CN103733243A - 荧光体基板、显示装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
荧光体基板（10）包括：基板（1）；设置在上述基板（1）上，通过入射的激发光（L1）产生荧光（L2）的荧光体层（3R、3G、3B）；和包围上述荧光体层（3R、3G、3B）的侧面的分隔壁（7），上述分隔壁（7）的至少与上述荧光体层（3R、3G、3B）接触的部分具有光散射性。
Description
技术领域
本发明涉及荧光体基板、显示装置和电子设备。
本申请基于2011年8月5日在日本申请的特愿2011-171767号主张优先权，在此援引其内容。
背景技术
近年来，对于电视机、个人电脑、信息终端设备等所搭载的显示器的高性能化的需求高涨，显像管显示器、液晶显示器、等离子体显示器（PDP）、有机EL显示器等各种各样的显示装置的研究开发不断发展。其中，液晶显示器由于薄而轻，因此占据了现在显示器市场的主流，但是液晶显示器与现有的显像管显示器相比，视野角较窄，从倾斜方向观察时的图像辨认性较差。
作为液晶显示装置改善视野角特性的方法，公开了一种在液晶显示装置的前表面配置荧光体和散射体，将偏振准直（collimated lightsource）光源的蓝色光的一部分用于蓝显示，且将其一部分通过荧光体转换为红色和绿色进行显示的方法（例如参照专利文献1、2）。
另外，有机EL显示器是具有高对比度、高视野角、高响应速度的优秀显示特性的显示装置，但是为了实现全彩色，需要使用掩模蒸镀来进行RGB发光层的图案化，难以实现高精细和大型化。
针对这一点，公开了一种将单色的有机EL作为激发光源使RGB荧光体发光的方法（例如参照专利文献3）。
另外，在荧光体色转换显示器中，在设置有黑色分隔壁的情况下，从荧光体发出的光被分隔壁吸收或者被封闭于荧光体层，无法提高外部光取出效率。
针对这一点，提出了PDP的分隔壁使用白色膏的方法（例如参照专利文献4）。
作为其他现有技术，提出了在将有机EL元件作为激发光源的荧光体色转换显示器中，在荧光体层的侧面设置有反射膜的构造（例如参照专利文献5）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-131683号公报
专利文献2：日本特开昭62-194227号公报
专利文献3：日本特开平3-152897号公报
专利文献4：日本特开2010-215688号公报
专利文献5：日本特开平11-329726号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在专利文献1所记载的荧光体基板中，在与不同的像素对应的荧光体层与彩色滤光片之间形成有黑矩阵。因此，荧光体层产生的荧光被黑矩阵吸收，无法将荧光充分取出至外部。
本发明是为了解决上述技术问题而完成的，其目的在于提供一种能够将由荧光体层产生的荧光充分取出至外部的荧光体基板、显示装置和电子设备。
解决技术问题的技术手段
本发明的一个方式的荧光体基板，包括：基板；设置在上述基板上，通过入射的激发光产生荧光的荧光体层；和包围上述荧光体层的侧面的分隔壁，上述分隔壁的至少与上述荧光体层接触的部分具有光散射性。
本发明的一个方式的荧光体基板中，上述分隔壁的至少与上述荧光体层接触的部分可以由包含树脂和光散射性颗粒的材料形成。
本发明的一个方式的荧光体基板中，上述分隔壁的至少与上述荧光体层接触的部分可以是白色的。
本发明的一个方式的荧光体基板中，上述分隔壁的至少与上述荧光体层接触的部分可以是凹凸形状的。
本发明的其他方式的显示装置，包括上述荧光体基板和射出照射至上述荧光体层的激发光的光源。
本发明的另一方式的显示装置可以包括多个像素，该多个像素至少包括利用红色光进行显示的红色像素、利用绿色光进行显示的绿色像素、利用蓝色光进行显示的蓝色像素，从上述光源射出作为上述激发光的紫外光，作为上述荧光体层，在上述红色像素设置有将紫外光作为上述激发光而发出红色光的红色荧光体层，在上述绿色像素设置有将紫外光作为上述激发光而发出绿色光的绿色荧光体层，在上述蓝色像素设置有将上述紫外光作为上述激发光而发出蓝色光的蓝色荧光体层。
本发明的另一方式的显示装置可以包含多个像素，该多个像素至少包括利用红色光进行显示的红色像素、利用绿色光进行显示的绿色像素、利用蓝色光进行显示的蓝色像素，从上述光源射出作为上述激发光的蓝色光，作为上述荧光体层，在上述红色像素设置有将蓝色光作为上述激发光而发出红色光的红色荧光体层，在上述绿色像素设置有将蓝色光作为上述激发光而发出绿色光的绿色荧光体层，在上述蓝色像素设置有使上述蓝色光散射的散射层。
在本发明的另一方式的显示装置中，上述光源可以是有源矩阵驱动方式的光源，上述光源具备：与上述多个像素对应设置的多个发光元件；和分别驱动上述多个发光元件的多个驱动元件。
本发明的另一方式的显示装置中，上述光源可以是发光二极管、有机电致发光元件、无机电致发光元件中的任一元件。
本发明的另一方式的显示装置，上述光源可以是从光射出面射出光的面状光源，在上述面状光源与上述荧光体基板之间，设置有能够按每个上述像素控制从上述面状光源射出的光的透过率的液晶元件。
在本发明的另一方式的显示装置中，上述光源也可以具有指向性。
在本发明的另一方式的显示装置中，在上述光源与上述荧光体基板之间，可以设置有波长为435nm以上480nm以下时的消光比为10000以上的偏光板。
在本发明的另一方式的显示装置中，可以在上述荧光体层的上表面或下表面设置有彩色滤光片。
在本发明的另一方式的显示装置中，可以在上述分隔壁的上表面和下表面中的至少一者设置有黑色层。
在本发明的另一方式的显示装置中，在上述光源与上述荧光体基板之间，可以设置有使蓝色区域的光透过且将从绿色到近红外区域的光反射的带通滤光片。
本发明的另一方式的电子设备，具备上述本发明的显示装置。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能将由荧光体层产生的荧光充分取出至外部的荧光体基板、显示装置和电子设备。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的显示装置的剖视示意图。
图2是本发明的第一实施方式的荧光体基板的剖视示意图。
图3A是用于对本发明的第一实施方式的分隔壁的作用进行说明的示意图。
图3B是用于对现有技术的分隔壁的作用进行说明的示意图。
图4是作为发光元件的一例的LED的剖视示意图。
图5是作为发光元件的一例的有机EL元件的剖视示意图。
图6是作为发光元件的一例的有源矩阵驱动方式的有机EL元件的剖视示意图。
图7是显示装置的俯视示意图。
图8是显示装置的1个像素（点）的等效电路图。
图9是作为发光元件的一例的无机EL元件的剖视示意图。
图10是本发明的第二实施方式的显示装置的剖视示意图。
图11是同样是用于对分隔壁的作用进行说明的示意图。
图12是本发明的第三实施方式的显示装置的剖视示意图。
图13是本发明的第四实施方式的显示装置的剖视示意图。
图14是表示本发明的第五实施方式的显示装置的剖视示意图。
图15A是表示电子设备的一例的示意图。
图15B是表示电子设备的一例的示意图。
图16A是表示电子设备的一例的示意图。
图16B是表示电子设备的一例的示意图。
图17A是表示电子设备的一例的示意图。
图17B是表示电子设备的一例的示意图。
图18A是用于对比较例进行说明的示意图。
图18B是用于对比较例进行说明的示意图。
图18C是用于对比较例进行说明的示意图。
图18D是用于对比较例进行说明的示意图。
图19A是表示实施例1的制造方法的剖视示意图。
图19B是表示实施例1的制造方法的剖视示意图。
图19C是表示实施例1的制造方法的剖视示意图。
图19D是表示实施例1的制造方法的剖视示意图。
图20A是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20B是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20C是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20D是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20E是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20F是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图20G是表示实施例2的制造方法的剖视示意图。
图21是表示实施例3的制造方法的剖视示意图。
图22A是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
图22B是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
图22C是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
图22D是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
图22E是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
图22F是表示实施例4的制造方法的剖视示意图。
具体实施方式
以下，例举实施方式和实施例，对本发明的方式进一步进行详细说明，但本发明的方式不限定于这些实施方式和实施例。
此外，在下面的所有附图中，为了更容易地观察各结构元素，有时根据各构成元素的不同，比例尺不同。
[第一实施方式]
图1是第一实施方式的显示装置100的剖视示意图。
显示装置100包括荧光体基板10、基板13、光源11和粘接层14。基板13设置于荧光体基板与光源11之间。光源11包括发光元件2。从发光元件2射出入射至荧光体基板10的激发光L1。粘接层14将光源11和荧光体基板10粘合。粘接层能够使用一般的紫外线固化树脂、热固化树脂等的粘接剂层。
另外，在荧光体基板10上直接形成有光源时，可以将粘接层14配置荧光体基板10和光源11的周缘部，且配置在荧光体基板10与光源11之间，在由粘接层14包围的区域中例如封入氮气、氩气等不活泼气体。进而，在封入的不活泼气体中混入有氧化钡等吸湿剂等时，例如在激发光源为有机EL的情况下，能够有效地减小水分对有机EL的影响，因而优选。但是，本实施方式并不限定于这些部件或形成方法。
图2是第一实施方式的荧光体基板10的剖视示意图。
在本实施方式中，基板1与荧光体基板10相对配置。荧光体基板10中，由分别进行红色显示、绿色显示和蓝色显示的三个点构成作为形成图像的最小单位的1个像素。在以下的说明中，将进行红色显示的点称为红色像素PR，将进行绿色显示的点称为绿色像素PG，将进行蓝色显示的点称为蓝色像素PB。
从基板13的外部射出例如紫外光或蓝色光，作为激发光L1。荧光体基板10接受从外部射出的激发光L1，在红色像素PR产生红色的荧光L2，在绿色像素PG产生绿色的荧光L2，在蓝色像素PB产生蓝色的荧光L2。于是，通过这些红色、绿色和蓝色的3种色光进行全彩色显示。
（荧光体基板）
本实施方式的荧光体基板10包括：基板1；荧光体层3R、3G、3B；分隔壁7；和平坦化层8。荧光体层3R、3G、3B设置于基板1上。荧光体层3R、3G、3B通过从与基板1相对配置的基板13的外部入射的激发光L1而产生荧光L2。分隔壁7包围荧光体层3R、3G、3B的侧面。平坦化层8设置于荧光体层3R、3G、3B的表面。
荧光体层3R、3G、3B的入射激发光L1的激发光入射面3a，从分隔壁7的开口部露出。即，激发光入射面3a是使从光源11的发光元件2射出的激发光L1能够入射的面。激发光L1在荧光体层3R、3G、3B被转换为荧光L2。荧光L2从荧光体层3R、3G、3B的射出面3b射出。
