CN110858599B - 像素阵列封装结构及显示面板 - Google Patents
像素阵列封装结构及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110858599B CN110858599B CN201910730800.1A CN201910730800A CN110858599B CN 110858599 B CN110858599 B CN 110858599B CN 201910730800 A CN201910730800 A CN 201910730800A CN 110858599 B CN110858599 B CN 110858599B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel array
- light
- layer
- emitting diode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- ARJOQCYCJMAIFR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(=O)C=C ARJOQCYCJMAIFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种像素阵列封装结构及显示面板。像素阵列封装结构包含基板、像素阵列、反射层、吸光层以及透光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。吸光层位于反射层上方并环绕像素阵列。透光层设置于像素阵列、反射层及吸光层上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一粗糙度为0.005至0.1mm。本发明提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下,增加发光二极管芯片的出光亮度。
Description
技术领域
本发明是关于一种像素阵列封装结构及显示面板。
背景技术
随着显示科技日新月异的进步,除了传统的液晶显示面板外,更有显示面板是直接采用三原色发光二极管(RGB Light Emitting Diode,RGB LED)同时做为显示像素及发光源。由于发光二极管具有低耗电的优点,故采用发光二极管的显示面板可有效节省传统液晶面板所需耗费的电力,可帮助节能减碳及环境保护,可望成为显示技术领域的新宠儿。三原色显示(RGB display)因受限于平面装配装置(Surface Mounted Devices)封装的制程极限而无法达到小间距(pitch)作业。然而,现今的显示器迈向基板上芯片(Chip OnBoard)封装制程发展,因此,次毫米发光二极管(mini LED)和微型发光二极管(micro LED)皆可达到小间距作业。
在三原色显示的技术中,除了色彩鲜艳度之外,尚有一指标决定了画面的鲜明度,就是对比度。在小间距中增加对比度的方式中,除了基板本身采用黑色的板材外,便是在封装胶体中增加吸光粒子。吸光粒子除了可以降低发光二极管侧向光之间的影响,也可以吸收来自外界的光源,以增加对比度,然而也造成正向光的出光降低问题。
此外,现有的大型显示面板拼接技术,是把多个小型的显示面板相互堆叠组装以形成一大型的显示面板,由于显示面板的边框以及各个显示器之间存有缝隙,故于大型显示面板显示时会产生画面切割不连续的问题,进而影响显示的品质。为改善上述问题,而发展出窄边框的显示面板,以缩小各显示器间于拼接时的缝隙。然而,纵使采用现有最窄边框的显示面板,为避免各显示面板相互挤压而造成伤害,仍须保留一定的安全距离,故大型显示面板仍会有拼接缝的产生。
发明内容
有鉴于此,本发明的一目的在于提出一种可解决上述问题的像素阵列封装结构及显示面板。
为了达到上述目的,本发明的一态样是提供一种像素阵列封装结构,其包含基板、像素阵列、反射层、吸光层以及透光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。吸光层位于反射层上方并环绕像素阵列。透光层设置于像素阵列、反射层及吸光层上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一表面粗糙度(surface roughness)为0.005至0.1mm。
根据本发明一实施方式,此像素阵列封装结构还包含一抗外界光材料设置于透光层上。
根据本发明一实施方式,此抗外界光材料为偏光片。
根据本发明一实施方式,反射层由胶体材料及无机粒子的混合物所组成,其中无机粒子包含二氧化钛、氮化硼、二氧化硅、硫酸钡或氧化铝。
根据本发明一实施方式,吸光层的下表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式,吸光层的上表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式,吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
根据本发明一实施方式,无机材料为碳粉或钙钛矿。
根据本发明一实施方式,碳粉的比表面积(specific surface area)为50-70m2/g。
本发明的另一态样是提供一种像素阵列封装结构,其包含基板、像素阵列、反射层、透光层以及吸光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。透光层位于像素阵列上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。吸光层位于反射层上方并环绕透光层。透光层的上表面与吸光层的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式,吸光层的下表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式,吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
根据本发明一实施方式,无机材料为碳粉或钙钛矿。
根据本发明一实施方式,碳粉的比表面积为50-70m2/g。
