CN112820837B - 一种显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板，通过在所述显示面板中增加光阻单元，利用光阻单元的高折射率及高透光率，改变入射至黑色矩阵单元的光线的偏折角度，使光线在黑色矩阵单元的边缘处发生偏转，避免光线入射至黑色矩阵单元，被黑色矩阵单元吸收，进而提升发光单元发出的光线的利用效率，提升显示面板的显示亮度，减弱大视角色偏现象。

Description

一种显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术
有机发光半导体(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。
偏光片(英文全称：Polarizer，简称：POL)能够有效地降低强光下面板的反射率，却损失了接近58％的出光。这对于OLED来说，极大地增加了其寿命负担；另一方面，偏光片的厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发。为了开发基于OLED的动态弯折产品，必须导入新材料、新技术以及新工艺替代偏光片。目前，普遍采用彩膜(英文全称：ColorFilter，简称：CF)替代偏光片，此技术被称为POL-less技术，它不仅能降低显示面板的厚度；而且能够将出光率从42％提高至60％。
然而，相对于偏光片，POL-less技术的反射率较高，强光下的对比度较低，不利于室外显示。其中，彩膜由色阻单元以及黑色矩阵单元(英文全称：BlackMatrix，简称：BM)组成。其中，黑色矩阵单元的吸光能力强，在大视角(OD值＞3)下，显示面板的发光单元发出的光线被黑色矩阵单元遮挡，导致显示面板亮度很低，大视角下色偏严重。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板，其能够解决现有的显示面板中存在的发光单元发出的光线被黑色矩阵单元遮挡，导致显示面板亮度低，发光效率低、大视角下色偏严重等问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括：基底；若干个黑色矩阵单元，相互间隔设置于所述基底上，相邻所述黑色矩阵单元之间具有第一间隙；若干光阻单元，在所述第一间隙的两端分别设置所述光阻单元，所述光阻单元覆盖于所述第一间隙内的基底上，且延伸覆盖于所述黑色矩阵单元上；以及若干色阻单元，每一所述色阻单元设置于所述第一间隙内的基底上，且延伸覆盖于所述光阻单元及所述黑色矩阵单元上。
进一步的，其中所述光阻单元的透光率范围为90％-95％。
进一步的，其中所述光阻单元的折射率范围为1.7-1.9。
进一步的，其中所述光阻单元的膜厚与所述黑色矩阵的膜厚的差值范围为0.3um-0.5um。
进一步的，其中所述光阻单元在所述基底上的覆盖宽度范围为3um-5um。
进一步的，其中所述光阻单元还包括：纳米粒子，分布于所述光阻单元中。
进一步的，其中所述纳米粒子的折射率范围为1.7-2.2。
进一步的，其中所述纳米粒子包括：TiO2，Ta2O5，HfO2，ZrO2，Nb2O5，CeO2，ZnS，ZnSe中的一种或多种。
进一步的，其中所述纳米粒子的质量百分比范围为1％-10％。
进一步的，其中所述纳米粒子的粒径范围为100nm-200nm。
本发明的优点是：本发明涉及一种显示面板，通过在所述显示面板中增加光阻单元，利用光阻单元的高折射率及高透光率，改变入射至黑色矩阵单元的光线的偏折角度，使光线在黑色矩阵单元的边缘处发生偏转，避免光线入射至黑色矩阵单元，被黑色矩阵单元吸收，进而提升发光单元发出的光线的利用效率，提升显示面板的显示亮度，减弱大视角色偏现象。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1的显示面板的结构示意图。
图2是本发明实施例1的薄膜晶体管层的结构示意图。
图3是本发明实施例1的黑色矩阵单元和光阻单元的结构放大图；
图4是本发明实施例1的显示面板的制备方法的制备步骤S1的示意图。
图5是本发明实施例1的显示面板的制备方法的制备步骤S2的示意图。
图6是本发明实施例1的显示面板的制备方法的制备步骤S3的示意图。
图7是本发明实施例2的显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
100、显示面板
1、基底 2、黑色矩阵单元
