JP5545848B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

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Description

本発明はLED発光素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関するものであり、詳しくは発熱特性による劣化が少なく、長寿命な半導体発光装置の構成に関する。
近年、LED発光素子(以下LEDと略記する)は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光装置としてLED発光装置を実施形態として説明する。
特に近年、LED発光装置としては、カメラの発光装置や、電球の代わりに使用される大容量の証明装置が必要とされており、これを実現する方式として、一個の基板上に、複数のLEDを並列接続して構成したLEDブロックを複数個設け、前記複数の発光素子ブロックを直列接続して構成するLED発光装置が提案されている。(例えば引用文献1)
以下従来のLEDブロック構成のLED発光装置に付いて説明する。
図14は特許文献1における従来のLED発光装置100のブロック構成を示す平面図であり、1個の基板101上に、5個のLED2a、2b、2c、2d、2eを並列接続して構成したLEDブロックL1,LEDブロックL2,LEDブロックL3,LEDブロックL4,LEDブロックL5が、前記基板101上に並列に集中配設されおり、各々のLEDブロックを直列接続し、さらに電流制限抵抗102を介して2つの電源端子103a,103bに接続されている。
上記構成におけるLED発光装置100の動作は、各LEDブロックの順方向電圧VFの合計値、すなわちLEDブロックL1の順方向電圧VF1,LEDブロックL2の順方向電圧VF2,LEDブロックL3の順方向電圧VF3,LEDブロックL4の順方向電圧VF4,LEDブロックL5の順方向電圧VF5を加えた電圧値より高い電圧を2つの電源端子103a,103b間に印加し、その電流値を電流制限抵抗102によって調整することで、LED発光装置100としての発光が行われる。
上記構成において、各LEDブロックを構成する5個のLED2a,2b,2c,2d,2eは各々の順方向電圧VFを選択して揃えておく必要があり、そのバラツキ幅は0,1V以下にしておくことが望ましい。こうすることによって、1個のLEDブロックを構成している順方向電圧VFの5個のLED2a,2b,2c,2d,2eのうちの1つのLED2aが断線等の問題を発しした場合にも、残りのLED2b,2c,2d,2eが順方向電圧VFを保って発光するため、各LEDの断線が照明装置全体の動作に影響を及ぼすことがない。
特開2006−222412号公報
上記特許文献1の提案では、複数のLEDブロックを構成する並列接続のLEDの数を同数としているため、全体の回路構成バランスが良く、各IEDに流れる電流の値を揃えることで、明るさを均一にすることができる。しかし、1個の基板上に複数のLEDブロックを配設した場合は、各LEDブロックの発熱状態に差が生じる結果となる。すなわち図14のようにLEDブロックを配設した場合、各LEDブロックは同数のLEDに略同一の電流が流れるため、略同一の発熱が行われる。
しかし放熱の条件を考えると周囲に配設されたLEDブロックL1、LEDブロックL5は周囲への放熱条件が良いため、あまり高温にはならないが内側に配置されたLEDブロックL2、LEDブロックL4は各々LEDブロックL1及びLEDブロックL5に遮られて放熱条件が悪くなるため、比較的高温になり、さらに基板上の直列接続配置の中央に位置するLEDブロックL3は、周囲を発熱体である各LEDブロックに挟まれることによって最も高温状態となる。
図15は基板101上の各LEDブロックの位置に対応した温度分布を表した温度分布図であり、横軸はLEDブロックが配設されている基板の位置を示し、縦軸は各部分の温度を示している。すなわち周囲に配設されたLEDブロックL1、LEDブロックL5はそれほどの高温でない定常温Ts(℃)となっているが、直列接続配置の中央に位置するLEDブロックL3は高温度の高温Tm(℃)となっている。
このように高温Tm(℃)と高温度になったLEDブロックL3は、LED自身の劣化が生じると共に、高温度になることによって色調の変化が生じ、表示装置のバックライトとして用いる場合には、色味が悪くなるという問題がある。
本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、基板上の直列接続配置の中央に位置するLEDブロックの温度上昇を抑え、各LEDブロック間の温度差を軽減することによって、劣化が少なく長寿命で、かつ色調の変化の影響も軽減したLED発光装置を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明においては、一個の基板上に、複数の半導体発光素子を並列接続して構成した発光素子ブロックを複数個設け、前記複数の発光素子ブロックを直列接続して構成する半導体発光装置において、前記基板上の直列接続配置の中央に位置する発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多く、かつ中央に位置する発光素子ブロックから、両側の周辺方向に離れていくに従って発光素子ブロックを構成する発光素子の数が両側に均等に順次減少していくことを特徴とする。
