CN113066787A - 大面积被动式微发光二极管阵列显示器 - Google Patents

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Abstract

大面积被动式微发光二极管阵列显示器包括数个具基板、微发光阵列及阵列用绝缘层的微发光二极管阵列与具载板、数第一、二外部线路、线路用绝缘层及电性键合单元的外部线路组件。微发光阵列沿Y方向间隔布满基板表面且沿X方向各具延伸于表面的第一层、数发光层、数第二层、设于第一层的第一内电极层及数设于各第二层的第二内电极层。各第一内电极层具间隔围绕各发光层的基部及自基部凸出的凸部。阵列用绝缘层覆盖微发光阵列以露出各凸部与第二内电极层。微发光二极管阵列比邻并间隔配置且各凸部与第二内电极层键合于电性键合单元。微发光阵列布满基板表面并配合外部线路组件能有效利用面积且可先检测确保其正常运作于扩增显示面积时提前排除问题。

Description

大面积被动式微发光二极管阵列显示器
技术领域
本发明涉及一种被动式微发光二极管(passive Micro-LED)阵列显示器,特别是涉及一种大面积被动式微发光二极管阵列显示器。
背景技术
就现有的LED显示器来说,依驱动方式来划分可被区分为主动式与被动式,而依面积来区分则可被区分为大面积显示器与小面积显示器。如果以大面积的被动式LED显示器来说,则多半是如户外LED看板,其主要都是由单颗封装完的LED拼接而成,其虽然可以显示画面,但是解析度却仍有改进的空间。又,小面积的LED显示器,则可见有业界统称的七段显示器(seven-segment display),其是借由八个LED以不同组合来显示数字与小数点。
参阅图1与图2,一种现有的共阴极(common cathode)七段显示器1,其主要是由八个发光二极管11与十个引脚12所构成,且各发光二极管11皆包括一阳极与一阴极(见图2);其中,所有发光二极管11的阴极是如图2所示地连接,所述引脚12中的最中间两个引脚12是用来接地,且剩余的八个引脚12是用于对应连接至所述发光二极管11的阳极。虽然前述现有的共阴极七段显示器1适合做为小面积显示器使用,但是也只适用于显示数字,其用来呈现画面的弹性变化并不大。
此外,随着科技的演进与市场的需求,各类轻薄短小化的电子装置的相关研究已成为现阶段各大电子厂的开发主流。前述轻薄短小化的电子装置可见有由微发光二极管所构成的微发光二极管显示器(Micro-LED display)。
发明人曾于JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY VOLUME 6,2018的Fabrication and Study on Red Light Micro-LED Displays一文中(以下称前案)公开一种现有的被动式微发光二极管显示器,其具体的制法与结构已详载于中国台湾第108126000申请号发明专利案的先前技术中。
虽然该前案所载的现有的被动式微发光二极管显示器的像素可达64行×32列,使得其所呈现出来的画面更具有弹性与变化。然而,诚如前述先前技术中所载,该前案在蓝宝石基板上仍需预留下其一周缘的面积,以用来制作电连接至一外部驱动晶片的一外部线路,导致其蓝宝石基板上的面积无法有效地被微发光二极管阵列所利用。因此,为了使用蓝宝石基板的周缘面积来制作该现有的被动式微发光二极管显示器的外部线路,以致于其像素必须被牺牲掉。
再者,该现有的被动式微发光二极管显示器只属于小尺寸(2吋)的被动式LED显示器,若以相同的制法制成一大尺寸的被动式LED显示器时,其必须使用到一大面积的GaAs基板来磊晶制造其发光膜层结构,并依照该前案的制法完成所有步骤。一旦分散在微发光二极管阵列中的部分微发光二极管晶粒无法运作或发光时,便会影响到该大尺寸的被动式LED显示器的显示画面与解析度。然而,对于解析度要求高的业者而言,甚至会淘汰掉前述解析度受影响的大尺寸被动式LED显示器,如此便徒增时间与用料等成本。
经上述说明可知,改良大面积被动式微发光二极管阵列显示器的结构以有效地利用基板面积并减少时间与用料上的成本,是所属技术领域中的相关技术人员有待突破的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有效利用基板面积且能即时确定元件是否正常运作以节省成本的大面积被动式微发光二极管阵列显示器。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,包括多个微发光二极管阵列,及外部线路组件。
各微发光二极管阵列包括:基板、多个微发光阵列,及阵列用绝缘层。各微发光二极管阵列的所述微发光阵列自各自所对应的基板的表面的侧缘背向该侧缘彼此间隔地布满该基板的表面,各微发光二极管阵列的各微发光阵列具有独自地自该基板的表面且连接该侧缘的另一侧缘背向该另一侧缘延伸以形成于该表面上的第一层、多个自该另一侧缘背向该另一侧缘彼此间隔地形成于其第一层上的发光层、多个分别形成于各自所对应的发光层上的第二层、自该另一侧缘背向该另一侧缘延伸地设置于其第一层上的第一内电极层,及多个分别设置于各自所对应的第二层上的第二内电极层。各微发光二极管阵列的各微发光阵列的第一内电极层具有间隔地围绕各自所对应的所述发光层的基部,及自其基部背向该表面凸伸而出的凸部,且各微发光二极管阵列的各第一内电极层的该凸部邻近该基板的表面的该另一侧缘。各微发光二极管阵列的阵列用绝缘层覆盖该基板的表面与所述微发光阵列,以裸露出各微发光阵列的第一内电极层的凸部与各第二内电极层。
