CN113391481B - 发光元件装载基板及背光源 - Google Patents

发光元件装载基板及背光源 Download PDF

Info

Publication number
CN113391481B
CN113391481B CN202110239586.7A CN202110239586A CN113391481B CN 113391481 B CN113391481 B CN 113391481B CN 202110239586 A CN202110239586 A CN 202110239586A CN 113391481 B CN113391481 B CN 113391481B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting element
mounting substrate
element mounting
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110239586.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113391481A (zh
Inventor
渡边寿史
安永博敏
京兼庸三
增田岳志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN113391481A publication Critical patent/CN113391481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113391481B publication Critical patent/CN113391481B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133605Direct backlight including specially adapted reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133608Direct backlight including particular frames or supporting means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50Protective arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

发光元件装载基板包括:电路基板,具有主表面;发光元件,装载于所述主表面上,且与所述电路基板电连接;硅系的白色抗蚀剂层,具有包围所述发光元件的第一开口部以及与所述第一开口部不同的第二开口部,且覆盖所述主表面;以及保护层,覆盖所述发光元件、所述硅系的白色抗蚀剂层以及所述第二开口部。

Description

发光元件装载基板及背光源
技术领域
本发明是关于发光元件装载基板及背光源。
背景技术
例如,如日本特开2007-53352号公报公开,在液晶显示装置中使用背光源。背光源具有作为发光元件的一例的发光二极管(LED:Light Emitting Diode)、以及电路基板,所述电路基板印刷有与LED电连接的电路配线。该电路基板的主表面上设置有透明的保护层,使得覆盖LED以及电路配线。保护层保护LED。
另外,在电路基板与保护层之间,为了绝缘构成电路配线的铜箔且提升LED发出的光的放射率,白色抗蚀剂层涂布于整个电路基板的主表面。白色抗蚀剂层设为覆盖电路配线,但是不覆盖LED。因此,白色抗蚀剂层不会妨碍LED发出的光的前进而保护电路配线。
发明内容
作为所述的白色抗蚀剂层,主要使用环氧系的白色抗蚀剂层。然而,环氧系的白色抗蚀剂层因热或光引起的老化变成黄色。从而,环氧系的白色抗蚀剂层的反射率随着时间的经过会降低。其结果,发光元件装载基板例如作为液晶显示装置的背光源被长期使用,则在液晶显示装置发生亮度的降低以及亮度的不均匀。
因此,近年来检讨将硅系的白色抗蚀剂层设置于电路基板与保护层之间,所述硅系的白色抗蚀剂层是耐热性高且老化极少。然而,在硅系的白色抗蚀剂设置于保护层与电路基板之间的情况下,保护层与电路基板容易剥离。其理由是硅系的白色抗蚀剂层与其他材料的密合性不佳。例如,在硅系的白色抗蚀剂层上形成丙烯酸系或环氧系等的保护层,则抗蚀剂层与保护层容易剥离。
