JP5310564B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
従来の技術は、半導体層からの光取り出し効率を向上させることを目的として、凹凸形状を設ける技術なので、光取り出し効率と合わせて光出力も高める場合には、以下に示すような問題が生じる。
例えば、半導体層表面に凸部を設けることで光出力を高めようとする場合には、凸の高さが高いほど、光出力は高くなる傾向がある。言い換えると、半導体層表面を深く掘る(削る、または、侵食する)ほど、光出力は高くなる傾向がある。
また、信頼性が高く配光性が良好な半導体発光素子を製造する製造方法を提供することを他の目的とする。
[半導体発光素子の構成]
本発明の実施形態に係る半導体発光素子は、n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有する半導体積層体の基板に実装される側の面とは反対側の光取り出し面に複数の凸部を備えると共に、光取り出し面の上に電極を備えるものに関する。まず、半導体発光素子の構成について、図1ないし図4を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図2は、図1に示したn側電極の一例を示す平面図である。また、図3は、図1に示した第1凸領域および第2凸領域を模式的に示す斜視図であり、図4は、図3に示したA−A断面矢視図である。
基板10は、シリコン(Si)から構成される。なお、Siのほか、例えば、Ge,SiC,GaN,GaAs,GaP,InP,ZnSe,ZnS,ZnO等の半導体から成る半導体基板、または、金属単体基板、または、相互に非固溶あるいは固溶限界の小さい2種以上の金属の複合体から成る金属基板を用いることができる。このうち、金属単体基板として具体的にはCuを用いることができる。また、金属基板の材料として具体的にはAg,Cu,Au,Pt等の高導電性金属から選択された1種以上の金属と、W,Mo,Cr,Ni等の高硬度の金属から選択された1種以上の金属と、から成るものを用いることができる。半導体材料の基板10を用いる場合には、それに素子機能、例えばツェナーダイオードを付加した基板10とすることもできる。さらに、金属基板としては、Cu−WあるいはCu−Moの複合体を用いることが好ましい。
メタライズ層20は、この半導体発光素子1を製造する工程において、2つの基板を貼り合わせる共晶である。詳細には、図5(c)に示すエピタキシャル(成長)側メタライズ層21と、図5(d)に示す基板側メタライズ層22とを貼り合わせて構成される。このうちエピタキシャル側メタライズ層21の材料としては、例えば、図5(c)において下からチタン(Ti)/白金(Pt)/金(Au)/錫(Sn)/金(Au)の順番に積層したものが挙げられる。また、基板側メタライズ層22の材料としては、例えば、図5(d)において上から金(Au)/白金(Pt)/二ケイ化チタン(TiSi2)、または、二ケイ化チタン(TiSi2)/白金(Pt)/パラジウム(Pd)の順番に積層したものが挙げられる。
図1に戻って半導体発光素子1の構成についての説明を続ける。
p側電極30は、半導体積層体40の基板10側の実装面に設けられている。
p側電極30は、詳細には、半導体積層体40側のp電極第1層(図示せず)と、このp電極第1層の下側のp電極第2層(図示せず)との少なくとも2層構造で構成されている。
半導体積層体40は、一般式がInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示される窒化ガリウム系化合物半導体から成る。具体的には、例えば、GaN、AlGaN、InGaN、AlGaInN等である。特に、エッチングされた面の結晶性がよいなどの点でGaNであることが好ましい。半導体積層体40は、基板10に実装される側の面とは反対側の光取り出し面側から、n型半導体層41、発光層42およびp型半導体層43の順番に積層されて構成されている。
発光層42は、例えば、InGaNから構成される。
p型半導体層43は、例えば、p型不純物としてMgを含むGaNから構成される。
図1に示すように、n側電極50は、光取り出し面において、所定間隔を空けて設けられている。本実施形態では、光取り出し面は、n型半導体層41の表面であるので、n側電極50は、n型半導体層41の上面で、所定間隔を空けて、電気的に接続されるように形成されている。n側電極50は、ワイヤボンディングにより外部と接続される。n側電極50は、n型半導体層41の上面側から、例えば、Ti/Pt/Au、Ti/Pt/Au/Ni、Ti/Al、Ti/Al/Pt/Au、W/Pt/Au、V/Pt/Au、Ti/TiN/Pt/Au、Ti/TiN/Pt/Au/Niのような複数の金属を含む多層膜で構成される。なお、n側電極50は、オーミック電極とパッド電極とから構成されるようにしてもよい。
(保護膜)
保護膜60は、n型半導体層41よりも屈折率が低く透明な材料から構成され、n側電極50の上表面のワイヤボンディングされる領域を除いた表面と、n型半導体層41の表面および側面とを被覆している。保護膜60は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。保護膜60は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)やZr酸化膜(ZrO2)からなる。
裏面メタライズ層70は、基板10のメタライズ層20が形成されている面と反対側に形成されオーミック電極として機能する。裏面メタライズ層70の材料としては、例えば、図1において上から二ケイ化チタン(TiSi2)/白金(Pt)/金(Au)の順番に積層したものが挙げられる。
図3および図4に示すように、第1凸領域80に形成された第1凸部、および、第2凸領域90b(90)に形成された第2凸部は、先端が先細りした形状である。これにより、配光性が良好となっている。また、第1凸部および第2凸部は、先端が曲面で形成されている。したがって、先端が平坦な面で形成されている場合と比較して配光性が良い。また、図3および図4に示すように、第1凸部の高さは、第2凸部の高さの2倍以上である。さらに、第1凸部および第2凸部は、基端が隣り合う凸部の基端と隣接するように設けられている。つまり、凸部(第1凸部、第2凸部)は、隣の凸部との間に平坦な面を有していない。このように凸部が高密度に設けられているので光取り出し効率を高めることができる。したがって、配光性が良くなる。また、同じ深さであれば、凸部と隣の凸部との間に平坦な面を有しているものに比べて光出力が高くなる。
(第1製造方法)
図1に示した半導体発光素子の第1製造方法について、図5および図6を参照(適宜図1ないし図4参照)して説明する。図5および図6は、図1に示した半導体発光素子の製造工程を模式的に示す断面図である。
図1に示した半導体発光素子の第2製造方法は、第1製造方法と同様に図5(a)〜図5(e)および図6(a)〜図6(b)にそれぞれ示す工程を行う。第2製造方法は、引き続いて行うn側電極50の形成方法に特徴がある。第2製造方法について、図7を参照(適宜図1ないし図6参照)して説明する。図7は、半導体発光素子の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図7では、半導体積層体40よりも下の層については図示を省略した。
本実施形態に係る半導体発光素子1の特性として、光出力、電極はがれ率、配光性について説明する。
(光出力)
本実施形態に係る半導体発光素子1は、光取り出し面に、比較的深い位置から比較的高い第1凸部を有する第1凸領域80と、比較的浅い位置から比較的低い第2凸部を有する第2凸領域90とを設けたので、第2凸部だけを全面に設けた発光素子よりも光出力を高めることができる。また、以下に示すように、電極はがれ率が低く、配光性が良いので、第1凸部を高く形成することができ、光出力を高めることができる。
比較として、第2凸部を第1凸部と同じように相対的に深い位置から高く設け、凹凸をドライエッチングにより形成したもの(以下、比較例1という)を、一例として、RIE(Reactive Ion Etching反応性イオンエッチング)で製造した。図12に示すように、比較例1を示す従来の半導体発光素子200は、主として、基板210と、メタライズ層220と、p側電極230と、半導体積層体240と、n側電極250と、保護膜260と、裏面メタライズ層270とからなる。半導体積層体240は、基板210に実装される側の面とは反対側の光取り出し面側から、n型半導体層241、発光層242およびp型半導体層243の順番に積層されて構成されている。また、n型半導体層241の表面には、電極非形成領域に凹凸280が規則的に形成されている。n側電極250は、n型半導体層241の表面である光取り出し面において、凹凸280以外の部分の上に設けられている。なお、図12では、凹凸280の一例を模式的に示しており、半導体発光素子200は、凹凸280において互いに隣り合う凹の間に平坦な面(上面)を有するか、または、互いに隣り合う凸の間に平坦な面(底面)の少なくとも一方を有する。
図8は、本実施形態に係る半導体発光素子の指向性の一例を示す図である。ここで、ウェットエッチングのエッチング溶液として、KOH水溶液を用いて第1凸領域80および第2凸領域90を形成したもの(以下、実施例1という)を太い実線で示す。また、少なくとも第1凸部の高さが実施例1よりも小さくなるように加工量(深さ)を調整して形成したもの(以下、実施例2という)を細線で示す。さらに、比較として、前記した比較例1を破線で示し、前記した比較例2を一点鎖線で示す。
Claims (11)
- n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有する半導体積層体と、この半導体積層体が実装される基板と、前記半導体積層体が前記基板に実装される面とは反対側の光取り出し面の上に設けられた電極とを有し、前記光取り出し面に複数の凸部を備える半導体発光素子において、
前記複数の凸部は、第1凸領域と、第2凸領域とに設けられており、
前記第2凸領域は、前記第1凸領域と前記電極との間において前記電極と前記半導体積層体との界面と隣接した領域であり、
前記第1凸領域に設けられた第1凸部の基端は、前記界面よりも前記発光層側に位置し、
前記第2凸領域に設けられた第2凸部の基端は、前記第1凸部の基端よりも前記界面側に位置し、
前記第1凸部の基端から先端までの高さは、前記第2凸部の基端から先端までの高さよりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項に記載の半導体発光素子において、
前記第1凸部および前記第2凸部は、先端が先細りした形状であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項または請求の範囲第2項に記載の半導体発光素子において、
少なくとも前記第2凸領域は前記電極を囲んで設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第3項に記載の半導体発光素子において、
前記第1凸領域は前記第2凸領域および前記電極を囲んで設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第4項のいずれか一項に記載の半導体発光素子において、
前記光取り出し面には、前記電極が離間して設けられ、前記離間して設けられた電極に挟まれる領域に、前記第1凸領域および前記第2凸領域を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第5項のいずれか一項に記載の半導体発光素子において、
前記第1凸部および前記第2凸部は、先端が非平坦な形状に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第6項のいずれか一項に記載の半導体発光素子において、
前記第1凸部および前記第2凸部は、基端が隣り合う凸部の基端と隣接するように設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第7項のいずれか一項に記載の半導体発光素子において、
前記第1凸領域において、前記第1凸部を、前記電極から離れるほど基端が前記発光層に近づくように形成したことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第8項のいずれか一項に記載の半導体発光素子において、
前記電極と前記半導体積層体との界面に、第3凸部をさらに有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求の範囲第1項ないし請求の範囲第9項のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有する半導体積層体を形成する工程と、
前記半導体積層体の基板に実装される側とは反対側の光取り出し面を形成する一方の半導体層表面の電極形成予定領域を囲むように開口を有したレジストを、前記開口が前記レジストの積層方向に向かって閉塞するように形成する工程と、
前記レジストの上から前記半導体層表面にマスク材料を鍔部が形成されるように積層する工程と、
前記マスク材料が積層されたレジストを除去する工程と、
前記電極形成予定領域上のマスク材料をマスクとして前記半導体層表面をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求の範囲第10項に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記マスク材料は、電極材料であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102565148B1 (ko) | 2018-06-27 | 2023-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 플립칩형 발광 다이오드 칩 및 그것을 포함하는 발광 장치 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101911317B (zh) * | 2007-12-28 | 2012-06-06 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
DE102009033686A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optoelektronischen Halbleiterbauteils |
KR100999779B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
JP4996706B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5052636B2 (ja) | 2010-03-11 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR101081135B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101671793B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2016-11-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101673955B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2016-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP5687858B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2015-03-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5737066B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2015-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5786868B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
US9093356B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
KR20120092325A (ko) * | 2011-02-11 | 2012-08-21 | 서울옵토디바이스주식회사 | 광 결정 구조를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
JP5603813B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光装置 |
US8829487B2 (en) * | 2011-03-21 | 2014-09-09 | Walsin Lihwa Corporation | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
JP6104915B2 (ja) | 2011-10-06 | 2017-03-29 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 半導体発光デバイスの表面処理 |
KR101827975B1 (ko) | 2011-10-10 | 2018-03-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP5912442B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-04-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
US9847372B2 (en) * | 2011-12-01 | 2017-12-19 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods |
KR101894025B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2018-09-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP5292456B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-09-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
EP2803093B1 (en) * | 2012-01-10 | 2019-06-26 | Lumileds Holding B.V. | Controlled led light output by selective area roughening |
WO2013141561A1 (ko) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 에피층과 성장 기판 분리 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 |
EP2942819A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-11-11 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
JP6226681B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-11-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
KR102099441B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2020-04-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP6106120B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
WO2015156123A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材及びその製造方法、並びに、積層体、レジスト剥離液 |
CN105023983A (zh) * | 2014-04-24 | 2015-11-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 覆晶式半导体发光元件及其制造方法 |
JP2016146389A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2016171277A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP6582738B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
EP3428977A4 (en) * | 2016-03-08 | 2019-10-02 | ALPAD Corporation | LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP6738169B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2020-08-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
FR3050872B1 (fr) * | 2016-04-27 | 2019-06-14 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Diode electroluminescente comprenant au moins une couche intermediaire de plus grand gap disposee dans au moins une couche barriere de la zone active |
CN106784185B (zh) * | 2016-12-22 | 2019-05-14 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
JP2018022919A (ja) * | 2017-10-06 | 2018-02-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
JP2018050070A (ja) * | 2017-11-21 | 2018-03-29 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US11271136B2 (en) * | 2018-11-07 | 2022-03-08 | Seoul Viosys Co., Ltd | Light emitting device |
RU2713908C2 (ru) * | 2018-11-23 | 2020-02-11 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Кубик Мкм" (Ооо "Кубик-Мкм") | Микроконтакт для поверхностного монтажа и массив микроконтактов |
DE102019106546A1 (de) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil |
DE102020112414A1 (de) | 2020-05-07 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements |
CN112133804B (zh) * | 2020-08-04 | 2022-03-18 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254485A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH06334218A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1154769A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Toshiba Corp | 光実装部品およびその製造方法 |
JP2004119839A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2004356279A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2005116615A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2006245542A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5840872A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
JPH0738146A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光装置 |
US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
JP3469484B2 (ja) | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
TW444417B (en) * | 2000-02-14 | 2001-07-01 | Rohm Co Ltd | Method for making a semiconductor light emitting element |
JP4244542B2 (ja) | 2001-08-28 | 2009-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2003188410A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
JP3802424B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2006-07-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2005005679A (ja) | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
TW200509408A (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-01 | Epistar Corp | Nitride light-emitting device with high light-emitting efficiency |
JP4148264B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2008-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
DE10355581B4 (de) * | 2003-11-28 | 2010-01-14 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und Technik zur Herstellung einer Gateelektrode unter Anwendung einer Hartmaske |
JP2005244201A (ja) | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
CN100356593C (zh) * | 2004-03-30 | 2007-12-19 | 晶元光电股份有限公司 | 高效率氮化物系发光元件 |
US7534633B2 (en) * | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US7476910B2 (en) * | 2004-09-10 | 2009-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2006147787A (ja) | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
US7897420B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-03-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
JP4297084B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2009-07-15 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2007067209A (ja) | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4843284B2 (ja) | 2005-09-22 | 2011-12-21 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007165409A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
KR100649767B1 (ko) | 2005-12-26 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
JP2007220865A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
CN100555689C (zh) * | 2006-06-15 | 2009-10-28 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光元件及其制造方法 |
JP2008066554A (ja) | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
US7692203B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
CN101911317B (zh) * | 2007-12-28 | 2012-06-06 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
-
2008
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2013
- 2013-07-03 JP JP2013139370A patent/JP5545398B2/ja active Active
- 2013-09-09 US US14/021,551 patent/US8883529B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-27 US US14/470,565 patent/US9159868B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254485A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH06334218A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1154769A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Toshiba Corp | 光実装部品およびその製造方法 |
JP2004119839A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2004356279A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2005116615A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2006245542A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102565148B1 (ko) | 2018-06-27 | 2023-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 플립칩형 발광 다이오드 칩 및 그것을 포함하는 발광 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20140370630A1 (en) | 2014-12-18 |
US8883529B2 (en) | 2014-11-11 |
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