3、光阻单元 4、色阻单元
5、纳米粒子
11、基板 12、薄膜晶体管层
13、发光层 14、触控层
121、有源层 122、栅极绝缘层
123、栅极层 124、层间绝缘层
125、源漏极层
131、发光单元 132、像素定义层
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
实施例1
如图1所示，本实施例提供一种显示面板100，其包括：基底1及若干个黑色矩阵单元2、若干光阻单元3以及若干色阻单元4。
继续参照图1，所述基底1包括：基板11、薄膜晶体管层12、发光层13以及触控层14。
其中，基板11可以采用柔性基板，具有阻隔水氧作用，基板11可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护显示面板100。基板11的材质为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
如图2所示，其中薄膜晶体管层12包括：有源层121、栅极绝缘层122、栅极层123、层间绝缘层124以及源漏极层125。
有源层121设置于所述基板11的上表面，其材质可以为ITZO或者IGZO。有源层121的材质可选用非晶硅，然后通过高温固化法、准分子激光退火法、金属诱导结晶法等方法使非晶硅转化为多晶硅层，然后经过图案化工艺形成有源层121。
栅极绝缘层122设置于所述有源层121上，且延伸至所述基板11上，其主要是用于防止栅极层123与有源层121之间接触产生短路现象。
栅极绝缘层122的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。栅极层123设置于所述栅极绝缘层122上，其材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
层间绝缘层124设置于所述栅极层123上，且延伸至所述栅极绝缘层122上，其主要是防止栅极层123与源漏极层125之间接触产生短路现象。
源漏极层125设置于所述层间绝缘层124上，且通过过孔连接至所述有源层121上，其材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
本实施例的薄膜晶体管层12属于顶栅结构，在其他实施例中，薄膜晶体管层12还可以选择底栅结构。
继续参照图1，所述发光层13包括若干个发光单元131及设置于相邻所述发光单元131之间的像素定义层132。其中，像素定义层132主要是防止相邻发光单元131之间发生光串扰现象。
其中，触控层14包括若干个触控传感器，主要是实现显示面板100的触控显示等。
继续参照图1，黑色矩阵单元2相互间隔设置于所述基底1上。相邻所述黑色矩阵单元2之间具有第一间隙。其中，黑色矩阵单元2主要承担着防止显示面板100漏光与降低显示面板100对外界环境光的反射的作用。
继续参照图1，在所述第一间隙的两端分别设置所述光阻单元3，光阻单元3部分覆盖于所述第一间隙内的基底1上，且延伸覆盖于所述黑色矩阵单元2上。
其中，所述光阻单元3的透光率范围为90％-95％。本实施例中，优选的将所述光阻单元3的透光率设置为92％，在其他实施例中，所述光阻单元3的透光率还可以设置为90％、91％、93％、94％或95％。
其中，所述光阻单元3的折射率范围为1.7-1.9。本实施例中，优选的将所述光阻单元3的折射率设置为1.8，在其他实施例中，所述光阻单元3的折射率还可以设置为1.7、1.75、1.85或1.9。
如图3所示，所述光阻单元3的膜厚与所述黑色矩阵2的膜厚的差值为H。其中，H的范围为0.3um-0.5um。本实施例中H为0.3um。在其他实施例中，H还可以为0.4um或0.5um。继续参照图3，所述光阻单元3在所述基底1上的覆盖宽度为L。其中，L的范围为3um-5um。本实施例中L为3um。在其他实施例中，L还可以为4um或5um。
本实施例通过在所述显示面板100中相邻黑色矩阵单元2之间的第一间隙的两端增加光阻单元3，利用光阻单元3的高折射率及高透光率，改变入射至黑色矩阵单元2的光线的偏折角度，使光线在黑色矩阵单元2的边缘处发生偏转，避免光线入射至黑色矩阵单元2，被黑色矩阵单元2吸收，进而提升发光单元131发出的光线的利用效率，提升显示面板100的显示亮度，减弱大视角色偏现象。
继续参照图1，色阻单元4设置于所述第一间隙内的基底1上，且延伸覆盖于所述光阻单元3及所述黑色矩阵单元2上。
