CN114256297A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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- CN114256297A CN114256297A CN202011022085.5A CN202011022085A CN114256297A CN 114256297 A CN114256297 A CN 114256297A CN 202011022085 A CN202011022085 A CN 202011022085A CN 114256297 A CN114256297 A CN 114256297A
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 80
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 19
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置，本发明通过将像素界定层设置成包括至少两层子像素界定层，这样可以采用两次制作工艺完成较厚像素界定层的制作，不会存在单次制作像素界定层存在显影残留的问题，因此本发明解决了由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前，QD-OLED(Quantum dot-Organic Light Emitting Display)面板是一种新兴的显示技术，其工作原理是量子点转换膜和OLED的结合，在原有的OLED屏幕的构架下，多加了一个发光层，通过蓝色OLED发出蓝光，红色和绿色的量子点转换膜发出红光和绿光相结合。
由于QD-OLED面板中的OLED只发出一种颜色，极大的削减了制造难度以及生产成本，同时也拥有比OLED更广的色域覆盖以及亮度表现。简单的说，QD-OLED面板素质能够超越OLED，并且价格远远低于后者，是一个极有前途的显示技术。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，用以解决由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难，相邻像素的量子点墨水发生串扰，以及提供一种光效高的器件结构。
因此，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
衬底基板；
多个子像素区域，呈阵列分布在所述衬底基板上；
发光结构，位于所述衬底基板的一侧，所述发光结构包括与所述子像素区域一一对应的多个发光器件；
封装层，位于所述发光结构背离所述衬底基板的一侧；
像素界定层，位于所述封装层背离所述衬底基板的一侧，且所述像素界定层包括：
多个开口；
至少两层子像素界定层，每一所述子像素界定层具有像素分隔体；所述像素分隔体围设形成所述多个开口的每个，且限定所述多个子像素区域；在所述至少两层子像素界定层中，最远离所述封装层的子像素界定层中的像素分隔体的剖面形状包括正梯形；
量子点彩膜层，包括多个量子点彩膜，设置在对应的所述开口内。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述至少两层子像素界定层包括最靠近所述封装层的第一子像素界定层，以及最远离所述封装层的第二子像素界定层；
所述第一子像素界定层具有第一像素分隔体，所述第一像素分隔体的剖面形状包括倒梯形或矩形；
所述第二子像素界定层具有第二像素分隔体，所述第二像素分隔体的剖面形状包括正梯形。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括包覆所述第一像素分隔体的第一反射结构；所述第一反射结构的材料为金属。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括包覆所述第一像素分隔体以及覆盖所述开口的第一石墨烯层；所述第一石墨烯层具有能与所述量子点彩膜层通过氢键紧密锚定的活性官能团。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括包覆所述第二像素分隔体的第二反射结构；所述第二反射结构的材料为金属。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括包覆所述第一像素分隔体、所述第二像素分隔体并且覆盖所述开口的第二石墨烯层；所述第二石墨烯层具有能与所述量子点彩膜层通过氢键紧密锚定的活性官能团。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第一子像素界定层和所述第二子像素界定层的厚度之和为10um-15um，所述量子点彩膜层的厚度为10um-15um。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第一子像素界定层的颜色为黑色、黄色、灰色或白色其中一种，所述第二子像素界定层的颜色为黑色、黄色、灰色或白色其中一种。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述黄色、所述灰色和所述白色彩膜界定层中具有无机纳米粒子，所述无机纳米粒子用于散射入射至所述像素界定层侧壁的光。