JP2014150257A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 導電性基板と、
   前記導電性基板上に配置される第１電極層と、
   前記第１電極層上に配置される第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する活性層を備える発光構造物と、
   前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極層とを含み、
   前記第１電極層は、
   前記導電性基板上に配置される金属電極層と、
   前記金属電極層上に配置される透明電極層と、
   前記金属電極層から延び、前記透明電極層を貫通して前記発光構造物に接するコンタクト部とを含み、
   前記コンタクト部は、複数個が互いに離隔して配置され、
   Ｂｅを含むディフュージョン領域が前記第１半導体層の下面全体に形成され、前記ディフュージョン領域が前記透明電極層及び前記コンタクト部と接触する発光素子。
2. 前記ディフュージョン領域は、前記発光構造物にＢｅと発光構造物の少なくとも一部の構成元素とが混合して形成される、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記ディフュージョン領域は、前記発光構造物から突出して形成される、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記透明電極層の平面上の面積は、前記コンタクト部の平面上の面積よりも大きい、請求項１又は３に記載の発光素子。
5. 前記金属電極層の材質は、前記コンタクト部の材質と同一である、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記第１半導体層と前記第１電極層との間に配置されるウィンドウ層をさらに含む、請求項１又は５に記載の発光素子。
7. 前記ウィンドウ層は、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ及びＡｌＧａＡｓのいずれか一つを含む、請求項６に記載の発光素子。
8. 前記コンタクト部は、
   ＡｕＢｅ、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれか一つを含む、請求項１又は７に記載の発光素子。
9. 前記第１電極層は、
   前記金属電極層の下に配置される金属接着層をさらに含む、請求項８に記載の発光素子。
10. 前記コンタクト部の平面上の面積は、前記透明電極層の平面上の面積対比１０％〜２５％である、請求項９に記載の発光素子。