结合图1及图4-6所示，本实施例还提供了本实施例提及的显示面板100的制备方法，包括步骤S1-S4。
S1，如图4所示，提供一基底1。
S2，如图5所示，在所述基底上涂布黑色矩阵单元材料，然后通过黄光工艺形成若干个相互间隔设置于所述基底1上黑色矩阵单元2。
S3，如图6所示，在所述黑色矩阵单元2及所述基底1上涂布光阻单元材料，然后通过黄光工艺图案化处理形成光阻单元3。所述光阻单元3设置在所述第一间隙两端。
S4，如图1所示，在所述光阻单元3及所述黑色矩阵单元2上涂布色阻单元材料，然后通过黄光工艺图案化处理形成色阻单元4。
实施例2
如图7所示，实施例2提供一种显示面板，实施例2包括实施例1的大部分技术特征，实施例2与实施例1的区别在于：所述光阻单元3还包括：纳米粒子5。所述纳米粒子5分布于所述光阻单元3中。
其中，所述纳米粒子5的折射率范围为1.7-2.2。本实施例中，优选的将所述纳米粒子5的折射率设置为1.8，在其他实施例中，所述纳米粒子5的折射率还可以设置为1.7、1.9、2.0、2.1或2.2。
其中，所述纳米粒子5包括：TiO2，Ta2O5，HfO2，ZrO2，Nb2O5，CeO2，ZnS，ZnSe中的一种或多种。
其中，所述纳米粒子5的质量百分比范围为1％-10％。本实施例中，优选的将所述纳米粒子5的质量百分比设置为5％，在其他实施例中，所述所述纳米粒子5的质量百分比还可以设置为1％、3％、8％或10％。
其中，所述纳米粒子5的粒径范围为100nm-200nm。本实施例中，优选的将所述纳米粒子5的粒径设置为150nm，在其他实施例中，所述所述纳米粒子5的粒径还可以设置为100nm、125nm、175nm或200nm。
在本实施例中，通过在所述显示面板100中相邻黑色矩阵单元2之间的第一间隙的两端增加光阻单元3，并且在所述光阻单元3中增加纳米粒子，利用光阻单元3及纳米粒子5的高折射率及高透光率，改变入射至黑色矩阵单元2的光线的偏折角度，使光线在黑色矩阵单元2的边缘处发生偏转，避免光线入射至黑色矩阵单元2，被黑色矩阵单元2吸收，进而提升发光单元131发出的光线的利用效率，提升显示面板100的显示亮度，减弱大视角色偏现象。
以上对本申请所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底；
若干个黑色矩阵单元，相互间隔设置于所述基底上，相邻所述黑色矩阵单元之间具有第一间隙；
若干光阻单元，所述光阻单元的透光率范围为90％-95％；所述光阻单元的折射率范围为1.7-1.9；在所述第一间隙的两端分别设置所述光阻单元，所述光阻单元覆盖于所述第一间隙内的基底上，且延伸覆盖于所述黑色矩阵单元上，用于改变所述显示面板的发光单元发出的光线的偏折角度，使所述显示面板的发光单元发出的光线在所述黑色矩阵单元的边缘处发生偏转，避免所述显示面板的发光单元发出的光线入射至所述黑色矩阵单元被所述黑色矩阵单元吸收；以及
若干色阻单元，每一所述色阻单元设置于所述第一间隙内的基底上，且延伸覆盖于所述光阻单元及所述黑色矩阵单元上；
其中，每一所述黑色矩阵单元两端的所述光阻单元间隔设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光阻单元的膜厚与所述黑色矩阵的膜厚的差值范围为0.3um-0.5um。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光阻单元在所述基底上的覆盖宽度范围为3um-5um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光阻单元还包括：
纳米粒子，分布于所述光阻单元中。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子的折射率范围为1.7-2.2。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子包括：TiO2，Ta2O5，HfO2，ZrO2，Nb2O5，CeO2，ZnS，ZnSe中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子的质量百分比范围为1％-10％。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子的粒径范围为100nm-200nm。
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