该外部线路组件包括:载板、多个第一外部线路、多个第二外部线路、线路用绝缘层,及电性键合单元。所述第一外部线路自该载板的第一表面的侧缘沿背向该第一表面的侧缘的第一方向彼此间隔地设置于该载板的第一表面,且区分为彼此分隔的第一区及第二区。该第一区与该第二区的各第一外部线路具有自该第一表面的另一侧缘背向该第一表面的另一侧缘延伸的第一延伸段,该第一表面的另一侧缘连接该第一表面的该侧缘,且该第一区的最靠近该第二区的第一外部线路以外的所有各第一外部线路,还具有自各自所对应的第一延伸段远离该载板的第一表面的该另一侧缘的端缘朝向该第二区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段;该第二区的最靠近该第一区的第一外部线路以外的所有各第一外部线路,还具有自各自所对应的第一延伸段远离该载板的第一表面的该另一侧缘的端缘朝向该第一区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段。所述第二外部线路沿该第一方向彼此间隔地设置于该第一表面,并介于所述第一外部线路的第一区与第二区间,且各第二外部线路具有自该第一表面的该另一侧缘背向该第一表面的该另一侧缘延伸的延伸段。该线路用绝缘层局部覆盖该第一表面、所述第一外部线路及所述第二外部线路,以局部裸露出所述第一外部线路及所述第二外部线路。该电性键合单元设置于所述第一外部线路及所述第二外部线路的裸露于该线路用绝缘层外且远离该载板的该另一侧缘的端缘上。在本发明中,所述微发光二极管阵列彼此比邻且间隔地配置于该外部线路组件,以令各微发光二极管阵列的各微发光阵列的各第一内电极层的凸部与各微发光二极管阵列的各微发光阵列的各第二内电极层电性键合于该外部线路组件的电性键合单元。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,最靠近该第二区的该第一区的该第一外部线路还具有自其第一延伸段的远离该载板的该另一侧缘的端缘朝向该第二区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段,且最靠近该第一区的该第二区的该第一外部线路还具有自其第一延伸段的远离该载板的该另一侧缘的端缘朝向该第一区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,各微发光阵列的第一内电极层的凸部自其基部背向该基板的表面凸伸至等高于所述第二内电极层,且该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的第二延伸段与各第二外部线路的延伸段上。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,各微发光阵列的第一内电极层的凸部自其基部背向该基板的表面凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路还具有至少一内连接段,且该外部线路组件的各第二外部线路还具有多个内连接段。各第一外部线路的内连接段自各自所对应的第二延伸段远离其第一延伸段的端缘贯穿该载板的第一表面以延伸至相反于该载板的第一表面的第二表面;各第二外部线路的所述内连接段自该载板的该另一侧缘背向该载板的该另一侧缘彼此间隔地贯穿该载板的第一表面以延伸至该第二表面;该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的内连接段与各第二外部线路的内连接段上。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,各微发光阵列的第一内电极层的凸部更自其基部间隔围绕所述发光层处且背向该基板的表面地凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路直接设置于该载板的第一表面上,且还各具有多个内连接段;该外部线路组件的线路用绝缘层覆盖各第一外部线路的第二延伸段;该外部线路组件的各第二外部线路设置于该线路用绝缘层上,以局部陷于该线路用绝缘层且横向跨设于所述第一外部线路的第二延伸段;各第一外部线路的所述内连接段沿该第一方向彼此间隔地自其第二延伸段贯穿该线路用绝缘层以裸露于该线路用绝缘层外;该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的所述内连接段与各第二外部线路的延伸段上。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,各微发光阵列的第一内电极层的凸部更自其基部间隔围绕所述发光层处且背向该基板的表面地凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路直接设置于该载板的第一表面上,且还各具有多个内连接段与多个桥接段;该外部线路组件的线路用绝缘层覆盖各第一外部线路的第二延伸段与各第二外部线路的延伸段,并裸露出各第二外部线路的延伸段的邻近该载板的该另一侧缘处;各第二外部线路横向跨设于所述第一外部线路的第二延伸段,且还各具有多个内连接段。各第一外部线路的所述内连接段沿该第一方向彼此间隔地自其第二延伸段贯穿该载板的第一表面以延伸至相反于该载板的第一表面的第二表面;各第一外部线路的所述桥接段沿该第一方向彼此间隔地埋于该线路用绝缘层,并横向跨设于所述第二外部线路的延伸段以衔接于各自所对应的所述内连接段。各第二外部线路的所述内连接段自该载板的该载板的该另一侧缘背向该另一侧缘彼此间隔地自其延伸段邻近其与所述第一外部线路的第二延伸段的多个相互交错处,贯穿该线路用绝缘层与该载板的第一表面以延伸至该载板的第二表面。该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的所述内连接段与各第二外部线路的所述内连接段上。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,该外部线路组件的电性键合单元选自一异向性导电胶层、一球栅阵列、多个焊块或多个增厚焊条。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,各微发光二极管阵列的各微发光阵列的第一层、所述发光层与所述第二层共同构成多个微发光二极管晶粒,各微发光阵列上的两相邻微发光二极管晶粒间具有第一间距d1,各微发光二极管阵列上的两相邻微发光阵列具有第二间距d2,且各微发光二极管阵列的最接近各自所对应的基板的周缘的微发光阵列至其所比邻的微发光二极管阵列的最接近各自所对应的基板的周缘的微发光阵列间具有间距D,D/d1与D/d2皆介于1至150间。
本发明的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,该第一间距d1与该第二间距d2介于20μm至100μm间,且该间距D介于20μm至3000μm间。
本发明的有益效果在于:利用各基板表面布满所述微发光阵列并配合该外部线路组件能有效地利用该基板表面的面积,且所述微发光二极管阵列电性键合至该外部线路组件前可预先进行电性检测,以确保各微发光阵列皆能正常运作后再电性键合至该外部线路组件,于扩增显示面积时能提前排除耗费时间与用料等成本问题。
附图说明
本发明的其他的特征及功效,将于参照图式的实施方式中清楚地呈现,其中:
图1是一立体图,说明一种现有的七段显示器;
图2是一电路图,说明图1的七段显示器中的八个发光二极管的电路;
图3是一立体图,说明本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第一实施例的一微发光二极管阵列;
图4是图3的一正视示意图;
图5是一立体图,说明本发明该第一实施例的一外部线路组件;
图6是图5的一正视示意图;
图7是一立体图,说明本发明该第一实施例的微发光二极管阵列与外部线路组件彼此键合后的实施态样;
图8是图7的一局部正视示意图;
图9是一立体图,说明本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第二实施例的一外部线路组件;
图10是图9的一正视示意图;
图11是一立体图,说明本发明该第二实施例的微发光二极管阵列与外部线路组件彼此键合后的实施态样;
图12是图11的一局部正视示意图;
图13是一立体图,说明本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第三实施例的一微发光二极管阵列;
图14是图13的一正视示意图;
图15是一立体图,说明本发明该第三实施例的一外部线路组件;
图16是图15的一正视示意图;
图17是一立体图,说明本发明该第三实施例的微发光二极管阵列与外部线路组件彼此键合后的实施态样;
图18是图17的一局部正视示意图;
图19是一立体图,说明本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第四实施例的一外部线路组件;
图20是图19的一正视示意图;
图21是立体图,说明本发明该第四实施例的微发光二极管阵列与外部线路组件彼此键合后的实施态样;及
图22是图21的一局部正视示意图。
具体实施方式
在本发明被详细描述的前,应当注意在以下的说明内容中,类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图3、图5与图7,本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第一实施例,是用于电性键合于一接合有一驱动晶片(图未示)的印刷电路板(如,软性印刷电路板)9,本发明该第一实施例包括多个微发光二极管阵列2,及一外部线路组件3。
如图3与图4所示,各微发光二极管阵列2是由一基板21、多个微发光阵列22,及一阵列用绝缘层23所构成。在本发明该第一实施例中,各基板21是一双面抛光的蓝宝石基板。
各微发光二极管阵列2的所述微发光阵列22自各自所对应的基板21的一表面211的一侧缘2111,背向该侧缘2111的一第二方向(行方向)Y彼此间隔地布满该基板21的表面211。各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22具有一独自地自该基板21表面211且连接该侧缘2111的一另一侧缘2112背向该另一侧缘2112的一第一方向(列方向)X延伸以形成于该表面211上的第一层221、多个自该另一侧缘2112背向该另一侧缘2112的第一方向(列方向)X彼此间隔地形成于其第一层221上的发光层222、多个分别形成于各自所对应的发光层222上的第二层223、一自该另一侧缘2112背向该另一侧缘2112的第一方向(列方向)X延伸地设置于其第一层221上的第一内电极层224,及多个分别设置于各自所对应的第二层223上的第二内电极层225。各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的第一内电极层224具有一间隔地围绕各自所对应的所述发光层222的基部2241,及一自其基部2241背向该表面211凸伸而出的凸部2242,且各微发光二极管阵列2的各第一内电极层224的凸部2242邻近该基板21表面211的该另一侧缘2112。
如图3与图4所示,各微发光二极管阵列2的阵列用绝缘层23覆盖该基板21表面211与所述微发光阵列22,以裸露出各微发光阵列22的第一内电极层224的凸部2242与各第二内电极层225。
在本发明该第一实施例中,各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的第一内电极层224的凸部2242是自其基部2241背向该基板21表面211凸伸至等高于所述第二内电极层225;各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的第一层221与各第二层223分别是n-GaN与p-GaN,且各第一内电极层224与各第二内电极层225分别是第一金属(如,Au、Ag、Al、Cu或Ti)与ITO,而该阵列用绝缘层23则是选自SU-8光阻、氧化硅或氧化铝;此外,该微发光阵列22的数量是32个(也就是,32列的微发光阵列22),各微发光阵列22的第一层221上所磊晶制造的发光层222与第二层223的数量有64个,且各微发光阵列22的该第一层221、所述发光层222与所述第二层223共同构成64个微发光二极管晶粒。换句话说,本发明该第一实施例具有32×64个微发光二极管晶粒,其像素是32列×64行。此外,此处进一步补充说明的是,各微发光阵列22上的每两相邻微发光二极管晶粒具有一第一间距d1,各微发光二极管阵列2上的两相邻微发光阵列22具有一第二间距d2,该第一间距d1与该第二间距d2是介于20μm至100μm间。在本发明该第一实施例中,该第一间距d1与该第二间距d2为50μm。
如图5与图6所示,该外部线路组件3包括一载板30、多个第一外部线路31、多个第二外部线路32、一线路用绝缘层33,及一电性键合单元34。在本发明该第一实施例中,所述第一外部线路31与所述第二外部线路32是用于电性键合至软性印刷电路板9。
所述第一外部线路31自该载板30的一第一表面301的一侧缘3011沿背向该侧缘3011的该第一方向(列方向)X彼此间隔地设置于该载板30的第一表面301,且区分为彼此分隔的一第一区311及一第二区312。该第一区311与该第二区312的各第一外部线路31具有一自该第一表面301且连接该侧缘3011的一另一侧缘3012,背向该另一侧缘3012的第二方向(行方向)Y延伸的第一延伸段3111、3121,且该第一区311的最靠近该第二区312的第一外部线路31以外的所有各第一外部线路31,还具有一自各自所对应的第一延伸段3111远离该载板30的第一表面301的该另一侧缘3012的一端缘,朝向该第二区312的第一外部线路31的第一延伸段3121延伸的第二延伸段3112。该第二区312的最靠近该第一区311的第一外部线路31以外的所有各第一外部线路31,还具有一自各自所对应的第一延伸段3121且远离该载板30的第一表面301的该另一侧缘3012的一端缘,朝向该第一区311的第一外部线路31的第一延伸段3111延伸的第二延伸段3122。
所述第二外部线路32沿该第一方向X彼此间隔地设置于该第一表面301,并介于该第一区311的所述第一外部线路31的第一延伸段3111与该第二区312的所述第一外部线路31的第一延伸段3121间,且各第二外部线路32具有一自该第一表面301的该另一侧缘3012背向该另一侧缘3012的第二方向(行方向)Y延伸的延伸段321。
在本发明该第一实施例中,最靠近该第二区312的该第一区311的该第一外部线路31还各自具有一自其第一延伸段3111远离该载板30的该另一侧缘3012的一端缘,朝向该第二区312的第一外部线路31的第一延伸段3121延伸的第二延伸段3112,且最靠近该第一区311的该第二区312的该第一外部线路31还各自具有一自其第一延伸段3121远离该载板30的该另一侧缘3012的一端缘,朝向该第一区311的第一外部线路31的第一延伸段3111延伸的第二延伸段3122。具体来说,本发明该第一实施例是以各第一外部线路31皆具有第一延伸段3111、3121与第二延伸段3112、3122为例做说明。需知道的是,位于本发明该第一实施例的载板30上的第一区311中最靠近该第二区312的该第一外部线路31,以及位于该载板30上的第二区312中最靠近该第一区311的该第一外部线路31也可以无需第二延伸段3112、3122,而只有第一延伸段3111、3121,其同样是可以实施于本发明该第一实施例。
该线路用绝缘层33局部覆盖该第一表面301、所述第一外部线路31及所述第二外部线路32,以局部裸露出所述第一外部线路31及所述第二外部线路32。
该电性键合单元34设置于所述第一外部线路31及所述第二外部线路32的裸露于该线路用绝缘层33外且远离该载板30的该另一侧缘3012的一端缘上。
在本发明该第一实施例中,该载板30是一玻璃基板,该线路用绝缘层33则是选自SU-8光阻、氧化硅或氧化铝;所述第一外部线路31是使用如前所述的第一金属,所述第二外部线路32是使用钼(Mo)或Al。具体来说,本发明该第一实施例的外部线路组件3是一单层金属线路载板,且该软性印刷电路板9是电性键合至位于该载板30的该另一侧缘3012处的所述第一外部线路31的第一延伸段3111、3121与所述第二外部线路32的延伸段321。
如图7与图8所示,所述微发光二极管阵列2是彼此比邻且间隔地配置于该外部线路组件3,以令各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的各第一内电极层224的凸部2242与各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的各第二内电极层225电性键合于该外部线路组件3的电性键合单元34。较佳地,各微发光二极管阵列2的最接近各自所对应的基板21一周缘的微发光阵列22至其所比邻的微发光二极管阵列2的最接近各自所对应的基板21周缘的微发光阵列22间具有一间距D,该间距D是介于20μm至3000μm间。更佳地,D/d1与D/d2皆是介于1至150间。再更佳地,D/d1与D/d2皆是介于1至100间。又再更佳地,D/d1与D/d2皆是介于1至50间。在本发明该第一实施例中,该间距D是1000μm;也就是,D/d1与D/d2皆为20。适用于本发明该第一实施例的该外部线路组件3的电性键合单元34,是选自一异向性导电胶层(ACF)、一球栅阵列(BGA)、多个焊块(bump)或多个增厚焊条(stripe)。
再参阅图5、图7与图8,在本发明该第一实施例中,该外部线路组件3的电性键合单元34设置于各第一外部线路31的第二延伸段3111、3121的远离其第一延伸段3111、3121的一端缘与各第二外部线路32的延伸段321上,该电性键合单元34是由多个锡球341所构成的该球栅阵列。本发明该第一实施例是以该球栅阵列为例做说明,但是并不限于此,其也可以是采用前述ACF、焊块或增厚焊条。详细的电性键合单元34的细部结构,可参阅申请人在中国台湾第108126000申请号发明专利案的实施方式所载的技术内容,于此不再赘述。
由图7显示可知,本发明该第一实施例的大面积被动式微发光二极管阵列显示器虽然只是以两个微发光二极管阵列2为例做说明。然而,当该载板30上的第一外部线路31的各第一延伸段3111、3121与第二外部线路32的延伸段321沿该第二方向(行方向)Y延伸的长度增长时,便可容许在该载板30上沿该第二方向(行方向)Y配置更多数量的微发光二极管阵列2。
此处需说明的是,本发明该第一实施例基于使用该外部线路组件3来做为各微发光二极管阵列2对外连接至该软性印刷电路板9的外部线路,因而可在各微发光二极管阵列2的基板21表面211节省下配置外部线路的空间,相较于背景技术内所提到的该前案,能有效地利用基板21表面211的面积。又,承接前述说明,本发明该第一实施例基于各基板21表面211节省下配置外部线路的空间,因而各微发光阵列22上位于最邻近该基板21周缘处的该微发光二极管晶粒至其基板21周缘的距离能相对该前案来得更小,再加上两相邻微发光二极管晶粒间的第一间距d1与各微发光二极管阵列2的两相邻微发光阵列22间的第二间距d2只为50μm,且该间距D只有1000μm;因此,就本发明该第一实施例的显示器所呈现出的显示画面上的视觉效果而言,几乎可忽略掉该间距D的存在感。
附带说明的是,本发明该第一实施例将所述微发光二极管阵列2电性键合至该外部线路组件3前,可以先对各微发光二极管阵列2进行电性检测,以确保各微发光阵列22上的所有微发光二极管晶粒皆能正常运作/发光后,再将所述微发光二极管阵列2电性键合至该外部线路组件3。本发明该第一实施例没有该前案欲扩增显示面积时所需面临到的耗费时间与用料等成本问题,可提前检测出无法正常运作/发光的微发光二极管晶粒,以精准地筛选出可整体正常运作的微发光二极管阵列2从而符合业界对解析度的高要求。此外,本发明该第一实施例的显示器的显示画面,是借由该软性印刷电路板9所键合的驱动晶片(图未示)来驱动,并借由该驱动晶片来控制所述第一外部线路31与所述第二外部线路32,从而对应控制所述微发光二极管晶粒以令其显示器呈现出显示画面,其也适用于一般家用的智能型家电产品上的显示面板。
参阅图9、图10、图11与图12,本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第二实施例,大致上是相同于该第一实施例,其不同处是在于,该外部线路组件3的位于该第一区311内的各第一外部线路31与该第二区312内的各第一外部线路31还分别具有至少一内连接段3113、3123,且该外部线路组件3的各第二外部线路32还具有多个内连接段322。
具体来说,各第一外部线路31的内连接段3113、3123是自各自所对应的第二延伸段3112、3122远离其第一延伸段3111、3121的一端缘,贯穿该载板30的第一表面301以延伸至一相反于该载板30的第一表面301的第二表面302。
各第二外部线路32的所述内连接段322是自该载板30的该另一侧缘3012沿背向该另一侧缘3012的第二方向(行方向)Y彼此间隔地贯穿该载板30的第一表面301以延伸至该第二表面302。
该外部线路组件3的电性键合单元34是设置于各第一外部线路31的内连接段3113、3123与各第二外部线路32的内连接段322上。因此,所述微发光二极管阵列2是沿该第二方向(行方向)Y彼此比邻且间隔地配置于该载板30的第二表面302。
此处需补充说明的是,就制程上的方便性来说,本发明该第一实施例必须先电性键合所述微发光二极管阵列2与该外部线路组件3后,才能将该软性印刷电路板9电性键合至该外部线路组件3的各第一外部线路31与各第二外部线路32。相反地,本发明该第二实施例除了具有前述第一实施例的优点外,还具有制程上的方便性。具体来说,如图11与图12所示,本发明该第二实施例基于该软性印刷电路板9是电性键合至所述第一外部线路31的第一延伸段3111、3121与所述第二外部线路32的延伸段321,而所述微发光二极管阵列2则是通过该电性键合单元34的所述锡球341电性键合至所述第一外部线路31的各内连接段3113、3123与所述第二外部线路32的内连接段322。然而,由前述说明与图11、图12可知,所述第一外部线路31的第一延伸段3111、3121与所述第二外部线路32的延伸段321是位在该载板30的第一表面301,而前述内连接段3113、3123、322是自该载板30的第一表面301贯穿且延伸至该第二表面302。因此,就本发明该第二实施例在制程上的方便性来说,无须受限于电性键合程序的前后顺序,其也可以先将该软性印刷电路板9电性键合至所述第一外部线路31的第一延伸段3111、3121与所述第二外部线路32的延伸段321后,再将所述微发光二极管阵列2电性键合至该电性键合单元34的所述锡球341以与所述第一外部线路31的各内连接段3113、3123及所述第二外部线路32的内连接段322电连接,制作程序上更具弹性。
参阅图13、图15与图17,本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第三实施例,大致上是相同于该第一实施例,其不同处是在于,各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的第一内电极层224的细部结构与该外部线路组件3的所述第一外部线路31与所述第二外部线路32的细部结构。
具体来说,如图13与图14所示,各微发光二极管阵列2的各微发光阵列22的第一内电极层224的凸部2242更自其基部2241间隔围绕所述发光层222处且背向该基板21表面211地凸伸至等高于所述第二内电极层225。
此外,参阅图15与图16,该外部线路组件3的各第一外部线路31是直接设置于该载板30的第一表面301上,且各第一外部线路31还分别具有多个内连接段3113、3123;该外部线路组件3的线路用绝缘层33覆盖各第一外部线路31的第二延伸段3112、3122。该外部线路组件3的各第二外部线路32设置于该线路用绝缘层33上,以局部陷于该线路用绝缘层33且横向跨设于所述第一外部线路31的第二延伸段3112、3122。具体地说,各第一外部线路31的所述内连接段3113、3123是沿该第一方向(列方向)X彼此间隔地自其第二延伸段3112、3122贯穿该线路用绝缘层33以裸露于该线路用绝缘层33外。
如图15、图17与图18所示,该外部线路组件3的电性键合单元34设置于各第一外部线路31的所述内连接段3113、3123与各第二外部线路32的延伸段321上。具体来说,本发明该第三实施例的外部线路组件3是一双层金属线路载板。
此处须说明的是,本发明于图17所示的该第三实施例虽然是以四个微发光二极管阵列2为例做说明(也就是2×2)。然而,须了解的是,只要该外部线路组件3的载板30面积足够充分,以供配置数量更多的所述第一外部线路31与所述第二外部线路32,本发明该第三实施例的微发光二极管阵列2也可以是以n×n的配置关系来扩增其显示面积。因此,本发明该第三实施例的显示器所能呈现的显示画面相对该第一实施例大。
比较本发明该第一实施例与该第三实施例的详细说明可知,本发明该第三实施例除了具备有该第一实施例的所有优点外,本发明该第三实施例的各微发光阵列22上的第一内电极层224没有如该第一实施例的各微发光阵列22般(见图3、图4与图8),必需贡献出其第一内电极层224位于邻近基板21的该另一侧缘2112处的凸部2242的位置,因而该第三实施例在各微发光二极管阵列2的所述微发光阵列22上位于最邻近其基板21周缘处的该微发光二极管晶粒至其基板21周缘的距离能相对小于该第一实施例。因此,本发明该第三实施例的各微发光阵列22中所定义出的微发光二极管晶粒的数量是能相对该第一实施例多出一个微发光二极管晶粒。经前述说明比对可知,该第三实施例的显示器在画面的呈现上,更能忽略掉该间距D。
参阅图19、图20、图21与图22,本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器的一第四实施例,大致上是相同于该第二实施例与该第三实施例,其不同处是在于,该外部线路组件3的所述第一外部线路31与所述第二外部线路32的细部结构。
如图19与图20所示,该外部线路组件3的各第一外部线路31是直接设置于该载板30的第一表面301上,且位于该第一区311与该第二区312内的所述第一外部线路31还各具有多个桥接段3114、3124。该外部线路组件3的线路用绝缘层33覆盖各第一外部线路31的第二延伸段3112、3122与各第二外部线路32的延伸段321,并裸露出各第二外部线路32的延伸段321的邻近该载板30的该另一侧缘3012处。各第二外部线路32是横向跨设于所述第一外部线路31的第二延伸段3112、3122。
具体来说,各第一外部线路31的所述内连接段3113、3123是沿该第一方向(列方向)X彼此间隔地自其第二延伸段3112、3122贯穿该载板30的第一表面301以延伸至该第二表面302。位于该第一区311与该第二区312内的各第一外部线路31的所述桥接段3114、3124是沿该第一方向(列方向)X彼此间隔地埋于该线路用绝缘层33并横向跨设于所述第二外部线路32的延伸段321以衔接于各自所对应的所述内连接段3113、3123。此处须说明的是,图19与图20只是为了方便呈现出所述桥接段3114、3124而裸露于该线路用绝缘层33外,于实际运用上所述桥接段3114、3124是埋设于该线路用绝缘层33内。
各第二外部线路32的所述内连接段322是自该载板30的该另一侧缘3012背向该另一侧缘3012的第二方向(行方向)Y彼此间隔地自其延伸段321邻近于其与所述第一外部线路31的第二延伸段3112、3122的多个相互交错处,贯穿该线路用绝缘层33与该载板30的第一表面301以延伸至该载板30的第二表面302。
该外部线路组件3的电性键合单元34设置于各第一外部线路31的所述内连接段3113、3123与各第二外部线路32的所述内连接段322上。
经前述说明可知,本发明该第四实施例除了具备有该第三实施例的所有优点外,其与该第二实施例相似,各微发光二极管阵列2是电性键合在位于该载板30的第二表面302上的所述第一外部线路31的所述内连接段3113、3123与各第二外部线路32的所述内连接段322上,而该软性印刷电路板9是电性键合在位于该载板30的第一表面301上的所述第一外部线路31的所述第一延伸段3111、3121与各第二外部线路32的所述延伸段321上。因此,本发明该第四实施例在制程上同样与该第二实施例般,具有制程上的弹性。
综上所述,本发明大面积被动式微发光二极管阵列显示器,利用各基板21表面211布满所述微发光阵列22并配合该外部线路组件3能有效地利用各基板21表面211的面积,且所述微发光二极管阵列2电性键合至该外部线路组件3前可预先进行电性检测,以确保各微发光阵列22的微发光二极管晶粒皆能正常运作后再电性键合至该外部线路组件3,于扩增显示面积时能提前排除耗费时间与用料等成本问题,所以确实能达成本发明的目的。
以上所述者,只为本发明的实施例而已,当不能以此限定本发明实施的范围,凡是依本发明申请权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明涵盖的范围内。

Claims (9)

1.一种大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:包含:
多个微发光二极管阵列,各包括:
基板,
多个微发光阵列,自该基板的表面的侧缘背向该侧缘彼此间隔地布满该基板的表面,各微发光阵列具有独自地自该基板的表面且连接该侧缘的另一侧缘背向该另一侧缘延伸以形成于该表面上的第一层、多个自该另一侧缘背向该另一侧缘彼此间隔地形成于其第一层上的发光层、多个分别形成于各自所对应的发光层上的第二层、自该另一侧缘背向该另一侧缘延伸地设置于其第一层上的第一内电极层,及多个分别设置于各自所对应的第二层上的第二内电极层,各微发光阵列的第一内电极层具有间隔地围绕各自所对应的所述发光层的基部,及自其基部背向该表面凸伸而出的凸部,且各第一内电极层的该凸部邻近该基板的表面的该另一侧缘,及
阵列用绝缘层,覆盖该基板的表面与所述微发光阵列以裸露出各微发光阵列的第一内电极层的凸部与各第二内电极层;及
外部线路组件,包括:
载板,
多个第一外部线路,自该载板的第一表面的侧缘沿背向该第一表面的侧缘的第一方向彼此间隔地设置于该载板的第一表面且区分为彼此分隔的第一区及第二区,该第一区与该第二区的各第一外部线路具有自该第一表面的另一侧缘背向该第一表面的另一侧缘延伸的第一延伸段,该第一表面的另一侧缘连接该第一表面的该侧缘,且该第一区的最靠近该第二区的第一外部线路以外的所有各第一外部线路还具有自各自所对应的第一延伸段远离该载板的第一表面的该另一侧缘的端缘朝向该第二区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段,该第二区的最靠近该第一区的第一外部线路以外的所有各第一外部线路还具有自各自所对应的第一延伸段远离该载板的第一表面的该另一侧缘的端缘朝向该第一区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段,
多个第二外部线路,沿该第一方向彼此间隔地设置于该第一表面,并介于该第一区的所述第一外部线路的第一延伸段与该第二区的所述第一外部线路的第一延伸段间,且各具有自该第一表面的该另一侧缘背向该第一表面的该另一侧缘延伸的延伸段,
线路用绝缘层,局部覆盖该第一表面、所述第一外部线路及所述第二外部线路,以局部裸露出所述第一外部线路及所述第二外部线路;及
电性键合单元,设置于所述第一外部线路及所述第二外部线路的裸露于该线路用绝缘层外且远离该载板的该另一侧缘的端缘上;
其中,所述微发光二极管阵列彼此比邻且间隔地配置于该外部线路组件,以令各微发光二极管阵列的各微发光阵列的各第一内电极层的凸部与各微发光二极管阵列的各微发光阵列的各第二内电极层电性键合于该外部线路组件的电性键合单元。
2.根据权利要求1所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:最靠近该第二区的该第一区的该第一外部线路还具有自其第一延伸段远离该载板的该另一侧缘的端缘朝向该第二区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段,且最靠近该第一区的该第二区的该第一外部线路还具有自其第一延伸段远离该载板的该另一侧缘的端缘朝向该第一区的第一外部线路的第一延伸段延伸的第二延伸段。
3.根据权利要求2所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:各微发光阵列的第一内电极层的凸部自其基部背向该基板的表面凸伸至等高于所述第二内电极层,且该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的第二延伸段与各第二外部线路的延伸段上。
4.根据权利要求2所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:各微发光阵列的第一内电极层的凸部自其基部背向该基板的表面凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路还具有至少一内连接段,且该外部线路组件的各第二外部线路还具有多个内连接段;
各第一外部线路的内连接段自各自所对应的第二延伸段远离其第一延伸段的端缘贯穿该载板的第一表面以延伸至相反于该载板的第一表面的第二表面;
各第二外部线路的所述内连接段自该载板的该另一侧缘背向该载板的该另一侧缘彼此间隔地贯穿该载板的第一表面以延伸至该第二表面;
该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的内连接段与各第二外部线路的内连接段上。
5.根据权利要求2所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:各微发光阵列的第一内电极层的凸部更自其基部间隔围绕所述发光层处且背向该基板的表面地凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路直接设置于该载板的第一表面上,且还各具有多个内连接段;该外部线路组件的线路用绝缘层覆盖各第一外部线路的第二延伸段;该外部线路组件的各第二外部线路设置于该线路用绝缘层上,以局部陷于该线路用绝缘层且横向跨设于所述第一外部线路的第二延伸段;各第一外部线路的所述内连接段沿该第一方向彼此间隔地自其第二延伸段贯穿该线路用绝缘层以裸露于该线路用绝缘层外;该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的所述内连接段与各第二外部线路的延伸段上。
6.根据权利要求2所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:各微发光阵列的第一内电极层的凸部更自其基部间隔围绕所述发光层处且背向该基板的表面地凸伸至等高于所述第二内电极层;该外部线路组件的各第一外部线路直接设置于该载板的第一表面上,且还各具有多个内连接段与多个桥接段;该外部线路组件的线路用绝缘层覆盖各第一外部线路的第二延伸段与各第二外部线路的延伸段,并裸露出各第二外部线路的延伸段的邻近该载板的该另一侧缘处;各第二外部线路横向跨设于所述第一外部线路的第二延伸段,且还各具有多个内连接段;
各第一外部线路的所述内连接段沿该第一方向彼此间隔地自其第二延伸段贯穿该载板的第一表面以延伸至相反于该载板的第一表面的第二表面,各第一外部线路的所述桥接段沿该第一方向彼此间隔地埋于该线路用绝缘层并横向跨设于所述第二外部线路的延伸段以衔接于各自所对应的所述内连接段;
各第二外部线路的所述内连接段自该载板的该另一侧缘背向该载板的该另一侧缘彼此间隔地自其延伸段邻近其与所述第一外部线路的第二延伸段的多个相互交错处,贯穿该线路用绝缘层与该载板的第一表面以延伸至该载板的第二表面;
该外部线路组件的电性键合单元设置于各第一外部线路的所述内连接段与各第二外部线路的所述内连接段上。
7.根据权利要求1所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:该外部线路组件的电性键合单元选自一异向性导电胶层、一球栅阵列、多个焊块或多个增厚焊条。
8.根据权利要求1所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:各微发光二极管阵列的各微发光阵列的第一层、所述发光层与所述第二层共同构成多个微发光二极管晶粒,各微发光阵列上的两相邻微发光二极管晶粒间具有第一间距d1,各微发光二极管阵列上的两相邻微发光阵列具有第二间距d2,且各微发光二极管阵列的最接近各自所对应的基板的周缘的微发光阵列至其所比邻的微发光二极管阵列的最接近各自所对应的基板的周缘的微发光阵列间具有间距D,D/d1与D/d2皆介于1至150间。
9.根据权利要求8所述的大面积被动式微发光二极管阵列显示器,其特征在于:该第一间距d1与该第二间距d2介于20μm至100μm间,且该间距D介于20μm至3000μm间。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD996379S1 (en) * 2019-01-04 2023-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Modular display
USD1005248S1 (en) * 2019-01-04 2023-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Modular display
US20220231209A1 (en) * 2021-01-19 2022-07-21 Innostar Service Inc. Led display

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601772A (zh) * 2004-09-22 2005-03-30 邹庆福 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法
TW201117645A (en) * 2005-12-16 2011-05-16 Seoul Opto Device Co Ltd Light emitting device with light emitting cells
CN102856316A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及包括其的光单元
US20170294479A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode module, display panel having the same and method of manufacturing the same
US20180269191A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Globalfoundries Inc. Micro-led display assembly
US20190333901A1 (en) * 2018-04-30 2019-10-31 X-Celeprint Limited Bezel-free displays

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4160881B2 (ja) * 2003-08-28 2008-10-08 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
JP5545848B2 (ja) * 2010-06-24 2014-07-09 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP2015197544A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
US9991423B2 (en) * 2014-06-18 2018-06-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
US10255834B2 (en) * 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US10380930B2 (en) * 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10445048B2 (en) * 2016-12-30 2019-10-15 Shaoher Pan Larger displays formed by multiple integrated LED array micro-displays
US10832609B2 (en) * 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
EP3499052B1 (en) * 2017-12-15 2021-11-17 LG Display Co., Ltd. Tiled display device and tiling apparatus therefor
JP7083736B2 (ja) * 2018-10-26 2022-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102555828B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 고 해상도 마이크로 led 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI707466B (zh) * 2019-07-23 2020-10-11 國立中興大學 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
US11664355B2 (en) * 2019-12-02 2023-05-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601772A (zh) * 2004-09-22 2005-03-30 邹庆福 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法
TW201117645A (en) * 2005-12-16 2011-05-16 Seoul Opto Device Co Ltd Light emitting device with light emitting cells
CN102856316A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及包括其的光单元
US20170294479A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode module, display panel having the same and method of manufacturing the same
US20180269191A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Globalfoundries Inc. Micro-led display assembly
US20190333901A1 (en) * 2018-04-30 2019-10-31 X-Celeprint Limited Bezel-free displays

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