KR100999733B1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents
발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100999733B1 KR100999733B1 KR1020100014707A KR20100014707A KR100999733B1 KR 100999733 B1 KR100999733 B1 KR 100999733B1 KR 1020100014707 A KR1020100014707 A KR 1020100014707A KR 20100014707 A KR20100014707 A KR 20100014707A KR 100999733 B1 KR100999733 B1 KR 100999733B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- electrode
- emitting structure
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Abstract
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물을 지지하는 지지부재; 상기 지지부재의 상면의 둘레를 따라 형성된 보호부재; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장되어 적어도 일부분이 상기 보호부재 상에 배치되는 제1 전극부; 및 상기 발광 구조물의 측면과 상기 제1 전극부 사이에 절연층을 포함한다.
Description
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
발광 다이오드의 휘도 및 성능을 더욱 향상시키기 위해 광 추출 구조를 개선하는 방법, 활성층의 구조를 개선하는 방법, 전류 퍼짐을 향상하는 방법, 전극의 구조를 개선하는 방법, 발광 다이오드 패키지의 구조를 개선하는 방법 등 다양한 방법들이 시도되고 있다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예는 광 손실이 적은 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물을 지지하는 지지부재; 상기 지지부재의 상면의 둘레를 따라 형성된 보호부재; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장되어 적어도 일부분이 상기 보호부재 상에 배치되는 제1 전극부; 상기 발광 구조물의 측면과 상기 제1 전극부 사이에 절연층; 및 상기 보호부재 상에 배치된 상기 제1 전극부 상의 적어도 일부분에 접합금속층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물의 하면의 둘레를 따라 형성되는 보호부재와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장되어 적어도 일부분이 상기 보호부재 상에 배치되는 제1 전극부와, 상기 발광 구조물의 측면 및 상기 제1 전극부 사이에 절연층을 포함하는 발광 소자; 상기 발광 소자가 배치되는 패키지 몸체부; 상기 패키지 몸체부에 설치되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드전극; 및 상기 발광 소자의 제1 전극부 및 상기 리드전극과 전기적으로 연결되는 소켓부를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 상면의 둘레 영역에 보호부재를 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 및 상기 보호부재 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 발광 구조물에 상기 보호부재의 상면이 노출되도록 에칭을 실시하는 단계; 상기 발광 구조물의 상면에 접촉하고 상기 발광 구조물의 측면을 따라 적어도 일부가 상기 보호부재 상에 배치되도록 전극부를 형성하는 단계; 및 상기 보호부재 상에 형성된 상기 제1 전극부 상의 적어도 일부분에 접합금속층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예는 광 손실이 적은 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 상면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 상면도이다.
도 4 내지 도 9는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 제1 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 이용한 제2 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 도 11의 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자 및 소켓부의 확대 단면도이다.
도 13은 도 11의 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자 및 소켓부의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 상면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 상면도이다.
도 4 내지 도 9는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 제1 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 이용한 제2 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 도 11의 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자 및 소켓부의 확대 단면도이다.
도 13은 도 11의 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자 및 소켓부의 분해 사시도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
<실시예>
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 단면도이고, 도 2는 상기 발광 소자(100)의 상면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광 소자(100)는 전도성 지지부재(160), 상기 전도성 지지부재(160) 상면의 둘레 영역에 보호부재(155), 상기 전도성 지지부재(160) 및 상기 보호부재(155) 상에 발광 구조물(145), 상기 발광 구조물(145)의 상면에 전기적으로 연결되며 상기 발광 구조물(145)의 측면을 따라 적어도 일부가 상기 보호부재(155) 상에 배치되는 제1 전극부(128) 및 상기 발광 구조물(145)과 상기 제1 전극부(128) 사이에 형성되어 상기 발광 구조물(145)과 상기 제1 전극부(128)를 절연시키는 절연층(125)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(145)은 적어도 제1 도전형 반도체층(130), 상기 제1 도전형 반도체층(130) 아래에 활성층(140), 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함하며, 이들은 빛을 생성하는 구조물을 이룬다.
상기 전도성 지지부재(160) 및 상기 제1 전극부(128)는 외부 전원으로부터 전원을 전달받아, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다.
이때, 실시예에 따르면, 상기 발광 소자(100)를 외부 전원과 전기적으로 연결하기 위해, 와이어 등을 상기 보호부재(155) 상에 형성된 상기 제1 전극부(128)의 영역에 연결할 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조물(145)에서 방출되는 빛이 상기 와이어 등에 의해 흡수되는 것을 최소화할 수 있으며, 상기 와이어 등을 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 상기 발광 구조물(145)의 손상을 방지할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 구성 요소를 중심으로 구체적으로 설명한다.
상기 전도성 지지부재(160)는 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(160) 상에는 반사층(157)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(157)은 상기 발광 구조물(145)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 방출되는 빛의 양을 증가시킴으로써, 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 반사층(157)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
비록 도시되지는 않았지만, 상기 반사층(157) 및 상기 전도성 지지부재(160) 사이에는 두 층 사이의 계면 접합력을 강화시키기 위한 접착층이 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사층(157)의 상면의 둘레 영역에는 상기 보호부재(155)가 형성될 수 있다. 상기 보호부재(155)는 상기 발광 구조물(145)과 상기 전도성 지지부재(160) 사이의 전기적 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
상기 보호부재(155)는 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 반사층(157)의 상면 및 상기 보호부재(155)의 내측에는 접촉층(156)이 형성될 수 있다. 상기 접촉층(156)은 반도체층인 상기 발광 구조물(145)과 상기 전도성 지지부재(160) 또는 상기 반사층(157) 사이의 오믹 접촉을 위해 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(145)과 접촉되는 상기 전도성 지지부재(160) 또는 상기 반사층(157)이 오믹 접촉을 이루는 경우, 상기 접촉층(156)은 형성되지 않을 수도 있다.
상기 접촉층(156) 상에는 상기 발광 구조물(145)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(145)은 적어도 제1 도전형 반도체층(130), 상기 제1 도전형 반도체층(130) 아래에 활성층(140), 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함한다.
상기 제1 도전형 반도체층(130)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(140)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 양자선(Quantum wire) 구조, 양자점(Quantum dot) 구조, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(140)은 상기 제1,2 도전형 반도체층(130,150)으로부터 전자 및 정공을 제공받으며, 상기 전자 및 정공은 상기 활성층(140)에서 재결합하면서 빛 에너지가 생성되게 된다.
상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 상기 제1 도전형 반도체층(130)에 p형 도펀트가 도핑되고 상기 제2 도전형 반도체층(150)에 n형 도펀트가 도핑되거나, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 제3 도전형 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 상기 발광 소자(100)는 np, pn, npn 또는 pnp 접합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(145)의 측면에는 복수개의 칩들을 개별 칩 단위로 분리하는 아이솔레이션(isolation) 에칭이 실시될 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 발광 구조물(145)의 측면은 경사를 가질 수 있으며, 상기 보호부재(155)가 노출될 수 있다.
실시예에서는, 상기 제1 전극부(128)가 형성되는 상기 보호부재(155) 상부의 영역이 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 확보될 수 있다.
상기 제1 전극부(128)는 상기 발광 구조물(145)의 상면, 즉, 상기 제1 도전형 반도체층(130)에 전기적으로 연결되며 적어도 일부가 상기 보호부재(155) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극부(128)는 상기 제1 도전형 반도체층(130)의 상면으로부터 연장되어 상기 발광 구조물(145)의 측면을 따라 상기 보호부재(155) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극부(128)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층(130)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극부(128)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 실시예에서는 상기 제1 전극부(128)의 형상이 재질의 투명도에 따라 달라질 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 상기 제1 전극부(128)가 투명한 재질로 형성된 경우, 상기 제1 전극부(128)는 상기 발광 구조물(145) 및 상기 보호부재(155)의 전 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극부(128)가 투명한 재질을 가지므로, 상기 발광 구조물(145)에서 방출되는 빛 중 상기 제1 전극부(128)에 의해 흡수되는 빛의 양이 적기 때문이다.
또한, 상기 제1 전극부(128)는 소정의 패턴을 가지도록 상기 발광 구조물(145) 상에 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자(100A)의 상면도이다.
상기 제1 전극부(128)가 불투명한 재질로 형성된 경우, 상기 제1 전극부(128)는 소정의 패턴을 가지도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1 도전형 반도체층(130) 상면의 전 영역에 골고루 전원이 스프레딩되는 동시에, 상기 발광 구조물(145)로부터 방출되는 빛의 광 손실량을 최소화할 수 있도록, 상기 제1 전극부(128)는 소정의 패턴을 가질 수 있다.
예를 들어, 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(130) 상면에 형성된 상기 제1 전극부(128)는 격자 패턴, 나선형 패턴 등의 패턴을 가지고, 상기 패턴으로부터 얇은 선 등에 의해 연장되어 상기 발광 구조물(145)의 측면을 따라 상기 보호부재(155) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극부(128)의 형상에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제1 전극부(128)는 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 제1 전극부(128)는 상기 제1 도전형 반도체층(130)과 오믹 접촉을 이루는 제1층과, 상기 제1층 상에 와이어 본딩 등이 용이한 접합 금속으로 이루어진 제2층을 포함할 수도 있다.
또한, 상기 보호부재(155) 상에 형성된 상기 제1 전극부(128)의 적어도 일부분에는 접합금속층(129)이 형성될 수 있으며, 상기 접합금속층(129)에는 와이어(127) 등이 부착되어, 외부 전원으로부터 상기 발광 소자(100)에 전원을 공급할 수 있다. 상기 접합금속층(129)은 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 다수 개가 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이처럼 실시예에서는, 상기 발광 구조물(145)에 와이어 등이 부착되지 않고, 상기 보호부재(155) 상에 형성된 상기 제1 전극부(128)에 상기 와이어 등이 부착되므로, 상기 와이어에 의한 광 손실을 최소화하고 상기 와이어를 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 상기 발광 구조물(145)의 손상을 방지할 수 있다.
상기 제1 전극부(128)와 상기 발광 구조물(145) 사이에는 상기 절연층(125)이 형성되어 두 층 사이를 절연시킬 수 있다. 즉, 상기 절연층(125)은 상기 발광 구조물(145)의 측면에 형성되어, 상기 발광 구조물(145)과 상기 제1 전극부(128)가 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 절연층(125)은 상기 보호부재(155) 및 상기 제1 전극부(128) 사이에 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 절연층(125)은 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 전극부(128)가 소정의 패턴을 가지는 경우, 상기 절연층(125)은 상기 제1 전극부(128)의 패턴에 대응하는 형상으로 형성될 수도 있다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 4 내지 도 9는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 기판(110) 상에 상기 발광 구조물(145)을 형성한다.
상기 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(110) 상에는 상기 발광 구조물(145)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(145)은 다층의 반도체로 형성될 수 있으며, 적어도 제1 도전형 반도체층(130), 상기 제1 도전형 반도체층(130) 아래에 활성층(140), 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(145)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 발광 구조물(145) 상면의 둘레 영역에 상기 보호부재(155)를 형성하고, 상기 발광 구조물(145) 및 상기 보호부재(155) 상에 상기 전도성 지지부재(160)를 형성할 수 있다.
상기 보호부재(155)는 증착 공정 및 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 전도성 지지부재(160)는 증착 공정 및 도금 공정에 의해 형성되거나, 별도의 시트로 준비된 후 본딩될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 전도성 지지부재(160) 아래에는 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율 향상을 위해 상기 반사층(157)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(150)과 상기 전도성 지지부재(160) 사이에는 상기 접촉층(156)이 형성될 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 기판(110)이 제거될 수 있다. 상기 기판(110)은 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나를 이용하여 제거될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 기판(110)을 제거한 후, 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(130)의 표면을 연마하기 위해 ICP/RIE(Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etch) 등의 에칭을 실시할 수도 있다.
도 7을 참조하면, 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하기 위해 상기 발광 구조물(145)에 아이솔레이션 에칭을 실시하고, 상기 발광 구조물(145)의 측면에 상기 절연층(125)을 형성할 수 있다.
상기 아이솔레이션 에칭은 상기 보호부재(155)의 상면이 노출되도록 실시될 수 있다.
상기 절연층(125)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착 또는 PECVD 증착 방식에 의해 형성될 수 있다.
상기 절연층(125)은 전기 절연성을 가지면서 광 투과율이 좋은 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
한편, 상기 절연층(125)은 상기 발광 구조물(145)의 측면에 형성되는 것에 한정하지는 않으며, 상기 발광 구조물(145)의 상면에도 일부 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 발광 구조물(145)의 상면에 접촉하고 적어도 일부 영역이 상기 보호부재(155) 상에 배치되도록 상기 제1 전극부(128)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극부(128)는 상기 제1 도전형 반도체층(130)의 상면으로부터 연장되어 상기 절연층(125)의 측면을 따라 상기 보호부재(155) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극부(128)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층(130)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극부(128)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극부(128)는 상기 발광 구조물(145)의 전 영역에 대해 형성되거나, 소정의 패턴을 가지도록 형성될 수 있으며, 이는 상기 발광 소자(100)의 설계 및 상기 제1 전극부(128)의 재질에 따라 결정될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 보호부재(155) 상에 형성된 상기 제1 전극부(128) 상의 적어도 일부분에 상기 접합금속층(129)이 형성되고, 상기 접합금속층(129)에는 외부 전원과 연결되도록 상기 와이어(127) 등이 본딩될 수 있다. 이에, 실시예에 따른 발광 소자(100)가 제공된다.
한편, 실시예에서는 수직형 발광 소자를 중심으로 설명하고 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니며 수평형 발광 소자에 대해서도 적용될 수 있다.
<제1 발광 소자 패키지>
도 10은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함하는 제1 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 발광 소자 패키지는 몸체부(20)와, 상기 몸체부(20)에 배치된 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)과, 상기 몸체부(20)에 배치되어 상기 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체부(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체부(20) 상에 배치되거나 상기 제1 리드전극(31) 또는 제2 리드전극(32) 상에 배치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 예를 들어, 와이어를 통해 상기 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)과 전기적으로 연결될 수 있다.
앞에서 설명한 것처럼, 상기 와이어는 상기 발광 소자(100)의 보호부재 상에 형성된 접합금속층에 연결되므로, 상기 와이어에 의한 광 손실을 최소화하고 상기 와이어 등을 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
<제2 발광 소자 패키지>
이하, 제2 발광 소자 패키지에 대해 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용에 대해서는 간략히 설명하거나 생략한다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 이용한 제2 발광 소자 패키지의 단면도이고, 도 12는 상기 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자(100) 및 소켓부(200)의 확대 단면도이고, 도 13은 상기 제2 발광 소자 패키지의 발광 소자(100) 및 소켓부(200)의 분해 사시도이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 상기 제2 발광 소자 패키지는 몸체부(20a)와, 상기 몸체부(20a)에 배치된 리드전극(31a)과, 상기 몸체부(20a)의 상면 및 하면을 관통하는 관통전극(32a)과, 상기 관통전극(32a)에 전기적으로 연결되도록 배치되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)와 상기 리드전극(31a)을 전기적으로 연결하는 소켓부(200)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩 부재(40)를 포함한다.
상기 제2 발광 소자 패키지는 와이어 대신 상기 소켓부(200)를 이용하여 상기 발광 소자(100)를 상기 리드전극(31a)에 전기적으로 연결한다.
상세히 설명하면, 상기 소켓부(200)는 상기 발광 구조물(145)이 삽입되는 개구부와, 상기 발광 소자(100)의 상기 제1 전극부(128)와 전기적으로 연결되는 소켓 전극부(210)와, 상기 소켓 전극부(210)와 상기 발광 소자(100)의 전도성 지지부재(160)를 절연시키는 절연몸체(220)를 포함한다.
상기 발광 구조물(145)이 상기 개구부에 삽입되어 끼워짐과 동시에, 상기 제1 전극부(128) 및 상기 소켓 전극부(210)는 서로 전기적으로 연결되게 된다. 즉, 상기 소켓 전극부(210)는 상기 제1 전극부(128)와 접촉할 수 있도록, 일부분이 상기 절연몸체(220)의 내측 방향으로 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극부(198,210)의 접촉이 용이하도록 상기 절연몸체(220)의 두께는 상기 전도성 지지부재(160)의 두께와 같도록 형성될 수 있다.
도시된 바에 따르면, 상기 소켓 전극부(210)는 상기 절연몸체(220)의 외측에 형성되고, 내측단은 상기 제1 전극부(128)와 접촉하고 외측단은 상기 리드전극(31a)과 접촉하는 것으로 도시되었지만, 이에 대해 한정하지는 않으며, 상기 소켓부(200)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.
한편, 상기 소켓 전극부(210)가 상기 제1 전극부(128) 상에 형성된 상기 접합금속층(129)과 접촉하도록 설계되는 경우, 상기 소켓 전극부(210)는 상기 접합금속층(129)의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따라, 상기 발광 소자(100)에 와이어 대신 상기 소켓부(200)를 이용하여 전원을 공급함으로써, 상기 발광 소자(100)를 상기 리드전극(31a) 및 관통전극(32a)에 와이어 본딩 공정에 비해 용이하게 전기적으로 연결할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)를 상기 몸체부(20a) 상에 견고히 고정 및 결합할 수 있다.
한편, 상술한 전극 구조는 하나의 예일 뿐, 상기 리드전극(31a) 및 상기 관통전극(32a)을 포함하는 구조에 한정하는 것은 아니다.
상기 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광 소자 125 : 절연층
128 : 제1 전극부 145 : 발광 구조물
155 : 보호부재 160 : 전도성 지지부재
128 : 제1 전극부 145 : 발광 구조물
155 : 보호부재 160 : 전도성 지지부재
Claims (20)
- 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물을 지지하는 지지부재;
상기 지지부재의 상면의 둘레를 따라 형성된 보호부재;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장되어 적어도 일부분이 상기 보호부재 상에 배치되는 제1 전극부;
상기 발광 구조물의 측면과 상기 제1 전극부 사이에 절연층; 및
상기 보호부재 상에 배치된 상기 제1 전극부 상의 적어도 일부분에 접합금속층을 포함하는 발광 소자. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물의 측면은 경사를 가지는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 절연층은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 지지부재 및 상기 발광 구조물 사이에 반사층을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 지지부재는 전기 전도성을 갖는 재질을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 전극부는 전기 전도성을 가지며 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 접촉을 이루는 재질을 포함하는 발광 소자. - 제 7항에 있어서,
상기 제1 전극부는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층 상면에 형성된 상기 제1 전극부는 패턴을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 전극부는 투명한 재질로 형성되며, 상기 발광 구조물 및 상기 보호부재의 전 영역에 형성된 발광 소자. - 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물의 하면의 둘레를 따라 형성되는 보호부재와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장되어 적어도 일부분이 상기 보호부재 상에 배치되는 제1 전극부와, 상기 발광 구조물의 측면 및 상기 제1 전극부 사이에 절연층을 포함하는 발광 소자;
상기 발광 소자가 배치되는 패키지 몸체부;
상기 패키지 몸체부에 설치되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드전극; 및
상기 발광 소자의 제1 전극부 및 상기 리드전극과 전기적으로 연결되는 소켓부를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 11항에 있어서,
상기 발광 소자는 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 전도성 지지부재를 포함하고,
상기 패키지 몸체부를 관통하여 상기 전도성 지지부재와 전기적으로 연결되는 관통전극을 더 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 11항에 있어서,
상기 소켓부는 상기 발광 구조물이 삽입되는 개구부를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 12항에 있어서,
상기 소켓부는 상기 발광 소자의 보호부재 상에 형성된 상기 제1 전극부와 전기적으로 연결되는 소켓 전극부와, 상기 소켓 전극부와 상기 전도성 지지부재를 절연시키는 절연몸체를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제 11항에 있어서,
상기 보호부재 상에 형성된 상기 제1 전극부 상에는 접합금속층이 형성된 발광 소자 패키지. - 제 15항에 있어서,
상기 소켓 전극부는 상기 접합금속층에 대응되는 형상을 갖는 발광 소자 패키지. - 제 11항에 있어서,
상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지. - 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 발광 구조물 상면의 둘레 영역에 보호부재를 형성하는 단계;
상기 발광 구조물 및 상기 보호부재 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;
상기 발광 구조물에 상기 보호부재의 상면이 노출되도록 에칭을 실시하는 단계;
상기 발광 구조물의 상면에 접촉하고 상기 발광 구조물의 측면을 따라 적어도 일부가 상기 보호부재 상에 배치되도록 제1 전극부를 형성하는 단계; 및
상기 보호부재 상에 형성된 상기 제1 전극부 상의 적어도 일부분에 접합금속층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 18항에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계 이전에,
상기 발광 구조물의 측면에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 삭제
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100014707A KR100999733B1 (ko) | 2010-02-18 | 2010-02-18 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| EP11154426.8A EP2362449B1 (en) | 2010-02-18 | 2011-02-14 | Electrode structure for a light emitting device and corresponding light emitting device package |
| TW100104882A TWI436503B (zh) | 2010-02-18 | 2011-02-15 | 發光裝置及發光裝置封裝件 |
| CN201110042254.6A CN102163673B (zh) | 2010-02-18 | 2011-02-18 | 发光器件和发光器件封装 |
| CN201410167978.7A CN103996776B (zh) | 2010-02-18 | 2011-02-18 | 发光器件和发光器件封装 |
| JP2011033617A JP5973693B2 (ja) | 2010-02-18 | 2011-02-18 | 発光素子及び発光素子パッケージ |
| US13/030,813 US8723213B2 (en) | 2010-02-18 | 2011-02-18 | Light emitting device and light emitting device package |
| US14/250,039 US9537056B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-04-10 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100014707A KR100999733B1 (ko) | 2010-02-18 | 2010-02-18 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100999733B1 true KR100999733B1 (ko) | 2010-12-08 |
Family
ID=43512603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100014707A KR100999733B1 (ko) | 2010-02-18 | 2010-02-18 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8723213B2 (ko) |
| EP (1) | EP2362449B1 (ko) |
| JP (1) | JP5973693B2 (ko) |
| KR (1) | KR100999733B1 (ko) |
| CN (2) | CN102163673B (ko) |
| TW (1) | TWI436503B (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012107290A1 (de) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht |
| WO2012107289A1 (de) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht |
| KR20160076378A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 백라이트 유닛 |
| KR101842594B1 (ko) * | 2011-09-06 | 2018-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| KR20180097468A (ko) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
| TWI493756B (zh) * | 2010-11-15 | 2015-07-21 | Epistar Corp | 發光元件 |
| JP5095848B1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP2012248795A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US8552461B2 (en) * | 2011-11-21 | 2013-10-08 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Light emitting diode without leads |
| JP5865695B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-17 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP5913955B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-05-11 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP6239311B2 (ja) | 2012-08-20 | 2017-11-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
| CN103606617B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-06-29 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有透明电极的倒装发光二极管 |
| CN103594591B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-02-17 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有透明电极的倒装发光二极管的制造方法 |
| CN103594593B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-04-06 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法 |
| CN103594592B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-06-01 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
| JP6443198B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| CN104465905A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-03-25 | 中国科学院半导体研究所 | 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 |
| CN107408606B (zh) * | 2015-03-30 | 2019-12-13 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光元件、发光单元、发光面板装置及驱动发光面板装置的方法 |
| JP2017204640A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 発光デバイス及びその製造方法 |
| CN110071204A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-30 | 南京邮电大学 | 用于透明显示屏的发光二极管及其制备方法 |
| CN112582511B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-08-02 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光二极管芯片及显示面板 |
| JP7450157B2 (ja) | 2020-05-21 | 2024-03-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP7046236B1 (ja) | 2021-01-05 | 2022-04-01 | 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 | 電流が効果的に分散される高信頼性の垂直型発光ダイオード構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031945A (ja) | 2003-06-02 | 2004-01-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光チップ |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176787A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-07-14 | Omron Corp | 半導体発光素子、発光装置、光結合装置、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器及び光ファイバモジュール |
| JP3647968B2 (ja) * | 1996-04-10 | 2005-05-18 | 日本板硝子株式会社 | 自己走査型発光装置 |
| JPH10256602A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JPH11261110A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Omron Corp | 発光装置およびそれに用いられる上面電極接続部材 |
| JP2000049376A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
| CN1217425C (zh) * | 2001-07-12 | 2005-08-31 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体元件 |
| KR100433989B1 (ko) | 2001-09-11 | 2004-06-04 | 삼성전기주식회사 | 반도체 엘이디 소자 및 그 제조방법 |
| DE60329576D1 (de) * | 2002-01-28 | 2009-11-19 | Nichia Corp | Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung |
| KR101052139B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2011-07-26 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| KR100523803B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2005-10-25 | 박익성 | 반도체 소자의 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP4805831B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置 |
| JP4529599B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP4579654B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法、並びに半導体発光装置を備えた照明モジュール及び照明装置 |
| KR100665120B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
| JP4704079B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-06-15 | 株式会社沖データ | 光半導体装置、ｌｅｄヘッド、及びこれを用いた画像形成装置 |
| KR100662844B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈 |
| JP2007235103A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7928462B2 (en) * | 2006-02-16 | 2011-04-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same |
| JP2007287757A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008053425A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP4535053B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器 |
| JP4655029B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2011-03-23 | パナソニック株式会社 | 発光装置および半導体発光素子の製造方法 |
| EP2110866A4 (en) * | 2007-02-15 | 2011-04-20 | Panasonic Elec Works Co Ltd | LED HOUSING AND STRUCTURE FOR MOUNTING THREE DIMENSIONAL CIRCUIT COMPONENT |
| US7838410B2 (en) * | 2007-07-11 | 2010-11-23 | Sony Corporation | Method of electrically connecting element to wiring, method of producing light-emitting element assembly, and light-emitting element assembly |
| DE102007043001A1 (de) | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Siemens Ag | Bandverfahren für elektronische Bauelemente, Module und LED-Anwendungen |
| GB0717802D0 (en) * | 2007-09-12 | 2007-10-24 | Photonstar Led Ltd | Electrically isolated vertical light emitting diode structure |
| JP4391555B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2009-12-24 | 日本航空電子工業株式会社 | ソケット |
| DE102009018603B9 (de) * | 2008-04-25 | 2021-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
| KR20090113223A (ko) | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 패키지와 시스템, 및 이들의 제조 방법 |
| KR20090119259A (ko) | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 한국광기술원 | 수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 |
| DE102008025318A1 (de) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Setrinx S.A.R.L. | Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen |
| DE102008028886B4 (de) * | 2008-06-18 | 2024-02-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
| KR101534848B1 (ko) | 2008-07-21 | 2015-07-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법 |
| KR100999688B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
2010
- 2010-02-18 KR KR1020100014707A patent/KR100999733B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-02-14 EP EP11154426.8A patent/EP2362449B1/en active Active
- 2011-02-15 TW TW100104882A patent/TWI436503B/zh active
- 2011-02-18 CN CN201110042254.6A patent/CN102163673B/zh active Active
- 2011-02-18 CN CN201410167978.7A patent/CN103996776B/zh active Active
- 2011-02-18 JP JP2011033617A patent/JP5973693B2/ja active Active
- 2011-02-18 US US13/030,813 patent/US8723213B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031945A (ja) | 2003-06-02 | 2004-01-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光チップ |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012107290A1 (de) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht |
| WO2012107289A1 (de) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht |
| KR101842594B1 (ko) * | 2011-09-06 | 2018-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| KR20160076378A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 백라이트 유닛 |
| KR101640384B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-07-18 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 백라이트 유닛 |
| KR20180097468A (ko) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원 및 이의 제조방법 |
| KR101995161B1 (ko) | 2017-02-23 | 2019-07-02 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5973693B2 (ja) | 2016-08-23 |
| EP2362449A3 (en) | 2014-09-17 |
| TW201214775A (en) | 2012-04-01 |
| EP2362449B1 (en) | 2016-12-28 |
| EP2362449A2 (en) | 2011-08-31 |
| US8723213B2 (en) | 2014-05-13 |
| TWI436503B (zh) | 2014-05-01 |
| JP2011171743A (ja) | 2011-09-01 |
| CN103996776A (zh) | 2014-08-20 |
| US20110198660A1 (en) | 2011-08-18 |
| CN102163673A (zh) | 2011-08-24 |
| CN103996776B (zh) | 2017-07-11 |
| CN102163673B (zh) | 2014-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100999733B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| KR101081135B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| US8853731B2 (en) | Semiconductor light emitting device including bonding layer and semiconductor light emitting device package | |
| KR101114191B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP5749325B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR101014155B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| TWI479693B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| KR101666442B1 (ko) | 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
| KR101154320B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 | |
| KR101039999B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US10892390B2 (en) | Light-emitting element and light-emitting element package including the same | |
| JP5816243B2 (ja) | 発光素子及び発光素子パッケージ | |
| JP2016096349A (ja) | 発光素子、発光素子パッケージ | |
| KR101039904B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 | |
| KR20120037636A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| US20110220945A1 (en) | Light emitting device and light emitting device package having the same | |
| JP2011086910A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US9741903B2 (en) | Light-emitting device and light emitting device package having the same | |
| KR101646261B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR102250516B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101689164B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101735672B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| KR101643410B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| KR20120042289A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20120069616A (ko) | 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131105 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141106 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181112 Year of fee payment: 9 |