本公开是鉴于上述问题而完成的。本公开的目的在于提供一种发光元件装载基板及背光源,所述发光元件装载基板及背光源一边抑制保护层与电路基板的剥离,一边能够抑制发生亮度的降低以及亮度的不均匀。
解决问题的手段
第一方面,本公开的发光元件装载基板包括:电路基板,具有主表面;发光元件,装载于所述主表面上,且与所述电路基板电连接;硅系的白色抗蚀剂层,具有包围所述发光元件的第一开口部以及与所述第一开口部不同的第二开口部,且覆盖所述主表面;以及保护层,覆盖所述发光元件、所述硅系的白色抗蚀剂层以及所述第二开口部。
第二方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面所述的发光元件装载基板,所述第二开口部设置于从所述发光元件超过规定距离从而远离的位置。
第三方面,本公开的发光元件装载基板是所述第二方面所述的发光元件装载基板,包含所述发光元件的四个发光元件分别设置于在俯视下的虚拟长方形的四个虚拟角部,所述第二开口部设置于将连接所述四个发光元件的中央点彼此的对角线的交点包含的区域。
第四方面,本公开的发光元件装载基板是所述第二方面或第三方面所述的发光元件装载基板,所述第二开口部设置于将包含包括所述发光元件的两个相邻的发光元件的中央点彼此的中点包含的区域。
第五方面,本公开的发光元件装载基板是所述第二方面至第四方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述第二开口部的以整体成为格子形状的方式设置。
第六方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第五方面中任一项所述的发光元件装载基板,在所述第二开口部的内侧的区域中,所述电路基板与所述透明的保护层直接接触。
第七方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第六方面中任一项所述的发光元件装载基板,在所述硅系的白色抗蚀剂层与所述电路基板之间还包括非硅系的白色抗蚀剂层,所述非硅系的白色抗蚀剂层存在于在俯视下的所述第二开口部的内侧的区域。
第八方面,本公开的发光元件装载基板是所述第七方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述非硅系的白色抗蚀剂层与所述硅系的白色抗蚀剂层相比,粘结所述电路基板与所述保护层的力强。
第九方面,本公开的发光元件装载基板是所述第七方面或第八方面所述的发光元件装载基板,所述非硅系的白色抗蚀剂层与所述主表面相比,光的反射率高。
第十方面,本公开的发光元件装载基板是所述第七方面至第九方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述非硅系的白色抗蚀剂层包含环氧系的白色抗蚀剂层。
第十一方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第十方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述硅系的白色抗蚀剂层仅设置于在俯视下的所述电路基板的边框区域的内侧定位的内部区域。
第十二方面,本公开的发光元件装载基板是所述第十一方面所述的发光元件装载基板,在所述边框区域中,所述电路基板与所述保护层直接接触。
第十三方面,本公开的发光元件装载基板是所述第十一方面或第十二方面所述的发光元件装载基板,在所述电路基板与所述保护层之间还具备非硅系的白色抗蚀剂层,所述非硅系的白色抗蚀剂层存在于在俯视下的所述边框区域。
第十四方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第十三方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述电路基板的所述主表面成为曲面形状。
第十五方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第十四方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述电路基板包含玻璃环氧、聚酰亚胺、或铝。
第十六方面,本公开的发光元件装载基板是所述第一方面至第十五方面中任一项所述的发光元件装载基板,所述保护层包含丙烯酸系、环氧系、硅系、或聚氨酯系的透明树脂层。
第十七方面,本公开的背光源包括:外框以及发光元件装载基板,所述外框包括:底面部;周壁部,从所述底面部的外周部以包围所述底面部的方式起立;突出部,从所述周壁部向内侧突出,所述的发光元件装载基板设置于所述底面部与所述突出部之间。
第十八方面,本公开的背光源包括:外框以及第一方面至第十六方面中任一方面所述的发光元件装载基板,所述外框包括:底面部;周壁部,从所述底面部的外周部以包围所述底面部的方式起立;突出部,从所述周壁部向内侧突出,所述的发光元件装载基板设置于所述底面部与所述突出部之间。
第十八方面,本公开的背光源是所述第十七方面所述的背光源,所述突出部与所述底面部夹着所述发光元件装载基板。
第十九方面,本公开的背光源是所述第十七方面或第十八方面所述的背光源,设置于所述突出部的上表面,且使从所述发光元件发出的光变化成面光源。
附图说明
图1是包含实施方式一的发光元件装载基板的背光源的俯视图。
图2是图1的II-II线剖视图。
图3是图1的III-III线剖视图。
图4是包含实施方式二的发光元件装载基板的背光源的俯视图。
图5是图4的V-V线剖视图。
图6是图4的VI-VI线剖视图。
图7是包含实施方式三的发光元件装载基板的背光源的俯视图。
图8是图7的VIII-VIII线剖视图。
图9是图7的IX-IX线剖视图。
图10是包含实施方式四的发光元件装载基板的背光源的俯视图。
图11是包含实施方式五的发光元件装载基板的背光源的俯视图。
图12是装载有包含实施方式六的发光元件装载基板的背光源的液晶显示装置的第一剖视图。
图13是转载有包含实施方式六的发光元件装载基板的背光源的液晶显示装置的第二剖视图。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对包含本公开的实施方式的发光元件装载基板的背光源进行说明。此外,在各个附图中,对相同或同等的要素标注相同的附图标记,不重复说明。
(实施方式一)
使用图1至图3,对包含实施方式一的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。
如图1至图3所示,背光源100具备外框1。外框1用于保持在后面描述的光学片6。外框1由反射率高的树脂等的模具成形形成。外框1的材料的典型的一例是白色的聚碳酸酯。
外框1包含底面部1A以及周壁部1B,所述周壁部1B从底面部1A的外周部起立。背光源100具备光学片6,所述光学片6安装于周壁部1B的上端。背光源100在底面部1A上具备发光元件装载基板10。
发光元件装载基板10具备电路基板2、多个发光元件3、硅系的白色抗蚀剂层4、以及透明的保护层5。
电路基板2具有主表面2a。电路配线(未图示)印刷于主表面2a上。在主表面2a上设置有多个电极焊盘(未图示),所述多个电极焊盘与电路配线电连接。电路配线经由连接于电路基板2的电缆(未图示),与电源(未图示)电连接。
电路基板2是将玻璃环氧、聚酰亚胺、或铝等作为基材而形成。这些的基材与透明树脂或透明的粘接层的粘合性高,因此能够十分发挥如下效果:抑制在后面描述的保护层5从电路基板2剥离。
多个发光元件3在电路基板2的主表面2a上以规定的等间隔配置成矩阵状。多个发光元件3分别与多个电极焊盘电连接。因此,多个发光元件3与电路基板2电连接。具体来说,多个发光元件3与电路配线(未图示)电连接,所述电路配线印刷于电路基板2的主表面2a上。从而,多个发光元件3分别从电源经由电缆以及电路配线被供给电力。
多个发光元件3的各个是LED(Light Emitting Diode)的裸芯片。多个发光元件3的各个也可以是较小的LED被封装化的构成。另外,多个发光元件3的各个也可以是没有封装化的LED的裸芯片。多个发光元件3的发光色也可以是白色或蓝色的单色。多个发光元件3可以包含红色的发光元件3、绿色的发光元件3、以及蓝色的发光元件3。多个发光元件3也可以通过面朝上以及倒装芯片中的任一形态来装载于电路基板2。
硅系的白色抗蚀剂层4具有多个第一开口部H1以及多个第二开口部H2,所述多个第一开口部H1包围多个发光元件3的各个,所述多个第二开口部H2与多个第一开口部H1不同。多个第一开口部H1在行方向以及列方向的各个中以规定的等间隔配置成矩阵状。多个第二开口部H2也在行方向以及列方向的各个中以规定的等间隔配置成矩阵状。硅系的白色抗蚀剂层4覆盖主表面2a。因此,硅系的白色抗蚀剂层4覆盖电路配线,所述电路配线印刷于主表面2a。
透明的保护层5覆盖多个发光元件3、硅系的白色抗蚀剂层4、以及多个第二开口部H2。在本实施方式中,作为硅系的白色抗蚀剂层4的一例,使用以OKITUMO株式会社制造的TAINEX(R)为代表的硅系的白色抗蚀剂。为了提高光反射率,也在电路基板2上的电极焊盘(未图示)的上表面进行白色涂装(白色抗蚀剂:Taiyo Ink Co.,Ltd.制造的PSR-4000(R)等)。
所述的硅系的白色抗蚀剂层4的耐热性以及耐光性高,因此尤其如装载于车子的显示器那样,即使被暴露到恶劣的环境的情况下,也具有反射率等的光学特性的变化这样的特征。另外,这些的硅系的白色抗蚀剂层4的初期状态的反射率也与其他的白色抗蚀剂一样高。
透明的保护层5以与电路基板2的主表面2a密合的方式形成。透明的保护层5起到如下的作用:抑制多个发光元件3从电路基板2剥离,且防止向多个发光元件3施加冲击。
作为透明的保护层5,使用丙烯酸系、环氧系、硅系、或聚氨酯系等的透明树脂层而获得。作为使与透明的保护层5的电路基板2密合的方法,例如使用丝网印刷、喷墨印刷、或喷雾涂装等的方法而获得。另外,透明的保护层5也可以是粘着层,所述粘着层在PET(Poly-Ethylene Terephthalate)等的透光的基材上具有丙烯酸系、环氧系、硅系、或聚氨酯系等的透光性。此外,粘着层的折射率高而也获得发光效率会提高的效果。
光学片6是光学部件,所述光学部件通过使从如发光元件3那样的点光源发出的光变化成面光源来生成均匀的光。在光学片6中根据需求使用荧光片、扩散片、棱镜片、以及偏振片等。
荧光片吸收发光元件3发出的特定的波长的光,且发出成为其特定的波长的光颜色的补色的颜色。也就是说,荧光片用于使出射光进行白色化。例如,如果多个发光元件3发出蓝色的光,则作为荧光片,使用发光黄色的荧光材料分散于树脂等的片。
在此情况下,荧光片也可以是以绿色发光的荧光材料以及以红色发光的荧光材料分散于树脂等的片。作为荧光片的一例可以列举3M(R)公司制造的QDEF(Quantum DotEnhancement Film)等。在发光元件3发出RGB的各个的光的情况下、以及在还有其他进行白色化的方法的情况下,也可以不使用荧光片。
作为扩散片,为了抑制背光源100的发光不均匀而使用住友化学制造的塑美贝(SUMIPEX)蛋白石板(スミペックスオパール板(注册商标))等。作为扩撒片,为了抑制背光源100的发光不均匀而使用株式会社智积电(TSUJIDEN)制造的D114(产品名称)等。
作为棱镜片,为了提高亮度而使用3M(R)公司制造的BEF(产品名称)等。另外,作为偏振片,为了提高亮度而使用3M(R)公司制造的DBEF(产品名称)等。
典型地,作为光学片6,使用按照荧光发光片/扩散片/棱镜片/偏振片的该顺序层叠的光学片。
根据所述的背光源100,耐热性高且老化较少的硅系的白色抗蚀剂层4设置于电路基板2与保护层5之间。因此,能够抑制因白色抗蚀剂层4的反射率的降低而引起的亮度的降低以及亮度的不均匀的发生。
另外,白色抗蚀剂层4具有第二开口部H2。从而,在第二开口部H2的内侧的区域中的保护层5与电路基板2的直接的粘结力比设置于白色抗蚀剂层4的区域中的保护层5与电路基板2的粘结力较强。其结果,能够抑制电路基板2与保护层5的剥离。因此,一边能够抑制保护层5与电路基板2的剥离,一边能够抑制亮度的降低以及亮度的不均匀。
由图1以及图3可知,多个第二开口部H2分别设置于从多个发光元件3超过规定距离从而远离的位置。也就是说,多个第二开口部H2的各个没有设置于从任何第二开口部H2规定距离以下的范围内的区域。所述的规定距离考虑需要的亮度、发光元件3发出的光的强度、保护层5与电路基板2之间的粘结力、以及硅系的白色抗蚀剂层4的光的反射率而决定。将白色抗蚀剂层4的上表面与光学片6的下表面之间的距离作为OD,在多个第二开口部H2每一个中,远离多个发光元件3距离OD以上的第二开口部H2有与亮度、不均匀相关的不良影响较少的倾向。在本实施方式中,例如设为在俯视下形成长方形的发光元件3的对角线的交点到其长方形的角的距离以上的距离。因此,第一开口部H1与第二开口部H2不会被一体化。
例如,在本实施方式中,四个发光元件3分别设置于在俯视下的虚拟长方形的四个虚拟角部,多个第二开口部H2的各个设置于将连接所述的四个发光元件3的中央点彼此的虚拟长方形的对角线的交点包含的区域。具有长方形的轮廓的发光元件3的中央点是其长方形的对角线的交点。根据这样的第二开口部H2的配置,一边尽量抑制给多个发光元件3的各个发出的光的反射不良影响,一边能够抑制电路基板2与保护层5的剥离。
由图3可知,在本实施方式中,在多个第二开口部H2的各个的内侧的区域中,电路基板2与保护层5直接接触。因此,为了使电路基板2与保护层5的粘结力增加,不需要电路基板2以及保护层5以外的材料。也就是说,利用电路基板2与保护层5的粘结力自身来能够有效地抑制电路基板2与保护层5的剥离。
由图1至图3可知,硅系的白色抗蚀剂层4仅设置于在电路基板2的边框区域E的内侧定位的内部区域。因此,能够将边框区域E作为用于使电路基板2与保护层5的粘结面积增加的区域来利用。从而,更能够抑制电路基板2与保护层5的剥离。
由图2以及图3可知,在本实施方式中,也在边框区域E中,电路基板2与保护层5直接接触。因此,为了使电路基板2与保护层5的粘结力增加,不需要电路基板2与保护层5以外的材料。根据该构成也能够利用电路基板2与保护层5的粘结力,有效地抑制电路基板2与保护层5的剥离。
由上可知,在本实施方式中,没有将硅系的白色抗蚀剂层4形成于电路基板2的主表面2a的整面。换言之,如图1至图3所示,在电路基板2的外周部与发光元件3彼此之间的一部分的区域设置有不形成硅系的白色抗蚀剂层4的区域即未形成区域。这些的未形成区域是通过边框区域E以及第二开口部H2来示出的区域。
由此,与电路基板2或透明的保护层5与硅系的白色抗蚀剂层4的粘结力相比,粘结力较高的电路基板2的主表面2a与透明的保护层5直接接触。因此,能够抑制从保护层5的电路基板2的剥离。在此情况下,优选电路基板2的反射率较高。
此外,电路基板2存在例如利昌工业株式会社制造的CS3945(产品名称)、或铝那样,有通过高反射率的材料来形成的情况。在此情况下,即使多个第二开口部H2的各个较大,也多个发光元件3发出的光的损失较小。当然,在上述的情况下,优选地,第二开口H2内部被设计为不存在电路配线即铜箔。
另外,在使用高耐久的硅系的白色抗蚀剂层4的情况下,也如果是由如所述那样的材料构成的电路基板2,则能够抑制保护层5的从电路基板2的剥离。其结果,能够抑制发生多个发光元件3的亮点不良。从而,本实施方式的背光源100尤其作为车载用的液晶显示装置的背光源是有用的。
另外,多个第二开口部H2分别优选设置于尽量远离多个发光元件3的位置。这是因为尽量使光的损失小,所述光的损失是由光的反射率较低的电路基板2的主表面2a的露出而引起的。从而,优选在包含相邻的发光元件3的中央点彼此的中点的区域设置第二开口部H2。
此外,第二开口部H2的尺寸考虑由电路基板2的主表面2a的露出而引起的反射率的降低、以及保护层5与电路基板2的粘结力的增加两者而适当决定。
(实施方式二)
接下来,使用图4至图6,对包含实施方式二的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。此外,在以下说明中,不重复说明本实施方式与本实施方式一的相同的点。本实施方式的背光源100与实施方式一的背光源100不同点在于:在硅系的白色抗蚀剂层4与电路基板2之间还具备非硅系的白色抗蚀剂层7。
在本实施方式中,在没有设置硅系的白色抗蚀剂层4的电路基板2的主表面2a上的区域,作为非硅系的白色抗蚀剂层7存在例如环氧系等的白色抗蚀剂层。从而,即使电路基板2的主表面2a的反射率较低,也通过非硅系的白色抗蚀剂层7来提高没有形成硅系的白色抗蚀剂层4的区域的反射率,因此提高背光源100的亮度。
更具体来说,非硅系的白色抗蚀剂层7存在于在俯视下的第二开口部H2的内侧的区域。因此,利用第二开口部H2来更能够提高光的反射率。此外,非硅系的白色抗蚀剂层7优选与主表面2a相比,光的反射率较高。
非硅系的白色抗蚀剂层7与硅系的白色抗蚀剂层4相比,粘结电路基板2与保护层5的粘结力较强。因此,一边提高多个发光元件3发出的光的反射率,一边更能够可靠地抑制电路基板2与保护层5的剥离。
非硅系的白色抗蚀剂层4包含环氧系的白色抗蚀剂层4。因此,通过容易获取的材料来能够达成前述的事项。
另外,在本实施方式的背光源100中,非硅系的白色抗蚀剂层7也存在于在俯视下的边框区域E。因此,在边框区域E中也能够提高多个发光元件3发出的光的反射率。
非硅系的白色抗蚀剂层7的一例,可举例Taiyo Ink Co.,Ltd.制造的PSR-4000LEW7S(产品名称)等。
根据本实施方式的背光源100,在电路基板2的主表面2a露出的区域中也形成有非硅系的白色抗蚀剂层7,因此能够降低多个发光元件3发出的光的损失。但是,非硅系的白色抗蚀剂层7的耐久性不佳而被暴露到恶劣的环境,则发生发黄或光的反射率降低。从而,在本实施方式中,仅在俯视下的多个第二开口部H2内的区域以及边框区域E中,使非硅系的白色抗蚀剂层7露出。从而,尽量抑制由非硅系的白色抗蚀剂层7的光的反射率的降低引起的不良影响。
(本实施方式三)
接下来,使用图7至图9,对包含实施方式三的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。在以下说明中,不重复说明本实施方式与实施方式二的相同的点。本实施方式的背光源100与实施方式二的背光源100不同点在于:在外框1设置有突出部1C。
具体来说,本实施方式的背光源100的外框1包含:底面部1A;周壁部1B,从底面部1A的外周部以包围底面部1A的方式起立;突出部1C,从周壁部1B向内侧突出。突出部1C成为框状,使得遮盖框状的边框区域E。发光元件装载基板10设置于底面部1A与突出部1C之间。进一步,突出部1C与底面部1A夹着发光元件装载基板10。从而,突出部1C能够抑制保护层5的上浮。因此,能够更可靠地抑制保护层5从电路基板2剥离。
(实施方式四)
接下来,使用图10,对包含实施方式四的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。此外,在以下的说明中,不重复说明本实施方式与实施方式三的相同的点。
本实施方式的背光源100与实施方式三的背光源100不同点在于:第二开口部H2设置于包含多个发光元件3中的相邻的两个发光元件3的中央点彼此的中点的区域。发光元件3的中央点是长方形的发光元件3的长方形的对角线的交点。根据本实施方式的背光源100,与实施方式三的背光源100相比,硅系的白色抗蚀剂层4的面积较小。因此,比实施方式三的背光源100更能够可靠地降低电路基板2与保护层5的剥离的问题。
此外,在本实施方式中,没有设置非硅系的白色抗蚀剂层7,保护层5与电路基板2也可以直接接触。
(实施方式五)
接下来,使用图11,对包含实施方式五的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。此外,在以下的说明中,不重复说明本实施方式与实施方式三的相同的点。本实施方式的背光源100与实施方式三的背光源100不同点在于:在第二开口部H2的整体以成为格子形状的方式设置。根据本实施方式的背光源100,与实施方式三的背光源100相比,硅系的白色抗蚀剂层4的面积较小。因此,比实施方式三的背光源100更能够可靠地降低电路基板2与保护层5的剥离的问题。
此外,在本实施方式中,没有设置非硅系的白色抗蚀剂层7,保护层5与电路基板2也可以直接接触。
(实施方式六)
接下来,使用图12以及图13,对包含实施方式六的发光元件装载基板10的背光源100进行说明。此外,在以下的说明中,不重复说明本实施方式与实施方式三的相同的点。本实施方式的背光源100与实施方式三的背光源100不同点在于:电路基板2的主表面2a形成曲面形状。本实施方式的背光源100例如作为具有曲面形状的液晶显示器等的曲面显示器1000有用,所述曲面显示器1000包含液晶面板20,该液晶面板20具有车载用的曲面形状。
如本实施方式那样,在电路基板2的主表面2a是曲面的情况下,发光元件3容易从电路基板2脱落。然而,根据本实施方式,提高了保护层5与电路基板2的粘结力,因此降低发光元件3从电路基板2脱落的问题。
此外,在本实施方式中,电路基板2的主表面2a形成向外侧具有凸形状的曲面形状,也可以形成向内侧具有凸形状的曲面形状即向外侧具有凹形状的曲面形状。

Claims (19)

1.一种发光元件装载基板,其包括:
电路基板,具有主表面;
发光元件,装载于所述主表面上,且与所述电路基板电连接;
硅系的白色抗蚀剂层,具有包围所述发光元件的第一开口部以及与所述第一开口部不同的第二开口部,且覆盖所述主表面;以及
透明的保护层,覆盖所述发光元件、所述硅系的白色抗蚀剂层以及所述第二开口部。
2.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述第二开口部设置于从所述发光元件超过规定距离从而远离的位置。
3.根据权利要求2所述的发光元件装载基板,其特征在于,
包含所述发光元件的四个发光元件分别设置于在俯视下的虚拟长方形的四个虚拟角部,
所述第二开口部设置于将连接所述四个发光元件的中央点彼此的对角线的交点包含的区域。
4.根据权利要求2或3所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述第二开口部设置于将包括所述发光元件的两个相邻的发光元件的中央点彼此的中点包含的区域。
5.根据权利要求2所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述第二开口部以整体成为格子形状的方式设置。
6.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
在所述第二开口部的内侧的区域中,所述电路基板与所述透明的保护层直接接触。
7.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
在所述硅系的白色抗蚀剂层与所述电路基板之间还包括非硅系的白色抗蚀剂层,
所述非硅系的白色抗蚀剂层存在于在俯视下的所述第二开口部的内侧的区域。
8.根据权利要求7所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述非硅系的白色抗蚀剂层与所述硅系的白色抗蚀剂层相比,粘结所述电路基板与所述透明的保护层的粘结力强。
9.根据权利要求7或8所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述非硅系的白色抗蚀剂层与所述主表面相比,光的反射率高。
10.根据权利要求7所述的发光元件装载基板,其特征在于,所述非硅系的白色抗蚀剂层包含环氧系的白色抗蚀剂层。
11.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,所述硅系的白色抗蚀剂层仅设置于在俯视下的所述电路基板的边框区域的内侧定位的内部区域。
12.根据权利要求11所述的发光元件装载基板,其特征在于,在所述边框区域中,所述电路基板与所述保护层直接接触。
13.根据权利要求11或12所述的发光元件装载基板,其特征在于,
在所述电路基板与所述保护层之间还具备非硅系的白色抗蚀剂层,
所述非硅系的白色抗蚀剂层存在于在俯视下的所述边框区域。
14.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述电路基板的所述主表面成为曲面形状。
15.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述电路基板包含玻璃环氧、聚酰亚胺、或铝。
16.根据权利要求1所述的发光元件装载基板,其特征在于,
所述保护层包含丙烯酸系、环氧系、硅系、或聚氨酯系的透明树脂层。
17.一种背光源,其包括:
外框以及权利要求1至16中任一项所述的发光元件装载基板,
所述外框包括:
底面部;
周壁部,从所述底面部的外周部以包围所述底面部的方式起立;以及
突出部,从所述周壁部向内侧突出,
所述的发光元件装载基板设置于所述底面部与所述突出部之间。
18.根据权利要求17所述的背光源,其特征在于,
所述突出部与所述底面部夹着所述发光元件装载基板。
19.根据权利要求17或18所述的背光源,其特征在于,
设置于所述突出部的上表面,且使从所述发光元件发出的光变化成面光源。
CN202110239586.7A 2020-03-13 2021-03-04 发光元件装载基板及背光源 Active CN113391481B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062989090P 2020-03-13 2020-03-13
US62/989090 2020-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113391481A CN113391481A (zh) 2021-09-14
CN113391481B true CN113391481B (zh) 2024-01-02

Family

ID=77617353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110239586.7A Active CN113391481B (zh) 2020-03-13 2021-03-04 发光元件装载基板及背光源

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11502234B2 (zh)
CN (1) CN113391481B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1885501A (zh) * 2005-06-21 2006-12-27 联华电子股份有限公司 形成接触窗开口的蚀刻方法
CN101171693A (zh) * 2006-01-26 2008-04-30 索尼株式会社 光源装置和显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426190B2 (ja) * 2003-01-24 2010-03-03 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2007053352A (ja) 2005-07-22 2007-03-01 Showa Denko Kk 発光ダイオード光源
KR20070023844A (ko) * 2005-08-25 2007-03-02 삼성전자주식회사 몰드 프레임 및 이의 제조 방법과, 이를 구비한 백라이트어셈블리 및 표시 장치
WO2014141691A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 パナソニック株式会社 発光モジュール
KR102449528B1 (ko) * 2017-12-20 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1885501A (zh) * 2005-06-21 2006-12-27 联华电子股份有限公司 形成接触窗开口的蚀刻方法
CN101171693A (zh) * 2006-01-26 2008-04-30 索尼株式会社 光源装置和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210288234A1 (en) 2021-09-16
US11502234B2 (en) 2022-11-15
CN113391481A (zh) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101884628B1 (ko) 발광 모듈 및 백라이트 유닛
US9705054B2 (en) Light emitting device module
EP2390915B1 (en) Light emitting device and light unit having the same
US8208093B2 (en) Light-emitting device, display device and method of manufacturing light-emitting device
US20080278655A1 (en) Light emitting diode package having dual lens structure and backlight for liquid crystal display device implementing the same
EP2354819B1 (en) Backlight unit and display device using the same
TWI784376B (zh) 發光裝置以及液晶顯示裝置
TWI750476B (zh) 發光裝置及面發光光源
KR101886127B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20110048397A (ko) 발광다이오드패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
KR20120004222A (ko) 백라이트유닛 및 이를 이용한 액정표시장치
US8021011B2 (en) Light-emitting device and display device
CN113227643B (zh) 照明装置
US20190324327A1 (en) Light source package, backlight unit including light source package, and display device using the same
US11579486B2 (en) Light emitting device, backlight, and display panel with reflective layer
CN111863785A (zh) Led光源基板和照明装置
CN113391481B (zh) 发光元件装载基板及背光源
CN111916471A (zh) Led光源基板和照明装置
JP7153850B2 (ja) 面発光光源
KR20080013182A (ko) 액정표시장치
US20230042300A1 (en) Electronic device
KR101808337B1 (ko) 백라이트 유닛 및 액정표시장치
KR20110112543A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101873586B1 (ko) 표시장치
CN116261640A (zh) 照明设备以及包括照明设备的灯

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant