CN111863785A - Led光源基板和照明装置 - Google Patents

Led光源基板和照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111863785A
CN111863785A CN202010334999.9A CN202010334999A CN111863785A CN 111863785 A CN111863785 A CN 111863785A CN 202010334999 A CN202010334999 A CN 202010334999A CN 111863785 A CN111863785 A CN 111863785A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light source
led
source substrate
led light
bonding sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010334999.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111863785B (zh
Inventor
渡边寿史
增田岳志
安永博敏
京兼庸三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN111863785A publication Critical patent/CN111863785A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111863785B publication Critical patent/CN111863785B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够容易返工的LED光源基板。LED光源基板(1)包括：第一贴合片(4)，其覆盖LED(3)；第二贴合片(5)，其形成在第一贴合片(4)上；以及反射层(6)，其为了抑制来自LED(3)的光而形成在第二贴合片(5)上，第二贴合片(5)可从第一贴合片(4)剥离地贴合。

Description

LED光源基板和照明装置
技术领域
本发明涉及一种具有倒装芯片型LED的LED光源基板。
背景技术
作为附设在显示装置等中的照明装置的各种光源，已知一种使用了LED(LightEmitting Diode:发光二极管)的光源。以往，在显示面板的正下方配置有光源的正下方型照明装置中，使用了表面安装型LED。作为安装有LED的光源基板，已知一种LED光源基板，其将多个LED安装在同一电路基板上，并且跨设有模制树脂以覆盖多个LED。在设置于该LED光源基板上的LED的正上部形成有由白色油墨制成的反射层(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2007-53352号公报(2007年3月1日)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在上述LED的正上部形成反射层时出现了错误的情况下，由于LED光源基板价格昂贵，因此相比废弃形成有在形成时出现了错误的反射层的LED光源基板，希望实施返工，在返工中，从模制树脂上剥离在形成时出现了错误的反射层并再次适当地形成反射层。
然而，由于在模制树脂的表面采用直接印刷等方法形成由白色油墨等制成的反射层，因此为了剥离该反射层，需要在物理上削去反射层并从模制树脂上剥离，或者用特殊的溶液清洗并对LED光源基板清洗以从模制树脂中除去该反射层，并且将LED光源无损地且漂亮地返工是很困难的。
因此，存在如下问题：在LED的正上部的树脂上形成反射层的过程中出现了错误时返工将很困难。
本发明的一方面提供一种LED光源基板，所述LED光源基板在LED的正上部的树脂上形成反射层的过程中出现了错误时，能够容易地返工。
解决问题的手段
(1)本发明的一实施方式的LED光源基板包括：基板；倒装芯片型LED，其安装在所述基板上；第一贴合片，其具有透光性，且形成在所述基板上以覆盖所述LED；第二贴合片，其具有透光性，且形成在所述第一贴合片上；以及反射层，其为了抑制从所述LED向与所述基板垂直的方向发射的光而形成在所述第二贴合片上，所述第二贴合片可从所述第一贴合片剥离地贴合。
(2)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置之外，所述LED是裸芯片。
(3)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置之外，所述第二贴合片对所述第一贴合片的粘合强度比所述第一贴合片对所述基板的粘合强度弱。
(4)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置，所述第一贴合片包括剥离层，该剥离层为了能够将所述第二贴合片从所述第一贴合片剥离而形成在所述第二贴合片侧。
(5)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置，所述第一贴合片和所述第二贴合片具有与所述LED的安装位置对应的凸形状。
(6)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置，所述第一贴合片包括以覆盖所述LED的方式形成在所述基板上的第一树脂层、和形成在所述第一树脂层上的第一基材，所述第二贴合片包括形成在所述第一基材上的第二树脂层和形成在所述第二树脂层上的第二基材。
