JP2012023375A - 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、半導体デバイスアレイ、照明装置及びバックライト - Google Patents
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Abstract
【課題】同じ側に端子を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第１端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第２端子部を、積層方向に切断する第２切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。
【選択図】図１
【解決手段】成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第１端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第２端子部を、積層方向に切断する第２切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、半導体デバイスアレイ、照明装置及びバックライトに関する。
発光ダイオードのような半導体デバイスは、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層及び活性層を有し、活性層における電子と正孔との再結合により発光する。発光ダイオードは、外部回路から電子及び正孔を活性層に供給する複数の電極を有する（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
特許文献１ 特開２００９−８８５２１号公報
特許文献２ 米国特許出願公開第２００９／０１２１２４１号明細書
特許文献１ 特開２００９−８８５２１号公報
特許文献２ 米国特許出願公開第２００９／０１２１２４１号明細書
半導体デバイスをプリント基板等に実装するには、複数の電極が半導体発光素子の同一面上に設けられていることが好ましい。そこで、例えば発光ダイオードを製造する場合には、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層から活性層及びｐ型半導体層の一部を除去した上で、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のそれぞれに、長さの異なる電極を形成することにより半導体デバイスを製造する方法が考えられる。
しかし、上記の方法においては、電極を形成する前に半導体層の一部を除去するとともに、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のそれぞれで長さが異なる電極を形成しなければならなかった。複数の電極を半導体発光素子の同一面上に設けるには、半導体層の一部を除去する工程、電極を形成する工程のいずれの工程においても高い精度が要求される。特に、複数の半導体デバイスを製造する場合に、それぞれの半導体デバイスにおける複数の電極を半導体発光素子の同一面上に形成することは困難であった。
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第１端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第２端子部を、積層方向に切断する第２切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。
半導体構造物を形成する段階においては、支持基板上に、第２の伝導型の不純物がドープされた第２伝導型半導体層を成長させ、第２伝導型半導体層上に、電子と正孔との再結合により光を発する活性層を成長させ、活性層上に、第２伝導型半導体層と反対の伝導型である第１伝導型の不純物がドープされた第１伝導型半導体層を成長させて発光構造物を形成し、第１端子部を形成する段階においては、第１端子部を第１伝導型半導体層と電気的に結合させ、第２端子部を形成する段階においては、第２端子部を第２伝導型半導体層と電気的に結合させてよい。
一例として、第２端子部を形成する段階は、支持基板を貫通し、第２伝導型半導体層に達する貫通部を形成する段階と、貫通部に導電性材料を充填することにより第２端子部を形成する段階とを有する。第２伝導型半導体層の上方に、複数のレンズを有するウェハーレベルレンズを形成する段階をさらに備えてもよい。ウェハーレベルレンズを形成する段階は、ウェハーレベルレンズが有するそれぞれのレンズの境界が貫通部に重なるように形成する段階を有してもよい。
第１切断段階において、複数のレンズの第１の境界線において、ウェハーレベルレンズ、発光構造物、支持基板及び第１端子部を切断し、第２切断段階において、複数のレンズの第２の境界線において、ウェハーレベルレンズ、発光構造物、支持基板及び第２端子部を切断してもよい。当該製造方法は、ウェハーレベルレンズが有するそれぞれのレンズの間において、発光構造物および支持基板をダイシングする段階をさらに備えてもよい。
上記ダイシングする段階においては、導電性材料が充填された貫通部を、支持基板及び発光構造物の積層方向に切断してもよい。当該製造方法は、発光構造物上に透光性ポリシリコンを形成する段階をさらに備えてもよい。当該製造方法は、透光性ポリシリコン上に、発光構造物で放出された光の波長を変換する光変換層を形成する段階をさらに備えてもよい。第２端子部を形成する段階の前に、貫通部の内壁に絶縁体を形成する段階をさらに備えてもよい。
本発明の第２の態様においては、支持基板と、支持基板上に形成された半導体構造物と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に形成され、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合される第１端子部と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部とを備える半導体デバイスを提供する。
当該半導体構造物は、支持基板上に形成された第１伝導型の不純物がドープされた第１伝導型半導体層と、第１伝導型半導体層上に形成された電子と正孔との再結合により光を発する活性層と、活性層上に形成された第１伝導型と反対の伝導型である第２伝導型の不純物がドープされた第２伝導型半導体層とを有する発光構造物であり、第１端子部は、第１伝導型半導体層と電気的に結合し、第２端子部は、第２伝導型半導体層と電気的に結合されていてよい。