根据本发明一实施方式,透光层覆盖部分的反射层。
本发明的又一态样是提供一种显示面板,其包含多个子显示面板。任两相邻的这些子显示面板之间具有一拼接缝,其中各个子显示面板包含多个如上所述的任一项所述的像素阵列封装结构。
本发明提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下,增加发光二极管芯片的出光亮度。
本发明提供的一些实施方式可以使观看者在视觉上感受到无缝拼接显示面板的视觉效果。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片;
图1B为图1A中区域R1的局部放大示意图;
图1C和图1D分别为沿图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图;
图2、图3、图4和图5绘示本发明的多个实施方式的像素阵列封装结构的上视图;
图6A和图6B为本发明的另一实施方式的根据图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图;
图7A和图7B为本发明的又一实施方式的根据图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图;
图8绘示本发明的一变化实施方式的像素阵列封装结构的上视图;
图9A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片;
图9B为图9A中区域R2的局部放大图;
图9C为沿图9B中线段A-A’的剖面示意图;
图10A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的上视示意图;
图10B为沿图10A中线段A-A’的剖面示意图;
图11为本发明像素阵列结构与习知像素阵列结构的亮度比较图;
图12绘示本发明一实施方式的显示面板的上视图;
图13绘示图12的局部放大图。
具体实施方式
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备,下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中,将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而,可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下,为简化附图,熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
本发明的一态样是提供一种像素阵列封装结构。图1A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片。图1B为图1A中区域R1的局部放大示意图。图1C和图1D分别为沿图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图。
请同时参照图1B、图1C和图1D,像素阵列封装结构10包含基板110、像素阵列120、反射层130、吸光层140以及透光层150。像素阵列120设置于基板110上。具体来说,像素阵列120包含多个发光二极管芯片122、124和126。在本发明的多个实施例中,基板110可以为白底基板或黑底基板。在一些实施例中,基板110可包含散热基板、导电基板或绝缘基板。在一些实施例中,基板110上具有电路层,用以电性连接这些发光二极管芯片122、124和126。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。
可以理解的是,红光二极管芯片122是放射出红光。在一些其他的实施例中,红光二极管芯片122也可以包含利用蓝光二极管芯片126所发出的蓝光激发一波长转换层(图未示)而放射出红光。在多个实例中,此波长转换层可以包含一种或多种的红色荧光粉(Phosphor)、红色量子点(quantum dots)或其混合物。红色荧光粉可以为用于发光二极管(LED)的任何合适的荧光粉,其被蓝光激发后可以放射出红色荧光(fluorescence)。举例来说,红色荧光粉材料可包含氮化物、氟化物及/或锰(Mn4+)掺杂的氟化物荧光粉,例如:A2[MF6]:Mn4+,其中A为Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+和/或NH4 +,且M为Ge、Si、Sn、Ti或Zr。
可以理解的是,绿光二极管芯片124是放射出绿光。在一些其他的实施例中,绿光二极管芯片124可以包含利用蓝光二极管芯片126所发出的蓝光激发一波长转换层(图未示)而放射出绿光。在多个实例中,此波长转换层可以包含一种或多种的绿色荧光粉、绿色量子点(quantum dots)或其混合物。绿色荧光粉可以为用于发光二极管(LED)的任何合适的荧光粉,其被蓝光激发后可以放射出绿色荧光(fluorescence)。举例来说,绿色荧光粉可以为硅酸盐、LuYAG及/或B-SiAlON,而绿色量子点可以为CdSe、CdS、CdTe、SlnP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN及/或CuInGaSe。又例如,绿色量子点可为绿色全无机钙钛矿量子点,其化学通式为CsPb(Br1-bIb)3且0≤b<0.5时。
本发明是利用这些发光二极管芯片122、124和126作不同的搭配组合,使三原色光(红光、绿光和蓝光)能混合出白光。举例来说,如图1B所示,像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126,以3列1行的矩阵形式排列。此外,像素阵列封装结构10亦可包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126并排列如图2所示。
另举例来说,如图3所示,像素阵列封装结构10包含两个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126,以2列2行的矩阵形式排列。这种设计可以提高像素阵列封装结构10的色域(NTSC或BT.2020(Rec.2020))。在一实施例中,这两个红光二极管芯片122可以分别具有不同的波段,以让红光的显色效果更好。在另一实施例中,这两个红光二极管芯片122可以具有相同的波段但有不同的亮度阶,以在亮度上做更好的调变。
再举例来说,如图4所示,像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、两个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126,以2列2行的矩阵形式排列。这种设计可以提升像素阵列封装结构10整体的亮度。
又举例来说,如图5所示,像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124、一个蓝光二极管芯片126和一个白光二极管芯片128,以2列2行的矩阵形式排列。由于这种设计增加了白色子像素,因此在使用相同功率的背光模组时,能够提升显示亮度。换句话说,如果要输出相同的亮度,这种设计的功耗会更低。
一般来说,若这些发光二极管芯片122、124和126的晶粒尺寸约在100微米至300微米(例如,150微米)的发光二极管可以称为次毫米发光二极管(mini LED)。若这些发光二极管芯片122、124和126的晶粒尺寸小于100微米的发光二极管可以称为微型发光二极管(micro LED)。在应用上,次毫米发光二极管可应用于手机、电视、车用面板及电竞笔记型电脑等产品上,而微型发光二极管可应用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、扩增实境/虚拟实境、显示幕及电视等领域。
请回到图1C和图1D,反射层130设置于基板110上并位于任两相邻的多个发光二极管芯片122、124和126之间。一般来说,每个发光二极管芯片122、124或126的发光角度为约120度至150度。为了避免发光二极管芯片122、124和126所放射出来的光线相互干扰或吸收,本发明将反射层130设置在任两相邻的发光二极管芯片之间。这样的设计,还可以进一步增进像素阵列封装结构10的发光效率。在一些实施例中,反射层130是由胶体材料及无机粒子的混合物所组成。举例来说,无机粒子可包含二氧化钛(TiO2)、氮化硼(BN)、二氧化硅(SiO2)、硫酸钡(BaSO4)或氧化铝(Al2O3)。胶体材料可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(epoxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)或硅胶。在一实施例中,无机粒子的平均粒径(D50)是小于20um。
应注意,反射层130的光线反射率取决于胶体材料中的无机粒子的浓度与特性,当无机粒子的浓度越高,反射层130的光线反射率也越高,而当无机粒子本身的光线反射率越高,反射层130的光线反射率也越高。在本发明的一些实施例中,反射层130的光线反射率应至少大于其光线吸收率。换句话说,被反射层130所反射的光线能量应比被反射层130所吸收的光线能量高,如此方有助于提升像素阵列封装结构10的发光效率,且能避免反射层130因吸收光线能量而温度上升,因而导致像素阵列封装结构10的发光效率受温度影响而衰减。另外,在一些较佳的实施例中,反射层130的光线反射率应大于约90%,以尽可能反射发光二极管芯片122、124或126所发射的光线,并避免光线被反射层130所吸收,而降低像素阵列封装结构10的发光效率。
如图1C和图1D所示,在一些实施例中,反射层130的上表面130a与像素阵列120的上表面实质上齐平。在多个实施方式中,反射层130可以通过封胶(molding)、灌胶(glue-filling)或其他合适的制程形成在基板110上并填充于任两相邻的多个发光二极管芯片122、124和126之间。
请同时参阅图1B、图1C和图1D,吸光层140位于反射层130上方并环绕像素阵列120。在一实施例中,吸光层140的下表面140b与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。在一些实施例中,吸光层140可以覆盖位于像素阵列120外围的反射层130的一部分。在其他实施例中,吸光层140也可以完全覆盖位于像素阵列120外围的反射层130。在一实例中,吸光层140由胶体材料及无机材料所组成。举例来说,胶体材料可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(epoxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)或硅胶。此外,在一些实施例中,无机材料可以为碳粉或钙钛矿等。在多个实例中,碳粉的比表面积为50-70m2/g,例如可为52m2/g、54m2/g、56m2/g、58m2/g、60m2/g、62m2/g、64m2/g、66m2/g或68m2/g。在另一实例中,吸光层140亦可由胶体材料及有机材料所组成。举例来说,有机材料可包含添加黑色颜料或染料的聚酰亚胺(Polyimide)树脂、聚乙烯醇(Poly-vinyl Alcohol)树脂和/或压克力(Acrylate)树脂。在多个实施方式中,吸光层140可以通过旋转涂布以及微影蚀刻的方式或通过网印的方式形成环绕像素阵列120的黑框。
请参阅图1C和图1D,透光层150设置于像素阵列120、反射层130及吸光层140上。应注意,透光层150具有一上表面150a及与其相对的一下表面150b,其中下表面150b接触像素阵列120,且上表面150a具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。在一些实例中,透光层150可包含硅胶或树脂。在多个实施方式中,可以通过封胶(molding)、灌胶(glue-filling)或其他合适的制程来形成透光层150。此外,还可以在透光层150的上表面150a实施一粗化制程,例如喷砂或表面蚀刻等方式。在多个实例中,透光层150上表面150a的表面粗糙度可以为0.01mm、0.02mm、0.03mm、0.04mm、0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm或0.09mm。假设透光层150的上表面150a不经过粗化处理而为一光滑表面,当像素阵列封装结构10在外界光源(例如太阳光、聚光灯(spot light)或是照明灯源)的照射下时,观看者则会看不见显示画面和/或产生眩光问题。