(7)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第一树脂层和所述第二树脂层包含粘合层。
(8)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第一树脂层和所述第二树脂层的雾度为30％以下。
(9)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第一树脂层和所述第二树脂层的折射率大于1。
(10)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第一树脂层包含丙烯类材料、环氧类材料和聚氨酯类材料中的至少一种，所述第二树脂层包含硅类材料。
(11)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第二树脂层的粘合强度为5N/cm以下。
(12)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置，所述反射层的尺寸为所述LED的尺寸的2倍以上且10倍以下。
(13)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(1)的配置，所述反射层具有圆形状，所述反射层的中心轴配置在与所述LED的中心轴对应的位置。
(14)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(6)的配置，所述第一树脂层的厚度比所述LED的厚度厚。
(15)此外，本发明的某实施方式的LED光源基板除了上述(5)的配置，所述凸形状的高度略等于所述LED的厚度。
(16)本发明的另一实施方式的照明装置，其具有上述(1)至(15)中的任一项所述的所述的LED光源基板。
发明效果
本发明的一方面在LED的正上部的树脂上印刷反射层的过程中出现了错误时，能够容易地返工。
附图说明
图1是实施方式1涉及的LED光源基板的截面图。
图2(a)是示出了设置在上述LED光源基板上的倒装芯片型LED的安装状态的截面图，(b)是示出了面朝上型LED的安装状态的截面图，(c)是示出了上述倒装芯片型LED的结构的截面图，(d)是示出了上述面朝上型LED的结构的截面图。
图3(a)是上述LED光源基板的LED的放大截面图，(b)是比较例涉及的LED光源基板的LED的放大截面图。
图4(a)是上述LED光源基板的基板、第一贴合片、第二贴合片和反射层涉及的截面图，(b)是其俯视图。
图5(a)是示出了上述第一贴合片的形成方法的截面图，(b)是示出了在上述基板上形成有第一贴合片的状态的截面图，(c)是示出了在上述第一贴合片上形成有第二贴合片的状态的截面图。
图6(a)是用于描述设置在上述第一贴合片上的第一粘合层的效果的图，(b)是示出了比较例涉及的第一粘合层的截面图。
图7(a)和(b)是用于描述上述第二贴合片的效果的截面图。
图8(a)是示出了实施方式2涉及的上述第一贴合片的形成方法的截面图，(b)是示出了在实施方式2涉及的基板上形成有第一贴合片的状态的截面图，(c)是示出了在上述第一贴合片上形成有第二贴合片的状态的截面图。
图9是实施方式3涉及的LED光源基板的截面图。
图10(a)是用于描述实施方式3涉及的LED光源基板的效果的截面图，(b)是示出了设置在上述LED光源基板上的第一贴合片的第一基材的截面图，(c)是示出了比较例涉及的第一贴合片的第一基材的截面图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1是实施方式1涉及的LED光源基板1的截面图。LED光源基板1包括：基板2；倒装芯片型LED3，其安装在基板2上；第一贴合片4，其具有透光性，且形成在基板2上以覆盖LED3；第二贴合片5，其具有透光性，且形成在第一贴合片4上；以及反射层6，其为了抑制从LED3向与基板2垂直的方向发射的光而形成在第二贴合片5上。并且，第二贴合片5可剥离地被贴合在第一贴合片4。
第二贴合片5对第一贴合片4的粘合强度比第一贴合片4对基板2的粘合强度弱。
第一贴合片4包括以覆盖LED3的方式形成在基板2上的第一粘合层7(第一树脂层)和形成在第一粘合层7上的第一基材8。第二贴合片5包括形成在第一基材8上的第二粘合层9(第二树脂层)和形成在第二粘合层9上的第二基层10。
第一粘合层7和第二粘合层9的雾度优选为30％以下。第一粘合层7和第二粘合层9的折射率优选为大于1。
第一粘合层7优选包含丙烯类材料、环氧类材料和聚氨酯类材料中的至少一种。第二粘合层9优选包含硅类材料。第二粘合层9的粘合强度为5N/cm以下。
反射层6的尺寸优选为LED3的尺寸的2倍以上且10倍以下。并且，反射层6优选具有圆形状。反射层6的中心轴优选配置在与LED3的中心轴对应的位置。
第一粘合层7的厚度优选比LED3的厚度厚。
LED3是未封装的裸芯片。由于是裸芯片，因此发光色是单色，典型地是蓝色。或者，可以将RGB3色的LED3分别排列使用。LED3的元件结构是后述的倒装芯片型，LED3通过凸块或焊料以裸芯片的状态直接安装在基板2上。在本实施方式中，使用裸芯片作为LED3，但并不限于此，使用封装的LED也可以获得同样的效果。
基板2是以玻璃环氧或聚酰亚胺、铝等为基材的普通电路基板。通常，以特定的间隔将多个LED3安装成矩阵状。与LED3连接的电极焊盘通过形成在基板2上的配线，再通过未图示的电缆等与电源连接。优选能够从电源对各LED3控制并施加特定的电流。在电极焊盘上，为了提高光反射率，优选涂敷白色(白色抗蚀剂：太阳油墨公司制造的PSR-4000等)。
