JP2012023375A5 - 発光デバイス - Google Patents

発光デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2012023375A5
JP2012023375A5 JP2011154184A JP2011154184A JP2012023375A5 JP 2012023375 A5 JP2012023375 A5 JP 2012023375A5 JP 2011154184 A JP2011154184 A JP 2011154184A JP 2011154184 A JP2011154184 A JP 2011154184A JP 2012023375 A5 JP2012023375 A5 JP 2012023375A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light emitting
semiconductor layer
conductive semiconductor
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011154184A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5845013B2 (ja
JP2012023375A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020100066927A external-priority patent/KR101784417B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2012023375A publication Critical patent/JP2012023375A/ja
Publication of JP2012023375A5 publication Critical patent/JP2012023375A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5845013B2 publication Critical patent/JP5845013B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、半導体デバイスに関し、特に発光デバイスに関する。
上記課題を解決するためになされた本発明による発光デバイスは、基板と、前記基板上に配置され、第１伝導型半導体層、活性層、及び第２伝導型半導体層が積層された構造である発光構造物と、前記発光構造物上に配置されたレンズと、前記第１伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第１端子部と、前記第２伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第２端子部とを有し、前記第２端子部は、前記第１端子部、前記第１伝導型半導体層、及び前記活性層を貫通して前記第２伝導型半導体層と接続される導電性ビアを有し、前記レンズは、前記発光構造物の側面は覆わないように配置されることを特徴とする。
前記発光構造物と前記基板との間に配置されるボンディング層をさらに有することが好ましい。
前記ボンディング層は、電気絶縁性を有することが好ましい。
前記ボンディング層は、電気導電性を有することが好ましい。
前記基板は、電気絶縁性基板であることが好ましい。
前記基板は、電気導電性基板であることが好ましい。
前記レンズと前記発光構造物との間に配置される透光性ポリマー層をさらに有することが好ましい。
前記レンズと前記発光構造物との間に配置され、前記発光構造物から放射された光の波長を変換する光変換層をさらに有することが好ましい。
前記レンズは、表面に形成されたマイクロレンズアレイを含むことが好ましい。
また、上記課題を解決するためになされた本発明による発光デバイスは、基板と、前記基板上に配置され、第１伝導型半導体層、活性層、及び第２伝導型半導体層が積層された構造である発光構造物と、前記第１伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第１端子部と、前記第２伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第２端子部とを有し、前記第２端子部は、前記第１端子部、前記第１伝導型半導体層、及び前記活性層を貫通して前記第２伝導型半導体層と接続される導電性ビアを有し、前記第１端子部で前記基板を貫通する領域は、前記基板と同じ物質からなり、前記基板と一体に形成されることを特徴とする。

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置され、第１伝導型半導体層、活性層、及び第２伝導型半導体層が積層された構造である発光構造物と、
    前記発光構造物上に配置されたレンズと、
    前記第１伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第１端子部と、
    前記第２伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第２端子部とを有し、
    前記第２端子部は、前記第１端子部、前記第１伝導型半導体層、及び前記活性層を貫通して前記第２伝導型半導体層と接続される導電性ビアを有し、
    前記レンズは、前記発光構造物の側面は覆わないように配置されることを特徴とする発光デバイス。
  2. 前記発光構造物と前記基板との間に配置されるボンディング層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 前記ボンディング層は、電気絶縁性を有することを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
  4. 前記ボンディング層は、電気導電性を有することを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
  5. 前記基板は、電気絶縁性基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  6. 前記基板は、電気導電性基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  7. 前記レンズと前記発光構造物との間に配置される透光性ポリマー層をさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  8. 前記レンズと前記発光構造物との間に配置され、前記発光構造物から放射された光の波長を変換する光変換層をさらに有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  9. 前記レンズは、表面に形成されたマイクロレンズアレイを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  10. 基板と、
    前記基板上に配置され、第１伝導型半導体層、活性層、及び第２伝導型半導体層が積層された構造である発光構造物と、
    前記第１伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第１端子部と、
    前記第２伝導型半導体層と電気的に接続され、前記基板を貫通して外部に露出する第２端子部とを有し、
    前記第２端子部は、前記第１端子部、前記第１伝導型半導体層、及び前記活性層を貫通して前記第２伝導型半導体層と接続される導電性ビアを有し、
    前記第１端子部で前記基板を貫通する領域は、前記基板と同じ物質からなり、前記基板と一体に形成されることを特徴とする発光デバイス。
JP2011154184A 2010-07-12 2011-07-12 発光デバイス Active JP5845013B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100066927A KR101784417B1 (ko) 2010-07-12 2010-07-12 발광 디바이스 및 그 제조방법
KR10-2010-0066927 2010-07-12

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012023375A JP2012023375A (ja) 2012-02-02
JP2012023375A5 true JP2012023375A5 (ja) 2014-08-21
JP5845013B2 JP5845013B2 (ja) 2016-01-20

Family

ID=45612059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011154184A Active JP5845013B2 (ja) 2010-07-12 2011-07-12 発光デバイス

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5845013B2 (ja)
KR (1) KR101784417B1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5943828B2 (ja) * 2012-03-28 2016-07-05 有限会社 ナプラ 発光デバイス、照明装置、ディスプレイ及び信号灯
WO2013187723A1 (ko) * 2012-06-14 2013-12-19 An Sang Jeong 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
EP2755245A3 (en) 2013-01-14 2016-05-04 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP6940791B2 (ja) * 2016-04-27 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の検査方法
DE102017122325A1 (de) 2017-09-26 2019-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI347022B (en) * 2004-02-20 2011-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
JP2006350120A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Victor Co Of Japan Ltd マイクロレンズアレイシート
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011129920A5 (ja)
JP2014053606A5 (ja)
JP2015076612A5 (ja)
JP2011171739A5 (ja)
JP2013135234A5 (ja)
JP2013536592A5 (ja)
JP2014515560A5 (ja)
JP3175270U7 (ja)
JP2011049600A5 (ja)
EP2355177A3 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same
JP2008544540A5 (ja)
EP2343744A3 (en) Light emitting diode with patterned electrodes
JP2011249807A5 (ja)
WO2010047553A3 (ko) 반도체 발광 소자
JP2016127289A5 (ja)
JP2012195288A5 (ja) 発光装置
JP2011061244A5 (ja)
JP2012238610A5 (ja)
JP2012054570A5 (ja)
JP2016500925A5 (ja)
JP2013016816A5 (ja)
WO2011126248A3 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2006245032A5 (ja)
TW200733432A (en) Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same
JP3175334U7 (ja)