请继续参阅图1C和图1D,在一实施例中,像素阵列封装结构10可以还包含一抗外界光材料160设置于透光层150上。在某些实施例中,抗外界光材料160可以为偏光片或抗反射涂层等。在一实例中,抗外界光材料160可以为圆偏光片。
为了便于比较与上述各实施方式的相异处并简化说明,在下文的各实施方式中使用相同的符号标注相同的元件,且主要针对各实施方式的相异处进行说明,而不再对重复部分进行赘述。
图6A及图6B为本发明另一实施方式的像素阵列封装结构10a的剖面示意图,其中图6A大致为根据图1B中线段A-A’的剖面示意图,而图6B大致为根据图1B中线段B-B’的剖面示意图。如图6A和图6B所示,图6A和图6B所绘示的像素阵列封装结构10a与图1C和图1D所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于:像素阵列封装结构10a的吸光层140是嵌设于反射层130中。在一实施例中,吸光层140的上表面140a与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。更详细的说,于本实施例中,反射层130具有第一部分130P1、第二部分130P2和第三部分130P3,其中第一部分130P1位于像素阵列120外围并夹置于基板110与吸光层140之间;第二部分130P2为第一部分P1向上的延伸,其环绕像素阵列120并夹置于像素阵列120与吸光层140之间;而第三部分130P3位于像素阵列120的任两相邻的发光二极管芯片122、124和126之间。应注意,在其他实施例中,反射层130可以不具有第二部分130P2,也就是说,吸光层140的边界可以紧贴于像素阵列120的周围。
图7A和图7B为本发明其他实施方式的像素阵列封装结构10b的剖面示意图,其中图7A大致为根据图1B线段A-A’的剖面示意图,而图7B大致为根据图1B线段B-B’的剖面示意图。如图7A和图7B所示,图7A和图7B所绘示的像素阵列封装结构10b与图1C和图1D所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于:像素阵列封装结构10b的吸光层140的上表面140a与透光层150的上表面150a实质上齐平。
在一实施例中,吸光层140的下表面140b与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。在一实施例中,透光层150可覆盖一部分的反射层130,也就是说,吸光层140仅覆盖位于像素阵列120外围的反射层130的一部分。在其他实施例中,吸光层140完全覆盖位于像素阵列120外围的反射层130。
图8绘示本发明一变化实施方式的像素阵列封装结构20的上视图。如图8所示,图8所绘示的像素阵列封装结构20与图1B所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于:像素阵列封装结构20可以包含第一组像素阵列120S1和第二组像素阵列120S2,其中第一组像素阵列120S1和第二组像素阵列120S2各自包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126。由于在显示器的应用上通常会包含上千或上万个像素阵列封装结构,通过这样的设计,当某一个像素阵列封装结构中的某一组发光二极管芯片的其中之一不亮时,另一组发光二极管芯片仍会持续运作。这对使用者来说,并不会在视觉上造成太大的影响,且可以减少维修花费。
图9A为本发明另一变化实施方式的像素阵列封装结构30的显微镜上视照片。图9B为图9A中区域R2的局部放大示意图。图9C为沿图9B中线段A-A’的剖面示意图。如图9B和图9C所示,像素阵列封装结构30包含基板110、像素阵列120、吸光层140及透光层150。具体的说,像素阵列120设置于基板110上。像素阵列120包含多个发光二极管芯片,例如至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。吸光层140设置于基板110上并围绕像素阵列120。于本实施方式中,吸光层140的上表面与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。透光层150设置于吸光层140和像素阵列120上。透光层150具有一上表面150a及与其相对的一下表面150b。透光层150的下表面150b接触像素阵列120和吸光层140且其上表面150a具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。在一实施方式中,像素阵列封装结构30可还包含一抗外界光材料(图未示)设置于透光层150的上表面150a上。
图10A为本发明又一变化实施方式的像素阵列封装结构40的上视示意图。图10B为沿图10A中线段A-A’的剖面示意图。如图10A和图10B所示,像素阵列封装结构40包含基板110、像素阵列120、吸光层140及透光层150。具体的说,像素阵列120设置于基板110上。像素阵列120包含多个发光二极管芯片,例如至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。吸光层140设置于像素阵列120的两侧。透光层150位于吸光层140之间并围绕像素阵列120。更详细的说,透光层150具有第一部分150P1和第二部分150P2,其中第一部分150P1位于像素阵列120上,而第二部分150P2位于第一部分150P1下并夹置于像素阵列120与吸光层140之间。于本实施方式中,透光层150的顶表面150T与吸光层140的顶表面140T实质上齐平。在一实施方式中,像素阵列封装结构40可还包含一抗外界光材料(图未示)设置于透光层150的顶表面150T和吸光层140的顶表面140T上。
图11为本发明像素阵列结构与习知像素阵列结构的亮度比较图。在图11中,A代表本发明像素阵列封装结构10、10a或10b;B代表本发明像素阵列封装结构30;C代表本发明像素阵列封装结构40;且P代表习知的像素阵列结构。须说明的是,习知的像素阵列结构P一般是使用添加有吸光粒子的透光层来封装像素阵列。如图11所示,其纵轴代表的是像素阵列封装结构被点亮时所量测到的亮度,且横轴代表的是邻近已点亮像素阵列封装结构的未点亮的像素阵列封装结构与已点亮的像素阵列封装结构的亮度比例。也就是说,当纵轴的亮度越大,则代表像素阵列封装结构的发光强度越大。当横轴的亮度比例越小,则表示在已点亮的像素阵列封装结构附近的未被点亮的像素阵列封装结构受到已点亮的像素阵列封装结构的亮度影响越小。本发明预期像素阵列封装结构的亮度比例小于0.15%为佳。由图11可看出,习知的像素阵列结构P的亮度约为150烛光/平方米且其亮度比例约为0.267%;本发明像素阵列结构A的亮度约为310烛光/平方米且其亮度比例约为0.14%;本发明像素阵列结构B的亮度约为97烛光/平方米且其亮度比例约为0.036%;且本发明像素阵列结构C的亮度约为105烛光/平方米且其亮度比例约为0.013%。虽然,本发明的像素阵列结构B和C的亮度比例远小于本发明的像素阵列结构A的亮度比例,但是其本身的发光亮度相对地也较低,因此,本发明的像素阵列结构A为较佳的实施例。此外,本发明的像素阵列结构A与习知的像素阵列结构P相比,本发明的像素阵列结构A的亮度和亮度比例都比习知的像素阵列结构P更佳。因此,本发明的像素阵列结构A不但可以解决习知像素阵列结构P正向光出光降低的问题,还可以解决对比度不佳的问题。
图12绘示本发明一实施方式的显示面板200的上视图。图13绘示图12的局部放大图。请先参阅图12,显示面板200包含多个子显示面板210。具体的说,任两相邻的这些子显示面板210之间具有一拼接缝D1。在多个实施例中,这些子显示面板210之间的拼接缝D1是小于100um。对于观看者来说,这些拼接缝D1的存在会使得显示画面被切割且视觉上有不连续的情形发生。
请参阅图13,每一个子显示面板210都包含多个如前文所述的像素阵列封装结构10。更详细的说,在多个实施方式中,任两相邻的这些像素阵列封装结构10之间具有一间距D2。当像素阵列封装结构10中的发光二极管芯片被设计为微型发光二极管时,这些像素阵列封装结构10之间的间距D2为小于约0.5mm,而当像素阵列封装结构10中的发光二极管芯片被设计为次毫米发光二极管时,这些像素阵列封装结构10之间的间距D2为约0.5至1.0mm。在次毫米发光二极管的实施例中,像素阵列封装结构10中吸光层140的宽度W为50至650um,例如可为100um、150um、200um、250um、300um、350um、400um、450um、500um、550um或600um。由于单一子显示面板210中可包含数万至数十万个像素阵列封装结构10,且任两相邻的像素阵列封装结构10之间具有一子拼接缝(2W+D2)。在单一子显示面板210已被数道子拼接缝(2W+D2)划分的情况的下,这些子显示面板210之间的拼接缝D1(标示于图12)对于观看者来说是不明显的。
在其他实施方式中,每一个子显示面板210亦可包含多个如前文所述的像素阵列封装结构10a、10b、20、30或40。
综上所述,本发明内容提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下,增加发光二极管芯片的出光亮度。发光二极管芯片的侧向出光处以不透光材料或是高反射材料的形式封装,而发光二极管芯片的正向出光处以高透光度材料的形式封装,可以改善先前技术中发光二极管的光被吸光例子吸收而降低光效的问题。此外,本发明通过像素阵列封装结构中的吸光层和任两相邻像素阵列封装结构之间的间距在单一子显示面板中构成数道子拼接缝,以使观看者在视觉上感受到无缝拼接显示面板的视觉效果。
虽然本发明已以实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟悉此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (12)
1.一种像素阵列封装结构,其特征在于,包含:
一基板;
一像素阵列,设置于该基板上,其中该像素阵列包含多个发光二极管芯片,所述多个发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、以及至少一蓝光二极管芯片;
一反射层,设置于该基板上并位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间;
一透光层,设置于该像素阵列上并且覆盖位于该像素阵列的一周边的该反射层的一部分,其中该透光层具有一上表面及与其相对的一下表面,该下表面接触该像素阵列的该些发光二极管芯片以及接触位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间的该反射层,且该上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm;以及
一吸光层,位于该反射层上方并环绕该透光层,其中该透光层的上表面与该吸光层的上表面齐平,以及该吸光层的下表面与该像素阵列的上表面齐平,其中该吸光层仅覆盖位于该像素阵列的该周边的该反射层的该部分。
2.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构,其特征在于,还包含一抗外界光材料设置于该透光层上。
3.根据权利要求2所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该抗外界光材料为偏光片。
4.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该反射层由胶体材料及无机粒子的混合物所组成,其中该无机粒子包含二氧化钛、氮化硼、二氧化硅、硫酸钡或氧化铝。
5.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
6.根据权利要求5所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该无机材料为碳粉或钙钛矿。
7.根据权利要求6所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该碳粉的比表面积为50-70m2/g。
8.一种像素阵列封装结构,其特征在于,包含:
一基板;
一像素阵列,设置于该基板上,其中该像素阵列包含多个发光二极管芯片,所述多个发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、以及至少一蓝光二极管芯片;
