JP2013229598A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 第１導電型半導体層と、
   前記第１導電型半導体層の上に配置される活性層と、
   前記活性層の上に配置される第２導電型半導体層と、
   前記活性層と前記第２導電型半導体層との間に配置される第３半導体層と、
   前記第２導電型半導体層の上に配置される光抽出構造と、を含み、
   前記第３半導体層の上面はＧａ−ｆａｃｅ面を有し、
   前記第３半導体層のドーパントは、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一極性を有し、
   前記第２導電型半導体層の上面はＮ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、発光素子。
2. 前記第３半導体層は、前記活性層に接することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記活性層と前記第３半導体層との間に配置される第４導電型半導体層をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記第４導電型半導体層のドーパントは、前記第１導電型半導体層のドーパントと反対の極性を有し、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一の極性を有することを特徴とする、請求項３に記載の発光素子。
5. 前記第３半導体層のドーパントの濃度は、前記第４導電型半導体層のドーパントの濃度より小さいことを特徴とする、請求項３または４に記載の発光素子。
6. 前記第４導電型半導体層は、５００ｎｍ乃至２μｍの厚さであることを特徴とする、請求項３乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記第１導電型半導体層の下に配置される第１電極層と、
   前記第１電極層の下に配置される絶縁層と、
   前記絶縁層の下に配置され、前記第４導電型半導体層に電気的に連結される第２電極層と、
   を含むことを特徴とする、請求項３乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記第２電極層は、前記第１導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第４導電型半導体層に接することを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
9. 前記第２電極層は、前記第３半導体層に接することを特徴とする、請求項７または８に記載の発光素子。
10. 前記第２電極層は、
    前記絶縁層の下に配置される水平電極と、
    前記水平電極から垂直方向に突出した少なくとも１つ以上の垂直電極と、を含み、
    前記垂直電極は前記第４導電型半導体層に接することを特徴とする、請求項７乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
11. 前記第２電極層の下に配置された支持基板をさらに含むことを特徴とする、請求項７乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
12. 前記第３半導体層は２０ｎｍ乃至１μｍの厚さであることを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記光抽出構造の上に配置される電極と、
    前記第１導電型半導体層の下に配置される電極層と、
    前記第１導電型半導体層と前記電極層との間の周り領域に配置される保護層と、
    をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記第３半導体層の上面は、前記第２導電型半導体層の下面に直接接することを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
15. 前記第２導電型半導体層の下面はＧａ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
16. 支持基板と、
    前記支持基板の上に配置される電極層と、
    前記電極層の上に配置される第１導電型半導体層と、
    前記第１導電型半導体層の上に配置される活性層と、
    前記活性層の上に配置される第３半導体層と、
    前記第３半導体層に接する前記第２導電型半導体層と、
    前記第２導電型半導体層の上に配置される光抽出構造と、
    前記電極層と前記第１導電型半導体層との間の周り領域に配置される保護層と、を含み、
    前記第３半導体層のドーパントは前記第２導電型半導体層のドーパントと同一極性を有し、
    前記第３半導体層の上面はＧａ−ｆａｃｅ面を有し、
    前記第２導電型半導体層の上面はＮ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、発光素子。
17. 前記活性層と前記第３導電型半導体層との間に配置される第４導電型半導体層をさらに含み、
    前記第４導電型半導体層のドーパントは、前記第１導電型半導体層のドーパントと反対の極性を有し、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一の極性を有することを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
18. 前記第３半導体層は前記活性層に接することを特徴とする、請求項１６または１７に記載の発光素子。
19. 前記第３半導体層のドーパントの濃度は、前記第４導電型半導体層のドーパントの濃度より小さいことを特徴とする、請求項１６乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
20. 胴体と、
    前記胴体の上に配置され、請求項１乃至１９のうち、いずれか１項に記載の発光素子と、
    前記発光素子を囲むモールディング部材と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。