽極とした場合、第二電極１８７は陰極となり、第一電極１８３を陰極とした場合、第二電極１８７は陽極となる。

第一電極１８３および第二電極１８７としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。光を取り出す側の電極には、ＩＴＯ等の透明電極がよく、光を取り出す方向と反対側の電極には、アルミニウム等からなる反射電極を用いることが好ましい。

第一電極１８３および第二電極１８７は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることでパターニングした電極を形成することもできる。
第一電極１８３および第二電極１８７の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。
膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。

第一誘電体層１８４および第二誘電体層１８６としては、無機ＥＬ素子用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）等が挙げられるが、本実施形態はこれらの誘電体材料に限定されるものではない。
また、第一誘電体層１８４および第二誘電体層１８６は、上記の誘電体材料から選択された１種類からなる単層構造であってもよく、２種類以上を積層した多層構造であってもよい。
また、第一誘電体層１８４および第二誘電体層１８６の膜厚は、２００〜５００ｎｍ程度が好ましい。

発光層１８５としては、無機ＥＬ素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料として、ＺｎＦ_２：Ｇｄ、青色発光材料として、ＢａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ、ＣａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ、ＺｎＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ、Ｂａ_２ＳｉＳ_４：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ等が挙げられるが、本実施形態はこれらの発光材料に限定されるものではない。
また、発光層１８５の膜厚は、３００〜１０００ｎｍ程度が好ましい。

なお、光源１１０として、有機ＥＬ素子基板、ＬＥＤ基板、無機ＥＬ素子基板等を用いた場合、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ、無機ＥＬ素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。
封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板と反対側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。

このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。

本実施形態の表示装置によれば、蛍光体基板の開口率を広くしたまま、色薄まりの影響を小さく抑えられるので、色再現範囲が広く、かつ光の取り出し効率の高い表示装置を実現できる。また、マイクロレンズを用いていないので、表示装置を構成するための部材が少ないまま、高効率、高色再現性の表示装置を実現することができる。

［電子機器］
上記の表示装置は、各種電子機器に適用することができる。
以下、上記の表示装置を備えた電子機器について、図１４〜１８を用いて説明する。
上記の表示装置は、例えば、図１４に示す携帯電話に適用できる。
図１４に示す携帯電話１９０は、音声入力部１９１、音声出力部１９２、アンテナ１９３、操作スイッチ１９４、表示部１９５および筐体１９６等を備えている。
そして、表示部１９５として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯電話１９０の表示部１９５に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。

また、上記の表示装置は、例えば、図１５に示す薄型テレビに適用できる。
図１５に示す薄型テレビ２００は、表示部２０１、スピーカ２０２、キャビネット２０３およびスタンド２０４等を備えている。
そして、表示部２０１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を薄型テレビ２００の表示部２０１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。

また、上記の表示装置は、例えば、図１６に示す携帯型ゲーム機に適用できる。
図１６に示す携帯型ゲーム機２１０は、操作ボタン２１１、２１２、外部接続端子２１３、表示部２１４および筐体２１５等を備えている。
そして、表示部２１４として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯型ゲーム機２１０の表示部２１４に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。

また、上記の表示装置は、例えば、図１７に示すノートパソコンに適用できる。
図１７に示すノートパソコン２２０は、表示部２２１、キーボード２２２、タッチパッド２２３、メインスイッチ２２４、カメラ２２５、記録媒体スロット２２６および筐体２２７等を備えている。
そして、表示部２２１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をノートパソコン２２０の表示部２２１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。

さらに、上記の表示装置は、例えば、図１８に示すタブレット端末に適用できる。
図１８に示すタブレット端末２３０は、表示部（タッチパネル）２３１、カメラ２３２および筐体２３３等を備えている。
そして、表示部２３１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をタブレット端末２３０の表示部２３１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。

以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
その他、表示装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