一例として、支持基板は絶縁性基板であり、第１端子部は、支持基板を貫通する貫通部を介して第１伝導型半導体層に接続されている。支持基板は導電性基板であり、第１絶縁体は、第２端子部と支持基板との間を電気的に絶縁し、半導体デバイスは、第１端子部と支持基板との間を電気的に絶縁する第２絶縁体をさらに備えてもよい。
第１端子部は、支持基板の側面に沿って、第１伝導型半導体層から支持基板の第１伝導型半導体層に接する面と反対の裏面まで延伸されており、第２端子部は、支持基板の側面に沿って、第２伝導型半導体層から、支持基板の裏面まで延伸されていてもよい。第１伝導型半導体層にはｎ型不純物がドープされており、第２伝導型半導体層にはｐ型不純物がドープされており、第１端子部の面積は、第２端子部の面積よりも大きくてもよい。
当該半導体デバイスは、第２伝導型半導体層上に設けられたレンズをさらに備えてもよい。第２伝導型半導体層及びレンズの積層方向に垂直な水平方向におけるレンズの長さは、水平方向における第２伝導型半導体層の長さ以下であってよい。半導体デバイスは、レンズと第２伝導型半導体層の間に設けられた透光性ポリシリコンと、レンズと透光性ポリシリコンとの間に設けられ、第２伝導型半導体層を介して放出する光の波長を変換する光変換層とをさらに備えてもよい。
本発明の第３の態様においては、上記半導体デバイスを複数備え、それぞれの半導体デバイスにおける第１端子部が隣接する半導体デバイスの第１端子部に接続され、又は、それぞれの半導体デバイスにおける第１端子部が隣接する半導体デバイスの第１端子部に接続されている半導体デバイスアレイを提供する。
本発明の第４の態様においては、複数の上記半導体デバイスと、複数の半導体デバイスが実装された回路基板と、回路基板を介して半導体デバイスに電力を供給する配線部とを備える照明装置を提供する。
本発明の第５の態様においては、複数の上記半導体デバイスと、複数の半導体デバイスが照射する光が内部に入射され、当該光を光射出面から出射する導光板とを備えるバックライトを提供する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態の一例を詳細に説明する。本発明の実施形態は、さまざまな他の形態に変形することができるものであり、本発明の技術的範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、本発明に係る技術分野の平均的な知識を持った者が本発明を理解し得るべく説明するために提供される。したがって、図面における構成要素の形状及び大きさなどは、説明を明確にすることを目的として誇張される場合がある。また、図面における同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体デバイス５０の概略断面図である。図１に示すように、本実施形態に係る半導体デバイス１００は、発光構造物１０１、支持基板１０２、第１端子部１０３ａ、第２端子部１０３ｂ及び絶縁体１０４を備える。
発光構造物１０１は、第１伝導型半導体層２０３、活性層２０２及び第２伝導型半導体層２０１を有する。第１伝導型半導体層２０３及び第２伝導型半導体層２０１は、窒化物系半導体である。例えば、第１伝導型半導体層２０３及び第２伝導型半導体層２０１は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成を有する。第１伝導型半導体層２０３及び第２伝導型半導体層２０１は、ＧａＡｓ系半導体又はＧａＰ系半導体であってもよい。
第１伝導型半導体層２０３は、支持基板１０２上に設けられ、第１伝導型の不純物がドープされている。第１伝導型の不純物は、例えばｐ型の不純物である。一例として、第１伝導型半導体層２０３がＧａＮである場合に、第１伝導型半導体層２０３にはＺｎ又はＭｇが不純物としてドープされている。
第２伝導型半導体層２０１は、第１伝導型と反対の伝導型である第２伝導型の不純物がドープされている。第１伝導型がｐ型である場合には、第２伝導型はｎ型である。一例として、第２伝導型半導体層２０１がＧａＮである場合に、第２伝導型半導体層２０１にはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎが不純物としてドープされている。
活性層２０２は、電子と正孔との再結合によって予め定められたエネルギーを持つ光Ｌを放出する。活性層２０２は、一例として、量子井戸層及び量子障壁層が交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。多重量子井戸構造の場合、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮを使用することができる。一方、第１伝導型半導体層２０３、第２伝導型半導体層２０１及び活性層２０２は、公知のＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法又はＨＶＰＥ法などの半導体層成長法を用いて形成される。
本実施形態において、支持基板１０２は導電性基板である。支持基板１０２は、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮ及びＳｉＣのいずれかの物質を有する。支持基板１０２は、複数の当該物質を有してもよい。
第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂは、導電性が良好な金属などにより形成される。第１端子部１０３ａは、第１伝導型半導体層２０３と電気的に結合されている。第２端子部１０３ｂは、第２伝導型半導体層２０１と電気的に結合されている。例えば、第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂは、導電体を介して、それぞれ第１伝導型半導体層２０３及び第２伝導型半導体層２０１に接続される。支持基板１０２が導電性基板である場合には、第１端子部１０３ａは、支持基板１０２を介して第１伝導型半導体層２０３と電気的に結合される。
