JP2014039039A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下にある活性層、前記活性層の下にある第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極と、
   前記第２導電型半導体層に電気的に連結された第２電極と、
   前記発光構造物の下部の周りに配置されたチャンネル層と、
   前記第２電極の下に配置された伝導性支持部材と、
   前記第２電極と前記伝導性支持部材との間に配置された絶縁層と、
   前記第１電極及び前記伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部と、
   前記第２電極に電気的に連結された第２連結部と、を含み、
   前記チャネル層の上面は、前記活性層の上面より高く配置され、
   前記チャネル層の一部分は、前記第２導電型半導体層と前記第２電極との間に配置され、
   前記第２連結部は、前記チャネル層を通過して前記第２電極に接触し、
   前記チャネル層の上面は、前記第１導電型半導体層の上面より低く配置され、
   前記第１連結部は、前記絶縁層を貫通し、
   前記チャネル層は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層を取囲み、
   前記絶縁層は、前記チャネル層及び前記第２電極を取囲むことを特徴とする、発光素子。
2. 前記第２連結部の一端は前記チャンネル層の上に配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第２連結部の一端は前記発光構造物の側壁と離隔して配置され、前記発光構造物の側面に露出したことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 記第１連結部は前記第１導電型半導体層の側面に接触したことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記発光構造物の一側面は前記伝導性支持部材の一側面から２０マイクロメートル以内に整列して配置されたことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
6. 前記第２電極は前記第２導電型半導体層の下に配置された金属層を含み、前記第２連結部は前記金属層に電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記絶縁層の底面は、前記金属層と前記伝導性支持部材との間に配置されたことを特徴とする、請求項６に記載の発光素子。
8. 前記絶縁層の上面は前記発光構造物の下部の周りに露出したことを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
   
9. 前記第２電極の下に配置された拡散障壁層、ボンディング層を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
10. 前記チャンネル層は酸化物または窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
11. 前記絶縁層は前記金属層の周りを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項６または７に記載の発光素子。
12. 前記チャンネル層は前記第１連結部と前記第２導電型半導体層とを絶縁させることを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記チャネル層の側面は、前記活性層の側面に接触し、前記活性層の前記側面を取囲むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記チャネル層の側面は、前記第２導電型半導体層の側面に接触し、前記第２導電型半導体層の前記側面を取囲むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
15. 前記チャネル層の上面と前記絶縁層の上面が同一水平面に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。