「実施例１」
図１に示す蛍光体基板の効果を検証した。
検証にあたって、図１に示すように、１つの画素１２において、赤色サブ画素１２Ｒと、青色サブ画素１２Ｂと、緑色サブ画素１２Ｇとを並列に設け、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１と、青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２と、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３とが、ｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３の関係を満たすようにした。
また、各色サブ画素を１００μｍ×３００μｍの大きさに形成した。また、青色サブ画素１２Ｂの中心が、緑色サブ画素１２Ｇ（赤色サブ画素１２Ｒではないもう一方の画素）寄りに形成されているとともに、赤色サブ画素１２Ｒの中心も緑色サブ画素１２Ｇ（青色サブ画素１２Ｂではないもう一方の画素）寄りに形成されている。
なお、赤色サブ画素１２Ｒを構成する赤色蛍光体層１４の材料としては、最大吸収波長Ｒλｍａｘが６２５ｎｍの赤色蛍光体を用いた。
実施例１の蛍光体基板１０と、蛍光体基板１０の画素１２に照射する励起光を射出する指向性の光源とを、液晶素子を含む励起光量変調層を介して積層し、実施例１の表示装置を作製した。

この表示装置について、赤色サブ画素１２Ｒ、青色サブ画素１２Ｂおよび緑色サブ画素１２Ｇの発光スペクトルを測定した。結果を図１９に示す。
図１９において、赤色光のスペクトルおよび緑色光のスペクトルは、各サブ画素の発光スペクトルがカラーフィルターを通過した後のスペクトルである。また、青色光のスペクトルは、光源からの励起光がカラーフィルター通過した後のスペクトルである。各サブ画素からの発光強度は、各サブ画素の開口率でそれぞれを足した時に、１２０００Ｋの白色を表示するように調整されている。以下、この各色のスペクトル強度を１００として、色薄まりを試算した。

また、図１９に示したような３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大したものを図２０に示す。
図２０の右上の座標を示す「○」は、実施例１の表示装置の赤色光のスペクトルの色度座標であって、本来、実施例１の表示装置からは、この座標の赤色表示がされるはずである。

「比較例１」
１つの画素において、赤色サブ画素と、青色サブ画素と、緑色サブ画素とを並列に設け、赤色サブ画素と青色サブ画素の間隔ｄ_１と、青色サブ画素と緑色サブ画素の間隔ｄ_２と、緑色サブ画素と赤色サブ画素の間隔ｄ_３とが、ｄ_１＝ｄ_２＝ｄ_３の関係を満たすようにした蛍光体基板を用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１の表示装置を作製した。
比較例１の表示装置において、赤色サブ画素に対応する励起光量変調層（液晶層）をＯＮ、青色サブ画素および緑色サブ画素に対応する励起光量変調層（液晶層）をＯＦＦにした場合、図２０に示した座標の赤色が表示されず、薄くなった赤色が表示されてしまう。
これは、赤色サブ画素に対応する励起光量変調層を通った励起光が、隣接する緑色サブ画素の緑の蛍光体および青色サブ画素の蛍光体にも入射し、赤色表示を薄くしてしまうからである。
比較例１では、赤色サブ画素と、青色サブ画素と、緑色サブ画素とが等間隔に設けられているので、赤色が、緑色方向と青色方向に同じ割合で薄くなる（図２０の矢印α）。その結果、励起光の１．５％ずつ、計３％が隣接する画素にクロストーク（ＸＴ）として入射すると、ＨＤＴＶ規格の赤色表示ができなくなるほど赤色表示が薄くなってしまう。
これは、比較例１の赤色表示が、青色方向に薄くなる方向に許容量が少ないためであり、ＨＤＴＶ規格の色を確保し、鮮やかな赤色を表示するためには、赤色が青色方向に薄くなるのを極力避けなければならない（図２０の矢印β）。一方、赤色が緑色方向に薄くなる量は、青色方向に薄くなる量よりも余裕がある（図２０の矢印γ）。

これに対して、実施例１では、青色クロストークが赤色表示に混ざって、赤色表示が青色方向に薄くなるのを防ぐために、比較例１と比べて、赤色サブ画素１２Ｒの位置を緑色サブ画素１２Ｇ寄りに１０μｍずらして配置することにより、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔ｄ_１を、その他の青色サブ画素１２Ｂと緑色サブ画素１２Ｇの間隔ｄ_２、および、緑色サブ画素１２Ｇと赤色サブ画素１２Ｒの間隔ｄ_３よりも大きくした（ｄ_１＞ｄ_２＞ｄ_３）。その結果、青色クロストークが赤色表示に混ざる量を低減することができ、赤色表示の青みが改善され、ＨＤＴＶ規格の赤色を表示することができるようになった（図２１）。
また、図２１に示す色度座標図から、赤色へのクロストーク量は、比較例１では、緑色１．５％／青色１．５％（計３％）であったが、実施例１では、緑色２．５％／青色０．７％（計３．２％）程度になったものと推測される。