荧光体层3R、3G、3B由按每个点分割的多个荧光体层构成。多个荧光体层3R、3G、3B为了能够按点的不同而发出不同颜色的色光，由不同的荧光体材料构成。此外，构成这些多个荧光体层3R、3G、3B的荧光体材料，折射率可以相互不同。
荧光体层3R、3G、3B例如是俯视时为矩形形状的薄膜。在荧光体层3R、3G、3B的激发光入射面3a的外面侧，可以形成有使激发光L1透射且将从荧光体层3R、3G、3B放射的荧光L2反射的波长选择透射反射部件。此外，使激发光透射，意思是至少使激发光的波峰波长的光透射，另外，将荧光体层3R、3G、3B产生的荧光反射，是指至少将从荧光体层3R、3G、3B射出的光中位于峰值波长的光反射。
分隔壁7在内部分散有光散射性颗粒7a。具体而言，分隔壁7由包含树脂和光散射性颗粒的材料形成。此外，在本实施方式中，整个分隔壁7由包含树脂和光散射性颗粒的材料形成，但并不限定于此。例如，可以只有分隔壁7的与荧光体层3R、3G、3B接触的部分是由包含树脂和光散射性颗粒的材料形成。即，分隔壁7的至少与荧光体层3R、3G、3B接触的部分具有光散射性即可。
分隔壁7可以是白色的。具体而言，分隔壁7可以包含白色抗蚀剂。此外，可以是整个分隔壁7包含白色抗蚀剂，也可以是只有分隔壁7的与荧光体层3R、3G、3B接触的部分包含白色抗蚀剂。即，分隔壁7的至少与荧光体层3R、3G、3B接触的部分是白色的即可。由此，与分隔壁是黑色的情况相比，能够使荧光L2不容易被分隔壁7吸收。
图3A和图3B是用于对第一实施方式的显示装置100的分隔壁7的作用进行说明的示意图。图3A是表示本实施方式的显示装置100的剖视示意图。图3B是表示现有技术中的显示装置100X的剖视示意图。
在使激发光L1从外部入射至荧光体层3X的情况下，当如图3B所示在荧光体层3X的周围形成有黑矩阵7X的结构时，在荧光体层3X产生的荧光L2被黑矩阵7X吸收，荧光L2不能被充分取出至外部（图3B的虚线）。
与此相对，在本实施方式中，如图3A所示，在包围荧光体层3的侧面的分隔壁7中分散有光散射性颗粒7a，因此在荧光体层3产生的荧光L2被与分隔壁7接触的部分的光散射性颗粒7a散射，荧光L2不容易被分隔壁7吸收。
因此，能够使在荧光体层3产生的荧光L2被分隔壁7吸收所导致的荧光L2的损失减小，能够将荧光L2充分地取出至外部。
另外，在本实施方式中，由于具备基板13，因此容易制造。例如，考虑在基板的外部具备激发光源的结构。例如，在激发光源为有机EL的情况下，如果没有基板13，需要将有机EL的各层层叠形成后将荧光体层、彩色滤光片层、分隔壁层等依次层叠，或者需要将形成有直至有机EL的阴极的基板和在另一基板上形成有分隔壁层、彩色滤光片层、荧光体层而得到的荧光体基板，在排除了水、氧气的气氛中粘合，这样制造是非常困难的。另外，例如在激发光源为LED、通过液晶元件对光的透射进行调整时，也是在有基板的情况下能够分别制造液晶基板、荧光体基板，因而能够容易且廉价地制造。
另外，在显示装置中设置基板13时，对有机EL元件进行密封、保护的效果较好。有机EL元件容易因水分或氧气的影响而劣化。因此，与仅由基板1密封的构造相比，由基板13和基板1这2片基板密封的构造能够减少大气中的水分、氧气向有机EL元件内侵入的机会。因而，能够防止有机EL元件的劣化，提高可靠性。另外，通过插入基板13，能够使有机EL元件，与经过显影流程而可能含有残留水分的分隔壁或可能含有残留有机溶剂的荧光体、彩色滤光片等其他部件分离，因此与未设置基板13的情况相比，能够使有机EL元件寿命变长。
在光源与荧光体的距离较近时，从光源产生的热使得荧光体容易劣化。与此相对，在基板13的外部存在激发光源时，能够充分确保光源和荧光体的距离，能够抑制激发光源的发热引起的荧光体的劣化。
以下，针对本实施方式的荧光体基板10的结构部件及其形成方法，具体地进行说明，但荧光体基板10的结构部件及其形成方法并不限定于此。
“基板”
作为本实施方式中使用的荧光体基板10用的基板1，由于需要将荧光体层3R、3G、3B发出的荧光L2取出至外部，因此需要在荧光体层3R、3G、3B的发光区域使荧光L2透射。作为荧光体基板10，可举出例如包含玻璃、石英等的无机材料基板，包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚咔唑、聚酰亚胺等的塑料基板等，但是本实施方式并不限定于这些基板。
“荧光体层”
本实施方式的荧光体层3R、3G、3B，包括吸收由紫外发光有机EL元件、蓝色发光有机EL元件、紫外发光LED、蓝色LED等发光元件2发出的激发光L1而发出红色光、绿色光、蓝色光的红色荧光体层3R、绿色荧光体层3G、蓝色荧光体层3B。但是，作为发光元件2适用蓝色发光时，可以不设置蓝色荧光体层3B，而是将蓝色激发光L1作为蓝色像素PB发出的光。另外，作为发光元件2，适用具有指向性的蓝色发光时，可以适用能够使具有指向性的激发光L1散射而作为各向同性发光被取出至外部这样的光散射层，而不设置蓝色荧光体层3B。
另外，根据需要，优选将发出青色光、黄色光的荧光体层添加至像素。在此，通过使发出青色光、黄色光的像素各自的色纯度位于色度图上的将由发出红色、绿色、蓝色光的像素的色纯度的点连结而成的三角形的外侧，能够实现比使用发出红色、绿色、蓝色的3原色的光的像素的显示装置更宽的色再现范围。
荧光体层3R、3G、3B可以仅由以下例示的荧光体材料构成，也可以任意地含有添加剂等，也可以由这些材料分散在高分子材料（粘结用树脂）或无机材料中而构成。
作为本实施方式的荧光体材料，能够使用公知的荧光体材料。这样的荧光体材料可分类为有机类荧光体材料和无机类荧光体材料，这些具体的化合物如以下例示，但荧光体材料并不限定于这些材料。
有机类荧光体材料中，作为蓝色荧光色素，能够举例：苯乙烯基苯类色素：1，4-双（2-甲基苯乙烯基）苯、反式-4，4，'-二苯基苯乙烯基苯；香豆素类色素：7-羟基-4-甲基香豆素、2，3，6，7-四氢-11-氧代-1H，5H，11H-［1］苯并吡喃基［6，7，8-ij］喹嗪-10-羧酸酯（香豆素314）、10-乙酰基-2，3，6，7-四氢-1H，5H，11H-［1］苯并吡喃基［6，7，8-ij］喹嗪-11-酮（香豆素334）；蒽类色素：9，10双（苯基乙炔基）蒽、苝等。另外，作为绿色荧光色素，能够举例：香豆素类色素：2，3，5，6-1H、4H-四氢-8-三氟甲基喹嗪（9，9a、1-gh）香豆素（香豆素153）、3-（2′-苯并噻唑基）-7-二乙基氨基香豆素（香豆素6）、3-（2′-苯并咪唑基）-7-N，N-二乙基氨基香豆素（香豆素7）、10-（苯并噻唑-2-基）-2，3，6，7-四氢-1H，5H，11H-［1］苯并吡喃基［6，7，8-ij］喹嗪-11-酮（香豆素545）、香豆素545T、香豆素545P、萘二甲酰亚胺类色素：碱性黄51、溶剂黄11、溶剂黄98、溶剂黄116、溶剂黄43、溶剂黄44；苝类色素：路玛近（Lumogen）黄、路玛近绿、溶剂绿5、荧光素类色素、偶氮类色素、酞菁类色素、蒽醌类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、硫靛蓝类色素、二恶嗪类色素等。
另外，作为红色荧光色素，能够举例：花青类色素：4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-（对二甲基氨基苯乙烯基）-4H-吡喃；吡啶类色素：1-乙基-2-［4-（对二甲基氨基苯基）-1，3-丁二烯基］-吡啶-高氯酸酯（吡啶1）；以及呫吨类色素：罗丹明B、罗丹明6G、罗丹明3B、罗丹明101、罗丹明110、碱性紫11、磺酰罗丹明101、碱性紫11、碱性红2，苝类色素：路玛近橙、路玛近粉红、路玛近红、溶剂橙55；恶嗪类色素；屈类色素；硫磺素类色素；芘类色素；蒽类色素；吖啶酮类色素；吖啶类色素；芴类色素；三联苯类色素；乙烯类色素；丁二烯类色素；已三烯类色素；恶唑类色素；香豆素类色素；芪类色素；三苯甲烷类色素；噻唑类色素；噻嗪类色素；萘二甲酰亚胺类色素；蒽醌类色素等。
使用有机荧光体材料作为各色荧光体时，优选使用难以因背光源的蓝色光或紫外光、外部光而劣化的色素。在这一点上，特别优选使用耐光性优秀且具有高量子产率的苝类色素。
另外，作为将有机类荧光体材料分散的粘结用树脂，优选为透光性树脂，例如丙烯酸树脂、三聚氰胺树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、丁醛树脂、多晶硅树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、黑色素树脂、酚醛树脂、聚乙烯醇、聚乙烯醇（polyvinyl hydrin）、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、芳香族磺酰胺树脂、尿素树脂、苯代三聚氰胺树脂、三醋酸纤维素（TAC）、聚醚砜、聚醚酮、尼龙、聚苯乙烯、三聚氰胺珠粒、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚MBS、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚四氟乙烯等。
另外，无机类荧光体材料中，作为蓝色荧光体，能够举例：Sr2P2O7：Sn4+、Sr4Al14O25：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu2+、SrGa2S4：Ce3+、CaGa2S4：Ce3+、（Ba、Sr）（Mg、Mn）Al10O17：Eu2+、（Sr、Ca、Ba2、0Mg）10（PO4）6Cl2：Eu2+、BaAl2SiO8：Eu2+、Sr2P2O7：Eu2+、Sr5（PO4）3Cl：Eu2+、（Sr，Ca，Ba）5（PO4）3Cl：Eu2+、BaMg2Al16O27：Eu2+、（Ba，Ca）5（PO4）3Cl：Eu2+、Ba3MgSi2O8：Eu2+、Sr3MgSi2O8：Eu2+等。另外，作为绿色荧光体，能够举例：（BaMg）Al16O27：Eu2+，Mn2+、Sr4Al14O25：Eu2+、（SrBa）Al12Si2O8：Eu2+、（BaMg）2SiO4：Eu2+、Y2SiO5：Ce3+，Tb3+、Sr2P2O7-Sr2B2O5：Eu2+、（BaCaMg）5（PO4）3Cl：Eu2+、Sr2Si3O8-2SrCl2：Eu2+、Zr2SiO4、MgAl11O19：Ce3+，Tb3+、Ba2SiO4：Eu2+、Sr2SiO4：Eu2+、（BaSr）SiO4：Eu2+等。
另外，作为红色荧光体，能够举例：Y2O2S：Eu3+、YAlO3：Eu3+、Ca2Y2（SiO4）6：Eu3+、LiY9（SiO4）6O2：Eu3+、YVO4：Eu3+、CaS：Eu3+、Gd2O3：Eu3+、Gd2O2S：Eu3+、Y（P，V）O4：Eu3+、Mg4GeO5.5F：Mn4+、Mg4GeO6：Mn4+、K5Eu2.5（WO4）6.25、Na5Eu2.5（WO4）6.25、K5Eu2.5（MoO4）6.25、Na5Eu2.5（MoO4）6.25等。
另外，对上述无机类荧光体可以根据需要实施表面改性处理，作为表面改性处理的方法，可列举：通过硅烷偶联剂等的化学处理进行的方法，通过添加亚微米级的微颗粒等的物理处理进行的方法，以及将这些方法并用的方法等。当考虑由激发光引起的劣化、由发出光引起的劣化等稳定性时，优选使用无机材料。进而，在使用无机材料的情况下，优选平均粒径为（d50）0.5μm～50μm。平均粒径为1μm以下时，荧光体的发光效率急剧降低。
另外，在平均粒径为50μm以上时，以高清晰度进行图案形成是困难的。