第１端子部１０３ａの少なくとも一部の領域、及び、第２端子部１０３ｂの少なくとも一部の領域は、支持基板１０２に対して発光構造物１０１と反対の側において露出している。具体的には、支持基板１０２における発光構造物１０１に接する面を支持基板１０２の上面、支持基板１０２における発光構造物１０１に接していない面を支持基板１０２の下面とする場合に、第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂは、支持基板１０２の下面の側に設けられている。例えば、第１端子部１０３ａは、支持基板１０２の下面に接している。第２端子部１０３ｂは、支持基板１０２の下面に接する絶縁体１０４に接している。第１端子部１０３ａは、支持基板１０２を介して発光構造物１０１と電気的に結合されている。
第２端子部１０３ｂは、第２伝導型半導体層２０１から、支持基板１０２の下面まで延伸されている。一例として、第２伝導型半導体層２０１の表面から発光構造物１０１及び支持基板１０２の側面と並行に延伸された構造を有する。第２端子部１０３ｂは、第２伝導型半導体層２０１の表面の近傍及び支持基板１０２の下面の近傍において、屈曲していてもよい。
絶縁体１０４は、第２端子部１０３ｂと発光構造物１０１の側面との間を絶縁する。支持基板１０２が導電性基板である場合には、絶縁体１０４は、第２端子部１０３ｂと支持基板１０２の側面との間も絶縁する。絶縁体１０４は、例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物である。
第１伝導型半導体層２０３にｐ型不純物がドープされており、第２伝導型半導体層２０１にｎ型不純物がドープされている場合には、第１端子部１０３ａの面積は、第２端子部１０３ｂの面積よりも大きいことが好ましい。半導体デバイス１００が当該構成を有する場合には、第１端子部１０３ａから発光構造物１０１に拡散する電流を大きくすることができるので、光取り出し効率を高めることができる。
本実施形態に係る半導体デバイス１００においては、第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂが支持基板１０２の下面側に配置されているので、半導体デバイス１００を表面実装工程（ＳＭＴ）でＰＣＢ基板などに容易に実装することができる。
図２は、他の実施形態に係る半導体デバイス１００の概略断面図である。半導体デバイス１００は、図１に示した半導体デバイス５０に対して、透光性ポリマー層１０５、光変換層１０６及びレンズ１０７をさらに備える。
発光構造物１０１の上部には透光性ポリマー層１０５が設けられてもよい。透光性ポリマー層１０５は、シリコン樹脂又はエポキシ樹脂などを有し、透光性ポリマー層１０５の上方に配置された光変換層１０６との間で安定した接着構造を形成する。透光性ポリマー層１０５は、第２端子部１０３ｂの上部を覆い、光変換層１０６を形成する前に平坦な状態の面を形成することができる。透光性ポリマー層１０５は、光を反射又は屈折させる構造を側面又は光変換層１０６との界面に有することにより、レンズ１０７に向けて放出する光の指向角を調節してもよい。
半導体デバイス１００は、透光性ポリマー層１０５を備えなくてもよい。半導体デバイス１００が透光性ポリマー層１０５を備えていない場合には、半導体デバイス１００は、発光構造物１０１に接して光変換層１０６を備えてよい。
光変換層１０６は、発光構造物１０１から放出された光の波長を変換する機能を有する蛍光体である。光変換層１０６は、量子点と同じ波長に変換する波長変換物質を有してよい。この場合、光変換層１０６は、波長変換物質から成るプレート構造（例えば、セラミック変換体）を有してもよく、シリコン樹脂などに分散したフィルム構造を有してもよい。
波長変換物質が蛍光体であり、発光構造物１０１から青色光が放出される場合、赤色蛍光体ではＭＡｌＳｉＮｘ：Ｒｅ（１≦ｘ≦５）の窒化物蛍光体及びＭＤ:Ｒｅの黄化物界蛍光体などがある。ここで、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇから選択された少なくとも一つであり、ＤはＳ、Ｓｅ及びＴｅから選択された少なくとも一つであり、ＲｅはＥｕ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも一つである。
緑色蛍光体はＭ２ＳｉＯ４:Ｒｅの珪酸塩蛍光体、ＭＡ２Ｄ４:Ｒｅの黄化物蛍光体、β-ＳｉＡｌＯＮ:Ｒｅの蛍光体、ＭＡ'２Ｏ４:Ｒｅ'の酸化物蛍光体などである。ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇから選択された少なくとも一つの元素である。ＡはＧａ、Ａｌ及びＩｎから選択された少なくとも一つである。ＤはＳ、Ｓｅ及びＴｅから選択された少なくとも一つである。
Ａ'はＳｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｌｕ、Ａｌ及びＩｎから選択された少なくとも一つである。ＲｅはＥｕ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも一つである。Ｒｅ'はＣｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも一つである。
量子点はコア及びシェルから成るナノクリスタル粒子であり、コアのサイズが約１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある。また、量子点は、コアのサイズを調節することで、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）と同じさまざまな色を発光する蛍光物質において用いることができる。
一例として、量子点は、ＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＴｅなど）、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体（ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ，ＩｎＰ、ＩｎＡｓＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳなど）又はＩＶ族半導体（Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｂなど）から少なくとも二つの種類の半導体を異種接合し、コア及びシェル構造を形成することにより生成される。
