TWI672834B - 光源模組以及光源模組之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種光源模組及一種光源模組的製造方法，光源模組包括發光二極體晶粒、承載基板以及封裝層。發光二極體晶粒可輸出光束，承載基板電性連接於發光二極體晶粒且承載該發光二極體晶粒，且承載基板可反射投射至承載基板之光束，使光束穿過發光二極體晶粒而往外投射，而封裝層包括複數高分子聚合物，且該些高分子聚合物設置於發光二極體晶粒以及承載基板上。

Description

光源模組以及光源模組之製造方法
本發明係關於一種光源模組，尤其係有關於高發光效率之光源模組以及其光源模組之製造方法。
常見的光源係利用發光二極體(Light Emitting Diode，LED)來產生光束，其發光原理為，於III-V族半導體材料，例如：氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)等材料上施加電流，利用電子與電洞的互相結合，使多餘的能量於多層量子井(Multiple Quantum Well，MQW)之處以光子的形式釋放出來，成為我們眼中所見的光束。
接下來說明習知發光二極體晶粒的結構。請參閱圖1，其為習知發光二極體晶粒的結構剖面示意圖。圖1中顯示出習知發光二極體晶粒1為多層堆疊的結構，其包括基板11、P極披覆層12、多層量子井13、N極披覆層14、導電薄膜層(ITO)15、P極接點16以及N極接點17，P極接點16以及N極接點17分別設置於導電薄膜層(ITO)15上，並可供進行打線程序(此將於稍後說明)，而多層量子井13設置於該多層堆疊的結構之中。由於前述已提到發光二極體晶粒1係由多層量子井13出光，因此從多層量子井13向上方輸出的光束勢必被位於多層量子井13上方的P 極披覆層12、導電薄膜層15、P極接點16以及N極接點17所遮擋而耗損，進而顯著影響整體向上出光的發光效率。換句話說，傳統發光二極體晶粒1的整體發光亮度大部份只能依賴從多層量子井13向側邊出光的光線部份，導致發光效率不佳。因此，傳統發光二極體晶粒1的發光效率仍有改善的空間。
請參閱圖2，其為應用習知發光二極體晶粒之光源模組的結構剖面示意圖。光源模組2包括有電路板21以及設置於電路板21上的複數個發光二極體22(為了清楚表示，圖2僅繪出單一個發光二極體22)，且每一發光二極體22係電性連接於電路板21，故可接收來自電路板21的電流而輸出光束。其中，光源模組可被設置於電子裝置(未顯示於圖中)內，令電子裝置可提供輸出光束的功能，一般而言，光源模組可分為下列二種：第一，電路板21僅負責有關發光二極體22的電路運作，而電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號處理則透過另一電路板進行。第二、電路板21能夠負責有關發光二極體22的電路運作，亦能夠對有關於電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號進行處理。
其次，光源模組2中的每一發光二極體22皆為單一個習知發光二極體晶粒1被封裝後所形成者，且發光二極體晶粒1的P極接點16以及N極接點17係經由打線18而連接至電路板21的電性接腳211，藉此發光二極體22才能接收來自電路板21的電流。然而，於發光二極體晶粒1的封裝過程中，發光二極體晶粒1通常要被設置於一載板19上，但載板19所占據的體積以及預留打線18所需的高度皆是發光二極體晶粒1被封裝後之整體厚度會增加的主因，故應用傳統發光二極體晶粒1的光源模組十 分不利於薄型化，當然，亦不利於欲設置該光源模組的電子裝置朝輕、薄、短小的方向發展。
隨著科技的發展與生活品質的提升，使用者或製造商對於光源模組所能提供的功能有更多的訴求，舉例來說，使用者或製造商希望光源模組所輸出的光束不僅是用來照明，而有更多應用的可能性。因此，在習知的光源模組2中，於發光二極體22所輸出之光線的路徑上還設置有光學結構23，如光罩，其係對發光二極體22所輸出的光線進行二次光學處理，如混光、導光、繞射、折射等，以令穿過光學結構23的光線具有特定的光學效果。然而，前述已提到，基於傳統發光二極體晶粒`的組成與封裝，光源模組原本就已不利於薄型化，若又為了再增加光學效果而增設光學結構23，將使得光源模組的薄型化更為不易。
除此之外，在現有的相關產業中，光源模組2的製造商通常不同於發光二極體22的製造商，光源模組2的製造商係先依據其所需求的光學規格委託發光二極體22的製造商製造發光二極體22，光源模組2的製造商再於獲得發光二極體22的製造商所提供的發光二極體22(發光二極體晶粒1被封裝後所形成者)後，透過打線等程序將發光二極體22與電路板21相結合。然而，在上述光源模組2的製造商委外製造發光二極體22的過程中，發光二極體22的製造商容易由光源模組2的製造商所提出的光學規格而推知光源模組2的製造商的相關商業行為，如此並非是光源模組的製造商所願意。
根據以上的說明可知，習知的光源模組及其製造方法具有改善的空間。
本發明之第一目的在於提供一種低厚度且高發光效率的光源模組，且光源模組係因其封裝層之複數高分子聚合物的特性、排列形式及/或層疊形式而具有相應的優勢與光學效果。
本發明之第二目的在提供一種上述光源模組的製造方法。
於一較佳實施例中，本發明提供一種光源模組，包括：一發光二極體晶粒，用以輸出一光束；一承載基板，電性連接於該發光二極體晶粒且承載該發光二極體晶粒；其中，該承載基板可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該發光二極體晶粒而往外投射；以及一封裝層，包括複數高分子聚合物，且該些高分子聚合物設置於該發光二極體晶粒以及該承載基板中之至少一者上。
於一較佳實施例中，本發明亦提供一種光源模組之製造方法，包括以下步驟：設置一發光二極體晶粒於一承載基板上；電性連接該發光二極體晶粒以及該承載基板；設置一封裝層於該發光二極體晶粒以及該承載基板中之至少一者上，其中，該封裝層包括複數高分子聚合物；以及裁切該承載基板而形成一光源模組。
1‧‧‧發光二極體晶粒
2‧‧‧光源模組
3‧‧‧光源模組
4‧‧‧光源模組
5‧‧‧光源模組
6‧‧‧光源模組
11‧‧‧基板
12‧‧‧P極披覆層
13‧‧‧多層量子井
14‧‧‧N極披覆層
15‧‧‧導電薄膜層
16‧‧‧P極接點
17‧‧‧N極接點
18‧‧‧打線
19‧‧‧載板
21‧‧‧電路板
22‧‧‧發光二極體
23‧‧‧光學結構
30‧‧‧發光二極體晶粒
31‧‧‧基板
32‧‧‧第一披覆層
33‧‧‧第二披覆層
34‧‧‧發光層
35‧‧‧承載基板
36‧‧‧第一保護層
40‧‧‧發光二極體晶粒
41‧‧‧基板
42‧‧‧第一披覆層
43‧‧‧第二披覆層
44‧‧‧發光層
45‧‧‧承載基板
46‧‧‧第一保護層
47‧‧‧反射層
50‧‧‧發光二極體晶粒
51‧‧‧基板
52‧‧‧第一披覆層
53‧‧‧第二披覆層
54‧‧‧發光層
55‧‧‧承載基板
56‧‧‧第一保護層
57‧‧‧齊納二極體
61‧‧‧承載基板
62‧‧‧發光二極體晶粒
63‧‧‧封裝層
71‧‧‧水分子
72‧‧‧導電材料
73‧‧‧銲接材料
311‧‧‧微結構
321‧‧‧第一接墊
331‧‧‧第二接墊
332‧‧‧透明導電層
351‧‧‧介電層
352‧‧‧導電層
353‧‧‧第二保護層
355‧‧‧第一電極
356‧‧‧第二電極
357‧‧‧第一金屬連結凸塊
358‧‧‧第二金屬連結凸塊
411‧‧‧微結構
421‧‧‧第一接墊
431‧‧‧第二接墊
432‧‧‧透明導電層
451‧‧‧介電層
452‧‧‧導電層
453‧‧‧第二保護層
455‧‧‧第一電極
456‧‧‧第二電極
457‧‧‧第一金屬連結凸塊
458‧‧‧第二金屬連結凸塊
511‧‧‧微結構
521‧‧‧第一接墊
531‧‧‧第二接墊
532‧‧‧透明導電層
631‧‧‧高分子聚合物
3521‧‧‧銅箔
3522‧‧‧第一金屬連結層
3523‧‧‧第二金屬連結層
B‧‧‧光束
T1‧‧‧光源模組之厚度
T2‧‧‧光源模組之厚度
圖1：係為習知發光二極體晶粒的結構剖面示意圖。
圖2：係為應用習知發光二極體晶粒之光源模組的結 構剖面示意圖。
圖3：係為本發明光源模組於第一較佳實施例中之結構示意圖。
圖4：係為本發明光源模組之發光層於第一較佳實施例中之結構上視示意圖。
圖5：係為本發明光源模組於第一較佳實施例中之局部結構下視示意圖。
圖6：係為本發明光源模組於第二較佳實施例中之結構示意圖。
圖7：係為本發明光源模組於第三較佳實施例中之結構示意圖。
圖8：係為本發明光源模組於第四較佳實施例中之結構示意圖。
圖9：係為圖8所示封裝層的微觀概念示意圖。
圖10：係為本發明光源模組之製造方法的一較佳方塊流程圖。
本發明提供一種光源模組，以解決習知技術問題。首先說明光源模組之結構，請參閱圖3，其為本發明光源模組於第一較佳實施例中之結構示意圖。光源模組3包括基板31、第一披覆層32、第二披覆層33、發光層34、承載基板35以及第一保護層36，第一披覆層32設置於基板31之下表面上，其可用以供第一電流通過，而第二披覆層33位於第一披覆層32之下方，其可供第二電流通過。發光層34設置於第一披覆層32以及第二披覆 層33之間，其功能為因應第一電流以及第二電流而產生光束B，且光束B可穿過基板31而往外投射。其中，第一披覆層32、第二披覆層33以及發光層34係為III-V族半導體的數個堆疊結構，以利用電子與電洞的互相結合而產生光束B。於本較佳實施例中，第一披覆層32係為N-GaN披覆層，第二披覆層33係為P-GaN披覆層，而發光層34係為多層量子井，但不以上述為限。
請同時參閱圖3以及圖4，圖4為本發明光源模組之發光層於第一較佳實施例中之結構上視示意圖。發光層34具有複數開孔341，且複數開孔341均勻地分佈於發光層34而貫穿發光層34之上表面以及發光層34之下表面。均勻分佈的複數開孔341可使第一電流以及第二電流之密度均勻，進而使發光層34之光束B可均勻地被輸出。
再者，基板31包括複數微結構311，且複數微結構311分別設置於基板31之上表面以及下表面上，其可避免光束B發生全反射，而幫助光束B往基板31之外的方向投射。於本較佳實施例中，複數微結構311可以各種方式形成於基板31之上表面以及下表面上，例如蝕刻方式。另一方面，光源模組3還包括第一接墊321以及第二接墊331，第一接墊321設置於第一披覆層32之下方且電性連接於第一披覆層32，而第二接墊331設置於第二披覆層33之下方且電性連接於第二披覆層33。於一較佳作法中，第二披覆層33包括透明導電層332，其設置於第二披覆層33之下表面上，以輔助第二披覆層33導電。
其中，本發明定義基板31、第一披覆層32、第二披覆層33、發光層34以及第一保護層36為發光二極體晶粒30，且 發光二極體晶粒30與承載基板35結合而形成光源模組3。
又，承載基板35分別電性連接於第一披覆層32以及第二披覆層33，且承載基板35包括介電層351、導電層352以及第二保護層353，且導電層352位於介電層351與第二保護層353之間，介電層351係為用來作為絕緣的基材，導電層352則用以與發光二極體晶粒30電性相連，而第二保護層353可保護介電層351與導電層352，另一方面，第二保護層353亦可反射投射至承載基板35之光束B，使光束B穿過基板31而往外投射。
於本較佳實施例中，承載基板35還包括第一電極355、第二電極356、第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358，且導電層352包括銅箔3521、第一金屬連結層3522以及第二金屬連結層3523，而第二金屬連結層3523設置於第一金屬連結層3522上，並可與第一金屬連結層3522結合且反射光束B。其中，第一電極355以及第二電極356皆設置於第二金屬連結層3523上，而第一金屬連結凸塊357設置於第一電極355上，其可結合第一電極355以及第一披覆層32之第一接墊321，同理，第二金屬連結凸塊358設置於第二電極356上，其可結合第二電極356以及第二披覆層33之第二接墊331，因此承載基板35可分別藉由第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358而電性連接於第一披覆層32以及第二披覆層33。
惟，上述導電層352的結構組成僅為一種實施方式，熟知本技藝人士皆可依據實際應用需求而進行任何均等的變更設計。舉例來說，導電層352可被變更設計為僅包括銅箔3521而不包括第一金屬連結層3522與第二金屬連結層3523，且第一電極 355以及第二電極356皆設置於銅箔3521上；再舉例來說，導電層352可被變更設計為僅包括第二金屬連結層3523而不包括銅箔3521與第一金屬連結層3522；又舉例來說，導電層352可被變更設計為僅包括銅箔3521與第二金屬連結層3523而不包括第一金屬連結層3522。
再者，由圖3可看出，基板31與第一接墊321、第二接墊331分別顯露於第一披覆層32、第二披覆層33以及發光層34之外，且第一接墊321以及第二接墊331可以直接接合(例如焊接或其它接合技術)固定於承載基板35或習知載板19上，亦即，本發明光源模組3不需要再透過打線的方式進行電性連接，藉此有利於降低整體厚度而有助於薄型化的設計。另外，第一保護層36包覆第一披覆層32、第一接墊321、第二披覆層33、第二接墊331以及發光層34，以保護上述元件。
其中，上述第一接墊321透過第一金屬連結凸塊357電性連接於第一電極355的作法以及第二接墊331透過第二金屬連結凸塊358電性連接於第二電極356的作法除了可免除打線的程序，發光二極體晶粒30所產生的熱能更可經由第一接墊321以及第二接墊331而直接傳導至下方的承載基板35，且該熱能可再透過承載基板35向外散逸。其中，由於承載基板35具有較大的面積，故有助於迅速散熱，進而可大幅降低熱能對光源模組3之發光效率的影響。
於本較佳實施例中，承載基板35可採用軟性電路板(FPC)、印刷電路板(PCB)或鍍銅的樹脂板(PET)，但不以上述為限；其中，軟性電路板可為聚亞醯胺基板(PI base)佈銅線(copper trace)後經表面處理所形成，印刷電路板可為環氧樹脂玻璃纖維基板(FR4 base)佈銅線後經表面處理所形成，而鍍銅的樹脂板可為聚對苯二甲酸乙二酯基板(PET base)佈銅線後經表面處理所形成。
又，於本較佳實施例中，第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358皆為焊接材料，且焊接材料可採用錫膏、銀膠、金球、錫球或錫膠等，而焊接製程方法包括但不限於：超音波熱銲(Thermosonic)、共晶(Eutectic)或回焊(Reflow)等。此外，第一金屬連結層3522係以銅或性質接近銅之導電金屬所製成，而第二金屬連結層3523則以金、鎳、性質接近金之導電金屬或性質接近鎳之導電金屬所製成。其中，由於金、鎳的特性，使得第二金屬連結層3523可提供較高的反射率以及較高的結合能力。
需特別說明的有四，第一，由於介電層351之上表面設置有銅箔3521而導致不平整的表面，故進而設置第一金屬連結層3522可使表面平整化。第二，第一金屬連結凸塊357以及第二金屬連結凸塊358僅需以導電金屬製成即可，並非限定第一金屬連結凸塊357必須以銅製成，亦非限定第二金屬連結凸塊358必須以金、鎳製成。
第三，於本較佳實施例中，基板31係為透明或半透明的藍寶石基板，因此，發光層34所產生的光束B可直接向上方且不被遮擋地穿經基板31，藉此可降低光反射的次數而降低光耗損率，以提升發光功率。並且，藉此設置，更可增加光源模組3的整體出光面積。另外，由於基板31設置有凹凸的複數微結構311，本發明光源模組3所產生之光束B不易於內部發生全反射，而可直接穿經基板31向外射出，基此，本發明光源模組3可提高 出光效率。經實驗可得知，本發明光源模組3之出光效率可優於習知光源模組約1.6倍至3倍。
第四，承載基板35之第二保護層353係以絕緣材料所製成，且覆蓋於第二金屬連結層3523、第一電極355以及第二電極356上，藉此可避免第一接墊321與第一金屬連結凸塊357以及第二接墊331與第二金屬連結凸塊358發生漏電流之情形。同時，第二保護層353更具有反射功能，以將往下方投射的光束B反射，而可有效提升光束利用率。當然，本發明並非限制必須將絕緣材料與反射材料整合於一體而形成第二保護層353，該兩者亦可根據需求而分別設置。
接下來請同時參閱圖3以及圖5，圖5為本發明光源模組於第一較佳實施例中之局部結構下視示意圖。圖3顯示出第一接墊321之下表面與第二接墊331之下表面係位於同一高度，以便與承載基板35結合。另一方面，圖5顯示出本發明光源模組3之發光二極體晶粒30之部份結構，由圖5可看出第一接墊321與第二接墊331之接觸面積占第一保護層36之下表面中相當大的比重，故有助於將熱能由發光二極體晶粒30傳導至承載基板35，以避免光源模組3過熱而影響其發光效率。
再者，本發明還提供與上述不同作法的第二較佳實施例。請參閱圖6，其為本發明光源模組於第二較佳實施例中之結構示意圖。光源模組4包括基板41、第一披覆層42、第二披覆層43、發光層44、承載基板45、第一保護層46以及反射層47，且基板41包括複數微結構411，第一披覆層42的下方設有第一接墊421，而第二披覆層43的下方設有第二接墊431以及透明導電層 432。承載基板45包括介電層451、導電層452、第二保護層453、第一電極455、第二電極456、第一金屬連結凸塊457以及第二金屬連結凸塊458。其中，本發明定義基板41、第一披覆層42、第二披覆層43、發光層44以及第一保護層46為發光二極體晶粒40，且發光二極體晶粒40與承載基板45結合而形成光源模組4。本較佳實施例之光源模組4的各元件之結構以及功能大致上與前述較佳實施例相同，且相同之處不再贅述，而該兩者之間的不同之處在於，光源模組4更包括有反射層47。
其中，反射層47設置於第二披覆層43的下方，其可反射穿過第二披覆層43的光束B，使光束B穿過基板41而往外投射，以進一步提升光束使用率。其中，若第二披覆層43的下方設有透明導電層432，則反射層47設置於透明導電層432之下表面上。此屬於在發光層44以及承載基板45之間加入反射材料(例如：Distributed Bragg Reflector，DBR)的一種作法，目的係為了得到比習知光源模組更高的出光率。
此外，本發明還提供與上述不同作法的第三較佳實施例。請參閱圖7，其為本發明光源模組於第三較佳實施例中之結構示意圖。光源模組5包括基板51、第一披覆層52、第二披覆層53、發光層54、承載基板55、第一保護層56以及齊納二極體57，且基板51包括複數微結構511，第一披覆層52的下方設有第一接墊521，而第二披覆層53的下方設有第二接墊531以及透明導電層532。其中，本發明定義基板51、第一披覆層52、第二披覆層53、發光層54以及第一保護層56為發光二極體晶粒50，且發光二極體晶粒50與承載基板55結合而形成光源模組5。本較佳實施 例之光源模組5的各元件之結構以及功能大致上與前述各較佳實施例相同，且相同之處不再贅述，而不同之處在於，光源模組5更包括有複數齊納二極體57，且齊納二極體57設置於承載基板55上，並與發光層54反向並聯，以形成靜電釋放(ESD)保護電路，而可保護光源模組5。
請參閱圖8，其為本發明光源模組於第四較佳實施例中之結構示意圖。光源模組6包括承載基板61、複數發光二極體晶粒62以及封裝層63，該些發光二極體晶粒62分別電性連接於承載基板61，且每一發光二極體晶粒62可採用前述各較佳實施例中之發光二極體晶粒30、40、50中的任一者，而承載基板61亦可採用前述各較佳實施例中之承載基板35、45、55中之任一者，故發光二極體晶粒62的組成結構以及承載基板61的組成結構在此即不再予以贅述。
又，依據實際應用需求，光源模組6可被獨立運用或被設置於電子裝置(圖未示)中以令電子裝置具有輸出光線的功能，光源模組6被設置於電子裝置的情況可分為下列二種：第一，承載基板61僅負責有關發光二極體晶粒62的電路運作，例如提供驅動電流，而電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號處理則透過電子裝置的其它電路板進行；第二、承載基板61能夠負責有關發光二極體晶粒62的電路運作，亦能夠對有關於電子裝置所主要提供之電子功能的相關電子訊號進行處理。惟，光源模組6的應用範疇與其承載基板61的功能並不以上述為限。
再者，封裝層63包括複數高分子聚合物631，且該些高分子聚合物用以於該些發光二極體晶粒62與承載基板61相 結合後設置於該些發光二極體晶粒62與承載基板61中的至少一者上。較佳者，但不以此為限，封裝層63係為用以塗佈在(coating)該些發光二極體晶粒62及/或承載基板61上並由複數的高分子聚合物631所組成的奈米塗層，而由於奈米塗層的厚度僅約為100~300奈米，因此本發明具有超薄封裝的效果。
請參閱圖9，其為圖8所示封裝層的微觀概念示意圖。於本較佳實施例中，該些高分子聚合物631中任二相鄰之高分子聚合物631彼此之間的間隙是無法供水分子71通過，因此封裝層63具有防水性與疏水性。可選擇地，於本較佳實施例中，該些高分子聚合物631中任二相鄰之高分子聚合物631彼此之間的間隙可供導電材料72與銲接材料73通過，因此封裝層63還具有可導電性與可銲性。又，於本較佳實施例中，該些高分子聚合物631為透明的高分子聚合物，因此封裝層63除了具有透光性，還具有不容易被察覺的隱蔽性，亦即在視覺效果上不亦影響光源模組6的外觀。此外，封裝層63還可依據實際應用需求而採用由特定高分子聚合物631所形成的封裝層63，使封裝層63因應其高分子聚合物631的特性而具有疏油性、防酸霧、防鹽霧及/或防腐的優勢。
特別說明的是，封裝層63會因應該些高分子聚合物631之排列形式的改變或層疊形式的改變而具有不同的特性，因此本案還可依據光源模組6的實際應用需求而於製程上控制該些高分子聚合物631的排列形式及/或層疊形式，進而令光源模組6具有不同的光學效果。舉例來說，可藉由改變該些高分子聚合物631的排列形式或層疊形式可使封裝層63具有混光的特性，藉此可對 該些發光二極體晶粒62所輸出的多個光束進行混光。又舉例來說，可藉由改變該些高分子聚合物631的排列形式或層疊形式供該些發光二極體晶粒62所輸出的多個光束通過而形成特定的光形或朝特定方向行進。
請同步參閱圖2與圖9，於習知技術中，若要於電路板21上設置光源，其作法為將已製造完成的發光二極體22(發光二極體晶粒1被封裝後所形成者)放在電路板21上並經過打線18等程序，才能結合發光二極體22以及電路板21以形成光源模組2，其中，為了使光源模組2具有特定的光學效果，在發光二極體22所輸出之光線的路徑上還設置有光學結構23，如光罩，總體來說，光源模組2的整體厚度T1難以有效縮小。然而，由於本發明改變發光二極體晶粒62的組成，使得發光二極體晶粒62可於不需透過打線程序的情況下被直接焊接在承載基板61上，並且光源模組6的封裝層63具有同時兼顧封裝保護與光學處理的作用，因此光源模組6的整體厚度T2能夠遠小於光源模組2的整體厚度T1。
接下來說明本發明光源模組之製造方法。請同時參閱圖9以及圖10，圖10為本發明光源模組之製造方法的一較佳方塊流程圖。光源模組之製造方法包括以下步驟：步驟S1：清洗承載基板61，以避免有灰塵等雜質位於光源模組6內部；步驟S2：設置發光二極體晶粒62於承載基板61上；步驟S3：進行發光二極體晶粒62以及承載基板61之間的電性連接； 步驟S4：對發光二極體晶粒62以及承載基板61進行光電測試，以確保發光二極體晶粒62以及承載基板61之功能正常而可運作；步驟S5：設置封裝層63於發光二極體晶粒62以及承載基板61中的至少一者上；步驟S6：將承載基板61裁切成需求的形狀而形成光源模組6；以及步驟S7：對光源模組6進行光電測試，以確保製造完成的光源模組6可正常運作。
從以上的說明可知，由於本發明光源模組之結構以及製程簡易，故光源模組的製造商可自行完成組裝與封裝作業，不需在另外委託發光二極體的製造商提供傳統的發光二極體(發光二極體晶粒被封裝後所形成者)，發光二極體的製造商也就無從推知與光源模組的製造商相關的商業行為與相關的封裝技術，如封裝後所帶來的光學效果，實具有高度商業保密的效果。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利範圍，因此凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含於本案之申請專利範圍內。

Claims (12)

  1. 一種光源模組，包括：一發光二極體晶粒，用以輸出一光束；一承載基板，電性連接於該發光二極體晶粒且承載該發光二極體晶粒；其中，該承載基板可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該發光二極體晶粒而往外投射；以及一封裝層，包括複數高分子聚合物，且該些高分子聚合物設置於該發光二極體晶粒以及該承載基板中之至少一者上；其中該承載基板包括一介電層、一導電層以及一保護層，且該導電層設置於該介電層以及該保護層之間，而該保護層用以保護該介電層以及該導電層；其中，該保護層可反射投射至該承載基板之該光束，使該光束穿過該基板而往外投射。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該發光二極體晶粒包括：一基板；一第一披覆層，設置於該基板之一下表面上且電性連接於該承載基板，用以供一第一電流通過；一第二披覆層，位於該第一披覆層之下方且電性連接於該承載基板，用以供一第二電流通過；以及一發光層，設置於該第一披覆層以及該第二披覆層之間，用以因應該第一電流以及該第二電流而產生該光束，且該光束穿過該基板而往外投射。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該導電層包括： 一第一金屬連結層，設置於該介電層上；一第二金屬連結層，設置於該第一金屬連結層上，並可與該第一金屬連結層結合且反射該光束。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，還包括一第一接墊以及一第二接墊，該第一接墊設置於該第一披覆層之下方，且電性連接於該第一披覆層，而該第二接墊設置於該第二披覆層之下方，且電性連接於該第二披覆層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光源模組，其中該承載基板更包括：一第一電極，設置於該導電層上；一第二電極，設置於該導電層上；一第一金屬連結凸塊，設置於該第一電極上，用以結合該第一電極以及該第一接墊；以及一第二金屬連結凸塊，設置於該第二電極上，用以結合該第二電極以及該第二接墊。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之光源模組，更包括一反射層，設置於該第二披覆層的下方，用以反射穿過該第二披覆層之該光束，使該光束穿過該基板而往外投射。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該封裝層係為一奈米塗層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些高分子聚合物中之二相鄰者彼此之間的間隙無法供一水分子通過。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些高分子聚合 物中之二相鄰者彼此之間的間隙係供一導電材料通過。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些高分子聚合物中之二相鄰者彼此之間的間隙係供一銲接材料通過。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些高分子聚合物中之任一者係呈透明。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，係因應該些高分子聚合物之一排列形式之改變或一層疊形式之改變而具有不同之光學效果。
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