TWI666792B - 光源模組以及光源模組之製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 36
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 32
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本發明係關於一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：設置發光二極體晶粒於承載基板上，且電性連接發光二極體晶粒以及承載基板、設置保護膠於發光二極體晶粒以及承載基板上、以及裁切承載基板而形成一光源模組。本發明方法不需利用承載體，故可省略習知技術之移除承載體運作以及接合製程，因此，本發明方法可提升光源模組之製造品質。
Description
本發明係關於一種光源模組，尤其係有關於高發光效率之光源模組以及其光源模組之製造方法。
常見的光源係利用發光二極體(Light Emitting Diode，LED)來產生光束，其發光原理為，於III-V族半導體材料，例如：氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)等材料上施加電流，利用電子與電洞的互相結合，使多餘的能量於多層量子井(Multiple Quantum Well，MQW)之處以光子的形式釋放出來，成為我們眼中所見的光線。
接下來說明習知發光二極體晶粒的結構。請參閱圖1，其為習知發光二極體晶粒之結構剖面示意圖。圖1中顯示出習知發光二極體晶粒1為多層堆疊的結構，其包括基板11、P極披覆層12、多層量子井13、N極披覆層14、導電薄膜層(ITO)15、分別設置於發光二極體晶粒1之其上表面上的具有P極接點16以及N極接點17，而P極接點16以及N極接點17可供進行打線程序(此將於稍後說明)，而多層量子井13設置於該多層堆疊的結構之中。由於前述已提到發光二極體晶粒1係由多層量子井13出光，因此從多層量子井13向上方輸出的光束勢必被位於多層量子井13上方的P極披覆層12、導電薄膜層15、P極接點16以及N極接點17所遮擋而耗損，進而顯著影響整體向上出光的發光效率。換句話說，傳統發光二 極體晶粒1的整體發光亮度大部份只能依賴從多層量子井13向側邊出光的光線部份，導致發光效率不佳。因此，傳統發光二極體晶粒1的發光效率仍有改善的空間。
請參閱圖2，其為應用習知發光二極體晶粒之光源模組之結構剖面示意圖。光源模組2包括有電路板21以及設置於電路板21上的複數個發光二極體22(為了清楚表示，圖2僅繪出單一個發光二極體22)，且每一發光二極體22係電性連接於電路板21，故可接收來自電路板21的電流而輸出光束。其中，光源模組可被設置於電子裝置(未顯示於圖中)內，令電子裝置可提供輸出光束的功能。
一般而言，光源模組可分為下列二種：第一，電路板21僅負責有關發光二極體22的電路運作，而電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號處理則透過另一電路板進行。第二、電路板21能夠負責有關發光二極體22的電路運作，亦能夠對有關於電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號進行處理。
光源模組2中，每一發光二極體22皆為單一個習知發光二極體晶粒1被封裝後所形成者，且發光二極體晶粒1的P極接點16以及N極接點17係經由打線18而連接至電路板21的電性接腳211，藉此發光二極體22才能接收來自電路板21的電流。然而，於發光二極體晶粒1的封裝過程中，發光二極體晶粒1通常要被設置於一載板19上，但載板19所占據的體積以及預留打線18所需的高度皆是發光二極體晶粒1被封裝後之整體厚度會增加的主因，故應用傳統發光二極體晶粒1的光源模組十分不利於薄型化，當然，亦不利於欲設置該光源模組的電子裝置朝輕、薄、短小的方向發展。
根據以上的說明可知，習知光源模組具有改善的空間，因 此，需要一種可降低厚度且可提升發光效率之光源模組。
此外，習知光源模組之製造方法係先將發光二極體晶粒設置於一承載體上以進行封膠製程，於移除承載體之後，再進行發光二極體晶粒與電路板的接合製程。其中，該接合製程需要高精密度的運作，造成光源模組之製造良率以及品質低落。因此，亦需要一種可改善上述問題的光源模組之製造方法。
本發明之目的在於提供一種可降低厚度且可提升發光效率之光源模組以及其光源模組之製造方法。
於一較佳實施例中，本發明提供一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：設置一發光二極體晶粒於一承載基板上、電性連接該發光二極體晶粒以及該承載基板、設置一保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上、以及、裁切該承載基板而形成一光源模組。
於一較佳實施例中，設置該保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上，包括以下步驟：以噴膠方式設置該保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上、以及、固化該保護膠，使該保護膠包覆該發光二極體晶粒以及部份該承載基板。
於一較佳實施例中，本發明亦提供一種光源模組，包括一發光二極體晶粒、一承載基板以及一保護膠。該發光二極體晶粒用以輸出一光束。該承載基板電性連接於該發光二極體晶粒且承載該發光二極體晶粒。其中，該承載基板可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該發光二極體晶粒而往外投射。該保護膠覆蓋該發光二極體以及部份該承載基板，用以保護該發光二極體晶粒。
於一較佳實施例中，該發光二極體晶粒包括一基板、一第一 披覆層、一第二披覆層以及一發光層。該第一披覆層設置於該基板之一下表面上，用以供一第一電流通過，而該第二披覆層位於該第一披覆層之下方，用以供一第二電流通過。該發光層設置於該第一披覆層以及該第二披覆層之間，用以因應該第一電流以及該第二電流而產生一光束，且該光束穿過該基板而往外投射。
於一較佳實施例中，該承載基板包括一電路板、一第一金屬連結層、一第二金屬連結層以及一保護層。該第一金屬連結層設置於該電路板之一上表面上，而該第二金屬連結層設置於該第一金屬連結層上，可與該第一金屬連結層結合且反射該光束。該保護層設置於該第二金屬連結層上，用以保護該電路板、該第一金屬連結層以及該第二金屬連結層；其中，該保護層可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該基板而往外投射。
1、30、40、50、60‧‧‧發光二極體晶粒
2、3、4、5、6‧‧‧光源模組
11、31、41、51‧‧‧基板
12‧‧‧P極披覆層
13‧‧‧多層量子井
14‧‧‧N極披覆層
15‧‧‧導電薄膜層
16‧‧‧P極接點
17‧‧‧N極接點
18‧‧‧打線
19‧‧‧載板
22‧‧‧發光二極體
32、42、52‧‧‧第一披覆層
33、43、53‧‧‧第二披覆層
34、44、54‧‧‧發光層
35、45、55、65‧‧‧承載基板
36、46、56‧‧‧第一保護層
47‧‧‧反射層
57‧‧‧齊納二極體
61‧‧‧保護膠
62‧‧‧第三護層
311、411、511‧‧‧微結構
321、421、521‧‧‧第一接墊
331、431、531‧‧‧第二接墊
332、432、532‧‧‧透明導電層
21、351、451‧‧‧電路板
352、452‧‧‧第一金屬連結層
353、453‧‧‧第二金屬連結層
354、454‧‧‧第二保護層
355、455‧‧‧第一電極
356、456‧‧‧第二電極
357、457‧‧‧第一金屬連結凸塊
358、458‧‧‧第二金屬連結凸塊
3511‧‧‧銅箔
B‧‧‧光束
S1~S12‧‧‧步驟
T1、T2‧‧‧光源模組之厚度
圖1係習知發光二極體晶粒之結構剖面示意圖。
圖2係應用習知發光二極體晶粒之光源模組之結構剖面示意圖。
圖3係本發明光源模組於第一較佳實施例中之結構示意圖。
圖4係本發明光源模組之發光層於第一較佳實施例中之結構上視示意圖。
圖5係本發明光源模組於第一較佳實施例中之局部結構下視示意圖。
圖6係本發明光源模組於第二較佳實施例中之結構示意圖。
圖7係本發明光源模組於第三較佳實施例中之結構示意圖。
圖8係本發明光源模組於第四較佳實施例中被封裝後之結構示意圖。
圖9係本發明光源模組之製造方法於第四較佳實施例中之方塊流程圖。
本發明提供一種光源模組以及光源模組之製造方法，以解決習知技術問題。首先說明光源模組之結構，請參閱圖3，其為本發明光源模組於第一較佳實施例中之結構示意圖。光源模組3包括基板31、第一披覆層32、第二披覆層33、發光層34、承載基板35以及第一保護層36，第一披覆層32設置於基板31之下表面上，其可用以供第一電流通過，而第二披覆層33位於第一披覆層32之下方，其可供第二電流通過。發光層34設置於第一披覆層32以及第二披覆層33之間，其功能為因應第一電流以及第二電流而產生光束B，且光束B可穿過基板31而往外投射。其中，第一披覆層32、第二披覆層33以及發光層34係為III-V族半導體的數個堆疊結構，以利用電子與電洞的互相結合而產生光束B。於本較佳實施例中，第一披覆層32係為N-GaN披覆層，第二披覆層33係為P-GaN披覆層，而發光層34係為多層量子井。
請同時參閱圖3以及圖4，圖4係為本發明光源模組之發光層於第一較佳實施例中之結構上視示意圖。發光層34具有複數開孔341，且複數開孔341均勻地分佈於發光層34而貫穿發光層34之上表面以及發光層34之下表面。均勻分佈的複數開孔341可使第一電流以及第二電流之密度均勻，進而使發光層34之光束B可均勻地被輸出。
基板31包括複數微結構311，且複數微結構311分別設置於基板31之上表面以及下表面上，其可避免光束B發生全反射，而幫助光束B往基板31之外的方向投射。於本較佳實施例中，複數微結構311可以各種方式形成於基板31之上表面以及下表面上，例如蝕刻方式。另一方面，第一披覆層32具有第一接墊321，設置於第一披覆層32之下表面上且電性連接於第一披覆層32。而第二披覆層33具有第二接墊331，設置於第二披 覆層33之下表面上且電性連接於第二披覆層33。於一較佳作法中，第二披覆層33更包括透明導電層332，其設置於第二披覆層33之下表面上，以輔助第二披覆層33導電。
其中，本發明定義基板31、第一披覆層32、第二披覆層33、發光層34以及第一保護層36為發光二極體晶粒30，且發光二極體晶粒30與承載基板35結合而形成光源模組3。
圖3中，承載基板35分別電性連接於第一披覆層32以及第二披覆層33，且承載基板35包括電路板351、第一金屬連結層352、第二金屬連結層353、第二保護層354、第一電極355、第二電極356、第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358。第一金屬連結層352設置於電路板351之上表面上，而第二金屬連結層353設置於第一金屬連結層352上，可與第一金屬連結層352結合且反射光束B。第二保護層354設置於第二金屬連結層353上，其可保護電路板351、第一金屬連結層352以及第二金屬連結層353，另一方面，第二保護層354亦可反射投射至承載基板35之光束B，使光束B穿過基板31而往外投射。第一電極355設置於第二金屬連結層353上，而第二電極356亦設置於第二金屬連結層353上。第一金屬連結凸塊357設置於第一電極355上，其可結合第一電極355以及第一披覆層32之第一接墊321。同理，第二金屬連結凸塊358設置於第二電極356上，其可結合第二電極356以及第二披覆層33之第二接墊331，因此可知，承載基板35分別藉由第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358而電性連接於第一披覆層32以及第二披覆層33。
由圖3可看出，基板31與第一接墊321、第二接墊331分別顯露於第一披覆層32、第二披覆層33以及發光層34之外，且第一接墊321以及第二接墊331可以直接接合(例如焊接或其它接合技術)固定於承載 基板35或習知載板19上，亦即，本發明光源模組3不需要再透過打線的方式進行電性連接，而有利於降低整體厚度而有助於薄型化的設計。另外，第一保護層36包覆第一披覆層32、第一接墊321、第二披覆層33、第二接墊331以及發光層34，以保護上述元件。
其中，由於第一接墊321透過第一金屬連結凸塊357而電性連接於第一電極355，且第二接墊331透過第二金屬連結凸塊358而電性連接於第二電極356，如此作法除了可免除打線的程序，更可將第一接墊321以及與第二接墊331所產生的熱能直接傳導至下方的承載基板35，且該熱能便可透過承載基板35向外散逸。其中，由於承載基板35具有較大的面積，故有助於迅速散熱，進而可大幅降低熱能對光源模組3的發光效率之損耗。
於本較佳實施例中，電路板351可用金、銀等材料製成，以提升導電性以及散射性。電路板351可採用但不限於：軟性電路板(FPC)、印刷電路板(PCB)、或鍍銅的樹脂板(PET)。其中，軟性電路板可為聚亞醯胺基板(PI base)佈銅線(copper trace)後經表面處理所形成；印刷電路板可為環氧樹脂玻璃纖維基板(FR4 base)佈銅線後經表面處理所形成；鍍銅的樹脂板可為聚亞醯胺基板(PET base)佈銅線後經表面處理所形成。
於本較佳實施例中，第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358皆為焊接材料，而焊接材料可採用錫膏、銀膠、金球、錫球或錫膠等，而焊接製程方法包括但不限於：超音波熱銲(Thermosonic)、共晶(Eutectic)或回焊(Reflow)等。第一金屬連結層352係以銅或性質接近銅之導電金屬所製成，而第二金屬連結層353則以金、鎳、性質接近金之導電金屬或性質接近鎳之導電金屬所製成。其中，由於金、鎳的特性，使得第二金屬連結層353可提供較高的反射率以及較高的結合能力。
需特別說明的有四，第一，由於電路板351之上表面設置有銅箔3511，使得電路板351之上表面不平整，故設置第一金屬連結層352於電路板351之上表面上，而得以將電路板351之上表面平整化。第二，第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358僅需以導電金屬製成即可，並非限定第一金屬連結凸塊357必須以銅製成，亦非限定第二金屬連結凸塊358必須以金、鎳製成。
第三，於本較佳實施例中，基板31係為透明或半透明的藍寶石基板，因此，發光層34所產生的光束B可直接向上方且不被遮擋地穿經基板31，藉此可降低光反射的次數而降低光耗損率，以提升發光功率。並且，藉此設置，更可增加光源模組3的整體出光面積。另外，由於基板31設置有凹凸的複數微結構311，本發明光源模組3所產生之光束B不易於內部發生全反射，而可直接穿經基板31向外射出，藉此，本發明光源模組3可提高出光效率。經實驗可得知，本發明光源模組3之光輸出可優於習知光源模組約1.6倍至3倍。
第四，承載基板35之第二保護層354係以絕緣材料所製成，且覆蓋於第二金屬連結層353、第一電極355以及第二電極356上，藉此可避免第一接墊321與第一金屬連結凸塊357以及第二接墊331與第二金屬連結凸塊358發生漏電流之情形。同時，第二保護層354更具有反射功能，以將往下方投射的光束B反射，而可有效提升光束利用率。當然，本發明並非限制必須將絕緣材料與反射材料整合於一體而形成第二保護層354，該兩者亦可根據需求而分別設置。
接下來請同時參閱圖3以及圖5，圖5係為本發明光源模組於第一較佳實施例中之局部結構下視示意圖。圖3顯示出第一接墊321之下表面與第二接墊331之下表面係位於同一高度，以便與承載基板35結 合。另一方面，圖4顯示出本發明光源模組3之發光二極體晶粒30之部份結構，由圖4可看出第一接墊321與第二接墊331之接觸面積占第一保護層36之下表面中相當大的比重，故有助於將熱能由發光二極體晶粒30傳導至承載基板35，以避免光源模組3過熱而影響其發光效率。
再者，本發明更提供與上述不同作法之第二較佳實施例。請參閱圖6，其為本發明光源模組於第二較佳實施例中之結構示意圖。光源模組4包括基板41、第一披覆層42、第二披覆層43、發光層44、承載基板45、第一保護層46以及反射層47，且基板41包括複數微結構411，第一披覆層42具有第一接墊421，而第二披覆層43包括第二接墊431以及透明導電層432。承載基板45包括電路板451、第一金屬連結層452、第二金屬連結層453、第二保護層454、第一電極455、第二電極456、第一金屬連結凸塊457以及第二金屬連結凸塊458。其中，本發明定義基板41、第一披覆層42、第二披覆層43、發光層44以及第一保護層46為發光二極體晶粒40，且發光二極體晶粒40與承載基板45結合而形成光源模組4。本較佳實施例之光源模組4的各元件之結構以及功能大致上與前述較佳實施例相同，且相同之處不再贅述，而該兩者之間的不同之處，光源模組4更包括有反射層47。
反射層47設置於第二披覆層43之下表面上，其可反射穿過第二披覆層43之光束B，使光束B穿過基板41而往外投射，以進一步提升光束使用率。其中，若第二披覆層43中包含有透明導電層432，反射層47則設置於透明導電層432之下表面上。此屬於在發光層44以及承載基板45之間加入反射材料(例如：Distributed Bragg Reflector，DBR)的一種作法，目的係為了得到比習知光源模組更高的出光率。
此外，本發明更提供與上述不同作法之第三較佳實施例。請 參閱圖7，其為本發明光源模組於第三較佳實施例中之結構示意圖。光源模組5包括基板51、第一披覆層52、第二披覆層53、發光層54、承載基板55、第一保護層56以及齊納二極體57，且基板51包括複數微結構511，第一披覆層52具有第一接墊521，而第二披覆層53包括第二接墊531以及透明導電層532。其中，本發明定義基板51、第一披覆層52、第二披覆層53、發光層54以及第一保護層56為發光二極體晶粒50，且發光二極體晶粒50與承載基板55結合而形成光源模組5。本較佳實施例之光源模組5的各元件之結構以及功能大致上與前述較佳實施例相同，且相同之處不再贅述，而該兩者之間的不同之處，光源模組5更包括有複數齊納二極體57。其中，齊納二極體57設置於承載基板55上，且齊納二極體57與發光層54反向並聯，以形成靜電釋放(ESD)保護電路，而可保護光源模組5。
接下來請參閱圖8，其為本發明光源模組於第四較佳實施例中被封裝後之結構示意圖。圖8顯示出發光二極體晶粒60設置於承載基板65上，且發光二極體晶粒60與承載基板65可被噴上保護膠61，其視同封裝程序，以防護發光二極體晶粒60。其中，本發明定義基板、第一披覆層、第二披覆層、發光層以及第一保護層為發光二極體晶粒60，且發光二極體晶粒60與承載基板65結合而形成光源模組6。
需特別說明的是，請再次參閱圖2，於習知技術中，若要於電路板21上設置光源，其作法為將已製造完成的發光二極體22(發光二極體晶粒1被封裝後所形成者)放在電路板21上並經過打線18等程序，而結合發光二極體22以及電路板21以形成光源模組2。其中，光源模組2之厚度為T1。然而，由於本發明改變發光二極體晶粒60的組成，使得發光二極體晶粒60可於不需透過打線程序的情況下而被直接焊接在承載基板65上，且可簡易地進行封裝程序(例如前述噴上保護膠61的運作)，以形成光 源模組6，如圖7所示。其中，光源模組6之厚度為T2。與習知技術比較可知，以發光二極體晶粒1與發光二極體晶粒60為基準，可明顯看出光源模組6之厚度T2遠小於光源模組2之厚度T1，故本發明光源模組確實可降低厚度。
接下來說明本發明光源模組之製造方法。請同時參閱圖8以及圖9，圖9係為本發明光源模組之製造方法於第四較佳實施例中之方塊流程圖。其製造方法包括以下步驟：
步驟S1：清洗承載基板。
步驟S2：設置發光二極體晶粒於承載基板上。
步驟S3：進行發光二極體晶粒以及承載基板之間的電性連接。
步驟S4：對發光二極體晶粒以及承載基板進行光電測試。
步驟S5：進行噴膠工作而於承載基板上以形成保護膠。
步驟S6：固化保護膠。
步驟S7：設置保護層於保護膠上。
步驟S8：固化保護層。
步驟S9：對承載基板裁切成型而形成複數光源模組。
步驟S10：對複數光源模組分別進行光電測試。
步驟S11：對複數光源模組進行光色調分選工作。
步驟S12：包裝光源模組。
簡述本發明方法如下：首先，於步驟S1清洗承載基板65，以避免有灰塵等雜質位於光源模組6內部。接下來於步驟S2中分別設置複數發光二極體晶粒60(圖8中僅顯示一個)於承載基板65上，之後於步驟S3中分別進行複數發光二極體晶粒60與承載基板65之間的電性連接。於複數發光二極體晶粒60分別電性連接於承載基板65之後，進行步驟S4：分 別對複數發光二極體晶粒60以及承載基板65進行光電測試，以確保複數發光二極體晶粒60以及承載基板65之功能正常而可運作。
於步驟S4完成之後，進行步驟S5：分別對每一發光二極體晶粒60進行噴膠工作而於承載基板65上分別形成相對應的保護膠61，其中，保護膠61覆蓋相對應的發光二極體晶粒60以及部份承載基板65。步驟S5中，固化保護膠61，以保護相對應的發光二極體晶粒60。其中，保護膠61包覆發光二極體晶粒60而使發光二極體晶粒60不顯露於外，而可提供防水及防塵的保護。於一較佳作法中，更可進行步驟S7以及步驟S8：設置第三保護層62於保護膠61上，且固化第三保護層62，以提供進一步的保護。
接下來進行步驟S9：依據需求，對承載基板65裁切成型，使複數發光二極體晶粒60互相分離而與相對應的局部承載基板65形成複數光源模組6，如圖8所示。接下來於步驟S10中對複數光源模組6分別進行光電測試，以確保製造完成的光源模組6亦可正常運作。由於每一發光二極體晶粒60所產生的光束色調必定略有差異，故需要進行步驟S11：對複數光源模組6進行光色調分選工作，亦即，區分出其光束色調不相近的光源模組6，而將光束色調相近的分類為同一組。藉由光色調分選工作可分類出各種光色調的光源模組6，故可依據客戶之光色調需求而提供所需要的光源模組。最後，進行步驟S12：分別包裝光源模組6。本發明方法完成。
藉由上述步驟即可製造出本發明光源模組6，其中，步驟S1、步驟S7以及步驟S8為非必要的步驟，可視實際情況而決定是否進行。需特別說明的是，於步驟S9中，可根據客戶需求而將一整片的承載基板65裁切為所客戶需要的形狀，以形成符合客戶要求的光源模組6。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利範圍，因此凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含於本案之申請專利範圍內。
Claims (10)
- 一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：設置一發光二極體晶粒於一承載基板上；電性連接該發光二極體晶粒以及該承載基板；設置一保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上；以及裁切該承載基板而形成一光源模組。
- 如申請專利範圍第1項所述之光源模組之製造方法，其中，於設置該發光二極體晶粒於該承載基板上之前，更包括以下步驟：清洗該承載基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之光源模組之製造方法，其中，於電性連接該發光二極體晶粒以及該承載基板之後，更包括以下步驟：對該發光二極體晶粒以及該承載基板進行光電測試。
- 如申請專利範圍第1項所述之光源模組之製造方法，其中，設置該保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上，包括以下步驟：以噴膠方式設置該保護膠於該發光二極體晶粒以及該承載基板上；以及固化該保護膠，使該保護膠包覆該發光二極體晶粒以及部份該承載基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之光源模組之製造方法，其中，於裁切該承載基板而形成複數光源模組之後，更包括以下步驟：對該光源模組進行光電測試；對該光源模組進行光色調分選；以及包裝該光源模組。
- 一種光源模組，包括：一發光二極體晶粒，用以輸出一光束；一承載基板，電性連接於該發光二極體晶粒且承載該發光二極體晶粒；其中，該承載基板可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該發光二極體晶粒而往外投射；以及一保護膠，覆蓋該發光二極體以及部份該承載基板，用以保護該發光二極體晶粒；其中，該發光二極體晶粒包括：一第二披覆層，電性連接於該承載基板；以及一反射層設置於該第二披覆層之下表面上，其可反射穿過該第二披覆層之該光束，使該光束往外投射。
- 如申請專利範圍第6項所述之光源模組，其中，該發光二極體晶粒包括：一基板；一第一披覆層，設置於該基板之一下表面上且電性連接於該承載基板，用以供一第一電流通過；該第二披覆層，位於該第一披覆層之下方，用以供一第二電流通過；以及一發光層，設置於該第一披覆層以及該第二披覆層之間，用以因應該第一電流以及該第二電流而產生該光束，且該光束穿過該基板而往外投射。
- 如申請專利範圍第7項所述之光源模組，其中，該承載基板包括：一電路板；一第一金屬連結層，設置於該電路板之一上表面上；一第二金屬連結層，設置於該第一金屬連結層上，可與該第一金屬連結層結合且反射該光束；以及一保護層，設置於該第二金屬連結層上，用以保護該電路板、該第一金屬連結層以及該第二金屬連結層；其中，該保護層可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該基板而往外投射。
- 如申請專利範圍第7項所述之光源模組，其中，該第一披覆層具有一第一接墊，設置於該第一披覆層之一下表面上，且電性連接於該第一披覆層；而該第二披覆層具有一第二接墊，設置於該第二披覆層之一下表面上，且電性連接於該第二披覆層。
- 如申請專利範圍第7項所述之光源模組，其中，該承載基板更包括：一第一電極，設置於該第二金屬連結層上；一第二電極，設置於該第二金屬連結層上；一第一金屬連結凸塊，設置於該第一電極上，用以結合該第一電極以及該第一接墊；以及一第二金屬連結凸塊，設置於該第二電極上，用以結合該第二電極以及該第二接墊。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762563954P | 2017-09-27 | 2017-09-27 | |
| US62/563,954 | 2017-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201916408A TW201916408A (zh) | 2019-04-16 |
| TWI666792B true TWI666792B (zh) | 2019-07-21 |
Family
ID=65808003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107126190A TWI666792B (zh) | 2017-09-27 | 2018-07-27 | 光源模組以及光源模組之製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10586888B2 (zh) |
| CN (1) | CN109560072A (zh) |
| TW (1) | TWI666792B (zh) |
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- 2018-07-27 TW TW107126190A patent/TWI666792B/zh active
- 2018-07-31 CN CN201810856309.9A patent/CN109560072A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190097082A1 (en) | 2019-03-28 |
| TW201916408A (zh) | 2019-04-16 |
| CN109560072A (zh) | 2019-04-02 |
| US10586888B2 (en) | 2020-03-10 |
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