LED光源基板1包括荧光片13。荧光片13吸收从LED3发出的光的波长，发出与成为其补色的颜色的光，并且使发射光白色化。如果从LED3发出的光是蓝色，则荧光片13是通过将发出黄色或绿色+红色的荧光材料分散在树脂等中并薄片化形成的。作为荧光片13的具体产品，存在3M公司制造的QDEF等。当分别发出RGB的3种原色的3种LED3配置在基板2上时等，如果有另一种白色化的方法，则不需要。如果使用封装的LED，则能够通过在封装的密封树脂中添加荧光体来使其白色化。
LED光源基板1还包括光学片14。光学片14是用于将从点(LED3)发出的光改变成均匀的面光源的光学部件，并且根据需要使用扩散板或扩散片、棱镜片、偏振反射片等。
作为扩散板，住友化学株式会社制造的塑美贝蛋白石板等用于光学片14中以去除不均匀。作为扩散片，智积电公司制造的D114等用于光学片14中以去除不均匀。作为棱镜片，3M公司制造的BEF等用于光学片14中以提高亮度。作为偏振反射片，3M公司制造的DBEF等用于光学片14中以提高亮度。
此外，如果具有电介质，则有时会提高亮度，所述电介质镜片设置为透过从LED3发出的颜色的光，并对成为其补色的光进行反射。
光学片14典型地以LED/电介质镜片/荧光发光片/扩散片/棱镜片/棱镜片/偏振反射片的顺序层叠。
第一贴合片4和第二贴合片5是本实施方式涉及的特征性构件。第一贴合片4是通过在PET等透光性基材8上形成透光性粘合层7而形成的，通过贴合于基板2的LED安装面，从而使柔软的粘合层7在变形的同时挤出气泡而贴合。第一贴合片5是通过在PET等透光性基材10上形成透光性粘合层9而形成的，通过贴合于第一贴合片4，从而使柔软的粘合层9在变形同时挤出气泡而贴合。有如下效果：粘合层7、粘合层9的折射率越高，LED3的发光效率就越高。在本实施方式中，层叠了2张该第一贴合片4和第二贴合片5。
LED光源基板1还包括框架12。框架12是用于保持光学部件的框架，由反射率较高的树脂等模制而成。上述反射率较高的树脂的代表性的例子是白色聚碳酸酯。
图2(a)是示出了设置在LED光源基板1上的倒装芯片型LED3的安装状态的截面图，(b)是示出了面朝上型LED93的安装状态的截面图，(c)是示出了倒装芯片型LED3的结构的截面图，(d)是示出了面朝上型LED93的结构的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
LED有面朝上型和倒装芯片型两种。如图2(b)和(d)所示，面朝上型LED93由于电极面在上表面上，因此为了与基板2电性连接，使用引线键合92。如图2(a)和(c)所示，倒装芯片型LED3由于电机面在下表面上，因此能够使用金凸块15或焊料直接安装在基板2上。
在本实施方式中，为了将设有第一粘合层7的第一贴合片4从LED3上方贴合到基板2上，在是面朝型的情况下，有时引线键合92会阻碍贴合，导致气泡进入第一粘合层7，或者引线键合92断裂或与其他地方接触而导致故障。因此，在本实施方式中，使用倒装芯片型LED3。
图3(a)是LED光源基板1的LED3的放大截面图，(b)是比较例涉及的LED光源基板的LED3的放大截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
众所周知，当LED3的周围是空气层时，如图3(b)所示，从LED3的发光层17以广角发射的光在蓝宝石基板18的内表面被全反射，因此难以从LED3内发出光，从而降低了LED3的发光效率。
另一方面，如果LED3的周围的折射率高，则由于在芯片内部的蓝宝石基板18内不全反射，所以提高了发光效率。当LED3的周围的折射率尤其比蓝宝石的折射率大(n＞1.75)时，来自发光层17的光全部从蓝宝石基板18中发射，而没有被蓝宝石基板18的内表面全反射，因此，使n＞1.75以上是没有多大意义的(严格来说，由于还存在折射率较高的GaN层等，因此并不是完全没有意义，但由于是很薄的层，因此影响很小)。即使在n＜1.75的情况下，尽可能折射率越高，发光效率就越高。因此，可以说如果第一粘合层7是具有至少比空气大的折射率的粘合层，则就会有效果。
由于LED3在亮灯时温度很高，因此第一粘合层7优选为即使在高温状态下变色等也很少的粘合层。此外，从透明性越高亮度就越高的这一点来看，优选第1粘合层7。
最符合上述条件的第一粘合层材料7是硅类粘合剂(n＝约1.41)。硅类粘合剂耐热性较好，变色较少。硅类粘合剂的折射率低一些。
丙烯类粘合剂(n＝1.49)虽然耐热性不如硅类粘合剂，但是由于具有非常高的透明性，因此可以应用于第一粘合层7的材料中。
此外，从能够显著提高LED3的发光效率这一点来看，尤其优选以这些材料为基材，使TiO2或ZrO2等高折射率的金属氧化物纳米粒子分散于第一粘合层7中，或者引入原子折射较高的硫等来提高第一粘合层7的折射率。
此外，当然，由于LED3非常小(例如0.1×0.2mm等)，焊料20等与基板2的连接部的面积也小，因此在一些撞击下会从基板2剥离，但根据本实施方式，第一粘合片4的基材8也起到保护LED3的作用，因此LED3也具有不易发生故障的效果。
图4(a)是上述LED光源基板1的基板2、第一贴合片4、第二贴合片5和反射层6涉及的截面图，(b)是其俯视图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
在基板2上贴合有第一贴合片4，进而在该第一贴合片4上贴合有第二贴合片5。并且，在第二贴合片5的表面的、LED3的正上方附近设有反射层6，该反射层6用于抑制从LED3向与基板2垂直的方向发射的光。
反射层6优选为白色油墨层，或者是由银或铝或其合金制成的反射率较高的金属薄膜。由此，能够通过反射层6反射并缓和LED3的正上方的强度强的光，因此能够改善LED光源基板1的亮度不均。
反射层6优选具有比LED3的外径尺寸稍大的尺寸，以便能够反射从LED3的侧面发出的光。例如，如图4(b)所示，假设LED3的一边的尺寸为1，则反射层6的尺寸优选为2L以上且10L以下。
如图4(b)所示，反射层6的形状典型地为圆形，并且LED3的中心轴与反射层6的圆形的中心轴一致。通过这样配置，能够有效地遮蔽从LED3全方位射出的光。
作为反射层6的形成方法，用喷墨打印机将白色油墨印刷在第二贴合片5上的方法最有效。此外，也可以是丝网印刷等其他印刷方法。当反射层6是金属薄膜时，也可以通过使用了开口掩膜的蒸镀/溅射法或光刻法等方法来形成反射层6。
图5(a)是示出了第一贴合片4的形成方法的截面图，(b)是示出了在基板2上形成有第一贴合片4的状态的截面图，(c)是示出了在第一贴合片4上形成有第二贴合片5的状态的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
如图5(a)所示，对于安装有LED3的基板2，使用辊21等将形成有透光性的第一粘合层7的第一贴合片4贴合在PET等透光性的第一基材8上。从而，能够容易地挤出LED3周围的空气并利用第一粘合层7填补。即使有一些气泡残留在LED3的周围，也能够通过高压灭菌来消除气泡。高压灭菌的条件例如是45℃/0.5MPa/20分钟。
第一基材8优选为透明性较高的材料。例如是PET、丙烯酸、聚碳酸酯等。作为第一粘合层7的材料，优选为透明性较好，对基板2的表面的粘合强度较高的材料。例如，优选丙烯酸类或环氧类、聚氨酯类等粘合材料。第一粘合层7的粘合强度优选为例如10N/cm以上的强度。
为了使LED3的周围无空气界面地密合，需要一定程度厚的第一粘合层7。如果将LED3的高度设为h，则第1粘合层7的厚度为h以下，即使进行高压灭菌也不能很好地填补空间而残留气泡的情况较多。当第一粘合层7的厚度为h以上且2h以下时，第一贴合片4的表面形状沿着LED3的形状成为凹凸形状(后述的第三实施方式的结构)。当第一粘合层7的厚度为且2h以上时，第一贴合片4的表面形状略平坦。在实施方式1中，由于粘合层的厚度为2h以上，因此第一贴合片4的表面形状略平坦。
通过这样配置，由于第一贴合片4的表面变得平坦，因此仅通过辊21等(无高压釜)就能够容易地将第二贴合片5与第一贴合片4贴合而无气泡。
第一粘合层7的厚度没有特别的上限，但例如为2mm以上时，成为背光的LED光源基板1的厚度变厚超出所需，或者第一粘合层7的成本增加，因此不优选。
第二贴合片5与第一贴合片4一样，能够使用辊21等贴合。第二贴合片5也优选为透明性较高的材料。例如，是PET、丙烯酸，聚碳酸酯等。由于第二贴合物5有可能从后面剥离，因此优选对第一基材8的粘合强度相对较弱。需要第一基材8和第二粘合层9之间的粘合强度至少比基板2的表面与第一粘合层7之间的粘合强度弱。
作为第二粘合层9的粘合材料，应用例如材料本身的粘合强度较弱的硅类材料，或者即使是粘合强度高的丙烯酸类或环氧类、聚氨酯类等，也可以通过将膜厚形成为较薄5μm以下等来降低粘合强度。第二粘合层9的粘合强度优选为例如5N/cm以下。即，第二粘合层9的粘合强度为第一粘合层7的粘合强度的1/2以下。
图6(a)是用于描述设置在第一贴合片4上的第一粘合层7的效果的图，(b)是示出了比较例涉及的第一粘合层97的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
第一粘合层7尽可能是透明的，优选为不含有光扩散粒子等。这是因为在是混入有由氧化钛等制成的光扩散粒子等的第一粘合层97的情况下，虽然也取决于该光扩散粒子的浓度，但从LED3发出的光在LED3的附近发生光散射，光再次入射到LED3自身，或者从LED3发出的光照射到基板2上的反射率较低的电极焊盘16或焊料20等而被吸收。第一粘合层7尽可能是透明的，优选为远离从LED3发出的光。具体而言，第一粘合层7的雾度优选为30％以下。
图7(a)和(b)是用于描述第二贴合片5的效果的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
假设在隔着第一贴合片4贴合于基板2的第二贴合片5上形成了反射层6，则在大量生产LED光源基板1时，反射层6可能存在一些制造不良。例如，由反射层6的部分剥离、位置偏移、污染、异物附着等引起的制造不良。由于基板2和LED3的价格较高，因此如果反射层6出现制造不良，则希望对反射层6进行返工，但将制造不良的反射层6的油墨层或金属薄膜剥离的作业需要特殊的药液等，因此不现实。
本实施方式的特征在于，通过将第二贴片5从第一贴合片4剥离，从而能够容易地剥离制造不良的反射层6。
如果剥离了第一贴合片4，则通过第一贴合片4的第一粘合层7设置在基板2的表面的白色涂饰也将被剥离，或者在安装在基板2上的LED3中会将发生完全剥离、局部剥离(电故障)、LED故障等，可能导致LED光源基板1不良。
本实施方式通过仅剥离对基板2侧没有影响的第二贴合片5，从而能够容易对制造不良的反射层6进行返工。
此外，在剥离并废弃第二贴合片5之后，再次将新的第二贴合片5贴合在第一贴合片4上，以在新的第二贴合片5上再形成反射层6。
(实施方式2)
图8(a)是示出了实施方式2涉及的上述第一贴合片4A的形成方法的截面图，(b)是示出了在实施方式2涉及的基板2上形成有第一贴合片4A的状态的截面图，(c)是示出了在第一贴合片4A上形成有第二贴合片5的状态的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
与上述实施方式1不同的是第一贴合片4A包括第一粘合层7、形成在第一粘合层7上的第一基材8、涂覆在第一基材8的表面的剥离层11。由此，第一贴合片4A包括为了能够将第二贴合片5从第一贴合片4A剥离而形成在第二贴合片5侧的剥离层11。
通过这样配置，无论第二粘合层9的强度如何，都能够容易地将第二贴合片5从第一贴合片4A剥离。因此，第二贴合片5和第一贴合片4A的粘合材料、粘合剂厚度的选定范围变光，因此优选。例如，由于粘合强度较低的聚硅氧烷类粘合材料的价格比较高，因此在制造上优选将价格便宜的丙烯酸类等粘合剂应用于第二粘合层9而无需考虑厚度。
(实施方式3)
图9是实施方式3涉及的LED光源基板1B的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
与上述实施方式1不同的是第一贴合片4B和第二贴合5B具有与LED3的安装位置对应的凸形状。
在实施方式3中，将第一贴合片4B的第一粘合层7B的厚度控制为h以上且2h以下。此外，将第一贴合片4B的第一基材8B的厚度控制在12μm以上且200μm以下。
第二贴合片5的第二粘合层9B和第二基材10B可自由选定。由于第一基材8B成为波状形状，因此第二贴合片5B以任何厚度追随。通过这样配置，也能够得到提高LED3的发光效率的效果。
但是，在将第二贴合片5B贴合在第一贴合片4B上时，如果只是辊21，则有可能会产生气泡，因此优选兼用高压釜。
【表1】
Figure BDA0002466250420000131
Figure BDA0002466250420000141
如上述(表1)所示，可知：第一贴合片4B的第一粘合层7B的厚度为h以上且2h以下，第一基材8B的厚度为12μm以上且200μm以下，在该情况下，如图9所示，第一基材8B追随LED3的配置形态而变形，与LED3对应地成为凸状，LED3的光取出效率显著提高。在第一粘合层7B的厚度超过2h的情况下，无论是否存在LED3，第一基材8B都保持基本平坦，因此光提取效率的提高效果是有限的。此外，在第一基材8B的厚度超过200μm的情况下，第一基材8B也保持基本平坦，因此光提取效率的提高效果是有限的。
图10(a)是用于描述实施方式3涉及的LED光源基板1B的效果的截面图，(b)是示出了设置在LED光源基板1B上的第一贴合片4B的第一基材8B的截面图，(c)是示出了比较例涉及的第一贴合片84的第一基材88的截面图。对与上述组件相同的组件上添加相同的附图附标记，不再重复其详细描述。
在第一基材8B的表面形状以LED3为中心成为凸状的情况下，在第一基材8B与空气之间的界面上，从LED3入射的光的角度发生变化，使得从LED3发出的光易于发射，并且提高了LED3的发光效率。第一基材8B的表面形状的凹凸的高度大致为LED3的高度h左右。
在第一粘合层7B较厚，或第一基材8B较厚，第一基材8B的表面形状以LED3为中心不呈凸状的情况下，第一基材8B的表面形状为平面，LED3的效率提高是有限的。
(总结)
(1)本发明的第一方面涉及的LED光源基板1、1A、1B包括：基板2；倒装芯片型LED3，其安装在所述基板2上；第一贴合片4、4A、4B，其具有透光性，形成在所述基板2上以覆盖所述LED3；第二贴合片5、5B，其具有透光性，形成在所述第一贴合片4、4A、4B上；以及反射层6，其为了抑制从所述LED3向与所述基板2垂直的方向发射的光而形成在所述第二贴合片5、5B上，所述第二贴合片5、5B可从所述第一贴合片4、4A、4B剥离地贴合。
根据上述配置，能够容易地将第二贴合片从第一贴合片上剥离，因此在对LED的正上部的树脂上形成反射层的过程中出现了错误时，能够容易地返工。
本发明第二方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选所述LED3为裸芯片。
根据上述配置，由于是裸芯片，所以能够使LED光源基板小型化。
本发明的第三方面涉及的LED光源基板1优选在上述第一方面中，所述第二贴合片5对所述第一贴合片4的粘合强度比所述第一贴合片4对所述基板2的粘合强度弱。
根据上述配置，能够根据粘合强度的不同，容易地将第二贴合片从第一贴合片上剥离。
本发明的第四方面涉及的LED光源基板1A优选在上述第一方面中，所述第一贴合片4A包括剥离层11，该剥离层11为了能够从所述第一贴合片4A剥离所述第二贴合片5而形成在所述第二贴合片5侧。
根据上述配置，通过剥离层，能够容易地将第二贴合片从第一贴合片剥离。
本发明的第五方面涉及的LED光源基板1B优选在上述第一方面中，所述第一贴合片4B、5B具有与所述LED3的安装位置对应的凸形状。
根据上述配置，通过凸形状的透镜效果来提高LED的发光率。
本发明的第六方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第一方面中，所述第一贴合片4、4A、4B包括形成在所述基板2上以覆盖所述LED3的第一树脂层(第一粘合层7、7B)和形成在所述第一树脂层(第一粘合层7、7B)上的第一基材8、8B，所述第二贴合片5、5B包含形成在所述第一基材8、8B上的第二树脂层(第二粘合层9、9B)和形成在所述第二树脂层(第二粘合层9、9B)上的第二基材10、10B。
根据上述配置，LED的周围被折射率比空气大的第一树脂层填补，因此提高了LED的发光效率。
本发明的第七方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，所述第一树脂层和所述第二树脂层包含粘合层(第一粘合层7、7B、第二粘合层9、9B)。
根据上述配置，LED的周围由粘合层填补，因此提高了LED的发光效率。
本发明的第八方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，所述第一树脂层和所述第二树脂层(第一粘合层7、7B、第二粘合层9、9B)的雾度为30％以下。