光変換層１０６においては、シェル構造を形成することにより量子点が生成される場合には、当該シェルの表面原子を保護基でキャッピングしてもよい。量子点の凝集を抑制することにより、光変換層１０６が有するシリコン樹脂又はエポキシ合成樹脂等の内部における分散性を向上させてもよい。蛍光体機能を向上させるべく、光変換層１０６に、オレイン酸と同じ物質を利用した有機リガンド（Organic Ligand）を形成してもよい。
レンズ１０７は、光の指向角を調節する。レンズ１０７は、発光構造物１０１の上方に設けられる。つまり、半導体デバイス１００が光変換層１０６を備える場合には、レンズ１０７は光変換層１０６に接して設けられる。
レンズ１０７は、一例として、個別チップで分離した状態で発光構造物１０１の上方に設けられるのではなく、ウェハーレベルで製造された発光構造物１０１及び支持基板１０２と共にダイシングされることによって製造される。この場合には、レンズ１０７は、発光構造物１０１の上方に設けられるとともに、発光構造物１０１の側面を覆わないように形成される。
つまり、水平方向におけるレンズ１０７の長さは、水平方向における発光構造物１０１の長さ以下である。ここで、水平方向とは、発光構造物１０１及びレンズ１０７が積層されている方向と垂直な方向である。半導体デバイス１００が上記の構成を有する場合には、半導体デバイス１００の大きさが低減されるとともに、同一のウェハーにおいてさらに多くのチップを生成することができる。
図３は、発光構造物１０１及び支持基板１０２の周辺を拡大した図である。半導体デバイス１００は、発光構造物１０１と支持基板１０２との間に設けられたボンディング層１０８をさらに備えてもよい。ボンディング層１０８は、例えばＡｕＳｎなどの共晶金属又は導電性エポキシなどの導電性ポリマーである。
ボンディング層１０８は、導電性物質でなくてもよく、非伝導性ボンディング物質であってよい。この場合には、第１端子部１０３ａは、ボンディング層１０８を貫通するビアホールを介して第１伝導型半導体層２０３と接続される。
また、半導体デバイス１００は、発光構造物１０１と支持基板１０２との間に反射金属層をさらに備えてもよい。当該反射金属層は、発光構造物１０１が放出する光を半導体デバイス１００の上部、すなわち、レンズ１０７方向に反射する。さらに、当該反射金属層は、第１伝導型半導体層２０３とオーミック接触してもよい。当該反射金属層は、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ又はＡｕを含む。
図４は、他の実施形態に係るレンズ１０７'を拡大して示す断面図である。レンズ１０７'は表面に形成されたマイクロレンズアレイａを有してもよい。レンズ１０７'の表面にマイクロレンズアレイが形成されることによって光取り出し効率がより一層向上する。
図５から図１０は本発明の一実施形態に係る半導体デバイス１００の製造方法を概略的に表した各工程における半導体デバイス１００の断面図である。
まず、図５に示すように、成長基板１０９に発光構造物１０１を形成する。成長基板１０９は、半導体結晶を成長させるための基底基板として使用される。成長基板１０９は、例えば、サファイア基板である。サファイアは、六角−ロンボ型（Hexa-Rhombo R3c）対称性を有する結晶体である。サファイアは、ｃ軸及びａ軸方向の格子定数がそれぞれ１３．００１Å及び４．７５８Åであり、Ｃ（０００１）面、Ａ（１１２０）面、Ｒ（１１０２）面などを有する。
上記のＣ面においては窒化物薄膜の成長が比較的容易であり、窒化物薄膜の成長が高温で安定するので、サファイア基板は、窒化物系半導体を成長するための基底基板に適している。サファイア基板に代えて、成長基板１０９として、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＯ、ＬｉＡｌＯ２及びＬＩＧａＯ２等を有する基板を使用してもよい。
発光構造物１０１を形成する場合、まず、成長基板１０９上に第２伝導型半導体層２０１を結晶成長させる。続いて、第２伝導型半導体層２０１上に活性層２０２を結晶成長させ、活性層２０２上に第１伝導型半導体層２０３を結晶成長させる。第１伝導型半導体層２０３、第２伝導型半導体層２０１及び活性層２０２は、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＨＶＰＥ法などの方法により、結晶成長させることができる。
次に、図６に示すように、発光構造物１０１に支持体として支持基板１０２を付着させた後に、発光構造物１０１から成長基板１０９を分離する。一例として、成長基板１０９と発光構造物１０１の間の領域にレーザーを照射するレーザーリフトオフにより、成長基板１０９を分離する。レーザーリフトオフ以外の方法により、成長基板１０９を分離してもよい。例えば、化学的リフトオフにより、成長基板１０９を分離することができる。支持基板１０２は、成長基板１０９を除去する工程において、発光構造物１０１を支持する。
支持基板１０２が導電性物質を含む場合には、支持基板１０２はメッキ法又は、ボンディング接合法などの方法により形成される。支持基板１０２は、アルミナ、ＡｌＮ、不純物がドープされていないアンドープＳｉなどの非伝導性物質から成る基板であってもよい。この場合には、非導電性接着物質により、発光構造物１０１に支持基板１０２を付着させてよい。
次に、図７に示すように、発光構造物１０１及び支持基板１０２に貫通部Ｈを形成する。図７においては、１個の貫通部Ｈが形成された例を示しているが、製造されるデバイスの数に応じて、２個以上の貫通部Ｈを形成してもよい。貫通部Ｈは、支持基板１０２を貫通し、第２伝導型半導体層２０１に達する。貫通部Ｈは、第２伝導型半導体層２０１を貫通してもよい。
例えば、発光構造物１０１及び支持基板１０２を接合した後で、発光構造物１０１及び支持基板１０２を貫通する貫通部Ｈを形成する。発光構造物１０１及び支持基板１０２のそれぞれに貫通部Ｈを形成した後で、発光構造物１０１及び支持基板１０２を接合してもよい。その後、蒸着などの工程において、貫通部Ｈの内壁に絶縁体１０４を形成する。絶縁体１０４を貫通部Ｈの内壁だけでなく、支持基板１０２の下面に形成してもよい。
次に、図８に示すように、第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂを形成する。第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂは、貫通部Ｈに導電性材料を充填することにより形成される。第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂの形成には、公知の蒸着法又はメッキ法を使用してよい。