另外，荧光体层能够通过使用将上述荧光体材料和树脂材料溶解、分散在溶剂中得到的荧光体层形成用涂液，利用旋涂法、浸渍法、刮刀法、排出涂布法、喷涂法等涂布法、喷墨法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、微凹版涂布法等印刷法等的公知的湿式法形成，或者通过使用上述材料利用电阻加热蒸镀法、电子束（EB）蒸镀法、分子束外延（MBE）法、溅射法、有机气相蒸镀（OVPD）法等公知的干式法形成，或者利用激光转印法等形成。
上述荧光体的膜厚通常为100nm～100μm左右，优选为1μm～100μm。膜厚不足100nm时，不能充分吸收从光源发出的光，因此发生发光效率降低、激发光的透射光混入所需要的色而引起色纯度恶化。进而为了提高从此光源发出的光的吸收，将激发光的透射光降低到不会对色纯度产生不良影响的程度，优选膜厚为1μm以上。另外，膜厚超过100μm时，由于从光源发出的光已经被充分吸收，因此不会带来效率的提高，而只是在消耗材料，导致材料成本的提高。
另一方面，用光散射层取代蓝色荧光体层3B时，光散射颗粒可以由有机材料构成，也可以由无机材料构成，优选由无机材料构成。由此，能够有效地使来自外部（例如发光元件）的具有指向性的光各向同性地扩散或散射。另外，通过使用无机材料，能够提供相对于光和热稳定的光散射层。另外，作为光散射颗粒，优选使用透明度高的材料。另外，作为光散射颗粒，优选使用在低折射率的基材中分散有折射率高于基材的微颗粒的材料。另外，为了使蓝色光被光散射层更有效地散射，需要光散射性颗粒的粒径位于米氏散射的区域中，因此优选光散射性颗粒的粒径为100nm～500nm左右。
使用无机材料作为光散射颗粒时，例如能够列举以从硅、钛、锆、铝、铟、锌、锡、锑中选出的至少1种金属的氧化物为主成分的颗粒（微颗粒）等。
另外，使用由无机材料构成的颗粒（无机微颗粒）作为光散射颗粒时，例如能够列举：二氧化硅珠（折射率：1.44）、氧化铝珠（折射率：1.63）、氧化钛珠（锐钛矿型的折射率：2.50、金红石型的折射率：2.70）、氧化锆珠（折射率：2.05）、氧化锌珠（折射率：2.00）、钛酸钡（BaTiO3）（折射率：2.4）等。
在使用由有机材料构成的颗粒（有机微颗粒）作为光散射颗粒时，可列举例如：聚甲基丙烯酸甲酯珠（折射率：1.49）、丙烯酸珠（折射率：1.50）、丙烯酸-苯乙烯共聚物珠（折射率：1.54）、三聚氰胺珠（折射率：1.57）、高折射率三聚氰胺珠（折射率：1.65）、聚碳酸酯珠（折射率：1.57）、苯乙烯珠（折射率：1.60）、交联聚苯乙烯珠（折射率：1.61）聚氯乙烯珠（折射率：1.60）、苯代-三聚氰胺甲醛珠（折射率：1.68）、硅珠（折射率：1.50）等。
与上述光散射性颗粒混合使用的树脂材料，优选为透光性的树脂。另外，作为树脂材料，可列举例如：丙烯酸树脂（折射率：1.49）、三聚氰胺树脂（折射率：1.57）、尼龙（折射率：1.53）、聚苯乙烯（折射率：1.60）、三聚氰胺珠（折射率：1.57）、聚碳酸酯（折射率：1.57）、聚氯乙烯（折射率：1.60）、聚偏二氯乙烯（折射率：1.61）、聚醋酸乙烯酯（折射率：1.46）、聚乙烯（折射率：1.53）、聚甲基丙烯酸甲酯（折射率：1.49）、聚MBS（折射率：1.54）、中密度聚乙烯（折射率：1.53）、高密度聚乙烯（折射率：1.54）、四氟乙烯（折射率：1.35）、聚三氟氯乙烯（折射率：1.42）、聚四氟乙烯（折射率：1.35）等。
“分隔壁”
本实施方式的分隔壁7由包含树脂和光散射性颗粒7a的材料形成。与上述的光散射层同样地，优选使用在低折射率的树脂中分散有折射率比树脂高的光散射微颗粒的材料。另外，为了使蓝色光被光散射性分隔壁更有效地散射，需要光散射性颗粒的粒径位于米氏散射的区域中，因此作为光散射性颗粒的粒径优选为100nm～500nm左右。
作为树脂，能够使用例如“分隔壁”的前一段说明书中举出的树脂材料等。另外，作为光散射性颗粒7a，能够使用例如“分隔壁”的前二～五段说明书中举出的光散射性颗粒。
作为分隔壁材料的构成树脂，选择碱性可溶性树脂，能够通过添加光聚合性单体、光聚合引发剂、溶剂而使分隔壁材料作为光致抗蚀剂发挥作用，从而能够通过光刻进行图案化。
此外，优选分隔壁7的开口部（荧光体层一个分区）的纵横尺寸为20μm×20μm左右～500μm×500μm左右。分隔壁7优选在CIE1976L*a*b显示系统中具有80%以上的反射率。
另外，可以与现有技术同样，以提高对比度为目的，在光散射性分隔壁的光取出方向侧插入0.01μm至3μm左右的与光散射性分隔壁相比薄的黑色分隔壁层。进而，也可以为了防止被设计成要进入某像素的激发光逃逸至相邻像素而造成混色，以吸收要进入相邻像素的光为目的，在光散射性分隔壁的光取出方向的相反侧插入0.01μm至3μm左右的与光散射性分隔壁相比更薄的黑色分隔壁层。
“对分隔壁赋予拨液性”
通过滴注法、喷墨法等使荧光体层图案化的情况下，为了防止荧光体溶液从分隔壁溢出而导致相邻像素间的混色，必须对分隔壁赋予拨液性。作为对分隔壁赋予拨液性的方法，例如有以下这样的方法。
（1）氟等离子体处理
例如，如日本特开2000-76979号公报中公开的那样，通过在导入气体为氟类的条件下对形成分隔壁的基板进行等离子体处理，能够对分隔壁赋予拨液性。
（2）添加氟类表面改性剂
通过在光散射性分隔壁的材料中添加氟类表面改性剂，能够向分隔壁赋予拨液性。作为氟类表面改性剂，例如能够使用UV固化型表面改性剂DEFENSA（DIC株式会社制）或MEGAFACE等。
“分隔壁的形状”
作为分隔壁的形状，为了不使背光源光入射至本来应入射的像素的相邻像素，优选分隔壁的开口部在入射侧比在出射基板侧大的锥形状。
另外，为了充分提高基板和分隔壁的密合性，优选分隔壁的高度相对于分隔壁的横宽的比例（高宽比）为1以下。
“彩色滤光片”
优选在本实施方式的荧光体基板10的光取出侧的基板1与荧光体层3R、3G、3B之间设置有彩色滤光片。作为彩色滤光片，能够使用现有技术的彩色滤光片。在此，通过设置彩色滤光片，能够使红色像素PR、绿色像素PG、蓝色像素PB的色纯度提高，能够扩大显示装置100的色再现范围。另外，与蓝色荧光体层3B相对的蓝色滤光片、与绿色荧光体层3G相对的绿色滤光片、与红色荧光体层3R相对的红色滤光片吸收外部光的对各荧光体层3R、3G、3B进行激发的激发光，因此，能够降低或防止外部光引起的荧光体层3R、3G、3B的发光，能够降低或防止对比度下降。另外，能够通过蓝色滤光片、绿色滤光片、红色滤光片来防止不被荧光体层3R、3G、3B吸收而透射的激发光L1漏出至外部，因此能够防止荧光体层3R、3G、3B发出的光和激发光L1引起的混色所造成的发出光的色纯度的降低。
（光源）
也可以在本实施方式的荧光体基板10的基板13的外部，设置射出激发光的光源，该激发光照射至荧光体层3R、3G、3B，构成显示装置。作为激发荧光体层3R、3G、3B的光源，优选紫外光、蓝色光。作为射出激发光的光源，可列举例如紫外LED、蓝色LED、紫外发光无机EL、蓝色发光无机EL、紫外发光有机EL、蓝色发光有机EL等，但本实施方式并不限定于这些光源。另外，通过对这些光源直接进行开关，能够对用于显示图像的发光的开/闭进行控制，也可以在荧光体层3R、3G、3B与光源11之间，配置液晶那样的具有闸门功能的层，通过对其进行控制而控制发光的开/闭。另外，能够对液晶那样的具有闸门功能的层和光源双方控制开/闭。
作为光源，能够使用公知的紫外LED、蓝色LED、紫外发光无机EL、蓝色发光无机EL、紫外发光有机EL、蓝色发光有机EL等，没有特别的限定，能够使用公知的材料、公知的制造方法进行制作。在此，作为紫外光，优选主发光峰值为360nm～410nm的发光，作为蓝色光，优选主发光峰值为410nm～480nm的发光。光源优选为具有指向性的光源。指向性是指光的强度因方向而不同的性质。在光入射至荧光体层的时刻具有指向性即可。优选光源使平行光入射至荧光体层。
优选光源的指向性的程度为半值宽度在30度以下，进一步优选半值宽度在10度以下。半值宽度比30度大时，从背光源射出的光入射至期望的像素以外的地方，将期望的之外的荧光体激发，由此导致色纯度、对比度降低。
下面，对适合用作光源的发光元件进行说明。
“LED”
如图4所示，能够将LED（发光二极管）用作发光元件2A。作为LED，能够使用公知的LED，例如优选紫外发光无机LED、蓝色发光无机LED。这些LED例如为在基板9的一面依次层叠有第一缓冲层23、n型接触层24、第二n型包覆层25、第一n型包覆层26、活性层27、第一p型包覆层28、第二p型包覆层29、第二缓冲层30，在n型接触层24上形成有阴极22，在第二缓冲层30上形成有阳极21的结构的发光元件2A。此外，LED的具体结构并不限于上述结构。
活性层27是通过电子和空穴的再结合而进行发光的层。作为活性层27的活性层材料，能够使用LED用的公知的活性层材料。作为这样的活性层材料的紫外活性层材料，可列举例如AlGaN、InAlN、InaAlbGa1―a―bN（0≤a、0≤b、a＋b≤1），作为这样的活性层材料的蓝色活性层材料，能够举例InzGa1―zN（0＜z＜1）等，但是活性层材料并不限定于这些材料。
作为活性层27，能够利用单一量子阱构造或多重量子阱构造的活性层。
量子阱构造的活性层既可以是n型，也可以是p型，但是特别是使活性层为无掺杂（杂质无添加），利用带间发光能够得到发光波长的半值宽度窄、色纯度好的发出光，因此优选。
在活性层27中可以掺杂施主杂质、受主杂质中的至少一种。在掺杂有杂质的活性层的结晶性与无掺杂相同的情况下，掺杂施主杂质时，与无掺杂的情况相比，能够进一步增强带间发光强度。
掺杂受主杂质时，能够使峰值波长偏移至比带间发光的峰值波长低0.5eV能量侧，半值宽度变宽。掺杂受主杂质和施主杂质两者时，与仅掺杂有受主杂质的活性层的发光强度相比，能够进一步增大其发光强度。特别是在形成掺杂有受主杂质的活性层的情况下，优选活性层的导电型也掺杂Si等施主杂质而成为n型。
作为n型包覆层25、26，能够使用LED用的公知的n型包覆层材料。在图4的例子中，由第一n型包覆层26和第二n型包覆层25这两层构成n型包覆层，但是n型包覆层既可以是1层，也可以是3层以上的多层。通过由带隙能量比活性层27大的n型半导体形成的材料构成n型包覆层，在n型包覆层与活性层27之间形成针对空穴的电位屏障，能够使空穴闭锁在活性层中。例如，能够通过n型InxGa1―xN（0≤x＜1）形成n型包覆层25、26，但是n型包覆层25、26并不限定于此。
作为p型包覆层28、29，能够使用LED用的公知的p型包覆层材料。在图4的例子中，由第一p型包覆层28和第二p型包覆层29这两层构成p型包覆层，但是p型包覆层既可以是1层，也可以是3层以上的多层。通过由带隙能量比活性层27大的p型半导体形成的材料构成p型包覆层，在p型包覆层与活性层27之间形成针对电子的电位屏障，能够使电子闭锁在活性层27中。例如，能够通过AlyGa1―yN（0≤y≤1）形成p型包覆层28、29，但是p型包覆层28、29并不限定于此。
作为n型接触层24，能够使用LED用的公知的接触层材料。例如，作为与n型覆盖层接触而形成电极（阴极22）的层，能够形成由n型GaN构成的n型接触层。另外，作为与p型包覆层接触而形成电极（阳极21）的层，能够形成由p型GaN构成的p型接触层。但是，由GaN形成第二n型包覆层25、第二p型包覆层29时，不需要形成该接触层，能够令第二n型和p型包覆层为接触层。
上述各层能够使用LED用的公知的成膜工艺，但成膜工艺并不限定于这些。例如，能够使用MOVPE（有机金属气相沉积法）、MBE（分子束气相沉积法）、HDVPE（氢化物气相沉积法）等的气相沉积法，例如在蓝宝石（包括C面、A面、R面）、SiC（也包含6H-SiC、4H-SiC）、尖晶石（MgAl2O4，特别是其（111）面）、ZnO、Si、GaAs或其他的氧化物单晶基板（NGO等）等的基板上形成上述各层。
