JP2013084878A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、
   前記発光構造物の下部に位置し、前記第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、
   前記第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、
   前記第１の電極層と前記第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層と
   を備え、
   前記第１の導電型半導体層は、
   第１の領域と、
   前記第１の領域と区分され、前記第１の領域より低い第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は前記接触電極と重畳されている、発光素子。
2. 前記第１の領域の幅が前記接触電極の幅と同じか、前記接触電極の幅より広い、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１の領域の幅は前記接触電極の幅の１〜５倍である、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記第１の導電型半導体層の上面にラフネス又はパターンが形成された、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記ラフネス又はパターンは前記第１の領域の側面に配置される、請求項４に記載の発光素子。
6. 前記発光構造物の側面には、前記第２の導電型半導体層、前記活性層及び前記第１の導電型半導体層の少なくとも一部を覆うパッシベーション層をさらに備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記第２の電極層の一側が前記発光構造物の外部に露出し、露出した部分に電極パッドが形成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層の下部に位置するオーミック層及び／又は反射層を有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の発光素子。
9. 前記第２の電極層は電流拡散層を有し、前記電極パッドが前記電流拡散層と接して配置されている、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。
10. 前記第１の領域の形状は、ストライプ状、円柱状、円錐状、ピラミッド状、四角柱状又は半円球状のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の発光素子。
11. 前記第１の導電型半導体層と接する前記接触電極の部分にラフネスが形成されている、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
12. 前記第１の領域は前記接触電極と直接コンタクトする、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記第１の領域の上部面は、前記第２の領域の上部面より高い、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記第１の領域の上部面と前記活性層との間の距離は、前記第２の領域の上部面と前記活性層との間の距離より大きい、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の発光素子。
15. 前記第１の領域は、前記接触電極の垂直上部に配置される、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の発光素子。
16. 基板上に複数の発光素子パッケージを含んで光を放出する光源と、
    前記光源が内蔵されたハウジングと、
    前記光源の熱を放出する放熱部と、
    前記光源と前記放熱部を前記ハウジングに結合するホルダーと
    を備え、
    前記発光素子パッケージは、
    本体と、
    前記本体に配置された第１及び第２のリードフレームと、
    前記本体に配置され、前記第１及び第２のリードフレームと電気的に連結されている、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子とを備える照明装置。