本実施形態においては、支持基板１０２の下面に第１端子部１０３ａを形成し、導電性の支持基板１０２を介して発光構造物１０１と電気的に結合させる。第２端子部１０３ｂは発光構造物１０１の支持基板１０２に接する面の反対側の面から、貫通部Ｈを経由して支持基板１０２の下面に延伸されている。第２端子部１０３ｂは、支持基板１０２の下面の一部の領域を覆う絶縁体１０４に接する。続いて、図９に示すように、発光構造物１０１上に透光性ポリマー層１０５及び光変換層１０６を形成する。
次に、図１０に示すように、光変換層１０６の上方にレンズ１０７を設けることにより、半導体デバイスアレイを形成する。一例として、レンズ１０７は、あらかじめチップ単位で分離しないで、複数個のレンズが一体で形成された構造を有するレンズ、すなわち、ウェハーレベルレンズとして形成される。このようなウェハーレベルレンズを製作した後で、ウェハーレベルレンズを発光構造物１０１の上部に付着させてもよい。ウェハーレベルレンズを付着させた後に、個別レンズを整形してもよい。一例として、ウェハーレベルレンズは、ウェハーレベルレンズが有する複数のレンズの境界線の少なくとも一つが貫通部Ｈに重なるように設けられる。
続いて、個別の半導体デバイス単位に分離するように、レンズ１０７が付着した構造物を図１０における矢印方向でダイシングする。つまり、第１端子部１０３ａの中央部又は第２端子部１０３ｂの中央部を通る線に沿って、支持基板１０２、発光構造物１０１、透光性ポリマー層１０５、光変換層１０６及びウェハーレベルレンズを積層方向に切断する。第２端子部１０３ｂを切断する場合には、導電性材料が充填された貫通部Ｈを切断する。ダイシングをすることにより、図１０に示す実施形態においては、３個の半導体デバイス１００を得ることができる。
ダイシングされる前のウェハーレベルレンズが付着された状態の半導体デバイスアレイは、２個の個別レンズごとに第２端子部１０３ｂを備える。当該半導体デバイスは、第２端子部１０３ｂの間における支持基板１０２の表面に、第１端子部１０３ａを備える。第２端子部１０３ｂは、個別レンズの境界位置を延長した面に対して対称な形状を有する。また、第１端子部１０３ａは、個別レンズの境界位置を延長した面の左右で同一の長さを有する。ダイシングされる前の半導体デバイスが当該構成を有することにより、ダイシングにより得られる複数の半導体デバイス１００が同じ形状を有する。
本実施形態のように、複数のレンズを有するウェハーレベルレンズを有する半導体デバイスアレイを製造した後に、それぞれのレンズに対応する大きさごとにダイシングして半導体デバイス１００を製造することにより、半導体層をダイシングした後にレンズを付着する製造方法に比べて製造効率が向上し、製造コストが低減する。
図１１は、他の実施形態に係る半導体デバイス２００の概略断面図である。本実施形態において、半導体デバイス２００は、図１に示した半導体デバイス１００における支持基板１０２に代えて、電気絶縁性支持基板１０２'を備える。電気絶縁性支持基板１０２'は、例えば、アルミナ、ＡｌＮ、アンドープＳｉなどの物質により形成されている。
半導体デバイス２００は、電気絶縁性支持基板１０２'を貫通する導電性ビアＶを有する。第１端子部１０３ａは、導電性ビアＶを介して発光構造物１０１と接続される。半導体デバイス２００においては、第２端子部１０３ｂは、電気絶縁性支持基板１０２'の発光構造物１０１に接する面と反対の面及び側面に接する。また、絶縁体１０４が、支持基板１０２'と第２端子部１０３ｂの間の領域には形成されていない。つまり、半導体デバイス２００は、電気絶縁性支持基板１０２'及び発光構造物１０１の界面に対して発光構造物１０１の側に形成された絶縁体１０４を備える。
図１１に示した実施形態においては、第１端子部１０３ａが導電性ビアＶを介して発光構造物１０１と接続されているが、第１端子部１０３ａが第２端子部１０３ｂと同様の形状を有することにより、導電性ビアＶを介することなく発光構造物１０１と接続してもよい。つまり、第１端子部１０３ａは、第１伝導型半導体層２０３から発光構造物１０１及び支持基板１０２'の側面に沿って、支持基板１０２'に対して発光構造物１０１と反対の側まで延伸されていてもよい。
また、図１及び図１１に示した実施形態においては、第１端子部１０３ａが発光構造物１０１の下面に接続され、第２端子部１０３ｂが発光構造物１０１の上面に接続されていた。半導体デバイスは、第１端子部１０３ａ及び第２端子部１０３ｂのそれぞれが、発光構造物１０１の下面又は上面の同じ側の面に接続される構成を有してもよい。
例えば、第１伝導型半導体層２０３の一部の領域が発光構造物１０１の上面に露出している場合には、第１端子部１０３ａは、図１及び図１１における第２端子部１０３ｂと同様に、発光構造物１０１の上面から、発光構造物１０１及び支持基板１０２の側面に沿って支持基板１０２の下面に延伸されてもよい。また、第２伝導型半導体層２０１の一部の領域が発光構造物１０１の下面に露出している場合には、第２端子部１０３ｂは、図１における第１端子部１０３ａと同様に、支持基板１０２の下面に接して形成されてもよい。第２端子部１０３ｂは、図１１における第１端子部１０３ａと同様に、支持基板１０２'の下面に接して形成された後に、導電性ビアＶを介して発光構造物１０１に接続されてもよい。
図１２は、他の実施形態に係る半導体デバイス３００を概略的に表した断面図である。図１２に示すように、半導体デバイス３００は、発光構造物３０１、支持基板３０２、第１端子部３０３ａ、第２端子部３０３ｂ、光変換層３０６、レンズ３０７及びボンディング層３０８を有する。発光構造物３０１は、第１伝導型半導体層４０３、活性層４０２及び第２伝導型半導体層４０１を有する。半導体デバイス３００は、発光構造物３０１と光変換層３０６との間に設けられた透光性ポリシリコンをさらに備えてもよい。
ボンディング層３０８は、発光構造物３０１と支持基板３０２との間、又は、第１端子部３０３ａと支持基板３０２との間に設けられている。ボンディング層３０８は、電気絶縁性物質により形成されている。ボンディング層３０８として使用することができる電気絶縁性物質として、シリコン樹脂又はエポキシ樹脂を例示することができる。当該物質を使用することにより、ＡｕＳｎなどの導電性ボンディング物質を使う場合に比べて製造コストを低減することができる。
支持基板３０２は、電気絶縁性の基板である。第１端子部３０３ａは、支持基板３０２及びボンディング層３０８を貫通して、発光構造物３０１の第１伝導型半導体層４０３と接続する。第１端子部３０３ａの下面は、外部に露出する。第１端子部３０３ａは、支持基板３０２及びボンディング層３０８を貫通する導電性ビアを介して、第１伝導型半導体層４０３に接続されてもよい。第１端子部３０３ａは、一例として、ボンディング層３０８と第１伝導型半導体層４０３との間において、ボンディング層３０８及び第１伝導型半導体層４０３の全面と接して、第１伝導型半導体層４０３とオーミック接触する。第１端子部３０３ａは、活性層４０２が放出する光を反射する反射金属層を有してもよい。
第２端子部３０３ｂは、支持基板３０２、ボンディング層３０８、第１端子部３０３ａ、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２を貫通して第２伝導型半導体層４０１に接続する。第２端子部３０３ｂの下面は、外部に露出する。第２端子部３０３ｂは、例えば貫通ビアを介して第２伝導型半導体層４０１に接続する。半導体デバイス３００は、第２端子部３０３ｂと活性層４０２、第１伝導型半導体層４０３及び第１端子部３０３ａとの間に絶縁体３０４を有することにより、第２端子部３０３ｂとボンディング層３０８、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２との間での短絡を防止することができる。
第２端子部３０３ｂが図１２に示す構造を有することによって、発光構造物３０１の表面に光の進行を邪魔する部分がなくなるので、光取り出し効率を向上することができる。また、第２端子部３０３ｂが第２伝導型半導体層４０１に接続される領域が第２伝導型半導体層４０１の内部にあるので、電流分散の点でも有利である。電流分散の点でさらに有利にするべく、第２端子部３０３ｂは、２個以上の導電性ビアを介して第２伝導型半導体層４０１に接続してもよい。
図１２に示した実施形態においては、一つの導電性ビアが支持基板３０２、ボンディング層３０８、第１端子部３０３ａ、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２を貫通している。しかし、支持基板３０２、ボンディング層３０８、第１端子部３０３ａ、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２のそれぞれを貫通し、空間的に分離された複数の導電性ビアが電気的に結合されていてもよい。
図１３は、他の実施形態に係る半導体デバイス４００の概略断面図である。半導体デバイス４００は、図１２に示した半導体デバイス３００と異なり、導電性支持基板３０２'を備える。導電性支持基板３０２'は、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣなどのさまざまな物質のいずれかにより構成される。導電性支持基板３０２'は、当該物質が混合された物質から成る基板であってもよい。
半導体デバイス４００は、支持基板３０２'と第１端子部３０３ａ及び第２端子部３０３ｂとを絶縁するべく、支持基板３０２'と第１端子部３０３ａとの間に絶縁体３０４ａを有し、支持基板３０２'と第２端子部３０３ｂとの間に絶縁体３０４ｂを備える。絶縁体３０４ｂは、第２端子部３０３ｂの側面に沿って第２伝導型半導体層４０１に達するまで延伸され、第２端子部３０３ｂとボンディング層３０８、第１端子部３０３ａ、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２との間を絶縁する。
図１４は、他の実施形態に係る半導体デバイス５００の概略断面図である。半導体デバイス５００は、導電性支持基板３０２'を有する。第１端子部３０３ａは、第１伝導型半導体層４０３の活性層４０２に接する面の反対側の面に接する。第１端子部３０３ａは、電気絶縁性のボンディング層３０８を貫通して支持基板３０２'と接続される。半導体デバイス５００においては、第１端子部３０３ａが外部に露出しないで、支持基板３０２'が端子部として機能する。
図１５は、他の実施形態に係る半導体デバイス６００の概略断面図である。図１２、図１３及び図１４に示した半導体デバイス３００、半導体デバイス４００及び半導体デバイス５００が、電気絶縁性ボンディング層３０８を有していたのに対して、半導体デバイス６００は、導電性ボンディング層３０８'を有する。半導体デバイス６００におけるボンディング層３０８'は、例えば、ＡｕＳｎなどの共晶金属層又は導電性エポキシである。
ボンディング層３０８'が導電性を有する場合には、半導体デバイス６００は、絶縁体３０４ｃをさらに備える。絶縁体３０４ｃは、ボンディング層３０８'と第１端子部３０３ａとの間に形成されている。絶縁体３０４ｃは、絶縁体３０４ａ及び絶縁体３０４ｂと接続され、絶縁体３０４ａ、絶縁体３０４ｂ及び絶縁体３０４ｃは、一体の絶縁体となって第１端子部３０３ａ及び第２端子部３０３ｂを相互に絶縁する。
以上説明した通り、本実施形態に係る半導体デバイスにおいては、支持基板及びボンディング層として、電気絶縁性物質及び導電性物質のいずれをも使用することができる。したがって、半導体デバイス内部の電気的結合構造及び絶縁構造をさまざまな形態に変形することができる。
図１２から図１５の実施形態に係る半導体デバイスは、図５から図１０において説明した製造方法を変形して製造することができる。すなわち、図７に示した発光構造物１０１を貫通する貫通部Ｈの代わりに、第１伝導型半導体層４０３及び活性層４０２を貫通して第２伝導型半導体層４０１に達する開口を形成し、当該開口に導電性材料を充填することにより、第２端子部３０３ｂと第２伝導型半導体層４０１とを電気的に結合する導電性ビアを形成することができる。
また、図５から図１０に示した実施形態においては、第２端子部１０３ｂが発光構造物１０１及び支持基板１０２の側面に形成されるので、ダイシングによって第２端子部１０３ｂが切断される。これに対して、図１２から図１５の実施形態の場合には、第１端子部３０３ａ及び第２端子部３０３ｂは、ダイシングによって切断されない。
図１６は、本発明の他の実施形態に係る照明装置７００の概略断面図である。照明装置７００は、半導体デバイス１００、バルブ７１０、端子７２０、配線７３０及び基板７４０を備える。基板７４０は、複数の半導体デバイス１００と複数の端子７２０とを接続する複数のスルーホール７５０を有する。
照明装置７００は、配線７３０、端子７２０及びスルーホール７５０を介して、商用電源から取得した電力を半導体デバイス１００に供給する。半導体デバイス１００は、電力の供給を受けてバルブ７１０に向けて発光する。
基板７４０は、半導体デバイス１００が設けられた面と同一の面上に、半導体デバイス１００に流れる電流を調整する抵抗などの半導体デバイス１００を駆動する回路を有してもよい。半導体デバイス１００は、複数の電極が下面に露出しているので、半導体デバイス１００を駆動する回路及び半導体デバイス１００を容易にプリント基板の同一面に実装することができる。
図１７は、バックライト８００の構成例を示す。バックライト８００は、複数の半導体デバイス１００が１次元または２次元に配列されたデバイスアレイ８２０と、導光板８１０とを備える。また、バックライト８００は、導光板８１０の光射出面に対向する位置に設けられた、拡散シートおよびレンズシート等の光学シートを更に備えてよい。
デバイスアレイ８２０は、導光板８１０の各長辺に対向して設けられてよい。それぞれの半導体デバイス１００は、導光板８１０の側面から、導光板８１０の内部に光を射出する。導光板８１０は、入射された光を、所定の光射出面から射出する。また、デバイスアレイ８２０は、導光板８１０の光射出面とは逆側の面に対向して設けられてよい。つまり、バックライト８００は、直下型であってもよい。当該バックライトは、テレビ等の液晶モニタ、携帯電話の液晶画面等に用いることができる。
なお、図１及び図２に関連して説明した半導体デバイス５０及び半導体デバイス１００は、更に多様な用途に用いることができる。例えば半導体デバイス１００は、自動二輪車、自動四輪車のヘッドライトの光源として使用することもできる。この場合、ヘッドライトは、１または複数の半導体デバイス１００と、半導体デバイス１００の射出光を車外に照射するレンズとを有する。
また、半導体デバイス１００は、蛍光灯の光源として使用することもできる。この場合、蛍光灯は、一次元に配列された複数の半導体デバイス１００と、複数の半導体デバイス１００を格納し、半導体デバイス１００の射出光を外部に照射するチューブとを有する。
また、半導体デバイス１００は、情報表示装置の画素として使用することもできる。この場合、情報表示装置は、二次元に配列された複数の半導体デバイス１００と、それぞれの半導体デバイス１００を駆動する駆動回路とを有する。複数の半導体デバイス１００には、緑色光、青色光または赤色光をそれぞれ射出する複数種類のデバイスが含まれてよい。
また、半導体デバイス１００は、信号機の光源として使用することもできる。信号機は、それぞれ異なる色を射出する少なくとも２種類の半導体デバイス１００と、それぞれの半導体デバイス１００を駆動する駆動回路とを有する。信号機は、色ごとに半導体デバイス１００を複数有してよい。
また、半導体デバイス１００は、電気機器の動作状態を示す表示灯の光源として使用することもできる。表示灯は、例えばテレビまたはノートパソコンの電源の状態等を示す表示灯であって、半導体デバイス１００と、半導体デバイス１００を駆動する駆動回路とを有する。
本発明の技術的範囲は、以上説明した実施形態及び添付された図面に限定されるものではなく、添付する特許請求の範囲によって定められる。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明に係る技術分野の通常の知識を持った者により、さまざまな形態の置換、変形及び変更が可能であり、これらもまた本発明の範囲に属する。
５０ 半導体デバイス、１００ 半導体デバイス、１０１ 発光構造物、１０２ 支持基板、１０３ａ 第１端子部、１０３ｂ 第２端子部、１０４ 絶縁体、１０５ 透光性ポリマー層、１０６ 光変換層、１０７ レンズ、１０８ ボンディング層、１０９ 成長基板、２００ 半導体デバイス、２０１ 第２伝導型半導体層、２０２ 活性層、２０３ 第１伝導型半導体層、３００ 半導体デバイス、３０１ 発光構造物、３０２ 支持基板、３０３ａ 第１端子部、３０３ｂ 第２端子部、３０４ 絶縁体、３０６ 光変換層、３０７ レンズ、３０８ ボンディング層、３０８' ボンディング層、４００ 半導体デバイス、４０１ 第２伝導型半導体層、４０２ 活性層、４０３ 第１伝導型半導体層、５００ 半導体デバイス、６００ 半導体デバイス、７００ 照明装置、７１０ バルブ、７２０ 端子、７３０ 配線、７４０ 基板、７５０ スルーホール、８００ バックライト、８１０ 導光板、８２０ デバイスアレイ
Claims (24)
- 成長基板に半導体構造物を形成する段階と、
前記半導体構造物に支持基板を付着した後で、前記成長基板を前記半導体構造物から分離する段階と、
前記支持基板の前記半導体構造物と接する面と反対の面に、前記支持基板を介して前記半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、
前記半導体構造物の前記支持基板に接する面と反対の面から、前記支持基板の前記半導体構造物と接する面と反対の面まで、前記半導体構造物及び前記支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、
前記半導体構造物、前記支持基板及び前記第１端子部を、前記支持基板及び前記半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、
前記半導体構造物、前記支持基板及び前記第２端子部を、前記積層方向に切断する第２切断段階と
を備える半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体構造物を形成する段階においては、前記支持基板上に、第２の伝導型の不純物がドープされた第２伝導型半導体層を成長させ、前記第２伝導型半導体層上に、電子と正孔との再結合により光を発する活性層を成長させ、前記活性層上に、前記第２伝導型半導体層と反対の伝導型である第１伝導型の不純物がドープされた第１伝導型半導体層を成長させて発光構造物を形成し、
前記第１端子部を形成する段階においては、前記第１端子部を前記第１伝導型半導体層と電気的に結合させ、
前記第２端子部を形成する段階においては、前記第２端子部を前記第２伝導型半導体層と電気的に結合させる請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第２端子部を形成する段階は、
前記支持基板を貫通し、前記第２伝導型半導体層に達する貫通部を形成する段階と、
前記貫通部に導電性材料を充填することにより前記第２端子部を形成する段階と
を有する請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第２伝導型半導体層の上方に、複数のレンズを有するウェハーレベルレンズを形成する段階をさらに備える請求項３に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ウェハーレベルレンズを形成する段階は、前記ウェハーレベルレンズが有するそれぞれの前記レンズの境界が前記貫通部に重なるように形成する段階を有する請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第１切断段階において、前記複数のレンズの第１の境界線において、前記ウェハーレベルレンズ、前記発光構造物、前記支持基板及び前記第１端子部を切断し、
前記第２切断段階において、前記複数のレンズの第２の境界線において、前記ウェハーレベルレンズ、前記発光構造物、前記支持基板及び前記第２端子部を切断する請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記ウェハーレベルレンズが有するそれぞれの前記レンズの間において、前記発光構造物および前記支持基板をダイシングする段階をさらに備える請求項５または６に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ダイシングする段階においては、前記導電性材料が充填された前記貫通部を、前記支持基板及び前記発光構造物の積層方向に切断する請求項７に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記発光構造物上に透光性ポリシリコンを形成する段階をさらに備える請求項３から８のいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記透光性ポリシリコン上に、前記発光構造物で放出された光の波長を変換する光変換層を形成する段階をさらに備える請求項９に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第２端子部を形成する段階の前に、前記貫通部の内壁に絶縁体を形成する段階をさらに備える請求項３から１０のいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 支持基板と、
前記支持基板上に形成された半導体構造物と、
前記支持基板の前記半導体構造物と接する面と反対の面に形成され、前記支持基板を介して前記半導体構造物と電気的に結合される第１端子部と、
前記半導体構造物の前記支持基板に接する面と反対の面から、前記支持基板の前記半導体構造物と接する面と反対の面まで、前記半導体構造物及び前記支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部と
を備える半導体デバイス。 - 前記半導体構造物は、前記支持基板上に形成された第１伝導型の不純物がドープされた第１伝導型半導体層と、前記第１伝導型半導体層上に形成された電子と正孔との再結合により光を発する活性層と、前記活性層上に形成された前記第１伝導型と反対の伝導型である第２伝導型の不純物がドープされた第２伝導型半導体層とを有する発光構造物であり、
前記第１端子部は、前記第１伝導型半導体層と電気的に結合し、
前記第２端子部は、前記第２伝導型半導体層と電気的に結合されている請求項１２に記載の半導体デバイス。 - 前記第２端子部と前記半導体層の側面とを絶縁する第１絶縁体をさらに備える請求項１３に記載の半導体デバイス。
- 前記支持基板は絶縁性基板であり、
前記第１端子部は、前記支持基板を貫通する貫通部を介して前記第１伝導型半導体層に接続されている請求項１３または１４に記載の半導体デバイス。 - 前記支持基板は導電性基板であり、
前記第１絶縁体は、前記第２端子部と前記支持基板との間を電気的に絶縁し、
前記半導体デバイスは、前記第１端子部と前記支持基板との間を電気的に絶縁する第２絶縁体をさらに備える請求項１４に記載の半導体デバイス。 - 前記第１端子部は、前記支持基板の側面に沿って、前記第１伝導型半導体層から前記支持基板の前記第１伝導型半導体層に接する面と反対の裏面まで延伸されており、
前記第２端子部は、前記支持基板の側面に沿って、前記第２伝導型半導体層から、前記支持基板の前記裏面まで延伸されている請求項１３から１６のいずれか一項に記載の半導体デバイス。 - 前記第１伝導型半導体層にはｎ型不純物がドープされており、前記第２伝導型半導体層にはｐ型不純物がドープされており、
前記第１端子部の面積は、前記第２端子部の面積よりも大きい請求項１３から１７のいずれか一項に記載の半導体デバイス。 - 前記第２伝導型半導体層上に設けられたレンズをさらに備える請求項１３から１８のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
- 前記第２伝導型半導体層及び前記レンズの積層方向に垂直な水平方向における前記レンズの長さは、前記水平方向における前記第２伝導型半導体層の長さ以下である請求項１９に記載の半導体デバイス。
- 前記レンズと前記第２伝導型半導体層の間に設けられた透光性ポリシリコンと、
前記レンズと前記透光性ポリシリコンとの間に設けられ、前記第２伝導型半導体層を介して放出する光の波長を変換する光変換層と
をさらに備える請求項１９または２０に記載の半導体デバイス。 - 請求項１２から２１のいずれか一項に記載の半導体デバイスを複数備え、それぞれの前記半導体デバイスにおける前記第１端子部が隣接する前記半導体デバイスの前記第１端子部に接続され、又は、それぞれの前記半導体デバイスにおける前記第１端子部が隣接する前記半導体デバイスの前記第１端子部に接続されている半導体デバイスアレイ。
- 請求項１３から２１のいずれか一項に記載の複数の半導体デバイスと、
前記複数の半導体デバイスが実装された回路基板と、
前記回路基板を介して前記半導体デバイスに電力を供給する配線部と
を備える照明装置。 - 請求項１３から２１のいずれか一項に記載の複数の半導体デバイスと、
前記複数の半導体デバイスが照射する光が内部に入射され、当該光を光射出面から出射する導光板と
を備えるバックライト。
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