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述无机纳米粒子为TiO2、SiO2其中之一或组合。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在所述第一子像素界定层和所述第二子像素界定层中，其中之一颜色为黄色，另一个颜色为灰色。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光器件为蓝色发光器件，所述量子点彩膜层包括红色量子点彩膜、绿色量子点彩膜和散射粒子。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括位于所述像素界定层背离所述衬底基板一侧的挡光彩膜。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，本发明通过将像素界定层设置成包括至少两层子像素界定层，这样可以采用两次制作工艺完成较厚像素界定层的制作，不会存在单次制作像素界定层存在显影残留的问题，因此本发明解决了由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4为氢键示意图；
图5为石墨烯和量子点彩膜层的氢键锚定示意图；
图6-图23为本发明实施例提供的其它种显示面板的结构示意图；
图24为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映显示面板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明是基于发明人的以下认识和发现而完成的：
发明人研究后发现，在采用打印量子点彩膜的显示装置中，如果需要达到较好的色转换能力，量子点彩膜的厚度一般需要10um左右，因而如果能够制备得到具有较大深度镂空区域的像素界定层，则可以明显提高量子点彩膜的色转换能力，进而提高显示装置的显示效果。而目前制备对墨水容纳和限定作用的像素界定层的工艺和材料不能满足10um左右厚度的像素界定层的制备，容易出现显影不完全，导致量子点彩膜对应区域残留像素界定层的材料，从而影响显示。因此在实现提高量子点彩膜的色转换能力的基础上，存在像素界定层材料开发困难的问题。发明人还发现，当该像素界定层需要在OLED发光器件层上直接制作时，由于OLED发光器件不耐高温，需采用低温制程，则像素界定层会存在固化不完全的问题，这样在打印量子点墨水时，相邻像素内的墨水会发生串扰，影响显示效果。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板，如图1所示，包括：
衬底基板1；
多个子像素区域11，呈阵列分布在衬底基板1上；
发光结构2，位于衬底基板1的一侧，发光结构2包括与子像素区域11一一对应的多个发光器件21；
封装层3，位于发光结构2背离衬底基板1的一侧；
像素界定层4，位于封装层3背离衬底基板1的一侧，且像素界定层4包括：
多个开口01；
至少两层子像素界定层(以两层子像素界定层41和42为例)，每一子像素界定层(41和42)具有像素分隔体(对应为411和421)；像素分隔体(411和421)围设形成多个开口41的每个，且限定多个子像素区域11；在至少两层子像素界定层(41和42)中，最远离封装层3的子像素界定层(42)中的像素分隔体(421)的剖面形状包括正梯形；
量子点彩膜层5，包括多个量子点彩膜51，设置在对应的开口01内。
由于现有技术中为了提高量子点彩膜层的色转换能力，需要制作较厚的量子点彩膜层，则需要能够制备得到具有较大深度镂空区域的像素界定层，像素界定层的材料一般为树脂材料，通过曝光显影工艺形成，若像素界定层的厚度较厚，则单次显影则会存在树脂材料残留的问题，而本发明实施例提供的上述显示面板将像素界定层4设置成包括至少两层子像素界定层(41和42)，这样可以采用两次显影工艺完成较厚像素界定层的制作，不会存在单次制作像素界定层存在显影残留的问题，因此本发明解决了由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难的问题；并且，本发明实施例将距离封装层3最远的子像素界定层(42)中的像素分隔体(421)的剖面形状设置为正梯形，可以增大子像素区域11的发光视角，有利于改善显示器件的视角问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，至少两层子像素界定层包括最靠近封装层3的第一子像素界定层41，以及最远离封装层3的第二子像素界定层42；具体地，若量子点彩膜层5的厚度为10um左右，则第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的厚度之和也为10um左右，则第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的厚度可以分别为5um左右，可以采用两次显影工艺分别制作第一子像素界定层41和第二子像素界定层42，单次显影的厚度分别为5um左右，可以解决目前制备对墨水容纳和限定作用的像素界定层的工艺和材料不能满足10um左右厚度的像素膜界定层制备的问题，本发明不会存在现有技术中单次制作10um左右像素界定层存在显影残留的问题，因此本发明解决了由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难的问题；
第一子像素界定层41具有第一像素分隔体411，第一像素分隔体411的剖面形状可以包括倒梯形或矩形；具体地，由于制作工艺的影响，第一像素分隔体411的剖面一般为倒梯形，即第一像素分隔体411制作成剖面呈上宽下窄的倒梯形，本发明实施例也以第一像素分隔体411的剖面为倒梯形为例进行说明；
第二子像素界定层42具有第二像素分隔体421，第二像素分隔体421的剖面形状包括正梯形，即第二像素分隔体421制作成剖面呈上窄下宽的正梯形，这样可以增大子像素区域11的发光视角，有利于改善显示器件的视角问题。
在具体实施时，量子点彩膜层一般采用喷墨打印工艺形成，即将量子点混合在墨水中打印形成，由于发光器件不耐高温，发光器件之后的膜层需采用低温制程(85℃左右)，这样彩膜界定层很难固化完全，膜层致密性较差，内部可能存在一些孔洞，则相邻子像素区域的墨水可能会发生串扰的问题，因此为了避免相邻子像素区域的墨水发生串扰的问题，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图2所示，还包括包覆第一像素分隔体411的第一反射结构6，因此第一反射结构6可以至少阻挡部分墨水在相邻子像素区域11之间发生串扰，从而提高显示效果；第一反射结构6的材料为金属，金属材料一方面可以用来反射光，提升量子点彩膜层5的光效利用率，另一方面可以阻挡墨水在相邻子像素区域11之间进行串扰的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第一反射结构的材料可以为银或铝，第一反射结构的厚度可以为1000nm-5000nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图3所示，还包括包覆第一像素分隔体411以及覆盖开口01的第一石墨烯层7；第一石墨烯层7具有能与量子点彩膜层5通过氢键紧密锚定的活性官能团。具体地，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺沉积一层石墨烯，对石墨烯进行表面等离子体活化处理，使其表面带有大量活性官能团，得到功能化第一石墨烯层7，这样一方面，通过功能化第一石墨烯层7表面的活性官能团，可以将量子点彩膜层5中的量子点紧密地通过氢键锚定在功能化第一石墨烯层7表面，从而形成致密均匀的量子点彩膜层5，进而防止量子点串扰到隔壁子像素区域11，同时也可以提高量子点彩膜层5的成膜均匀性；另外一方面，功能化的第一石墨烯膜层7可以提供更多的印刷位点(即较原来可以锚定更多的量子点)，从而可以在一定程度上减少量子点彩膜层5的厚度，改善原来较复杂的厚膜工艺，同时可以节约材料，降低成本。具体地，氢键的作用结构示意图如图4所示，氢键是指氢原子和电负性大的原子以共价键结合后，和另一个键上电负性大的原子相互吸引，产生的比较强烈的吸引力，以X-H·Y表示。氢键的强弱与X和Y的电负性大小有关，电负性越大，氢键越强，半径越小越能接近X-H，所成氢键也就越强，因此F-H·F是最强的氢键。量子点彩膜层5的量子点紧密地通过氢键锚定在功能化第一石墨烯层7表面的具体结构示意图如图5所示，石墨烯表面具有的活性官能团一般包括羟基(-OH)、羧基(-COOH)、氨基(-NH2)等，量子点彩膜层5中量子点表面一般包括大量的配体，其中氟离子(F-)能够与第一石墨烯层7表面的活性官能团形成氢键作用，因此第一石墨烯层7表面的活性官能团能够与量子点彩膜层5通过氢键紧密锚定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第一石墨烯层的厚度可以为100nm-2000nm。
在具体实施时，由于彩膜界定层的厚度与量子点彩膜层的厚度相当，为了完全避免相邻子像素区域内的墨水发生串扰，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图6和图7所示，还包括包覆第二像素分隔体421的第二反射结构8，因此第二反射结构8的设置可以完全阻挡部分墨水在相邻子像素区域11之间发生串扰，从而进一步提高显示效果；第二反射结构8的材料为金属，金属材料一方面可以用来反射光，进一步提升量子点彩膜层5的光效利用率，另一方面可以进一步阻挡墨水在相邻子像素区域11之间进行串扰的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第二反射结构的材料可以为银或铝，第二反射结构的厚度可以为1000nm-5000nm。
在具体实施时，由于彩膜界定层的厚度与量子点彩膜层的厚度相当，为了完全避免相邻子像素区域内的墨水发生串扰，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图8和图9所示，还包括包覆第一像素分隔体411、第二像素分隔体421并且覆盖开口01的第二石墨烯层9；第二石墨烯层9具有能与量子点彩膜层5通过氢键紧密锚定的活性官能团。具体地，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺在第二子像素界定层42背离衬底基板1一侧沉积一层石墨烯，对石墨烯进行表面等离子体活化处理，使其表面带有大量活性官能团，得到功能化第二石墨烯层9，这样一方面，通过功能化第二石墨烯层9表面的活性官能团，可以将量子点彩膜层5中的量子点紧密地通过氢键锚定在功能化第二石墨烯层9表面，从而形成致密均匀的量子点彩膜层5，进而防止量子点串扰到隔壁子像素区域11，同时也可以提高量子点彩膜层5的成膜均匀性；另外一方面，功能化的第二石墨烯膜层9可以提供更多的印刷位点(即较原来可以锚定更多的量子点)，从而可以在一定程度上减少量子点彩膜层5的厚度，改善原来较复杂的厚膜工艺，同时可以节约材料，降低成本。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第二石墨烯层的厚度可以为100nm-2000nm。
在具体实施时，为了提高量子点彩膜层的色转换能力，以提升量子点彩膜层光效利用率，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1-图3、图6-图9所示，第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的厚度之和为10um-15um，量子点彩膜层5的厚度为10um-15um。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1-图3、图6-图9所示，第一子像素界定层41的厚度可以为2um-8um；第二子像素界定层42的厚度可以为2um-8um。第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的材料可以为丙烯酸的树脂。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第一子像素界定层的颜色可以为黑色、黄色、灰色或白色其中一种，第二子像素界定层的颜色可以为黑色、黄色、灰色或白色其中一种。具体地，黑色界定层吸收光的能力比黄色、灰色或白色界定层吸收光的能力强，若想提高量子点彩膜层发光的效率，可以将像素界定层的颜色设置为黄色、灰色或白色，若想避免外界环境光对显示器件的影响，则显示界定层的颜色可以设置为黑色，根据实际需要进行选择。例如，如图1-图3，图6-图9所示，第一子像素界定层41的颜色为黑色，第二子像素界定层42的颜色为黄色；如图10-图16所示，第一子像素界定层41的颜色为黑色，第二子像素界定层42的颜色为灰色；如图17-图23所示，第一子像素界定层41的颜色为灰色，第二子像素界定层42的颜色为黄色。当然，第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的颜色还可以为其它组合，在此不做一一列举。
需要说明的是，图10-图16所示的结构与图1-图3、图6-图9所示的结构一一对应相同，区别在于第二子像素界定层42的颜色不同；图17-图23所示的结构与图1-图3、图6-图9所示的结构一一对应相同，区别在于第一子像素界定层41和第二子像素界定层42的颜色对应不同。
在具体实施时，高发光效率是显示器件追求的主要性能，因此为了提高提量子点彩膜层发光的利用率，在本发明实施例提供的上述显示面板中，黄色、灰色和白色彩膜界定层中可以具有无机纳米粒子，无机纳米粒子一般具有散射作用，无机纳米粒子用于散射入射至像素界定层侧壁的光，因此采用掺杂有无机纳米粒子的黄色、灰色和白色彩膜界定层，可以提高量子点彩膜层的光效利用率，提高显示效果。
具体地，无机纳米粒子的粒径可以为50nm-400nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，无机纳米粒子可以为TiO2、SiO2其中之一或组合。当然，无机纳米粒子也可以为其它具有反射作用的材料，在此不做一一列举。
本案的发明人对采用不同颜色的子像素界定层对提升量子点彩膜层光效的影响进行了实验，实验结果如下表所示：
上表中Bank是指子像素界定层。
基于上表采用灰色和黄色子像素界定层的光学数据，本发明优选灰色和黄色的子像素界定层进行排列组合，这样可以较黑色子像素界定层提升约100％的光效。因此，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在第一子像素界定层和第二子像素界定层中，其中之一颜色为黄色，另一个颜色为灰色。例如，如图17-图23所示，第一子像素界定层41的颜色为灰色，第二子像素界定层42的颜色为黄色；当然，也可以第一子像素界定层41的颜色为黄色，第二子像素界定层42的颜色为灰色。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1-图3、图6-图23所示，发光器件21为蓝色发光器件，量子点彩膜层5包括红色量子点彩膜(QD-R)、绿色量子点彩膜(QD-G)和散射粒子。由于采用红绿蓝三基色实现发光，而发光器件21为蓝色发光器件，因此蓝色量子点彩膜对应位置无需设置蓝色量子点彩膜，填充散射粒子即可，散射粒子可以起到提升发光视角的作用。
在具体实施时，OLED显示装置处于熄屏状态时，为了提升产品档次和市场竞争力，需要显示装置从外界向内看时视区更黑，由于环境光中存在蓝光，在熄屏状态时环境光中的蓝光会激发量子点彩膜层发光，因此在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1-图3、图6-图23所示，还包括位于像素界定层4背离衬底基板1一侧的挡光彩膜10，具体地，与红色量子点彩膜(QD-R)对应的位置处设置红色挡光彩膜(CF-R)，与绿色量子点彩膜(QD-G)对应的位置处设置绿色挡光彩膜(CF-G)，与散射粒子对应的位置处设置蓝色挡光彩膜(CF-B)，以用于在熄屏状态时阻挡外界环境光中的蓝光，提升产品性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1-图3、图6-图23所示，还包括：位于衬底基板1和发光结构2之间的TFT驱动背板12，位于所述TFT驱动背板12和发光结构2之间的阳极13和像素定义层14，以及位于发光结构2和封装层3之间的阴极15。
具体地，TFT驱动背板可以包括一基板、形成于基板上的缓冲层、形成于缓冲层上的低温多晶硅层、形成于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极层、形成于栅极层上的层间绝缘层、形成于层间绝缘层上的源漏金属层、在源漏金属层上形成平坦层，而后在平坦层上形成阳极、在阳极上形成像素定义层、在像素定义层上形成隔垫物层。
具体地，发光结构2包括发光层，通过TFT驱动背板12向阳极13输入阳极电压，阴极15输入阴极电压，即在外界电压的驱动下，由阴极15注入的电子和阳极13注入的空穴在发光层中复合形成处于束缚能级的电子空穴对即激子，激子辐射退激发出光子，产生可见光。
当然，本公开实施例提供的显示面板还可以包括本领域技术人员熟知的其他功能性膜层，在此不做详述。
本发明实施例提供的显示面板可以解决目前量子点彩膜膜厚较厚，像素界定层材料开发困难，量子点墨水发生相邻像素串扰等问题，除此之外亦可提升光效，是一种新型的关于量子点的器件结构。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为有机发光显示装置。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为如图24所示的全面屏的手机。当然，本公开实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
本发明实施例提供的一种显示面板及显示装置，本发明通过将像素界定层设置成包括至少两层子像素界定层，这样可以采用两次制作工艺完成较厚像素界定层的制作，不会存在单次制作像素界定层存在显影残留的问题，因此本发明解决了由于量子点彩膜膜厚较厚导致像素界定层制作困难的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (14)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
多个子像素区域，呈阵列分布在所述衬底基板上；
发光结构，位于所述衬底基板的一侧，所述发光结构包括与所述子像素区域一一对应的多个发光器件；
封装层，位于所述发光结构背离所述衬底基板的一侧；
像素界定层，位于所述封装层背离所述衬底基板的一侧，且所述像素界定层包括：
多个开口；
至少两层子像素界定层，每一所述子像素界定层具有像素分隔体；所述像素分隔体围设形成所述多个开口的每个，且限定所述多个子像素区域；在所述至少两层子像素界定层中，最远离所述封装层的子像素界定层中的像素分隔体的剖面形状包括正梯形；
量子点彩膜层，包括多个量子点彩膜，设置在对应的所述开口内。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两层子像素界定层包括最靠近所述封装层的第一子像素界定层，以及最远离所述封装层的第二子像素界定层；
所述第一子像素界定层具有第一像素分隔体，所述第一像素分隔体的剖面形状包括倒梯形或矩形；
所述第二子像素界定层具有第二像素分隔体，所述第二像素分隔体的剖面形状包括正梯形。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括包覆所述第一像素分隔体的第一反射结构；所述第一反射结构的材料为金属。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括包覆所述第一像素分隔体以及覆盖所述开口的第一石墨烯层；所述第一石墨烯层具有能与所述量子点彩膜层通过氢键紧密锚定的活性官能团。
5.如权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于，还包括包覆所述第二像素分隔体的第二反射结构；所述第二反射结构的材料为金属。
6.如权利要求2-4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括包覆所述第一像素分隔体、所述第二像素分隔体并且覆盖所述开口的第二石墨烯层；所述第二石墨烯层具有能与所述量子点彩膜层通过氢键紧密锚定的活性官能团。
7.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素界定层和所述第二子像素界定层的厚度之和为10um-15um，所述量子点彩膜层的厚度为10um-15um。
8.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素界定层的颜色为黑色、黄色、灰色或白色其中一种，所述第二子像素界定层的颜色为黑色、黄色、灰色或白色其中一种。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述黄色、所述灰色和所述白色彩膜界定层中具有无机纳米粒子，所述无机纳米粒子用于散射入射至所述像素界定层侧壁的光。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述无机纳米粒子为TiO2、SiO2其中之一或组合。
11.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，在所述第一子像素界定层和所述第二子像素界定层中，其中之一颜色为黄色，另一个颜色为灰色。
12.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件为蓝色发光器件，所述量子点彩膜层包括红色量子点彩膜、绿色量子点彩膜和散射粒子。
13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述像素界定层背离所述衬底基板一侧的挡光彩膜。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011022085.5A CN114256297A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种显示面板及显示装置 |
| US17/210,733 US11785825B2 (en) | 2020-09-25 | 2021-03-24 | Quantum dot-organic light emitting display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011022085.5A CN114256297A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114256297A true CN114256297A (zh) | 2022-03-29 |
Family
ID=80790276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011022085.5A Pending CN114256297A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11785825B2 (zh) |
| CN (1) | CN114256297A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112133734B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-08-30 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199267A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-10-23 | シャープ株式会社 | 蛍光体基板、表示装置および電子機器 |
| KR102626853B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2024-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US10304813B2 (en) * | 2015-11-05 | 2019-05-28 | Innolux Corporation | Display device having a plurality of bank structures |
| CN112310300A (zh) * | 2019-07-23 | 2021-02-02 | 群创光电股份有限公司 | 发光装置以及制作发光装置的方法 |
| KR20210086867A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 부재 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN111326562B (zh) * | 2020-03-05 | 2023-01-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点显示面板及其制备方法 |
| KR20220022015A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2020
- 2020-09-25 CN CN202011022085.5A patent/CN114256297A/zh active Pending
-
2021
- 2021-03-24 US US17/210,733 patent/US11785825B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11785825B2 (en) | 2023-10-10 |
| US20220102431A1 (en) | 2022-03-31 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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