JP2012054570A5

JP2012054570A5 -

Info

Publication number: JP2012054570A5
Application number: JP2011218965A
Authority: JP
Filing date: 2011-10-03
Publication date: 2013-03-21

Claims

半導体材料の活性領域と、
前記活性領域上の金属コンタクトであって、前記活性領域に近い第１の面と前記活性領域から遠い第２の面とを有し、前記活性領域により放出された光子が前記第１の面から前記第２の面へそれを通って透過するように構成された金属コンタクトと、
前記金属コンタクトの前記第２の面の上にあって、前記第１の面から遠い、光子吸収構造であって、前記金属コンタクトよりも小さい面積を有する光子吸収構造と、
前記活性領域と前記金属コンタクトとの間であって、前記光子吸収構造の下にあるショットキーコンタクトであって、前記金属コンタクトよりも小さい面積を有するショットキーコンタクトと
を備えることを特徴とする発光デバイス。
前記活性領域と前記金属コンタクトとの間にｐ型半導体層をさらに備え、
前記ショットキーコンタクトは、前記活性領域から遠い、前記ｐ型半導体層の直接上にあり、
前記金属コンタクトの前記第１の面は、前記ショットキーコンタクトの外側の、前記ｐ型半導体層の直接上にあることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記金属コンタクトは、前記ショットキーコンタクトと前記光子吸収構造の間に拡がることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記ショットキーコンタクトは、前記光子吸収構造と略同一形状であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記ショットキーコンタクトの縁は、前記光子吸収構造の縁とそろっていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記ショットキーコンタクトは、前記光子吸収構造と略同一面積であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記金属コンタクトは、前記活性領域により放出された光子が前記第１の面から前記第２の面へそれを通って透過するほど十分に薄い、元素金属のコンタクトであることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記活性領域の上に、前記金属コンタクトから遠い、コンタクトをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
前記活性領域と前記コンタクトとの間にｎ型半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の発光デバイス。
前記ｎ型半導体層と前記コンタクトとの間に基板をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の発光デバイス。
前記金属コンタクトの第１の面は、前記ショットキーコンタクトの外側に、前記ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを作ることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャと、
前記ｐ型半導体層中にあって前記ｎ型半導体層上の前記不透明なフィーチャと位置合わせされた導電率低減領域であって、前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面から前記活性領域の方に延びる導電率低減領域と
を備えることを特徴とする発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域まで延びることを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域中に延びることを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層の前記表面から前記活性領域を通って延びることを特徴とする請求項１４に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記ｐ型半導体層、前記活性領域を通って、前記ｎ型半導体層中に延びることを特徴とする請求項１５に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記ｎ型半導体層を完全に通って延びることを特徴とする請求項１６に記載の発光デバイス。
前記不透明なフィーチャは、ボンドパッド、パッシベーション領域、及び／又は電流拡散フィンガを含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記不透明なフィーチャは、前記導電率低減領域に接するワイヤボンドパッドを含み、
前記発光デバイスは、前記ワイヤボンドパッドに隣接し、それと電気的に接触する前記ｎ型半導体層上のオーム接触をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、絶縁領域を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、不透明でない領域を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、打込み領域を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記導電率低減領域は、前記金属スタックと前記ｐ型半導体層との間の高固有接触抵抗率の領域に対応することを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記高固有接触抵抗率の領域は、前記ｐ型半導体層のウェットエッチング又はドライエッチングされた領域を含むことを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
前記高固有接触抵抗率の領域は、高エネルギープラズマにさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
前記高固有接触抵抗率の領域は、Ｈ _２にさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
前記高固有接触抵抗率の領域は、高エネルギーレーザにさらされた前記ｐ型半導体層の領域を含むことを特徴とする請求項２３に記載の発光デバイス。
第１及び第２の対向表面を含む基板をさらに備え、前記ｎ型半導体は前記基板の前記第１の表面上にあり、前記不透明なフィーチャは前記ｎ型半導体層の反対側の前記基板の前記第２の表面上にあることを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。
前記活性領域は、ＩＩＩ族窒化物ベースの活性領域を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光デバイス。