上記構成により、複数の発光素子ブロックを直列接続して構成する半導体発光装置において、基板上の直列接続配置の中央に位置する発光素子ブロックを構成する発光素子の数を、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多くすることによって、中央に位置する発光素子ブロックを構成する各LEDの電流を減少させることで、各LEDの発熱量を減少させ、発光装置全体の発熱温度を平坦化させることができ、LEDの長寿命化と色調の変化の影響を軽減させることができる。
前記基板は縦と横の長さが略等しい基板であり、前記複数の発光素子ブロックが前記基板上に並列配置にて集中配設されており、基板中央位置に配設された前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多くすると良い。
カメラの発光装置や、電球の代わりに使用される大容量の証明装置の場合は、この構成がとられるが、特に各LEDブロックが近接配設となるため、基板中央位置に配設された発光素子ブロックの放熱が妨げられるので、本発明の効果が大きい。
前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数は、前記中央に配置した発光素子ブロックより周辺方向に離れて行くに従って内側の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より、1個づつ減少すると良い。
上記構成によれば、中央に位置する発光素子ブロックから、周辺方向に離れていくに従って発光素子ブロックに従って順次発熱量が減少していくため、発光装置全体の発熱温度の平坦化がより良く行われる。
前記基板は縦と横の長さが大きく異なる長尺形状の基板であり、前記複数の発光素子ブロックが前記長尺形状の基板上に直線上に配設されており、基板中央位置に配設された発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多いと良い。
テレビやパソコン用の大型画面の証明装置の場合は色調の変化の影響が重要視され、サイド配置のこの構成がとられるが、特に各LEDブロックが直線配置となるため、基板中央位置に配設された発光素子ブロックの色調の変化の影響が抑えられる効果がある。
上記の如く本発明によれば、複数の発光素子ブロックを直列接続して構成する半導体発光装置において、基板上の直列接続配置の中央に位置する発光素子ブロックを構成する発光素子の数を、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多くすることによって、中央に位置する発光素子ブロックを構成する各LEDの電流を減少させることで、各LEDの発熱量を減少させ、発光装置全体の発熱温度を平坦化させることができ、LEDの長寿命化と色調の変化の影響を軽減させることができる効果がある。
本発明の第1実施形態におけるLED発光装置のブロック構成を示す平面図である。 図1に示すLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 図2に示すLED発光装置の温度分布を示す温度分布図である。 本発明の第2実施形態におけるLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 図4に示すLED発光装置のA−A断面図である。 図4に示すLED発光装置のB−B断面図である。 本発明の第3実施形態におけるLED発光装置のブロック構成を示す平面図である。 図7に示すLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 本発明の第4実施形態におけるLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 図9に示すLED発光装置のC−C断面図である。 本発明の第5実施形態におけるLED発光装置のブロック構成を示す平面図である。 図11に示すLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 本発明の第6実施形態におけるLED発光装置の実装構成を示す平面図である。 従来のLED発光装置のブロック構成を示す平面図である。 図14に示すLED発光装置の温度分布を示す温度分布図である。
(第1実施形態)
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図1、図2、図3は本発明の第1実施形態におけるLED発光装置を示すものであり、図1はLED発光装置のブロック構成を示す平面図、図2は図1に示すLED発光装置の実装構成を示す平面図、図3は基板11上の各LEDブロックの位置に対応した温度分布を表した温度分布図であり、図15に示す従来のLED発光装置100の温度分布図に対応している。なお本発明の実施形態の説明において従来技術である図14、図15と同一部材には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
図1、図2においてLED発光装置10は、基板11の上面側に2個の取り付け孔11a、11bと配線電極12a〜12f(実施例では6本)、電源電極13a、13bが形成され、一番外側の配線電極12aと配線電極12fとは電源電極13a,13bにそれぞれ接続されている。そして各配線電極12a〜12fの間には5個のLEDブロックL1〜L5が並列に接続されており、各LEDブロックL1〜L5は電源電極13a、13b間に直列に接続されている点は図14に示すLED発光装置100と同じである。なお、図1はLED2の形状を記号化して示し、図2ではLED2をチップ形状で示しているが、内容としては同一部材であり、同一番号を付す。
図1、図2の示すLED発光装置10の特徴は各LEDブロックを構成するLEDの数が異なることであり、各LEDブロックL1〜L5の内、基板11上の直列接続配置の中央に位置するLEDブロックL3は最も多く、LED2a〜LED2fの6個のLEDで構成され、そのLED3の両脇のLEDブロックL2.L4は1個少ないLED2a〜LED2eまでの5個並列となっており、さらにその両脇のLEDブロックL1.L5は1個少ないLED2a〜LED2dまでの4個並列となっている。
すなわち、LED発光装置10は、基板11の縦と横の長さが略等しい基板であり、複数のLEDブロックL1〜L5が基板11上に並列に集中配設されおり、基板中央位置に配設されたLEDブロックL3を構成するLED2の数が、他のLEDブロックL1,L2、L4,L5を構成するLED2の数より多く、かつ中央に位置するLEDブロックL3から、周辺方向に離れていくに従ってLEDブロックを構成するLEDの数が順次減少していく構成となっている。
すなわち、上記構成におけるLED発光装置10の動作は、各LEDブロックの順方向電圧VFの合計値、すなわちLEDブロックL1の順方向電圧VF1,LEDブロックL2の順方向電圧VF2,LEDブロックL3の順方向電圧VF3,LEDブロックL4の順方向電圧VF4,LEDブロックL5の順方向電圧VF5を加えた電圧値より高い電圧を2つの電源端子13a,113b間に印加し、その電流値を電流制限抵抗(図示は省略)によって調整することで、LED発光装置10としての発光が行われる。
上記構成において、各LEDブロック毎にLEDブロックを構成する4個〜6個のLED2a,2b,2c,2d,2e、2fは各々の順方向電圧VFを選択して揃えておく必要があり、そのバラツキ幅は0,1V以下にしておくことが望ましい。こうすることによって、1個のLEDブロックを構成している順方向電圧VFのLED2のうちの1つのLED2が断線等の問題を発しした場合にも、残りのLED2が順方向電圧VFを保って発光するため、各LEDの断線が照明装置全体の動作に影響を及ぼすことがない。
さらに、各LEDブロックを流れる電流値は略同一値となるが、各LEDブロック毎に並列接続されているLEDの数が異なるため、発光量及び発熱量は異なる結果となる。すなわち全体を流れる電流値をIs(mA)とした場合、LEDブロックL1、L5は1/4×Is(mA)、LEDブロックL2、L4は1/5×Is(mA)、LEDブロックL3は1/6×Is(mA)となる。すなわち各LED2に1/4×Is(mA)の電流が流れるLEDブロックL1、L5は最も発熱量が多く、次に1/5×Is(mA)の電流が流れるLEDブロックL2、L4は中間値の発熱量であり、1/6×Is(mA)の電流しか流れないLEDブロックL3は最も少ない発熱量となる。
この結果LED発光装置10の基板11上における温度分布は図3に示す温度分布H2の如く全面がそれほど高温でない定常温Ts(℃)に平均化され、対比のために示したLED発光装置100の温度分布H1に比べて中央に位置するLEDブロックL3の高温による劣化や、高温による色調の変化が発生せず、長寿命で、色調の安定したLED発光装置が得られる。なお、中央に位置するLEDブロックL3の各LED2には流れる電流値が小さくなるため、1個当りの発光量は減少するが、LED2の個数が多いため、LEDブロック全体としての発光量は他のLEDブロックに近い光量が得られる。
(第2実施形態)
次に図4〜図6により本発明の第2実施形態のLED発光装置について説明する。図4は本発明の第2実施形態のLED発光装置20の平面図、図5は図4に示すLED発光装置20のA−A断面図、図6は図4に示すLED発光装置20のB−B断面図であり、図2に示すLED発光装置10と基本構成は同じなので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
第2実施形態のLED発光装置20が第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、図5、図6に示す如く、基板11の下面側に放熱部材としての金属板14が積層されていることである。そして基板11の各LEDブロックに対応する位置に開口部11Cか形成されており、この開口部11Cに露出した金属板14上に各LED2が固着されていることである。なお本実施形態においてはこの金属板14としては軽量で、熱伝導率の高いアルミ等の金属を用いたが、むろんこれに限定せれるものではない。
第2実施形態のLED発光装置20の構成によれば、放熱部材である金属板により、各LED2の放熱を良くする共に、各LEDブロックを構成するLED2の個数調整による平均化効果によって、発熱条件が平均化されると同時に定常温Ts(℃)の温度値を低下させることができる。
(第3実施形態)
次に図7、図8により本発明の第3実施形態のLED発光装置について説明する。
図7は第3実施形態におけるLED発光装置30のブロック構成を示す平面図、図8は図7に示すLED発光装置30の実装構成を示す断面図である。なお第3実施形態けるLED発光装置30は、図1、図2に示す第1実施形態のLED発光装置10と基本構成は同じであり、同一部材には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
図7、図8のLED発光装置30が図1、図2のLED発光装置10と異なるところは、各LEDブロックを構成するLED2の数であり、LED発光装置30においては、中央に位置するLEDブロックL3のみLED2a〜2fの6個のLED2で構成されており、他のLEDブロックL1,L2,L4、L5は全て同数の4個のLED2a〜LED2dで構成されている。上記構成のLED発光装置30はLED発光装置10に比べて少し温度分布の変化が大きくなるが、LEDブロックL1,L2,L4、L5が同数のLED配置となるため、実装効率が良くなる。
(第4実施形態)
次に図9、図10により本発明の第4実施形態のLED発光装置について説明する。
図9は第4実施形態におけるLED発光装置40の実装構成を示す平面図、図10は図9に示すLED発光装置40の実装構成を示す断面図である。なお第4実施形態けるLED発光装置40は、図4、図6に示す第2実施形態のLED発光装置20と基本構成は同じであり、同一部材には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
図9、図10に示す第4実施形態のLED発光装置40が図4、図6に示す第2実施形態のLED発光装置20と異なるところは、5個のLEDブロックL1〜L5を取り囲むように反射枠15が設けられていることである。すなわち反射枠15の存在によって、温度分布が平均化され、さらに色調の変化が発生しない発光を効率良く出射することができる。
(第5実施形態)
次に図11、図12により本発明の第5実施形態のLED発光装置について説明する。
図11、図12は本発明の第5実施形態におけるLED発光装置を示すものであり、図11はLED発光装置のブロック構成を示す平面図、図12は図11に示すLED発光装置の実装構成を示す平面図である。なお、図11はLED2の形状を記号化して示し、図12ではLED2をチップ形状で示しているが、内容としては同一部材であり、同一番号を付す。またLEDブロックに関しては他の実施形態におけるLEDブロックと同一であり、同一番号を付して重複する説明を省略する。
図11、図12においてLED発光装置50は、基板51が縦と横の長さが大きく異なる長尺形状の基板であり、前記複数の発光素子ブロックが長尺形状の基板上に直列に配設されており、基板中央位置に配設された発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多い構成となっている。
すなわち基板51の上面側に配線電極52a〜52f(実施例では6本)、電源電極53a、53bが形成され、一番外側の配線電極52aと配線電極52fとは電源電極53a,53bにそれぞれ接続されている。そして各配線電極52a〜52fの間には5個のLEDブロックL1〜L5が並列に接続されており、各LEDブロックL1〜L5は電源電極53a、53b間に直列に接続されている点は図1、図2に示すLED発光装置10と同じである。
図11、図12に示すLED発光装置50の特徴は、長尺形状の基板51上に各LEDブロックが直線状に配置されており、各LEDブロックを構成するLEDの数が異なることである。すなわち各LEDブロックL1〜L5の内、基板51上の直列接続配置の中央に位置するLEDブロックL3は最も多く、LED2a〜LED2eの5個のLEDで構成され、そのLED3の両脇のLEDブロックL2.L4は1個少ないLED2a〜LED2dまでの4個並列となっており、さらにその両脇のLEDブロックL1.L5は1個少ないLED2a〜LED2cまでの3個並列となっている。すなわち、長尺形状の基板51の中央位置の発光素子ブロックから周辺方向に離れていくに従って発光素子ブロックを構成する発光素子の数が順次減少していく構成となっている。
(第6実施形態)
次に図13により本発明の第6実施形態のLED発光装置について説明する。
図13は本発明の第6実施形態におけるLED発光装置の実装構成を示す平面図である。
図13に示す第6実施形態のLED発光装置60は基本構成が、図12に示すLED発光装置50と同じであり同一要素には同一番号を付して重複する説明を省略する。すなわちLED発光装置60がLED発光装置50と異なるところは、基板61の下面側に放熱部材としての金属板64が積層されると共に、基板61に開口部61cが形成されており、この開口部61cに露出した金属板64に各LED2が固着せれていることである。
上記第5実施形態及び第6実施形態におけるLED発光装置50及びLED発光装置60は長尺形状であるため、テレビやパソコン等の平面型表示装置の側面に配置して使用する、側面ライトに好適であり、この画面表示装置に必要とされる温度変化に伴う色調状態の改善が効果を奏する。
2、2a、2b、2c、2d,2f LED
10、20,30,40,50,60,100 LED発光装置
11、51,61、101 基板
11a,11b 取り付け孔
11c 開口部
12、12a,12b,12c、12d、12f 配線電極
52a、52b、52c,52d,52e,52f 配線電極
13a、13b、53a,53b、 電源電極
63a、63b 電源電極
14、64 金属板
15 反射枠
102 電流制限抵抗
103a,103b 電源端子
L1.L2,L3,L4,L5、 LEDブロック


Claims (4)

  1. 一個の基板上に、複数の半導体発光素子を並列接続して構成した発光素子ブロックを複数個設け、前記複数の発光素子ブロックを直列接続して構成する半導体発光装置において、前記基板上の直列接続配置の中央に位置する発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多く、かつ中央に位置する発光素子ブロックから、両側の周辺方向に離れていくに従って発光素子ブロックを構成する発光素子の数が両側に均等に順次減少していくことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記基板は縦と横の長さが略等しい基板であり、前記複数の発光素子ブロックが前記基板上に並列配置にて集中配設されており、基板中央位置に配設された前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多い請求項1記載の半導体発光装置。
  3. 前記基板は縦と横の長さが大きく異なる長尺形状の基板であり、前記複数の発光素子ブロックが長尺形状の基板上に直線状に配設されており、基板中央位置に配設された発光素子ブロックを構成する発光素子の数が、他の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より多い請求項1記載半導体発光装置。
  4. 前記発光素子ブロックを構成する発光素子の数は、前記中央に配置した発光素子ブロックより周辺方向に離れて行くに従って内側の発光素子ブロックを構成する発光素子の数より、1個づつ減少することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の半導体発光装置。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028412A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 2次元面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置および光源
KR20130025831A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 반도체 발광소자 어레이 및 차량용 등구
JP5960426B2 (ja) 2011-12-16 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP6230777B2 (ja) * 2012-01-30 2017-11-15 新光電気工業株式会社 配線基板、配線基板の製造方法、及び発光装置
JP5302447B1 (ja) * 2012-05-10 2013-10-02 住友電工システムソリューション株式会社 光ビーコン
CN103890488B (zh) 2012-07-25 2018-02-16 松下知识产权经营株式会社 发光模块
JP5991065B2 (ja) * 2012-07-31 2016-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9171826B2 (en) * 2012-09-04 2015-10-27 Micron Technology, Inc. High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods
WO2014049973A1 (ja) 2012-09-26 2014-04-03 パナソニック株式会社 発光モジュール
US9627351B2 (en) * 2012-10-22 2017-04-18 Sensor Electronic Technology, Inc. Device electrode formation using metal sheet
DE102013203728A1 (de) 2013-03-05 2014-09-25 Zumtobel Lighting Gmbh LED-Modul und Beleuchtungsanordnung mit entsprechendem Modul
US9754807B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. High density solid state light source array
AT516416B1 (de) 2014-10-21 2019-12-15 Zkw Group Gmbh Leiterplatte mit einer Mehrzahl von an der Leiterplatte in zumindest einer Gruppe angeordneter elektronischer Bauteile
KR101886609B1 (ko) * 2015-10-30 2018-09-06 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 프로그래머블 표시기 및 제어 시스템
JP6485385B2 (ja) * 2015-11-24 2019-03-20 豊田合成株式会社 発光装置
KR20170061919A (ko) 2015-11-27 2017-06-07 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
DE102016105777A1 (de) * 2016-03-30 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement
KR102450579B1 (ko) * 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
JP7126876B2 (ja) * 2018-06-21 2022-08-29 シャープ株式会社 照明装置および投光器
DE102018211723A1 (de) * 2018-07-13 2020-01-16 Osram Gmbh Led-anordnung und beleuchtungsvorrichtung
KR102587133B1 (ko) * 2018-07-19 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102669163B1 (ko) * 2019-07-12 2024-05-28 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비한 표시 장치 및 그의 제조 방법
TWI705562B (zh) * 2019-12-13 2020-09-21 國立中興大學 大面積被動式微發光二極體陣列顯示器
CN115762401B (zh) * 2022-11-14 2024-01-26 重庆惠科金渝光电科技有限公司 有机发光二极管显示电路以及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5978584A (ja) * 1982-10-28 1984-05-07 Toshiba Corp 発光ダイオ−ドシ−トとその製造装置
JPS62196878A (ja) * 1986-02-25 1987-08-31 Koito Mfg Co Ltd 照明装置
JP2535786Y2 (ja) * 1991-03-25 1997-05-14 サンケン電気株式会社 発光表示装置
US6512248B1 (en) * 1999-10-19 2003-01-28 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
EP1665397A2 (en) * 2003-09-16 2006-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lighting source and led lighting apparatus
JP2006058828A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Noguchi Kogei:Kk 表示装置およびその光源
JP2006222412A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5139314B2 (ja) 2006-10-27 2013-02-06 森山産業株式会社 表示装置
US20080099772A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Geoffrey Wen-Tai Shuy Light emitting diode matrix
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US20080220548A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Tsung-Wen Chan Multi-chip surface mounted led structure and a method for manufacturing the same
JP4753904B2 (ja) * 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
JP5029893B2 (ja) * 2007-07-06 2012-09-19 東芝ライテック株式会社 電球形ledランプおよび照明装置
JP4877552B2 (ja) * 2007-07-13 2012-02-15 Necディスプレイソリューションズ株式会社 照明装置

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