根据上述配置，能够防止LED附近的光散射、向LED的再入光等。
本发明的第九方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，所述第一树脂层和所述第二树脂层(第一粘合层7、7B、第二粘合层9、9B)的折射率大于1。
根据上述配置，提高了LED的发光效率。
本发明的第十方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，所述第一树脂层(第一粘合层7、7B)包含丙烯类材料、环氧类材料和聚氨酯类材料中的至少一种，所述第二树脂层(第二粘合层9、9B)包含硅类材料。
根据上述配置，能够使第二贴合片对第一贴合片的粘合强度比第一贴合片对基板的粘合强度弱。
本发明的第11方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，所述第二树脂层的粘合强度为5N/cm以下。
根据上述配置，能够使第二贴合片对第一贴合片的粘合强度比第一贴合片对基板的粘合强度弱。
本发明的第十二方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第一方面中，所述反射层6的尺寸为所述LED3的尺寸的2倍以上且10倍以下。
根据上述配置，从LED的侧面发出的光也能够被反射层反射。
本发明的第十三方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第一方面中，所述反射层6具有圆形状，所述反射层6的中心轴配置在与所述LED3的中心轴对应的位置。
根据上述配置，能够有效地遮蔽从LED全方位发射的光。
本发明的第十四方面涉及的LED光源基板1、1A、1B优选在上述第六方面中，上述第一树脂层(第一粘合层7、7B)的厚度比所述LED3的厚度厚。
根据上述配置，能够用第一树脂层填补LED。
本发明的第十五方面涉及的LED光源基板1B优选在上述第五方面中，所述凸形状的高度略等于所述LED3的厚度。
根据上述配置，能够沿着LED的外形形成第一贴合片和第二贴合片。
本发明的第十六方面涉及的照明装置包括上述第一方面至第十五方面中的任一方面涉及的LED光源基板1、1A、1B。
本发明不限于上述的各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种修改，并且通过适当地组合不同实施例中分别公开的技术手段而获得的实施例也包括在本发明的技术范围内。此外，通过组合各实施方式中分别公开的技术手段，也可以形成新的技术特征。
附图标记说明
1 LED光源基板
2 基板
3 LED
4 第一贴合片
5 第二贴合片
6 反射层
7 第一粘合层(第一树脂层)
8 第一基材
9 第二粘合层(第二树脂层)
10 第二基材
11 剥离层

Claims (16)

1.一种LED光源基板，其特征在于，包括：
基板；
倒装芯片型LED，其安装在所述基板上；
第一贴合片，其具有透光性，且形成在所述基板上以覆盖所述LED；
第二贴合片，其具有透光性，且形成在所述第一贴合片上；以及
反射层，其为了抑制从所述LED向与所述基板垂直的方向发射的光而形成在所述第二贴合片上，
所述第二贴合片可从所述第一贴合片剥离地贴合。
2.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述LED是裸芯片。
3.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第二贴合片对所述第一贴合片的粘合强度比所述第一贴合片对所述基板的粘合强度弱。
4.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一贴合片包括剥离层，其为了能够将所述第二贴合片从所述第一贴合片剥离而形成在所述第二贴合片侧。
5.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一贴合片和所述第二贴合片具有与所述LED的安装位置对应的凸形状。
6.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一贴合片包括以覆盖所述LED的方式形成在所述基板上的第一树脂层、和形成在所述第一树脂层上的第一基材，
所述第二贴合片包括形成在所述第一基材上的第二树脂层、和形成在所述第二树脂层上的第二基材。
7.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一树脂层和所述第二树脂层包含粘合层。
8.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一树脂层和所述第二树脂层的雾度为30％以下。
9.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一树脂层和所述第二树脂层的折射率大于1。
10.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一树脂层包含丙烯类材料、环氧类材料和聚氨酯类材料中的至少一种，
所述第二树脂层包含硅类材料。
11.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第二树脂层的粘合强度为5N/cm以下。
12.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述反射层的尺寸为所述LED的尺寸的2倍以上且10倍以下。
13.根据权利要求1所述的LED光源基板，其特征在于，
所述反射层具有圆形状，
所述反射层的中心轴配置在与所述LED的中心轴对应的位置。
14.根据权利要求6所述的LED光源基板，其特征在于，
所述第一树脂层的厚度比所述LED的厚度厚。
15.根据权利要求5所述的LED光源基板，其特征在于，
所述凸形状的高度略等于所述LED的厚度。
16.一种照明装置，其特征在于，具有权利要求1至权利要求15中的任一项所述的LED光源基板。
CN202010334999.9A 2019-04-26 2020-04-24 Led光源基板和照明装置 Active CN111863785B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019086592A JP7169247B2 (ja) 2019-04-26 2019-04-26 Ｌｅｄ光源基板及び照明装置
JP2019-086592 2019-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111863785A true CN111863785A (zh) 2020-10-30
CN111863785B CN111863785B (zh) 2024-06-18

Family

ID=72922043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010334999.9A Active CN111863785B (zh) 2019-04-26 2020-04-24 Led光源基板和照明装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11367814B2 (zh)
JP (1) JP7169247B2 (zh)
CN (1) CN111863785B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112117357B (zh) * 2020-09-17 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
JP7381903B2 (ja) * 2021-03-31 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165326A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007011068A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP2007053352A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Showa Denko Kk 発光ダイオード光源
JP2007234968A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
CN101258028A (zh) * 2005-10-20 2008-09-03 日东电工株式会社 层叠薄膜
KR20110029867A (ko) * 2009-09-16 2011-03-23 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
CN102959030A (zh) * 2011-03-03 2013-03-06 日东电工株式会社 加热剥离型粘合片
KR20130112240A (ko) * 2012-04-03 2013-10-14 동우 화인켐 주식회사 양면 점착 시트 및 이를 구비한 화상 표시 장치
CN104130723A (zh) * 2013-07-19 2014-11-05 日东电工株式会社 热剥离型粘合带和电子部件的切断方法
JP2016190326A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 リンテック株式会社 剥離シートおよび粘着シート

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927618Y2 (ja) * 1978-12-28 1984-08-10 日東電工株式会社 光拡散性カバ−材
JP5597911B2 (ja) 2008-04-30 2014-10-01 ヤマハ株式会社 特典付与システム
JP5107882B2 (ja) 2008-12-11 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP2012164742A (ja) 2011-02-04 2012-08-30 Showa Denko Kk 照明装置および照明装置の製造方法
JP2013077811A (ja) * 2011-09-14 2013-04-25 Nitto Denko Corp 封止シート、その製造方法、発光ダイオード装置およびその製造方法
US9153755B2 (en) * 2011-10-18 2015-10-06 Nitto Denko Corporation Silicone resin sheet, cured sheet, and light emitting diode device and producing method thereof
JP2013214716A (ja) * 2012-03-06 2013-10-17 Nitto Denko Corp 蛍光封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