一反射层,设置于该基板上并位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间;
一透光层,位于该像素阵列上并且覆盖位于该像素阵列的周边的该反射层的一部分,其中该透光层具有一上表面及与其相对的一下表面,该下表面接触该像素阵列的该些发光二极管芯片以及接触位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间的该反射层,且该上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm;以及
一吸光层,位于该反射层上方并环绕该透光层,其中该透光层的上表面与该吸光层的上表面齐平,以及该透光层并未被该吸光层分开,其中该吸光层的下表面与该像素阵列的上表面齐平,以及该吸光层于该基板的一垂直投影环绕所有的该像素阵列于该基板的一垂直投影。
9.根据权利要求8所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
10.根据权利要求9所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该无机材料为碳粉或钙钛矿。
11.根据权利要求10所述的像素阵列封装结构,其特征在于,该碳粉的比表面积为50-70m2/g。
12.一种显示面板,其特征在于,包含:
多个子显示面板,任两相邻的所述子显示面板之间具有一拼接缝,其中各该子显示面板包含多个如权利要求1至11中任一项所述的像素阵列封装结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310514375.9A CN116314244A (zh) | 2018-08-22 | 2019-08-08 | 像素阵列封装结构 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107129351A TWI676851B (zh) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | 畫素陣列封裝結構及顯示面板 |
TW107129351 | 2018-08-22 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310514375.9A Division CN116314244A (zh) | 2018-08-22 | 2019-08-08 | 像素阵列封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110858599A CN110858599A (zh) | 2020-03-03 |
CN110858599B true CN110858599B (zh) | 2023-05-30 |
Family
ID=69188823
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310514375.9A Pending CN116314244A (zh) | 2018-08-22 | 2019-08-08 | 像素阵列封装结构 |
CN201910730800.1A Active CN110858599B (zh) | 2018-08-22 | 2019-08-08 | 像素阵列封装结构及显示面板 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310514375.9A Pending CN116314244A (zh) | 2018-08-22 | 2019-08-08 | 像素阵列封装结构 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11367849B2 (zh) |
CN (2) | CN116314244A (zh) |
TW (1) | TWI676851B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI700846B (zh) * | 2019-03-11 | 2020-08-01 | 佳世達科技股份有限公司 | 顯示器及其製造方法 |
TWI720785B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-03-01 | 東貝光電科技股份有限公司 | 微型led發光裝置及其製造方法 |
JP7054017B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置の検査方法 |
CN113594194B (zh) * | 2020-04-30 | 2024-09-17 | 华为机器有限公司 | 一种堆叠结构、显示屏及显示装置 |
CN111621415B (zh) * | 2020-05-14 | 2021-06-15 | 天津市第三中心医院 | 一种微生物检测系统 |
TWI771879B (zh) * | 2020-06-16 | 2022-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 觸控顯示面板 |
CN113380769B (zh) * | 2020-06-16 | 2023-06-02 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN114520281B (zh) * | 2020-11-20 | 2024-07-16 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置、背光板及显示面板 |
CN112599569A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112582514A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | 一种led芯片、多合一芯片、显示模块及显示屏 |
US11894495B2 (en) * | 2021-06-02 | 2024-02-06 | Lextar Electronics Corporation | Micro LED structure and display device |
TWI836602B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-03-21 | 隆達電子股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI780939B (zh) * | 2021-09-30 | 2022-10-11 | 隆達電子股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI837550B (zh) | 2021-11-19 | 2024-04-01 | 晶元光電股份有限公司 | Led顯示裝置 |
FR3138183B1 (fr) * | 2022-07-20 | 2024-07-19 | Valeo Vision | Dispositif lumineux pour véhicule automobile. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200501798A (en) * | 2003-03-26 | 2005-01-01 | Sony Corp | Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit |
CN103227186A (zh) * | 2012-01-30 | 2013-07-31 | 财团法人工业技术研究院 | 双面发光显示面板 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774988B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-08-10 | Gentex Corporation | Light source detection and categorization system for automatic vehicle exterior light control and method of manufacturing |
US7982229B2 (en) * | 2004-11-18 | 2011-07-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device with conversion structure |
US9431589B2 (en) * | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
KR101147428B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5622494B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-11-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN102779926B (zh) | 2012-08-02 | 2015-01-28 | 慧明光电(深圳)有限公司 | 高对比度的防水表贴led灯 |
EP2999014B1 (en) | 2013-05-13 | 2020-01-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device package |
US9711489B2 (en) * | 2013-05-29 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Multiple pixel surface mount device package |
CN104319282B (zh) * | 2014-09-23 | 2018-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板 |
TWI576534B (zh) | 2015-05-15 | 2017-04-01 | 弘凱光電(深圳)有限公司 | 模組化led顯示板及led發光板 |
WO2016194120A1 (ja) | 2015-06-01 | 2016-12-08 | 三菱電機株式会社 | 発光装置、表示ユニット、及び映像表示装置 |
DE102015225921A1 (de) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Wacker Chemie Ag | Siloxanharzzusammensetzungen |
CN109791968A (zh) * | 2016-07-26 | 2019-05-21 | 克利公司 | 发光二极管、组件和相关方法 |
JP2018041843A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
KR102650341B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2024-03-22 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
TWM555604U (zh) * | 2017-03-01 | 2018-02-11 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd | 具有環境光感應功能的發光裝置 |
US10256217B2 (en) * | 2017-05-29 | 2019-04-09 | Tslc Corp. | Light emitting device |
KR20190074067A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
US10964674B2 (en) * | 2018-02-06 | 2021-03-30 | Lumens Co., Ltd. | Micro-LED display panel |