「実施例２」
赤色サブ画素１２Ｒを構成する赤色蛍光体層１４の材料としては、最大吸収波長Ｒλｍａｘが６４０ｎｍの赤色蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２の蛍光体基板を作製し、その蛍光体基板を用いて、実施例１と同様にして、実施例２の表示装置を作製した。
この表示装置について、赤色サブ画素１２Ｒ、青色サブ画素１２Ｂおよび緑色サブ画素１２Ｇの発光スペクトルを測定した。図２２に、３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す色度座標図を一部拡大したものを示す。

「比較例２」
１つの画素において、赤色サブ画素と、青色サブ画素と、緑色サブ画素とを並列に設け、赤色サブ画素と青色サブ画素の間隔ｄ_１と、青色サブ画素と緑色サブ画素の間隔ｄ_２と、緑色サブ画素と赤色サブ画素の間隔ｄ_３とが、ｄ_１＝ｄ_２＝ｄ_３の関係を満たすようにした蛍光体基板を用いた以外は実施例２と同様にして、比較例２の表示装置を作製した。
比較例２では、赤色サブ画素と、青色サブ画素と、緑色サブ画素とが等間隔に設けられているので、赤色が、緑色方向と青色方向に同じ割合で薄くなる。その結果、励起光の１．５％ずつ、計３％が隣接する画素にクロストークとして入射すると、ＨＤＴＶ規格の赤色表示ができなくなるほど赤色表示が薄くなってしまう。

これに対して、実施例２では、青色クロストークが赤色表示に混ざる量を少なくでき、赤色表示の青みが改善し、規格の赤色を表示することができるようになるとともに、スペクトル軌跡（ｌｏｃｕｓ）に近い鮮やかな赤色を表示することが可能となった。
また、図２２に示す色度座標図から、赤色へのクロストーク量は、比較例２では、緑色１．５％／青色１．５％（計３％）であったが、実施例２では、緑色２．５％／青色０．７％（計３．２％）程度になったものと推測される。

「実施例３」
赤色サブ画素１２Ｒを構成する赤色蛍光体層１４の材料としては、最大吸収波長Ｒλｍａｘが５２０ｎｍの赤色蛍光体を用い、赤色サブ画素１２Ｒと青色サブ画素１２Ｂの間隔を大きくする代わりに、緑色サブ画素１２Ｇと青色サブ画素１２Ｂの間隔を大きくした以外は実施例１と同様にして、実施例３の蛍光体基板を作製し、その蛍光体基板を用いて、実施例１と同様にして、実施例３の表示装置を作製した。この表示装置で、本実施形態において、青色サブ画素と緑色サブ画素との間隔が狭くなる影響を確認した。
この表示装置について、赤色サブ画素１２Ｒ、青色サブ画素１２Ｂおよび緑色サブ画素１２Ｇの発光スペクトルを測定した。図２３に、３原色スペクトルを有する表示装置の色再現範囲を表す、ＣＩＥ １９７６ ＵＣＳ（ｕ´、ｖ´）色度座標図における緑色領域を拡大したものを示す。
緑色表示において、隣接する画素のクロストークが混ざっても、赤色表示の場合と比べて色の薄まりが小さかった。励起光の１．５％ずつ、計３％が隣接する画素にクロストークとして入射した場合、蛍光体の純スペクトルにより表示される色と、表示装置の画素から発せられる色との間の色度変化Δｕ´ｖ´（＝（（ ｕ´−ｕ_０）^２＋（ｖ´−ｖ_０）^２）^０．５で定義される）は、赤色表示の場合は０．０２８であったのに対して、緑色表示の場合は０．００３と１／１０程度しか起こらなかった。本実施例３においても、目で視認できる程度に緑色の鮮やかさが失われることはなく、座標上でもＨＤＴＶ規格の緑色を表示できなくなってしまうほどに色が薄くなることはなかった。
したがって、緑色表示への青クロストークの混入は、赤色表示の場合よりも許容量が大きいと言える。

本発明は、表示色が薄くなる現象が生じることを防止した蛍光体基板により、クロストークを防いで、高画質な表示装置を提供することができる。

１０ 蛍光体基板
１１ 基板
１２ 画素
１２Ｒ 赤色サブ画素
１２Ｂ 青色サブ画素
１２Ｇ 緑色サブ画素
１２Ｙｅ 黄色サブ画素
１３ 隔壁
１４ 赤色蛍光体層
１５ 青色蛍光体層
１６ 緑色蛍光体層
１７ 赤色カラーフィルター
１８ 青色カラーフィルター
１９ 緑色カラーフィルター
２０ ブラックマトリックス
２１ 低屈折率層
３０，４０，５０，６０，７０ 蛍光体基板
７１ 黄色蛍光体層
７２ カラーフィルター
８０，９０ 蛍光体基板
１００ 表示装置
１１０ 光源
１２０ 励起光量変調層
１２１，１２２ 偏光板
１２３ 液晶層
１２４ 遮光層（ブラックマトリクス）
１３１ 封止基板
１９０ 携帯電話
１９１ 音声入力部
１９２ 音声出力部
１９３ アンテナ
１９４ 操作スイッチ
１９５ 表示部
１９６ 筐体
２００ 薄型テレビ
２０１ 表示部
２０２ スピーカ
２０３ キャビネット
２０４ スタンド
２１０ 携帯型ゲーム機
２１１，２１２ 操作ボタン
２１３ 外部接続端子
２１４ 表示部
２１５ 筐体
２２０ ノートパソコン
２２１ 表示部
２２２ キーボード
２２３ タッチパッド
２２４ メインスイッチ
２２５ カメラ
２２６ 記録媒体スロット
２２７ 筐体
２３０ タブレット端末
２３１ 表示部（タッチパネル）
２３２ カメラ
２３３ 筐体

Claims (12)

1. 基板と、該基板上に設けられた画素と、該画素を区画する隔壁と、を備え、
   前記画素は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、これら２色とは異なる第三色光による表示を行う第三色サブ画素と、を少なくとも含み、
   前記赤色サブ画素と前記青色サブ画素の間隔は、他のサブ画素間の間隔よりも大きいことを特徴とする蛍光体基板。
2. 前記赤色サブ画素に、励起光源から入射した励起光により赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に、前記励起光により青色光を発する青色蛍光体層が設けられ、前記第三色サブ画素に、前記励起光により第三色の光を発する第三色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体基板。
3. 前記赤色サブ画素に、励起光源から入射した励起光により赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に、前記励起光を散乱させる散乱体層が設けられ、前記第三色サブ画素に、前記励起光により第三色の光を発する第三色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体基板。
4. 前記第三色は、緑色であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
5. 前記画素は、さらに、赤色光、青色光および緑色光と同じか、または異なる第四色光による表示を行う第四色サブ画素を含み、
   前記赤色サブ画素と前記青色サブ画素は、それぞれの長辺が離隔するように設けられたことを特徴とする請求項４に記載の蛍光体基板。
6. 前記第四色サブ画素に、前記励起光により第四色の光を発する第四色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項５に記載の蛍光体基板。
7. 前記赤色サブ画素が表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、前記青色サブ画素が表示する青色光の主波長をλ_ｂ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｂ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことを特徴とする請求項５または６に記載の蛍光体基板。
8. 前記赤色サブ画素が表示する赤色光の主波長をλ_ｒ、前記緑色サブ画素が表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_ｇ＜λ_４＜λ_ｒの関係を満たすことを特徴とする請求項５または６に記載の蛍光体基板。
9. 前記緑色サブ画素が表示する緑色光の主波長をλ_ｇ、前記第四色サブ画素が表示する第四色光の主波長をλ_４とすると、λ_４＝λ_ｇの関係を満たすことを特徴とする請求項５または６に記載の蛍光体基板。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の蛍光体基板と、前記画素に照射する励起光を射出する指向性の光源と、前記蛍光体基板に重ねて設けられ、前記蛍光体基板の前記画素に入射する前記励起光の光量を調節する励起光量変調層と、を備えたことを特徴とする表示装置。
11. 前記蛍光体基板の蛍光体の画素開口部と前記励起光量変調層の画素開口部とは、互いの位置がおよそ合うように形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記励起光量変調層は、液晶層と、該液晶層を挟んで設けられた２枚の偏光板とから構成されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の表示装置。

Images