“有机EL元件”
如图5所示，能够将有机EL元件用作发光元件2B。本实施方式中使用的有机EL元件，能够使用公知的有机EL。有机EL元件2B例如为在基板9的一面依次层叠有阳极41、空穴注入层43、空穴输送层44、发光层45、空穴防止层46、电子输送层47、电子注入层48、阴极49而构成的发光元件2B。以覆盖阳极41的端面的方式形成有边缘罩42。作为有机EL元件2B，在阳极41与阴极49之间至少包括有机EL层即可，该有机EL层包含由有机发光材料形成的发光层（有机发光层）45，具体的结构并不限定于上述的情况。此外，在以下的说明中，有时将空穴注入层43到电子注入层48之间的层称为有机EL层。
有机EL元件2B分别与图1所示的红色像素PR、绿色像素PG、蓝色像素PB对应地设置为矩阵状，独立地进行开/闭控制。
多个有机EL元件2B的驱动方法，可以是有源矩阵驱动，也可以是无源矩阵驱动。使用有源矩阵方式的有机EL元件的结构例，在后面的说明中详述。
以下，对有机EL元件2B的各结构元素进行详细说明。
“基板”
作为本实施方式中使用的基板9，例如能够列举：由玻璃、石英等构成的无机材料基板；由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚咔唑、聚酰亚胺等构成的塑料基板，由氧化铝等构成的陶瓷基板等绝缘性基板；或者，由铝（Al）、铁（Fe）等构成的金属基板；或者，在上述基板上将由氧化硅（SiO2）、有机绝缘材料等构成的绝缘物涂布在表面而得到的基板；用阳极氧化等方法对由Al等构成的金属基板的表面实施了绝缘化处理而得到的基板等。进而，还优选为在上述塑料基板涂布无机材料而得到的基板、在上述金属基板涂布无机绝缘材料而得到的基板。由此，能够消除将塑料基板用作有机EL基板的情况下产生的水分透过的情况。另外，能够消除金属基板的突起造成的泄漏（短路）（已知，由于有机EL的膜厚非常薄，为100nm～200nm左右，因此突起造成在像素部电流显著地发生泄漏（短路））的问题，该问题为将金属基板用作有机EL基板的情况下的最大问题。
另外，在形成用于对有机EL元件进行有源矩阵驱动的TFT时，优选使用在500℃以下的温度不会融解、不产生变形的基板。另外，一般的金属基板的热膨胀率与玻璃的热膨胀率不同，因此通过现有的生产装置在金属基板上形成TFT是困难的，但通过使用金属基板，使线膨胀系数与玻璃匹配，能够利用现有的生产装置廉价地在金属基板上形成TFT，其中，该金属基板为线膨胀系数在1×10－5/℃以下的铁-镍类合金。另外，在塑料基板的情况下，耐热温度非常低，因此，能够通过在玻璃基板上形成有TFT后，将TFT转印到塑料基板上，在塑料基板上转印形成TFT。
进而，在将从有机EL层发出的光取出至基板的相反侧时，作为基板没有限制，但在将从有机EL层发出的光从基板侧取出的情况下，为了将从有机EL层发出的光取出至外部，作为使用的基板，需要使用透明或半透明的基板。
“阳极”和“阴极”
本实施方式中使用的阳极41和阴极49，作为将电流供给至有机EL层的第一电极和第二电极发挥作用。在图5中，作为第一电极的阳极41隔着有机EL层配置于基板9侧，作为第二电极的阴极49隔着有机EL层配置在基板9的相反侧，但该关系也可以颠倒。即，也可以是作为第一电极的阳极41隔着有机EL层配置于基板9的相反侧，作为第二电极的阴极49隔着有机EL层配置于基板9侧。以下，例示具体的化合物和形成方法，但化合物和形成方法并不限定于此。
作为形成阳极41和阴极49的电极材料，能够使用公知的电极材料。作为形成阳极的电极材料，从更高效地进行空穴向有机EL层的注入的观点出发，可列举功函数为4.5eV以上的金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）等金属、包含铟（In）与锡（Sn）的氧化物（ITO）、锡（Sn）的氧化物（SnO2）、包含铟（In）和锌（Zn）的氧化物（IZO）等作为透明电极材料。另外，作为形成阴极49的电极材料，从更高效地进行电子向有机EL层的注入的观点出发，可列举功函数为4.5eV以下的锂（Li）、钙（Ca）、铈（Ce）、钡（Ba）、铝（Al）等金属、或含有这些金属的Mg:Ag合金、Li:Al合金等合金。
阳极41和阴极49能够使用上述的材料，利用EB蒸镀法、溅射法、离子镀法、电阻加热蒸镀法等公知的方法形成，但阳极和阴极的形成方法并不限定于此。另外，也能够根据需要利用光刻法、激光剥离法对形成的电极进行图案化，也能够通过与阴影掩模（shadow mask）组合而直接形成图案化的电极。其膜厚优选为50nm以上。在膜厚小于50nm的情况下，配线电阻变高，因此，有可能产生驱动电压的上升。
在以色纯度的提高、发光效率的提高、正面亮度的提高等为目的而使用微腔效果的情况下，当将从有机EL层发出的光从阳极41侧取出时，优选使用半透明电极作为阳极41。作为在此使用的材料，能够使用金属的半透明电极单体，或金属的半透明电极与透明电极材料的组合，但从反射率和透射率的观点出发，优选为银作为半透明电极材料。半透明电极的膜厚优选为5nm～30nm。在膜厚小于5nm的情况下，不能充分进行光的反射、不能充分得到干涉的效果。另外，在膜厚超过30nm的情况下，光的透射率急剧地降低，因此，亮度、效率有可能降低。另外，作为阴极49，优选使用对光进行反射的反射率高的电极。作为此时使用的电极材料，可列举例如：铝、银、金、铝-锂合金、铝-钕合金、铝-硅合金等反射性金属电极，将透明电极和上述反射性金属电极（反射电极）组合而成的电极等。
在将从有机EL层发出的光从阴极49侧取出时，与上述不同，由反射率高的电极形成阳极41，令阴极49为半透明电极即可。
“有机EL层”
本实施方式中使用的有机EL层，可以是有机发光层的单层构造，也可以是有机发光层和电荷输送层的多层构造，具体而言，能够列举为下述的结构，但有机EL层的结构并不限定于这些方案。图5的例子中，使用下述（8）的结构。此外，在以下的说明中，空穴和电子称为电荷，从阳极41或阴极49向发光层45注入电荷的层（空穴注入层或电子注入层）称为电荷注入层，将通过电荷注入层从阳极41或阴极49注入的电荷向发光层45输送的层（空穴输送层、电子输送层）称为电荷输送层，有时将电荷注入层和电荷输送层统称为电荷注入输送层。
（1）有机发光层
（2）空穴输送层/有机发光层
（3）有机发光层/电子输送层
（4）空穴输送层/有机发光层/电子输送层
（5）空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层
（6）空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电子注入层
（7）空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层
（8）空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层/电子注入层
（9）空穴注入层/空穴输送层/电子防止层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层/电子注入层
在此，有机发光层、空穴注入层、空穴输送层、空穴防止层、电子防止层、电子输送层和电子注入层的各层，可以为单层结构，也可以为多层结构。
有机发光层45可以仅由以下例示的有机发光材料构成，也可以由发光性的掺杂剂与主体材料的组合构成，也可以任意地含有空穴输送材料、电子输送材料、添加剂（施主、受主等）等，另外，也可以为在高分子材料（粘结用树脂）或无机材料中分散有这些材料的结构。从发光效率和寿命的观点出发，优选主体材料中分散有作为发光性的掺杂剂的结构。
作为有机发光材料，能够使用有机EL用的公知的发光材料。这样的发光材料可分类为低分子发光材料、高分子发光材料等，这些具体的化合物如以下例示，但有机发光材料并不限定于这些材料。另外，上述发光材料也可以分类为荧光材料、磷光材料等，从低耗电化的观点出发，优选使用发光效率高的磷光材料。
在此，以下例示具体化合物，但有机发光材料并不限定于这些材料。
作为发光层中任意含有的发光性的掺杂剂，能够使用有机EL用的公知的掺杂剂材料。这样的掺杂剂材料中，例如，作为紫外发光材料，能够举例对四联苯、3，5，3，5四-叔丁基六联苯、3，5，3，5四-叔丁基-对五联苯等的荧光发光材料等。作为蓝色发光材料，能够列举苯乙烯衍生物等的荧光发光材料、双[(4，6-二氟苯基)-吡啶N，C2‘]吡啶甲酸合铱(III)（FIrpic），二（4′，6‘-二氟苯基吡啶）四（1-吡唑）硼酸铱（III）（FIr6）等的磷光发光有机金属络合物等。
另外，作为使用掺杂剂时的主体材料，能够使用有机EL用的公知的主体材料。作为这样的主体材料，可列举：上述低分子发光材料、高分子发光材料、4，4‘-双（咔唑）联苯、9，9-二（4-二咔唑-偶苯酰）芴（CPF）、3，6-双（三苯甲硅烷基）咔唑（mCP）、（PCF）等咔唑衍生物；4-（二苯基磷酰）-N，N-二苯基苯胺（HM-A1）等苯胺衍生物；1，3-双（9-苯基-9H-芴-9-基）苯（mDPFB）、1，4-双（9-苯基-9H-芴-9-基）苯（pDPFB）等芴衍生物等。
电荷注入输送层，出于更高效率地进行电荷（空穴、电子）从电极的注入和向发光层的输送（注入）的目的，可分类为电荷注入层（空穴注入层、电子注入层）和电荷输送层（空穴输送层、电子输送层）。电荷注入输送层可以仅由以下例示的电荷注入输送材料构成，也可以任意地含有添加剂（施主、受主等）等，也可以由这些材料分散在高分子材料（粘结用树脂）或无机材料中而构成。
作为电荷注入输送材料，能够使用有机EL用、有机光导电体用的公知的电荷输送材料。这样的电荷注入输送材料可分类为空穴注入输送材料和电子注入输送材料，这些具体的化合物如以下例示，但电荷注入输送材料并不限定于这些材料。
作为空穴注入空穴输送材料，可列举例如：氧化钒（V2O5）、氧化钼（MoO3）等氧化物；无机p型半导体材料；卟啉化合物；N，N′-双（3-甲基苯基）-N，N′-双（苯基）-联苯胺（TPD）、N，N′-二（萘-1-基）-N，N′-二苯基-联苯胺（NPD）等芳香族叔胺化合物；腙化合物、喹吖啶酮化合物、苯乙烯基胺化合物等低分子材料；聚苯胺（PANI）、聚苯胺-樟脑磺酸（PANI-CSA）、3，4-聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT/PSS）、聚（三苯胺）衍生物（Poly-TPD）、聚乙烯咔唑（PVCz）、聚（对苯乙烯撑）（PPV）、聚（对萘乙炔）（PNV）等高分子材料等。
另外，为了更高效地进行来自阳极的41的空穴的注入和输送，作为用作空穴注入层43的材料，优选使用与空穴输送层44使用的空穴注入输送材料相比最高被占分子轨道（HOMO）的能级低的材料，作为空穴输送层44，优选使用与空穴注入层43使用的空穴注入输送材料相比空穴的迁移率高的材料。
另外，为了使空穴的注入和输送性进一步提高，优选在上述空穴注入输送材料中掺杂受主。作为受主，能够使用作为有机EL用的公知的受主材料。以下例示这些具体化合物，但受主材料并不限定于这些材料。
作为受主材料，可列举：Au、Pt、W，Ir、POCl3、AsF6、Cl、Br、I、氧化钒（V2O5）、氧化钼（MoO3）等无机材料；TCNQ（7，7，8，8，-四氰基醌二甲烷）、TCNQF4（四氟四氰基醌二甲烷）、TCNE（四氰乙烯）、HCNB（六氰基丁二烯）、DDQ（二氯二氰基苯醌）等具有氰基的化合物；TNF（三硝基芴酮）、DNF（二硝基芴酮）等具有硝基的化合物；四氟对苯醌；四氯对苯醌；四溴对苯醌等有机材料。其中，TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等具有氰基的化合物能够使载流子浓度更有效地增加，因此更优选。
作为电子注入电子输送材料，可列举例如：作为n型半导体的无机材料、噁二唑衍生物、三唑衍生物、硫基二氧化吡嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、苯并二呋喃衍生物等低分子材料；聚（噁二唑）（Poly-OXZ）、聚苯乙烯衍生物（PSS）等高分子材料。特别是，作为电子注入材料，特别可列举：氟化锂（LiF）、氟化钡（BaF2）等氟化物；氧化锂（Li2O）等氧化物等。
为了更有效率地进行来自阴极49的电子的注入和输送，作为用作电子注入层48的材料，优选使用与电子输送层47使用的电子注入输送材料相比最低空分子轨道（LUMO）的能级高的材料，作为用作电子输送层47的材料，优选使用与电子注入层48使用的电子注入输送材料相比电子的迁移率高的材料。
另外，为了使电子的注入和输送性进一步提高，优选在上述电子注入输送材料中掺杂施主。作为施主，能够使用作为有机EL用的公知的施主材料。以下例示这些具体化合物，但施主材料并不限定于这些材料。
作为施主材料，有：碱金属、碱土金属、稀土元素、Al、Ag、Cu、In等无机材料；苯胺类、苯二胺类、联苯胺类（N，N，N′，N′-四苯基联苯胺、N，N′-双-（3-甲基苯基）-N，N′-双-（苯基）-联苯胺、N，N′-二（萘-1-基）-N，N′-二苯基-联苯胺等）、三苯胺类（三苯胺、4，4′4′′-三（N，N-二苯基-氨基）-三苯胺、4，4′4′′-三（N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基）-三苯胺、4，4′4′′-三（N-（1-萘基）-N-苯基-氨基）-三苯胺等）、三苯基二胺类（N，N′-二-（4-甲基-苯基）-N，N′-二苯基-1，4-苯二胺）等骨架中具有芳香族叔胺的化合物；菲、芘、苝、蒽、并四苯、并五苯等缩合多环化合物（其中，缩合多环化合物可以具有取代基）、TTF（四硫富瓦烯）类、二苯并呋喃、吩噻嗪、咔唑等有机材料。
其中，特别是骨架中具有芳香族叔胺的化合物、缩合多环化合物、碱金属能够使载流子浓度更有效地增加，因此更优选。
发光层45、空穴输送层44、电子输送层47、空穴注入层43和电子注入层48等有机EL层，能够使用将上述材料溶解、分散在溶剂中得到的有机EL层形成用涂液，利用旋涂法、浸渍法、刮刀法、排出涂布法、喷涂法等涂布法；喷墨法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、微凹版涂布法等印刷法等的公知的湿式法形成，或者使用上述材料利用电阻加热蒸镀法、电子束（EB）蒸镀法、分子束外延（MBE）法、溅射法、有机气相蒸镀（OVPD）法等公知的干式法形成，或者利用激光转印法等形成。此外，在利用湿式法形成有机EL层的情况下，有机EL层形成用涂液可以含有均染剂、粘度调节剂等用于调整涂液的物性的添加剂。
上述各有机EL层的膜厚通常为1nm～1000nm左右，优选为10nm～200nm。当膜厚小于10nm时，得不到本来需要的物性（电荷的注入特性、输送特性、锁定特性）。另外，有可能产生由废物等异物所致的像素缺陷。另外，当膜厚超过200nm时，由于有机EL层的电阻成分，会使驱动电压上升，导致耗电上升。
“边缘罩”
在图5的例子中，在基板9侧形成的阳极41的边缘部，为了防止在阳极41与阴极49之间发生泄漏，设置有的边缘罩42。在此，边缘罩42能够使用绝缘材料利用EB蒸镀法、溅射法、离子电镀法、电阻加热蒸镀法等公知的方法来形成，能够利用公知的干式和湿式法的光刻法进行图案化，但边缘罩42的形成方法并不限定于这些形成方法。
另外，作为构成边缘罩42的材料，能够使用以往公知的材料，在本实施方式中没有特别限定，但在需要使光透射时，可列举例如SiO、SiON、SiN、SiOC、SiC、HfSiON、ZrO、HfO、LaO等。另外，作为膜厚，优选为100nm～2000nm。在100nm以下时，绝缘性并不充分，阳极41和阴极49之间发生泄漏，造成耗电的上升、不发光。另外，在2000nm以上时，成膜工艺花费时间，导致生产效率降低、引起边缘罩42所致的电极的断线。
有机EL元件2B优选具有作为阳极41和阴极49使用的反射电极和半透明电极的干涉效果带来的、或者电介质多层膜带来的微腔构造（光学微共振器结构）。由此，能够使有机EL元件2B的发光聚集在正面方向（具有指向性），能够降低漏到周围的发光损失，能够提高正面的发光效率。由此，能够以更高的效率将在有机EL元件2B的发光层45中产生的发光能量传递至荧光体层3R、3G、3B。另外，也能够通过干涉效果来调整发光光谱，能够通过调整至所期望的发光峰值波长、半高宽来调整发光光谱。由此，能够控制为能够更有效地激发荧光体层3R、3G、3B的光谱。
有机EL元件2B与外部驱动电路电连接。此时，有机EL元件2B也可以直接与外部驱动电路连接、被外部驱动电路驱动，也可以将TFT等开关电路配置在像素内、外部驱动电路（扫描线电极电路（源极驱动器）、数据信号电极电路（栅极驱动器）、电源电路）与连接有TFT等的配线电连接。
“有源矩阵驱动型有机EL元件”
图6是使用有源矩阵驱动型的有机EL元件2B的有机EL元件基板70（光源）的剖视图。
本实施方式的有机EL元件基板70中，在基板9的一面形成有TFT（驱动元件）51。即，形成有栅极电极52和栅极线53、以覆盖这些栅极电极52和栅极线53的方式在基板主体9上形成有栅极绝缘膜54。在栅极绝缘膜54上形成有活性层（未图示），在活性层上形成有源极电极55、漏极电极56和数据线57，以覆盖这些源极电极55、漏极电极56和数据线57的方式形成有平坦化膜58。
此外，该平坦化膜58可以不是单层构造，可以是与其他的层间绝缘膜和平坦化膜组合的结构。另外，形成有贯通平坦化膜或层间绝缘膜到达漏极电极56的接触孔59，在平坦化膜58上形成有经接触孔59与漏极电极56电连接的有机EL元件2B的阳极41。有机EL元件2B自身的结构与前述情况同样。
TFT51在形成有机EL元件2B之前形成在基板9上，作为有机EL元件驱动用元件起作用。作为本实施方式中使用的TFT51，能够举例为公知的TFT，能够使用公知的材料、构造和形成方法形成。另外，在本实施方式中，也能够使用金属-绝缘体-金属（MIM）二极管来代替TFT51。
作为TFT51的活性层的材料，可列举例如：非晶硅（amorphoussilicon）、多晶硅（polysilicon）、微晶硅、硒化镉等无机半导体材料；氧化锌、氧化铟-氧化镓-氧化锌等氧化物半导体材料；或聚噻吩衍生物、噻吩低聚物、聚（对苯乙炔）衍生物、并四苯、并五苯等有机半导体材料等。另外，作为TFT51的结构，可列举例如：栅极电极上置型、栅极电极下置型、顶栅型、共面型等。
作为构成TFT51的活性层的形成方法，可列举：（1）在通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法成膜的非晶硅中以离子掺杂的方式掺入杂质的方法；（2）通过使用硅烷（SiH4）气体的减压化学气相沉积（LPCVD）法形成非晶硅、通过固相沉积法使非晶硅结晶化得到多晶硅后，通过离子注入法进行离子掺杂的方法；（3）通过使用Si2H6气体的LPCVD法或使用SiH4气体的PECVD法形成非晶硅、通过准分子激光等激光进行退火，使非晶硅结晶化得到多晶硅后，进行离子掺杂的方法（低温工艺）；（4）通过LPCVD法或PECVD法形成多晶硅层，通过在1000℃以上进行热氧化形成栅极绝缘膜，在其上形成n+多晶硅的栅极电极，然后进行离子掺杂的方法（高温工艺）；（5）通过喷墨法等形成有机半导体材料的方法；（6）得到有机半导体材料的单晶膜的方法等。
本实施方式中使用的TFT51的栅极绝缘膜54能够使用公知的材料形成。可列举例如：利用PECVD法、LPCVD法等形成的SiO2或对多晶硅膜进行热氧化而得到的SiO2等。另外，本实施方式中使用的TFT51的数据线57、栅极线53、源极电极55和漏极电极56能够使用公知的导电性材料形成，可列举例如：钽（Ta）、铝（Al）、铜（Cu）等。本实施方式的TFT51能够形成为上述这样的结构，但并不限定于这些材料、构造和形成方法。
本实施方式中使用的层间绝缘膜能够使用公知的材料形成，可列举例如：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiN或Si3N4）、氧化钽（TaO或Ta2O5）等无机材料；或丙烯酸树脂、抗蚀剂材料等有机材料等。另外，作为其形成方法，可列举：化学气相沉积（CVD）法、真空蒸镀法等干式处理、旋涂法等湿式处理。另外，也能够根据需要利用光刻法等进行图案化。
另外，在从基板9的相反侧取出来自有机EL元件2B的光时，出于防止因外部光入射到在基板9上形成的TFT51而使TFT51的电特性产生变化的目的，优选使用兼具遮光性的遮光性绝缘膜。另外，也能够将上述层间绝缘膜和遮光性绝缘膜组合使用。作为遮光性绝缘膜，可列举在聚酰亚胺等高分子树脂中分散酞菁、喹吖啶酮等颜料或染料而得到的材料、彩色抗蚀剂、黑矩阵材料、NixZnyFe2O4等无机绝缘材料等。但是，本实施方式并不限定于这些材料和形成方法。
在本实施方式中，由于在基板9上形成的TFT51或各种配线、电极，在其表面形成凹凸，由于这些凹凸，在有机EL元件2B可能发生例如阳极41或阴极49的缺陷、断线、有机EL层的缺损、阳极41与阴极49的短路、耐压的降低等。由此，为了防止这些现象，优选在层间绝缘膜上设置平坦化膜58。本实施方式中使用的平坦化膜58能够使用公知的材料形成，可列举为例如：氧化硅、氮化硅、氧化钽等无机材料；聚酰亚胺、丙烯酸树脂、抗蚀剂材料等有机材料等。作为平坦化膜58的形成方法，可列举：CVD法、真空蒸镀法等干式处理；旋涂法等湿式处理，但本实施方式并不限定于这些材料和形成方法。另外，平坦化膜58可以为单层结构，也可以为多层结构。
图7是具备上述有机EL元件基板70的显示装置200的概略结构图。
显示装置200包括：有机EL元件基板70、荧光体基板10、像素部71、栅极信号驱动电路72、数据信号驱动电路73、信号配线74、电流供给线75、柔性印刷配线板76（FPC）和外部驱动电路77。荧光体基板10与有机EL元件基板70相对配置。像素部71设置在有机EL元件基板70与荧光体基板10相对的区域。栅极信号驱动电路72、数据信号驱动电路73、信号配线74和电流供给线75，将驱动信号供给至像素部71。柔性印刷配线板76与有机EL元件基板70连接。
本实施方式的有机EL元件基板70，为了驱动图6所示的有机EL元件2B，经FPC76与包括扫描线电极电路、数据信号电极电路、电源电路等的外部驱动电路77电连接。在本实施方式中，图6所示的TFT51等的开关电路配置于像素部71内。TFT51等与数据线57、栅极线53等配线连接。数据线57和栅极线53分别与用于驱动有机EL元件2B的数据信号驱动电路73、栅极信号驱动电路72连接。外部驱动电路77经信号配线74与这些数据信号驱动电路73、栅极信号驱动电路72连接。在像素部71内，配置有多个栅极线53和多个数据线57，在栅极线53和数据线57的交叉部附近配置有TFT51。
本实施方式的有机EL元件，如图8所示，通过电压驱动数字灰度等级方式进行驱动，对每个像素配置开关用TFT60和驱动用TFT51这两个TFT，驱动用TFT51和发光部61（有机EL元件2B）的阳极，经形成于图6所示的平坦化膜58的接触孔59电连接。另外，在一个像素内，用于使驱动用TFT51的栅极电位固定的电容器，以与驱动用TFT51的栅极电极连接的方式配置。电容器与电源线62连接。但是，在本实施方式中，对这些没有特别的限定，驱动方式可以用前述的电压驱动数字灰度等级方式，也可以为电流驱动模拟灰度等级方式。另外，TFT的数量没有特别的限定，可以通过前述的2个TFT驱动有机EL元件，也可以以防止TFT的特性（迁移率、阈值电压）不均匀为目的，使用在像素内内置有补偿电路的2个以上的TFT来驱动有机EL元件。
“无机EL元件”
如图9所示，能够将无机EL元件用作发光元件2C。作为无机EL元件，能够使用公知的无机EL元件，例如优选为紫外发光无机EL元件、蓝色发光无机EL元件。这些无机EL元件，例如为在基板9的一面依次层叠有第一电极81、第一电介质层82、发光层83、第二电介质层84和第二电极85而构成的发光元件2C。此外，无机EL素子的具体的结构不由上述情况限定。
以下，针对无机EL元件2C的各结构元素进行详细说明。
“第一电极”和“第二电极”
作为本实施方式中使用的第一电极81和第二电极85，可列举为铝（Al）、金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）等金属、包含铟（In）和锡（Sn）的氧化物（ITO）、锡（Sn）的氧化物（SnO2）、包含铟（In）和锌（Zn）的氧化物（IZO）等作为透明电极材料，但电极材料并不限定于这些材料。但是，在取出光的方向，优选ITO等的透明电极。在取出光的方向的相反侧，优选使用铝等的反射膜。
第一电极81和第二电极85能够通过使用上述的材料，利用EB蒸镀法、溅射法、离子电镀法、电阻加热蒸镀法等公知的方法形成，但电极的形成方法并不限定于这些形成方法。另外，也能够根据需要利用光刻法、激光剥离法对形成的电极进行图案化，也能够通过与阴影掩模（shadow mask）组合而直接形成图案化的电极。其膜厚优选为50nm以上。在膜厚小于50nm的情况下，配线电阻变高，因此，有可能产生驱动电压的上升。
“电介质层”
作为本实施方式中使用的第一电介质层82和第二电介质层84，能够使用无机EL用的公知的电介质材料。作为这样的电介质材料，可列举例如五氧化钽（Ta2O5）、二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、氧化铝（Al2O3）、钛酸铝（AlTiO3）、钛酸钡（BaTiO3）和钛酸锶（SrTiO3）等，但电介质材料并不限定于这些材料。另外，本实施方式的第一电介质层82和第二电介质层84可以是对从上述电介质材料中选出的一种或两种以上的材料进行层叠而构成。另外，第一电介质层82和第二电介质层84的膜厚，优选为200nm～500nm左右。
“发光层”
作为本实施方式中使用的发光层83，能够使用无机EL元件用的公知的发光材料。这样的发光材料中，例如，作为紫外发光材料，能够举例ZnF2：Gd，作为蓝色发光材料，能够举例BaAl2S4：Eu、CaAl2S4：Eu、ZnAl2S4：Eu、Ba2SiS4：Ce、ZnS：Tm、SrS：Ce、SrS：Cu、CaS：Pb、（Ba，Mg）Al2S4：Eu等，但是发光材料并不限定于这些材料。另外，发光层83的膜厚优选为300nm～1000nm左右。
如上所述，作为在图1的基板13的外部设置有光源时的发光元件，能够适宜地使用LED、有机EL元件、无机EL元件等。在这些结构例中，优选设有将LED、有机EL元件、无机EL元件等的发光元件密封的密封膜或密封基板。密封膜和密封基板，能够通过公知的密封材料和密封方法形成。具体而言，也能够通过在构成光源的基板主体和相反侧的表面上使用旋涂法、ODF、层压法来涂布树脂而形成密封膜。或者，能够通过利用等离子体CVD法、离子电镀法、离子束法、溅射法等将SiO、SiON、SiN等形成无机膜后，进一步使用旋涂法、ODF、层压法来涂布树脂，或者能够通过贴合来形成密封膜。
通过这样的密封膜或密封基板，能够防止来自外部的氧或水混入发光元件内，提高光源的寿命。另外，在将光源和荧光体基板10粘合时，能够通过一般的紫外线固化树脂、热固化树脂等的粘接剂层粘接。
另外，在荧光体基板10上直接形成光源时，例如能够举例将氮气、氩气等不活泼气体用玻璃板、金属板等密封的方法。进而，在封入的不活泼气体中混入氧化钡等吸湿剂等时，能够有效地减小水分对有机EL的影响，因而优选。但是，本实施方式并不限定于这些部件或形成方法。另外，在将光从基板9的相反侧取出时，需要使用密封膜、密封基板和光透射性材料。
另外，在图1的显示装置100中，也可以在光取出侧设置偏光板。作为偏光板，能够使用将现有技术的直线偏光板和λ/4板组合而成的偏光板。在此，通过设置偏光板，能够防止来自显示装置100的电极的外部光反射、基板1、9或者密封基板的表面的外部光反射，能够使显示装置100的对比度提高。
[第二实施方式]
以下，使用图10和图11对本发明的第二实施方式进行说明。
本实施方式的显示装置的基本结构与第一实施方式相同，分隔壁的结构与第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，省略显示装置的基本结构的说明，仅对分隔壁进行说明。
图10是第二实施方式的显示装置100A的剖视示意图。
在第一实施方式中，在分隔壁7的内部分散有光散射性颗粒7a。与此相对，本实施方式的分隔壁17，如图10所示，与分隔壁17的荧光体层3R、3G、3B接触的部分（分隔壁17的侧面）为凹凸形状。其他的结构与第一实施方式是同样的。即，分隔壁17由树脂形成。分隔壁17也可以是白色抗蚀剂。分隔壁17的材料与第一实施方式中记载的分隔壁7中包含的树脂材料相同即可。
此外，在本实施方式中，仅分隔壁17的侧面是凹凸形状的，但并不限定于此。例如，分隔壁17的整个表面可以（分隔壁17的侧面加上分隔壁17的上表面）是凹凸形状。即，分隔壁17的至少与荧光体层3R、3G、3B接触的部分具有光散射性即可。
图11是用于对第二实施方式的显示装置100A的分隔壁17的作用进行说明的示意图。
在本实施方式中，如图11所示，荧光体层3的侧面为凹凸形状，因此在荧光体层3产生的荧光L2因与分隔壁17接触的部分的凹凸形状17而散射，荧光L2难以被分隔壁17吸收。因此，能够使在荧光体层3产生的荧光L2被分隔壁17吸收所导致的荧光L2的损失减小，能够将荧光L2充分地取出至外部。
在本实施方式中，分隔壁17的侧面是凹凸形状即可，分隔壁17也可以含有光散射性颗粒7a。
[第三实施方式]
以下，使用图12对本发明的第三实施方式进行说明。
本实施方式的显示装置100B的基本结构与第一实施方式相同，在基板1与荧光体层3之间设置有彩色滤光片4，在分隔壁7设有黑色层5、6，在这些方面与第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，省略显示装置100B的基本结构的说明。
图12是第三实施方式的显示装置100B的剖视示意图。
在本实施方式的显示装置100B中，在基板1与红色荧光体层3R之间设置有红色彩色滤光片4R。在基板1与绿色荧光体层3G之间设置有绿色彩色滤光片4G。在基板1与蓝色荧光体层3B之间设置有蓝色彩色滤光片4B。由此能够提高色度。
在分隔壁7的上表面设有第一黑色层5。由此能够抑制向相邻像素的光泄漏而避免混色的发生。此外，第一黑色层5的厚度比分隔壁7的厚度薄。例如，第一黑色层5的厚度为0.01μm～3μm左右。另外，第一黑色层5的宽度与分隔壁7的宽度为同等的宽度。
在分隔壁7的下表面（基板1与分隔壁7之间）设置有第二黑色层6。由此，能够提高对比度。此外，第二黑色层6的厚度比分隔壁7的厚度薄。例如，第二黑色层6的厚度，与第一黑色层5的厚度同样为0.01μm～3μm左右。另外，第二黑色层6的宽度比分隔壁7的宽度大。
对于第二黑色层6和分隔壁7的横宽，优选第二黑色层的宽度比分隔壁7的宽度大。由此，在看到画面时，分隔壁7被第二黑色层6遮蔽，能够提高对比度。
对于第二黑色层6和彩色滤光片4的膜厚，优选彩色滤光片4的膜厚大于第二黑色层6的膜厚。彩色滤光片4的膜厚小于第二黑色层6的膜厚时，荧光体层3的侧面与第二黑色层6接触。由此会发生从荧光体3发出的光被第二黑色层6吸收，光取出效率降低的现象。
此外，在本实施方式中，在分隔壁7的上表面和下表面这两者设置有黑色层，但并不限定于此。例如，黑色层可以仅设置在分隔壁7的上表面，也可以仅设置于下表面。
[第四实施方式]
以下，使用图13对本发明的第四实施方式进行说明。
本实施方式的显示装置100C的基本结构与第一实施方式相同，在平坦化层8的上表面设置有带通滤光片12，在这方面与第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，省略显示装置100C的基本结构的说明。
图13是第四实施方式的显示装置100C的剖视示意图。
在本实施方式的显示装置100C中，在荧光体基板10的各荧光体层3R、3G、3B的上表面形成有平坦化层8。在平坦化层8和分隔壁7的上表面，设置有带通滤光片12。
带通滤光片12具有使蓝色区域的光（波长435nm～480nm的范围内的光）透射且将从绿色到近红外区域的光（上述蓝色区域的波长的范围外的光）反射的功能。带通滤光片12由例如金、银等的薄膜或者电介质多层膜构成。由此，从发光元件2射出的蓝色光能够透过带通滤光片12，在荧光体层3波长变换，使得发出绿色光或红色光。进而，带通滤光片12使朝向该带通滤光片12的绿色光、红色光再次向荧光体层侧反射，因此能够高效率利用绿色光32、红色光33。
此外，在本实施方式中，在平坦化层8的上表面设置有带通滤光片12，但并不限定于此。例如，也可以不设置平坦化层8，而是将带通滤光片设置于在分隔壁7的开口部形成的各荧光体层3R、3G、3B的上表面。即，带通滤光片设置在发光元件2与荧光体基板10之间即可。
[第五实施方式]
图14是第五实施方式的显示装置300的剖视示意图。显示装置300是在荧光体基板10与光源11之间，装入有作为光学元件的液晶元件90的结构例。在图14中，对于与第一实施方式的显示装置100共同的结构元素，标注相同的附图标记，省略详细的说明。
本实施方式的显示装置300具备荧光体基板10、有机EL元件基板11（光源）和液晶元件90。荧光体基板10的结构与第一实施方式是同样的。
有机EL元件基板11的层叠构造与第一实施方式中图5所示的情况同样。但是，在第一实施方式中，向与各像素对应的有机EL元件个别地供给驱动信号，各有机EL元件独立地受到发光、不发光的控制，但在本实施方式中，有机EL元件2B不按照每个像素分割，而是作为所有像素共用的面状光源起作用。另外，液晶元件90能够按每个像素对使用一对电极93、94施加至液晶层98的电压进行控制，按每个像素对从有机EL元件2B的整个面射出的光的透射率进行控制。即，液晶元件90具有按每个像素有选择地使从有机EL元件基板11射出的光透射的光栅的功能。
本实施方式的液晶元件90，能够使用公知的液晶元件，例如包括一对偏光板91、92，电极93、94，取向膜95、96，基板97，在取向膜95、96之间夹着液晶层98。进而，在液晶单元与偏光板91、92中的一片之间配置有1片光学各向异性层，或者在液晶单元与两片偏光板91、92之间配置有两片光学各向异性层。作为液晶单元的种类，没有特别的限制，能够根据目的适当选择，可列举例如TN模式、VA模式、OCB模式、IPS模式、ECB模式等。另外，液晶元件90可以是无源驱动，也可以是使用TFT等的开关元件的有源驱动。
荧光体基板10、液晶元件90和光源11通过粘接剂层14粘合，从而一体化。即，形成有荧光体基板10的荧光体层3R、3G、3B的面与液晶元件90的偏光板91通过粘接剂层14粘合，形成有光源11的有机EL元件2B的面和液晶元件90的偏光板92通过粘接剂层14粘合。
作为偏光板91、92，优选至少其中一方为波长435nm以上480nm以下时的消光比为10000以上的偏光板。消光比例如能够通过使用格兰-汤普森棱镜的旋转检偏法测定。消光比作为偏光板91和偏光板92各自固有的性能体现，按照下面的方式定义。
消光比=（偏光板透射轴方向的偏振透射率）/（偏光板吸收轴方向的偏振透射率）
此外，偏振透射率是指使用格兰-汤普森棱镜，射入理想的偏振光时的透射率。
但是，在现有的液晶中，对比度、透射率一般主要针对550nm的区域进行最优设计，现有液晶显示器中使用的碘偏光板对于490nm以下的短波长区域的消光比为2000～3000左右（绿色区域、红色区域的消光比为10000左右）。与此相对，本实施方式的使用蓝色光背光源的蓝色激发方式显示器用的偏光板，能够针对蓝色区域进行最优设计，因此使用蓝色区域的消光比为10000以上的偏光板。
这样，通过使用消光比高的偏光板，能够提高面板的对比度。另外，消光比高的偏光板的透射率也高，因此能够提高背光源的光利用效率，能够实现低耗电化。
[电子设备的例子]
作为具备上述实施方式的显示装置的电子设备的例子，能够举出图15A所示的便携式电话、图15B所示的电视接收装置等。
图15A所示的便携式电话1000具备主体1001、显示部1002、声音输入部1003、声音输出部1004、天线1005、操作开关1006等，显示部1002使用上述实施方式的显示装置。
图15B所示的电视机接收装置1100具备主体机壳1101、显示部1102、扬声器1103、基座1104等，显示部1102使用上述实施方式的显示装置。
在这样的电子设备中，因为使用了上述实施方式的显示装置，因此能够实现显示品质优秀的低耗电的电子设备。
另外，本发明的一个实施方式的显示装置能够应用于例如图16A所示的便携式游戏机。图16A所示的便携式游戏机1200具备操作按钮1201、LED灯1202、壳体1203、显示部1204、红外线端口1205等。而且，作为显示部1204，适宜应用前述实施方式的显示装置。通过将本发明的一个实施方式的显示装置应用于便携式游戏机1200的显示部1204，能够以较少的耗电显示对比度高的视频。
另外，本发明的一个实施方式的显示装置能够应用于例如图16B所示的笔记本电脑。如图16B所示的笔记本电脑1300，包括键盘1301、定位设备1302、壳体1303、显示部1304、摄像头1305、外部连接端口1306、电源开关1307等。而且，作为该笔记本电脑1300的显示部1304，能够适合应用前述实施方式的显示装置。通过将本发明的一个实施方式的显示装置应用于笔记本电脑1300的显示部1304，能够实现以较少的耗电显示对比度高的视频的笔记本电脑1300。
另外，本发明的一个实施方式的显示装置能够应用于例如图17A所示的吊灯。图17A所示的吊灯1400具备照明部1401、吊具1402和电源线1403等。而且，作为照明部1401，能够适宜地应用前述实施方式的显示装置。通过将本发明的一个实施方式的显示装置应用于吊灯1400的照明部1401，能够以较少的耗电得到色调自由的照明光，能够实现光显色性高的照明器具。另外，能够实现以均匀的照度进行色纯度高的面发光的照明器具。
另外，本发明的一个实施方式的显示装置能够应用于例如图17B所示的立灯。图17B所示的立灯1500具备照明部1501、基座1502、电源开关1503和电源线1504等。而且，作为照明部1501，能够适宜地应用本发明的显示装置。通过将本发明的一个实施方式的显示装置应用于立灯1500的照明部1501，能够以较少的耗电得到色调自由的照明光，能够实现光显色性高的照明器具。另外，能够实现以均匀的照度进行色纯度高的面发光的照明器具。
实施例
以下，通过实施例和比较例，对本发明的实施方式进行更详细的说明，但本发明的方式不限定于这些例子。
（比较例1）
如图18A所示，作为基板101，使用0.7mm的玻璃。将其水洗后，进行10分钟纯水超声波清洗，进行10分钟丙酮超声波清洗，进行5分钟异丙醇蒸气清洗，在100℃干燥1小时。
接着，在基板101上，将Cr（铬）或Cr/氧化Cr的多层膜等的金属或碳颗粒分散于感光性树脂而得的光致抗蚀剂，以像素间距500μm、线宽50μm进行图案形成，制成将点分割的膜厚50μm的黑矩阵102。
接着，如图18B至图18D所示，在由黑矩阵102划分的区域中，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色光散射层113。
在红色荧光体层111的形成工序中，首先，在平均粒径4μm的红色荧光体CaS：Eu20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成红色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的红色荧光体形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚25μm图案形成（图18B）折射率1.6的红色荧光体层111。
在绿色荧光体层112的形成工序中，首先，在平均粒径4μm的绿色荧光体Ga2SrS4：Eu20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成绿色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的绿色荧光体形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚25μm图案形成（图18C）折射率1.6的绿色荧光体层112。
在蓝色光散射层113的形成工序中，在1.5μm的二氧化硅颗粒（折射率：1.65）20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成蓝色散射体层形成用涂液。
然后，将制成的蓝色散射体层形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。
继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚50μm形成（图18D）折射率1.6的蓝色光散射层113。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的前表面的光取出的效率。其结果为光取出效率是43%。
（比较例2）
通过与比较例1同样的方法，在基板101上制作黑矩阵（分隔壁）102。接着，在由黑矩阵102划分的区域中，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色荧光体层113。
在红色荧光体层111的形成工序中，首先，在路玛近红F305、0.05g中加入溶解了10wt%的聚乙烯而得的甲苯溶液100g，加热搅拌而制成红色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的红色荧光体形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，图案形成（图18B）红色荧光体层。
在绿色荧光体层112的形成工序中，首先，在路玛近黄F083、0.05g中加入溶解了10wt%的聚乙烯而得的甲苯溶液100g，加热搅拌而制成绿色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的绿色荧光体形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，图案形成（图18C）绿色荧光体层。
在蓝色光散射层113的形成工序中，首先，将作为光散射颗粒的平均粒径200nm的氧化钛5g加入至作为粘接剂树脂的帝人杜邦（公司）制树脂“LuxPrint8155”30g中，进而添加折射率1.21的粒径20nm的中空二氧化硅10g，由自动研钵进行30分钟的充分研磨混合后，使用PRIMIX公司制分散搅拌装置“FILMIX40-40型”搅拌15分钟，制成蓝色光散射层形成用涂液。
接着，将制成的蓝色光散射层形成用涂液利用滴注法图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，图案形成（图18D）蓝色荧散射体层113。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的整个表面的光取出的效率。其结果为光取出效率是42%。
（实施例1）
如图19A所示，与比较例1同样地，作为基板101，使用0.7mm的玻璃。将其水洗后，进行10分钟纯水超声波清洗，进行10分钟丙酮超声波清洗，进行5分钟异丙醇蒸气清洗，在100℃干燥1小时。
首先，作为分隔壁103的材料，使用对由环氧类树脂（折射率1.59）、丙烯酸类树脂（折射率1.49）、金红石型氧化钛（折射率2.71、粒径250nm）、光聚合引发剂、芳香族类溶剂形成的白色感光性组成物进行搅拌混合而成的负型抗蚀剂。
接着，在基板101上，使用旋涂机涂布负型抗蚀剂。然后，在80℃下进行10分钟的预烘焙，形成膜厚50μm的涂膜。在该涂膜上覆盖能够形成所期望的图像图案的掩模（像素间距500μm、线宽50μm）后照射i射线（300mJ/cm2），进行曝光。接着，使用碱性显影液进行显影，得到像素图案状的构造物。接着，使用热风循环式干燥炉，在140℃下进行60分钟后烘焙，制作将点分割的分隔壁103。此外，经测定分隔壁103的反射率为96.5%。
接着，如图19B至图19D所示，与比较例1同样地，在由分隔壁103划分的区域，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色光散射层113。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的前表面的光取出效率。其结果是，光取出效率为67%，观测到了光取出效率提高至比较例1的1.56倍。
（实施例2）
如图20A所示，与比较例1同样地，作为基板101，使用0.7mm的玻璃。将其水洗后，进行10分钟纯水超声波清洗，进行10分钟丙酮超声波清洗，进行5分钟异丙醇蒸气清洗，在100℃干燥1小时。
首先，作为黑色分隔壁材料，使用旋涂机涂布东京应化公司制的BK抗蚀剂。然后，在70℃下进行15分钟的预烘焙，形成膜厚1μm的涂膜。在该涂膜上覆盖能够形成所期望的图像图案的掩模（像素间距500μm、线宽50μm）后，照射i射线（100mJ/cm2），进行曝光。接着，作为显影液，使用碳酸钠水溶液进行显影，利用纯水进行清洗处理，得到像素图案状的构造物。接着，使用旋涂机涂布负型抗蚀剂，该负型抗蚀剂为实施例1记载的白色分隔壁材料。然后，在70℃下进行15分钟的预烘焙，形成膜厚30μm的涂膜。在该涂膜上，与形成于下层的黑色分隔壁对准地覆盖能够形成所期望的图像图案的掩模（像素间距500μm、线宽50μm），照射i射线（300mJ/cm2），进行曝光。
接着，作为显影液，使用碳酸钠水溶液进行显影，利用纯水进行清洗处理，得到像素图案状的构造物。接着，使用热风循环式干燥炉，在140℃下进行60分钟后烘焙，制作将点分割的膜厚30μm的分隔壁104。此外，经测定分隔壁104的反射率为89.6%。
在由这样形成的分隔壁划分的区域中，如图20B所示，利用喷墨法分别形成1μm厚的红色彩色滤光片109R、绿色彩色滤光片109G、蓝色彩色滤光片109B。
接着，如图20C至图20E所示，与比较例1同样地，在由分隔壁104划分的区域中，图案形成红色荧光体层121、绿色荧光体层122、蓝色光散射层123。
接着，为了将得到的荧光体基板上形成的表面高度不均衡抑制为最小限度，利用旋涂法将丙烯酸树脂以厚度20μm涂布在基板101的整个表面，接着在120℃下加热30分钟，由此形成平坦化层124（图20F）。
然后，为了提高光取出效率，使用热固化性弹性体，将波长460nm的光的透射率为85%、波长480nm以上的可见光的透射率为5%以下的带通滤光片125，粘合（参照图20G）在平坦化层124上。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的前表面的光取出效率。其结果是，光取出效率为65%，观测到了光取出效率提高至比较例1的1.51倍。
（实施例3）[蓝色LED+荧光体方式]
图21是实施例3的显示装置400的剖视示意图。本实施例的显示装置400具备荧光体基板10、LED背光源411和液晶元件90。
LED背光源411具备LED激发光源412、导光板413。
在具有半值宽度为10度的指向性的蓝色LED（峰值波长450nm）的面光源上，形成由第一偏光板、第一基板、一对透明电极所夹的液晶层和保护膜、第二偏光板构成的液晶面板。第一偏光板、第二偏光板在波长为435nm以上480nm以下时的消光比为12000。液晶的驱动为使用TFT的有源矩阵驱动方式。使用热固化性透明弹性体将使蓝色区域的光透过且将从绿色到近红外区域的光反射的带通滤光片贴合到第二基板上。进而在该基板贴合以实施例2的方法制成的荧光体基板。能够得到能进行全彩色显示、图像良好、视野角特性良好的图像。
（实施例4）
如图22A所示，与比较例1同样地，作为基板101，使用0.7mm的玻璃。将其水洗后，进行10分钟纯水超声波清洗，进行10分钟丙酮超声波清洗，进行5分钟异丙醇蒸气清洗，在100℃干燥1小时。
首先，使用涂料器，在基板101上以厚度30μm涂布玻璃膏105，并使其干燥。接着，在干燥的玻璃膏105上层压干膜抗蚀剂（东京应化工业制造，NB-235），通过光掩模进行曝光。接着，使用碳酸钠水溶液，进行喷射显影。由此，制成耐喷性图案106（图22B）。接着，将S-9#1200（不二制作所制造不锈钢制磨料）作为磨料，利用喷砂法，隔着耐喷性图案106，从干燥的玻璃膏105的垂直方向进行喷射处理。然后，使用氢氧化钠水溶液剥离耐喷性图案。然后，以峰值温度550℃、保持时间13分钟、全烧制时间2小时的条件，进行烧制。这样，形成在侧面设置有顶点间隔约500nm的细微的凹凸构造的分隔壁107（图22C）。此时的分隔壁的膜厚为约30μm。此外，经测定，分隔壁107的反射率为91%。
接着，如图22D至图22F所示，与比较例1同样地，在由分隔壁107划分的区域，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色光散射层113。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的前表面的光取出效率。其结果是，光取出效率为67%，观测到了光取出效率提高至比较例1的1.56倍。
（实施例5）
如图19A所示，与实施例1同样地，作为基板101，使用0.7mm的玻璃。将其水洗后，进行10分钟纯水超声波清洗，进行10分钟丙酮超声波清洗，进行5分钟异丙醇蒸气清洗，在100℃干燥1小时。
首先，作为分隔壁103的材料，使用对由环氧类树脂（折射率1.59）、丙烯酸类树脂（折射率1.49）、金红石型氧化钛（折射率2.71、粒径250nm）、光聚合引发剂、芳香族类溶剂形成的白色感光性组成物进行搅拌混合而成的负型抗蚀剂。
接着，在基板101上，使用旋涂机涂布负型抗蚀剂。然后，在80℃下进行10分钟的预烘焙，形成膜厚50μm的涂膜。在该涂膜上覆盖能够形成所期望的图像图案的掩模（像素间距500μm、线宽50μm）后照射i射线（300mJ/cm2），进行曝光。接着，使用碱性显影液进行显影，得到像素图案状的构造物。接着，使用热风循环式干燥炉，在140℃下进行60分钟后烘焙，制作将点分割的分隔壁103。此外，经测定，分隔壁103的反射率为96.5%。
接着，如图19B至图19D所示，与实施例1同样地，在由分隔壁103划分的区域，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色荧光体层113。
在红色荧光体层111的形成工序中，首先，在平均粒径4μm的红色荧光体CaAlSiN3：Eu20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成红色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的红色荧光体形成用涂液，利用滴注法，图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚25μm图案形成（图19B）折射率1.6的红色荧光体层111。
在绿色荧光体层112的形成工序中，首先，在平均粒径4μm的绿色荧光体SrGa2S4：Eu20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成绿色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的绿色荧光体形成用涂液，利用滴注法，图案涂布在由黑矩阵102划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚25μm图案形成（图19C）折射率1.6的绿色荧光体层112。
在蓝色荧光体层113的形成工序中，首先，在平均粒径4μm的蓝色荧光体Sr10（PO4）6C12:Eu20g中加入10wt%聚乙烯醇水溶液30g，通过分散机搅拌而制成蓝色荧光体形成用涂液。
接着，将制成的蓝色荧光体形成用涂液，利用滴注法，图案涂布在由分隔壁划分的区域。继续以真空烤箱（200℃，10mmHg的条件）进行4小时加热干燥，以膜厚25μm图案形成折射率1.6的蓝色荧光体层。（图19D）。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长400nm的激发光，测定荧光体基板的前表面的光取出效率。其结果是，光取出效率为64%，观测到了光取出效率提高至比较例1的1.49倍。
（实施例6）
通过与实施例5同样的方法，在基板101上形成光散射性的分隔壁103。
接着，使用与比较例2同样的荧光体形成用涂布液，通过同样的滴注法，在由分隔壁103划分的区域，图案形成红色荧光体层111、绿色荧光体层112、蓝色荧光体层113。
由此完成荧光体基板。
最后，使用全光束测定系统（大塚电子公司制Halfmoon），从该荧光体基板的背面照射波长460nm的激发光，测定荧光体基板的整个表面的光取出效率。其结果是，光取出效率为61%，观测到了光取出效率提高至比较例2的1.45倍。
产业上的可利用性
本发明的实施方式能够利用于荧光体基板、显示装置和电子设备领域。
附图标记说明
1…基板，2…发光元件，3R…红色荧光体层，3G…绿色荧光体层，3B…蓝色荧光体层，4R、4G、4B…彩色滤光片，5、6…黑色层，7、17…分隔壁，7a…光散射性颗粒，9…基板，10…荧光体基板，11…光源，12…带通滤光片，13…与基板相对配置的基板，14…粘接层，51…TFT（驱动元件），70…有机EL元件基板（光源），90…液晶元件，91、92…偏光板，100、100A、200、300…显示装置，1000…便携式电话机（电子设备），1100…电视机接收装置（电子设备），1200…便携式游戏机（电子设备），1300…笔记本电脑（电子设备），1400…吊灯（电子设备），1500…立灯（电子设备），L1…激发光，L2…荧光，PR…红色像素，PG…绿色像素，PB…蓝色像素
Claims (17)
1.一种荧光体基板，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上，通过入射的激发光产生荧光的荧光体层；和
包围所述荧光体层的侧面的分隔壁，
所述分隔壁的至少与所述荧光体层接触的部分具有光散射性。
2.如权利要求1所述的荧光体基板，其特征在于：
所述分隔壁的至少与所述荧光体层接触的部分由包含树脂和光散射性颗粒的材料形成。
3.如权利要求1所述的荧光体基板，其特征在于：
所述分隔壁的至少与所述荧光体层接触的部分是白色的。
4.如权利要求1所述的荧光体基板，其特征在于：
所述分隔壁的至少与所述荧光体层接触的部分为凹凸形状。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1所述的荧光体基板；和
射出照射至所述荧光体层的激发光的光源。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述荧光体基板包含多个像素，该多个像素至少包括利用红色光进行显示的红色像素、利用绿色光进行显示的绿色像素和利用蓝色光进行显示的蓝色像素，
从所述光源射出作为所述激发光的紫外光，
所述荧光体层包括：作为所述红色像素设置的将所述紫外光作为所述激发光而发出红色光的红色荧光体层；作为所述绿色像素设置的将所述紫外光作为所述激发光而发出绿色光的绿色荧光体层；和作为所述蓝色像素设置的将所述紫外光作为所述激发光而发出蓝色光的蓝色荧光体层。
7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述荧光体基板包含多个像素，该多个像素至少包括利用红色光进行显示的红色像素、利用绿色光进行显示的绿色像素和利用蓝色光进行显示的蓝色像素，
从所述光源射出作为所述激发光的蓝色光，
所述荧光体层包括：作为所述红色像素设置的将所述蓝色光作为所述激发光而发出红色光的红色荧光体层；和作为所述绿色像素设置的将所述蓝色光作为所述激发光而发出绿色光的绿色荧光体层，
所述荧光体基板包括使所述蓝色光散射的散射层作为所述蓝色像素。
8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述光源是有源矩阵驱动方式的光源，所述光源具备：与所述多个像素对应设置的多个发光元件；和分别驱动所述多个发光元件的多个驱动元件。
9.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述光源是有源矩阵驱动方式的光源，所述光源具备：与所述多个像素对应设置的多个发光元件；和分别驱动所述多个发光元件的多个驱动元件。
10.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述光源包括发光二极管、有机电致发光元件、无机电致发光元件。
11.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述光源为从光射出面射出光的面状光源，
在所述面状光源与所述荧光体基板之间，设置有能够按每个所述像素控制从所述面状光源射出的光的透射率的液晶元件。
12.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述光源具有指向性。
13.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
在所述光源与所述荧光体基板之间，设置有波长为435nm以上480nm以下时的消光比为10000以上的偏光板。
14.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
在所述荧光体层的上表面或下表面设置有彩色滤光片。
15.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
在所述分隔壁的上表面和下表面中的至少一者设置有黑色层。
16.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
在所述光源与所述荧光体基板之间，设置有使蓝色区域的光透射且将从绿色至近红外区域的光反射的带通滤光片。
17.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求5所述的显示装置。
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