KR102464561B1 (ko) * | 2018-02-06 | 2022-11-10 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 led 디스플레이 패널 |
US11024785B2 (en) * | 2018-05-25 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages |
US11101410B2 (en) * | 2018-05-30 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | LED systems, apparatuses, and methods |
-
2018
- 2018-08-22 TW TW107129351A patent/TWI676851B/zh active
- 2018-12-25 US US16/232,041 patent/US11367849B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-08 CN CN202310514375.9A patent/CN116314244A/zh active Pending
- 2019-08-08 CN CN201910730800.1A patent/CN110858599B/zh active Active
-
2022
- 2022-05-15 US US17/663,431 patent/US11778845B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-04 US US18/460,673 patent/US20230413594A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200501798A (en) * | 2003-03-26 | 2005-01-01 | Sony Corp | Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit |
CN103227186A (zh) * | 2012-01-30 | 2013-07-31 | 财团法人工业技术研究院 | 双面发光显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11367849B2 (en) | 2022-06-21 |
US20220271251A1 (en) | 2022-08-25 |
US20200067009A1 (en) | 2020-02-27 |
US20230413594A1 (en) | 2023-12-21 |
CN116314244A (zh) | 2023-06-23 |
CN110858599A (zh) | 2020-03-03 |
TW202009580A (zh) | 2020-03-01 |
TWI676851B (zh) | 2019-11-11 |
US11778845B2 (en) | 2023-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110858599B (zh) | 像素阵列封装结构及显示面板 | |
US11774068B2 (en) | Light source device and display unit | |
TWI447450B (zh) | 導光板結構、背光模組及其製造方法 | |
EP3568727B1 (en) | Backlight and manufacturing method thereof, light guide plate and manufacturing method thereof, and display device | |
WO2020258864A1 (zh) | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 | |
JP5092866B2 (ja) | ディスプレイユニット及びその製造方法 | |
JP6912746B1 (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
US20130063964A1 (en) | Illumination Apparatus with High Conversion Efficiency and Methods of Forming the Same | |
TWI588548B (zh) | 顯示裝置 | |
JP6912748B1 (ja) | 発光モジュール及び面状光源 | |
EP2881783B1 (en) | Display device having a light-emitting diode (LED) package as light source | |
US11552222B2 (en) | Display device | |
KR20120078883A (ko) | 디스플레이 장치 | |
JP2015035504A (ja) | 光源装置 | |
TW202037949A (zh) | 發光模組 | |
CN110867455B (zh) | 显示装置 | |
JP2019062116A (ja) | 発光装置 | |
WO2024082488A1 (zh) | 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法 | |
KR101641266B1 (ko) | 발광소자 패키지를 구비하는 디스플레이 장치 | |
CN116314552A (zh) | 一种cob封装方法及cob显示模块 | |
TW202309999A (zh) | 電子裝置的製造方法 | |
JP7078876B2 (ja) | 発光モジュール | |
KR101707972B1 (ko) | 발광소자 패키지를 구비하는 디스플레이 장치 | |
CN115763453A (zh) | 拼接显示面板和显示终端 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |