JP5282503B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
また、本発明の半導体発光素子は、前記凹部が前記n型半導体層に設けられている。かかる構成によれば、n型半導体層はp型半導体層に比べて膜厚が大きいので、凹部の深さを大きくすることができる。また、半導体発光素子全体の厚みの中で相対的に深い凹部を形成することができる。その結果、半導体層から外側に光を効率よく取り出すことができる。また、かかる構成によれば、n型半導体層の上に積層されるn側電極は、p側電極に比べてサイズが小さいので、複数の電極を分散配置させるときに、半導体層中において電流が均一に広がるように容易に配置することができる。
また、本発明の半導体発光素子は、前記凹部において、傾斜角の緩やかな前記傾斜面に対応する深さが、傾斜角の急な前記傾斜面に対応する深さより深いことが好ましい。
[半導体発光素子の構成]
本発明の実施形態に係る半導体発光素子は、n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有する半導体積層体の基板に実装される側の面とは反対側の光取り出し面に1以上の凹部が設けられているものに関する。まず、半導体発光素子の構成について、図1ないし図4を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図2は、図1に示した凹部を拡大して模式的に示す断面図である。また、図3は、凹部の平面、X−X断面およびY−Y断面を模式的に示す図であり、図4は、凹部の一部を断面にして模式的に示す斜視図である。
基板10は、シリコン(Si)から構成される。なお、Siのほか、例えば、Ge,SiC,GaN,GaAs,GaP,InP,ZnSe,ZnS,ZnO等の半導体から成る半導体基板、または、金属単体基板、または、相互に非固溶あるいは固溶限界の小さい2種以上の金属の複合体から成る金属基板を用いることができる。このうち、金属単体基板として具体的にはCuを用いることができる。また、金属基板の材料として具体的にはAg,Cu,Au,Pt等の高導電性金属から選択された1種以上の金属と、W,Mo,Cr,Ni等の高硬度の金属から選択された1種以上の金属と、から成るものを用いることができる。半導体材料の基板10を用いる場合には、それに素子機能、例えばツェナーダイオードを付加した基板10とすることもできる。さらに、金属基板としては、Cu−WあるいはCu−Moの複合体を用いることが好ましい。
メタライズ層20は、この半導体発光素子1を製造する工程において、2つの基板を貼り合わせる共晶である。詳細には、図8(d)に示すエピタキシャル側メタライズ層21と、図8(e)に示す基板側メタライズ層22とを貼り合わせて構成される。このうちエピタキシャル側メタライズ層21の材料としては、例えば、図8(d)において下からチタン(Ti)/白金(Pt)/金(Au)/錫(Sn)/金(Au)の順番に積層したものが挙げられる。また、基板側メタライズ層22の材料としては、例えば、図8(e)において上から金(Au)/白金(Pt)/二ケイ化チタン(TiSi2)、あるいは、二ケイ化チタン(TiSi2)/白金(Pt)/パラジウム(Pd)の順番に積層したものが挙げられる。
図1に戻って半導体発光素子1の構成についての説明を続ける。
p側電極30は、半導体積層体50の基板10側の実装面において、深さ方向で半導体積層体50の最上面の凹部90に対向する位置に設けられている。
p側電極30は、詳細には、半導体積層体50側のp電極第1層(図示せず)と、このp電極第1層の下側のp電極第2層(図示せず)との少なくとも2層構造で構成されている。
保護膜40は、p型半導体層53よりも屈折率が低く透明な材料から構成され、p側電極30と同一平面内でp側電極30の形成されていない部分に形成されている。保護膜40は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。保護膜40は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)やZr酸化膜(ZrO2)からなる。
半導体積層体50は、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体(例えば、GaN、AlGaN、InGaN、AlGaInN等)から成る。特に、エッチングされた面の結晶性がよいなどの点でGaNであることが好ましい。半導体積層体50は、基板10に実装される側の面とは反対側の光取り出し面側から、n型半導体層51、発光層52およびp型半導体層53の順番に積層されて構成されている。また、半導体積層体50は、一般式がInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示される。
発光層52は、例えば、InGaNから構成される。
p型半導体層53は、例えば、p型不純物としてMgを含むGaNから構成される。
図1に示す例では、n側電極60は、光取り出し面において、凹部90以外の部分の上に設けることとした。本実施形態では、光取り出し面は、n型半導体層51の表面であるので、n側電極60は、n型半導体層51の上面で、凹部90の形成されていない部分に、電気的に接続されるように形成されている。n側電極60は、ワイヤボンディングにより外部と接続される。n側電極60は、n型半導体層51の上面側から、例えば、Ti/Pt/Au、Ti/Pt/Au/Ni、Ti/Al、Ti/Al/Pt/Au、W/Pt/Au、V/Pt/Auのような複数の金属で構成される。なお、n側電極60は、オーミック電極とパッド電極とから構成されるようにしてもよい。
保護膜70は、前記した保護膜40と同一材料で形成されている。ここで同一材料とは、例えば、保護膜40がSiO2によって形成されているのであれば、保護膜70もSiO2によって形成されていることを意味し、その製造方法等によって、組成に若干の差異が生じることがあってもよい。保護膜70は、n側電極60の上表面のワイヤボンディングされる領域を除いた表面と、凹部90の内周面を含む内側と、n型半導体層51の表面と、半導体積層体50の側面とを被覆している。
裏面メタライズ層80は、基板10のメタライズ層20が形成されている面と反対側に形成されオーミック電極として機能する。裏面メタライズ層80の材料としては、例えば、図1において上から二ケイ化チタン(TiSi2)/白金(Pt)/金(Au)の順番に積層したものが挙げられる。
凹部90は、図2に拡大して示すように、開口部91から底部の底面92に到達するまでに底面92に向かって縮径する方向に傾斜角の異なる2段の傾斜面93,94を有し、それぞれの傾斜面93,94が、凹部90の開口部91に近いほど傾斜角が緩やかになるように形成されている。つまり、凹部90は、n型半導体層51の表面から離れるにつれて先細りとなる形状で、側面は2つの先細り角θ1,θ2の異なる傾斜面93,94を有している。なお、図2は、図3のX−X断面矢視図に対応している。
なお、本発明において表面の平均面粗さRaは、走査プローブ顕微鏡(SII社製、SPI3800N)によって測定することができる。
また、測定する面(以下、測定面という)を断面で見た場合においては、JIS B0601の算術平均粗さRaの定義をもとに求めることができる。
JIS B0601に従って、測定面の断面曲線から平均線(うねり曲線)を求め、断面曲線から平均線を差し引く、すなわち、平均線を直線に置き換えることで、粗さ曲線を得る。そして、JIS B0601で定義された座標系に従って、前記直線に置き換えた平均線に一致する方向をX軸、X軸に直角で断面と平行な方向をZ軸とする。
粗さ曲線からX軸の方向に基準長さlだけを抜き取り、この抜き取り部分における平均線は、以下の式(1)によって示すことができる。
Z0=(1/100)×{Z(x1)+Z(x2)+Z(x3)+…+Z(x100)}
… 式(3)
求めたZ0を用いて、平均面粗さRaは、式(4)で求めることができる。
Ra=(1/100)×{|Z(x1)−Z0|
+|Z(x2)−Z0|+…+|Z(x100)−Z0|} … 式(4)
凹部90の底面の大きさW(直径W)は、先細り角θ1,θ2にもよるが、開口部91の大きさL(最大幅L)に対して、5分の1以上半分以下である(L/5≦W≦L/2)。さらに、3分の1以上半分以下であることが好ましい(L/3≦W≦L/2)。ここで、凹部90の底面の大きさWと、開口部91の大きさLとの差がある程度大きい方が、発光層52から様々な角度に放射される光路の光を傾斜面93,94で効率よく反射及び透過させて取り出し易くなる。例えば、凹部90の底面の大きさWを、開口部91の大きさLの1/3にした場合には、先細り角θ1,θ2の数値を、前記した数値範囲としつつ、かつ、凹部90の深さDのうち、傾斜面93に対応する深さD1を、傾斜面94に対応する深さD2に比べて深くすることができるので、凹部90を製造し易くなる。したがって、上のように数値範囲を定めた。
(光取り出し効率)
図5は、本実施形態の半導体発光素子の凹部とその他の凹部との比較を模式的に示す断面図である。図5(a)は、本実施形態の半導体発光素子1の凹部90の断面の一例(実施例)を示し、図5(b)〜図5(d)は、それぞれ構造の異なる凹部の断面を示している。図5(b)に示す比較例1は、傾斜角の緩やかな傾斜面のみを有する浅い凹部190Aである。浅い凹部190Aでは、半導体層内部の発光層から発した光が、傾斜面に斜めに入射すると、その光が、屈折率の差に応じて斜めの方向に透過するため、真上へは進行しない。つまり、光取り出し効率も配光性も悪い。
図6は、光取り出し面の粗さと指向性との関係を示すグラフである。図6は、極座標で指向特性を表すものであり、径方向が光強度、周方向は角度を示す。ここで、周方向は、指向角90°を基準(縦軸:Y軸)として、横軸(X軸)の負方向が指向角0°、横軸(X軸)の正方向が指向角180°をそれぞれ示す。また、指向角0〜180°は、平面視でn側電極60の長手方向(φ=90°)に測定したものを示す。また、図6において、破線は、光取り出し面が平坦な場合を示し、実線は、光取り出し面に凹凸を有している場合を示す。ただし、それぞれの違いを明確にするために、指向角90°の場合の絶対値をそれぞれ「1」に正規化した。
図1に示した半導体発光素子の製造方法について、図8および図9を参照(適宜図1ないし図4参照)して説明する。図8および図9は、図1に示した半導体発光素子の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、図9(e)に示すように、凹部90の内周面を含む内側と、半導体積層体50の上面(n型半導体層51の表面)とを保護膜70で被覆する。なお、図1に示すように、半導体積層体50の側面を保護膜70で被覆する。そして、基板10を裏返しにする(図示せず)ことで最上面(図1では最下面)となる基板10の表面に、オーミック電極としての裏面メタライズ層80を形成し、ダイシングする。すなわち、ウェハ形状からバー形状に分割し、共振器端面にミラーを形成し、バー形状からチップ形状に劈開し、ワイヤをn側電極60および裏面メタライズ層80の表面に接続することで、図1に示した半導体発光素子1を製造する。
次に、図10を参照(適宜図2参照)して凹部90の形成工程を説明する。図10は、図9(c)に示した凹部の形成工程を示すフローチャートである。
半導体積層体50の上面(n型半導体層51の表面)に、例えば、フォトリソグラフィ工程により、凹部90となる部分が開口したレジストパターンを形成する(ステップS1)。そして、パターニング後に、例えば180℃でポストベーク(熱処理)することにより、レジストを架橋させると同時に、レジストパターンの端部が熱を持つことによって端部の形状が維持できなくなって傾斜を有するように変形させる(ステップS2)。これにより、凹部90となる領域に向かって周囲からレジストパターンの端部が崩れて傾斜した構造が形成される。つまり、パターン端部が崩落した傾斜部が、エッチングする領域の周縁からごく内側に形成され、レジストパターンの無い部分に比べて、エッチングレートが低い領域が形成される。
図13は、凹部の開口部の第1変形例の平面図、X−X断面およびY−Y断面を模式的に示す図であり、図14は、図13に示した第1変形例のY−Y断面で切断した一部断面斜視図である。この第1変形例では、複数の凹部の開口部の形状が円形であって、図3に示した配列状態ほど密ではない点を除いて、図3に示した凹部90と同様の構成である。すなわち、例えば、凹部90aは、開口部としての正六角形の各頂点で周囲の6個の凹部90b〜90gに対して接している。言い換えると、凹部90aは、図13の平面図において示した6個の正三角形に周囲を囲まれている。これら6個の正三角形は、光取り出し面上に存在している。したがって、光取り出し面における電流の広がりが良好である。なお、開口部としての正六角形の各頂点が周囲の6個の凹部に対して所定距離だけ離間するようにすることもできる。
図15は、凹部の開口部の第2変形例の平面図、X−X断面およびY−Y断面を模式的に示す図であり、図16は、図15に示した第2変形例のY−Y断面で切断した一部断面斜視図である。この第2変形例では、複数の凹部は、開口部の整列状態が、いわゆる俵積み状態となり、かつ、最密になるように配置されている。すなわち、例えば、凹部90aは、開口部としての正六角形の各辺で周囲の6個の凹部に対して接している。また、凹部90aは、開口部としての正六角形の各頂点で周囲の6個の凹部に対して接している。ここで、図16のY−Y断面矢視図に示すように、例えば凹部90aの開口としての正六角形の各辺は、一直線であり光取り出し面上に存在している。したがって、第2変形例は、凹部の開口部が接線および接点で隣接した凹部を最密に配置した構造となっている。このような凹部を有した半導体発光素子は、少ない表面積で数多くの凹部を効率よく集積して配置することができる。
図17は、凹部の開口部の第3変形例の平面図、のX−X断面およびY−Y断面を模式的に示す図であり、図18は、図17に示した第3変形例のY−Y断面で切断した一部断面斜視図である。この第3変形例では、凹部90aは、開口部としての正六角形の各辺がそれぞれ一直線ではなく、断面形状が、各辺の中点を頂点とするV字形状となっている。つまり、平面視での正六角形の各頂点部分だけが光取り出し面と同一の平面上に存在している。ここで、V字の谷よりも下に、上側斜面(傾斜面93:図2参照)がある。換言すると、V字は、上側斜面(傾斜面93:図2参照)内におさまっている。これにより、V字谷が形成されていない場合と比べて電流が均一に広がり易いという効果がある。その他は、第2変形例と同様であるので説明を省略する。
凹部90の開口部91が、平面視で、円形のものと六角形のものとをこれまで例示したが、その他に、三角形、四角形などの多角形や楕円形であってもよいことはもちろんである。なお、効率よく電流の広がりがなされ、また、光取り出し効率を向上させるためには、最密な配列が可能な円形や六角形が好ましい。
半導体発光素子1を製造するために、半導体成長用基板100は、サファイア基板を用いた。また、基板10として、厚さ400μmのウェハ形状のシリコン(Si)基板を用いた。そして、このSi基板上に、半導体積層体50として以下の各層を積層した。まずは、Si基板上に、SiドープAlGaNからなるn型クラッド層、GaNからなるn型光ガイド層を成長させた。これにより、厚さ4000nmのn型半導体層51を形成した。続いて、SiドープIn0.05Ga0.95Nからなる障壁層と、アンドープIn0.1Ga0.9Nからなる井戸層とを交互2回積層させ、その上に障壁層を積層させた多重量子井戸構造(Multiple-Quantum Well:MQW)の発光層52を成長させた。次いで、MgドープAlGaNからなるp型電子閉じ込め層、アンドープGaNからなるp型光ガイド層、アンドープAl0.16Ga0.84Nからなる層とMgドープGaNからなる層とを交互積層させた超格子層からなるp型クラッド層、Mgドープp型GaNからなるp型コンタクト層を成長させた。これによりp型半導体層53を形成した。その後、窒素雰囲気中でウェハを700℃でアニーリングして、p型半導体層53をさらに低抵抗化した。
10 基板
20 メタライズ層
21 エピタキシャル側メタライズ層
22 基板側メタライズ層
30 p側電極
40 保護膜
50 半導体積層体
51 n型半導体層
52 発光層
53 p型半導体層
60 n側電極
70 保護膜
80 裏面メタライズ層
90(90A,90B,90a〜90g) 凹部
91 開口部
92 底面
93,94(93b,94b) 傾斜面
95 凹凸(微細な凹凸)
100 半導体成長用基板
Claims (11)
- 基板と、
前記基板に実装される半導体積層体と、を有しており、
前記半導体積層体の前記基板に実装される側の面とは反対側の光取り出し面に1以上の凹部が設けられた半導体発光素子において、
前記半導体積層体は、前記基板に実装される側からp型半導体層、発光層、n型半導体層の順に積層されており、
前記半導体積層体に形成された前記凹部は、前記n型半導体層に設けられたものであって、該凹部の開口部側から底部側に向かって縮径する方向に傾斜し、傾斜角が緩やかで表面に凹凸を有する傾斜面と、傾斜角が急で表面が平坦な傾斜面と、を順に備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記凹部の底部に底面を有し、前記底面が凹凸を有する面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記光取り出し面に複数の前記凹部が設けられ、前記複数の凹部において隣り合う開口部が離間されており、離間された領域が表面に凹凸を有する面であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記光取り出し面の、前記凹部以外の領域の上にn側電極を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部の開口部の形状は、前記光取り出し面に対する平面視で円形であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部の開口部の形状は、前記光取り出し面に対する平面視で多角形であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部の開口部の形状は、前記光取り出し面に対する平面視で六角形であることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部の深さは、前記光取り出し面から前記発光層までの厚みの半分以上の長さであり、かつ、前記光取り出し面から前記発光層までの厚みより短いことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部において、傾斜角の緩やかな前記傾斜面に対応する深さは、傾斜角の急な前記傾斜面に対応する深さより深いことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部の前記傾斜面に、前記n型半導体層よりも屈折率が低い材料で形成される保護膜を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層体の前記基板に実装される面において、前記凹部と深さ方向で対向する位置にp側電極が設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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