CN106932951B (zh) 2017-04-14 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯源及其制造方法、背光模组

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165326A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007011068A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP2007053352A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Showa Denko Kk 発光ダイオード光源
CN101258028A (zh) * 2005-10-20 2008-09-03 日东电工株式会社 层叠薄膜
JP2007234968A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法および発光装置
KR20110029867A (ko) * 2009-09-16 2011-03-23 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
CN102959030A (zh) * 2011-03-03 2013-03-06 日东电工株式会社 加热剥离型粘合片
KR20130112240A (ko) * 2012-04-03 2013-10-14 동우 화인켐 주식회사 양면 점착 시트 및 이를 구비한 화상 표시 장치
CN104130723A (zh) * 2013-07-19 2014-11-05 日东电工株式会社 热剥离型粘合带和电子部件的切断方法
JP2016190326A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 リンテック株式会社 剥離シートおよび粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
JP7169247B2 (ja) 2022-11-10
US20200343406A1 (en) 2020-10-29
US11367814B2 (en) 2022-06-21
CN111863785B (zh) 2024-06-18
JP2020184557A (ja) 2020-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6418200B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
TWI750476B (zh) 發光裝置及面發光光源
KR20180131399A (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US20200227600A1 (en) Led light source substrate, lighting device, and method of producing led light source substrate
EP2400569A2 (en) Light-emitting diode package
CN111863785B (zh) Led光源基板和照明装置
US20200357847A1 (en) Led light source substrate and illumination device
JP5431259B2 (ja) 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
CN113227643A (zh) 照明模块、照明装置及其制造方法
US20210391515A1 (en) Light - emitter - mounted substrate and backlight
JP2020107910A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP7121284B2 (ja) 集積型発光装置
US20200035657A1 (en) Electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP2008277189A (ja) 線状光源装置およびその製造方法
US20240274771A1 (en) Optoelectronic lighting device
CN116243519A (zh) 发光模块以及面状光源
CN113391481B (zh) 发光元件装载基板及背光源
TW202200931A (zh) 發光裝置
KR101797968B1 (ko) 발광소자 패키지
JP7484075B2 (ja) 発光モジュールの製造方法
KR101877410B1 (ko) 발광소자 패키지
JP6687082B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
CN116153918A (zh) Led显示装置
KR101764108B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명시스템
JP2022181403A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant