JP2016500925A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスの第１のエリアをレーザーによってアブレートする工程を含む方法であって、前記ＬＥＤデバイスは、支持体上のナノワイヤのアレイを含み、前記レーザーアブレーションは、前記ＬＥＤデバイスの第１の電極を形成するために、前記ナノワイヤの第１の導電型の半導体ナノワイヤコアに電気的に接続された前記支持体の導電層を露出することを特徴とする方法。
2. 前記ナノワイヤは、前記支持体の平面から少なくとも２０°の角度で整列されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記レーザーアブレーションは、１μｍ×１μｍのエリアで少なくとも２００ｎｍ未満のピークバレー値の前記第１の電極の平坦度を提供するために実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記ＬＥＤ構造の第２の電極を形成する工程を更に含み、前記第２の電極は、前記ナノワイヤの第２の導電型の半導体ナノワイヤシェルに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記第１の導電型の半導体ナノワイヤコアは、動作中に光を発生する活性領域を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、前記第２の導電型半導体シェルによって取り囲まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記第２の電極が、
   前記下部バッファ層を露出するための第２のエリアのレーザーアブレーションによって個々のＬＥＤを除去し、
   前記ＬＥＤデバイスの前記第２のエリアは絶縁材料によってほぼ完全に被覆され、前記ナノワイヤの間のエリアは前記絶縁材料によって被覆されず、それによって、前記ナノワイヤの前記シェルは露出されるように、傾斜した成膜によって前記ＬＥＤデバイス上に前記絶縁材料を成膜し、
   前記ナノワイヤシェルと接触する第２の電極を形成するために、前記露出されたナノワイヤシェルに導電性材料が接触するように、前記ＬＥＤデバイスを覆う前記導電性材料を成膜し、
   前記導電層を再び露出させ且つ前記第１の電極を再形成するために、前記第１のエリアで導電性材料及び絶縁材料を除去することによって、
   形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
7. 前記支持体が、透明であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記レーザーアブレーションは、パルスレーザーを使用して実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 基板層と、バッファ層と、誘電体マスク層とを含む支持体上に配列された複数のナノワイヤを含むＬＥＤ構造であって、
   前記構造は、
   （ｉ）第１の電極領域であって、前記基板層及び前記バッファ層を含み、前記バッファ層は第１の電極層として機能し、前記ナノワイヤによって被覆されていない第１の電極領域と、
   （ｉｉ）第２の電極領域であって、
   （ａ）前記基板、前記基板上の絶縁層及び前記絶縁層上の第２の電極層を含み、前記ナノワイヤによって被覆されていない中央エリアと、
   （ｂ）前記基板、前記バッファ層、前記マスク層、及び、前記バッファ層と電気的に接触する第１の導電型の半導体ナノワイヤコアと、取り囲む第２の導電型の半導体シェルとを備える複数のナノワイヤを含む周辺エリアであって、前記コア及び前記シェルは、動作中に光を発生する活性領域を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するように構成され、且つ前記シェルは、前記マスク層によって前記バッファ層から絶縁され、前記ナノワイヤのうち少なくとも一部の前記ナノワイヤ上の絶縁層を更に含み、前記絶縁層は、前記中央エリアの前記絶縁層と連続し、且つ前記第２の電極層は、前記中央エリアの前記電極層と連続し且つ前記ナノワイヤシェルと接触する周辺エリアと、
   を含む第２の電極領域と、
   を含むことを特徴とするＬＥＤ構造。
10. 前記中央エリアの前記第２の電極層と電気的に接触する導電性コンタクトパッドを更に含むことを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ構造。
11. 前記第１の電極領域の前記バッファ層と電気的に接触する導電性コンタクトパッドを更に備えることを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ構造。
12. 前記第１の導電型がｎ型を含み、前記第２の導電型がｐ型を含み、前記第２の電極層がｐ電極層を含むことを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ構造。
13. 前記支持層が、反射性であることを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ構造。
14. 前記支持層が、透明であることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）構造。
15. 前記第１の電極層が平坦であり、及び／又は、前記第２の電極層の少なくとも一部が平坦であることを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ構造。