JP5186800B2 - 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
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Description
(素子の構造)
図1に示す概略斜視図は、本発明の実施の形態1に係る窒化物半導体素子1の一例である。また、図2は図1のII−II’線における概略断面図を、図3は、図2の破線領域Aにおける拡大断面図を示す。図1及び図2に示すように、窒化物半導体素子1は、主に、支持台3と、この支持台3の上面に形成される窒化物半導体層10と、窒化物半導体層10を被覆する第1封止部材14から構成される。窒化物半導体層10は、第1導電型の窒化物半導体層11、発光層13及び第2導電型の窒化物半導体層12を有する。さらに、窒化物半導体素子1は、第1導電型の窒化物半導体層11及び第2導電型の窒化物半導体層12の各々に、電力を供給する第1の電極21(図2参照)及び第2の電極22を有する。また、第1封止部材14は、窒化物半導体素子1の外周領域Cに存在する気体・液体・固体等の媒体に表出する外表面8を備える。
窒化物半導体素子1の、窒化物半導体層10を被覆する第1封止部材14は、半導体の積層方向に幅広となる形状をなす。また、第1封止部材14は、その底面が窒化物半導体層10の底面と略同一面上に位置しており、支持台3より上側の、少なくとも窒化物半導体層10の側面を被覆する。言い換えると、支持台3の側面は第1封止部材14でもって被覆されない。例えば図1に示す第1封止部材14は、上面からの平面視において矩形である角錐台形状であって、光進行方向につれて径が次第に増加しており、窒化物半導体層10の側面および上面を被覆している。なお、第1封止部材14で、窒化物半導体層10の側面および上面の全てを被覆する必要はなく、必要な部位において、適宜、開口などを形成できる。例えば、図1に図示される第1封止部材14では、電極22上の表面を外部に露出させるための穴4が設けられている。また、第1封止部材14は、窒化物半導体層10の形状に合わせた形状とすることもでき、例えば図2に示す窒化物半導体層10に合わせた矩形状の上面から光出射させ、それを底面とする光出射方向に幅広な截頭の四角錐とできる。
また、第1封止部材14において、支持台3の上面から第1封止部材14の上面までの高さHは、窒化物半導体層10の少なくとも側面を被覆可能な高さとし、好ましくは20μm〜100μmとする。また、窒化物半導体層10の主発光面を、第1封止部材14により被覆して、窒化物半導体層10の上面から第1封止部材14の上面までの、第1封止部材14における上面の厚みhを持たせるのが望ましい。これにより、窒化物半導体層10の耐候性を向上させることができ、通常採用される保護膜の役割を担うことができる他、第1封止部材の上面側の形状を適宜加工することにより、光の波面制御が可能となる。さらに、波長変換部材等の添加物を、素子の主発光面側に被覆された第1封止部材内に混入させることで、素子の主発光面側の所定の位置に添加物を配置することができ、これにより拡散・色調等の制御が可能となる。つまり、種々の機能を付与することができる。なお、第1封止部材14における上面の厚みhを設けないことも可能である。すなわち窒化物半導体層10の主発光面側(図2における上側)の表面が、第1封止部材14によって被覆されず、外部に露出させる構造をとることもできる。これにより、電極上の露出領域を形成するための穴4の加工が不要であり、また、発光層の略軸上領域へと出射される光を屈折することなく取り出せる。
また、図3に示すように、第1封止部材14の屈折率n1は、第1封止部材14の外表面8でもって界面17を形成する外周領域Cの、気体・液体・固体等の媒体の屈折率n0よりも大きいことが好ましく、さらに窒化物半導体層10の屈折率よりも大きいことが一層好ましい。これにより、発光層13からの出射光を第1封止部材14側へと導光し、さらに、界面17で、出射光を好適な方向へと屈折可能となる。
また、図3に示すように、界面17は、窒化物半導体層10の積層方向に対してθ2だけ傾斜してなる。具体的な傾斜角θ2は、以下の関係式を満たすことが好ましい。
また、発光層を有する窒化物半導体層は、当該分野で公知の方法及び構造を有して作製されるいかなる窒化物半導体層であってもよい。図4〜図10は窒化物半導体素子の概略断面図であり、その製造方法の一例を説明する説明図である。これを用いて実施の形態1に係る窒化物半導体素子1の製造方法を説明する。
まず、図4に示すように、成長基板60上に第2導電型の窒化物半導体層12、発光層13、第1導電型の窒化物半導体層11を有する窒化物半導体層10を形成する。成長基板60は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板であればよく、成長基板の大きさや厚さ等は特に限定されない。この成長基板としては、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、Si、GaAsが挙げられる。また、GaNやAlN等の窒化物半導体基板を用いることもできる。
次に、図4に示すように、第1導電型の窒化物半導体層11の表面にRh、Ag、Ni、Au、Ti、Al、Pt等からなる第1の電極21をパターン形成する。第1の電極21は、積層順に、密着層・バリア層/反射層の多層構造とし、さらに最上層にはAg、Rh、Al等の反射層を設けることが好ましい。これにより光取り出し効率が向上する。具体的な第1の電極21としては、窒化物半導体層10側からAg/Ni/Ti/Ptとできる。また、第1の電極21は、上面から見て、第2の電極22が形成される領域を除く窒化物半導体層のほぼ全領域に形成されるのが好ましい。これにより第1の電極21を介して第1導電型の窒化物半導体層11に電力を供給できる。また平面視において、第1及び第2の電極が、活性層を挟んで重なる領域を有すれば、電極へと吸収され光損失を招くため、ずらすのがよい。また、第1の電極21は、酸素を含む雰囲気中において熱処理される。
その後、窒化物半導体素子の周辺部等の第1の電極21が形成された領域を除く領域には保護膜50が形成される。この保護膜50は絶縁膜であり、具体的な材料としては、SiO2、Nb2O5、Al2O3、ZrO2、TiO2等の酸化膜や、AlN、SiN等の窒化膜の、単層膜または多層膜を用いることができる。さらに、保護膜50にAl、Ag、Rh等の高反射率の金属膜を被覆してもよい。或いは、保護膜50の表面をRIE等で凹凸形状を形成してもよい。これにより発光層からの出射光を反射させ光取り出し効率を向上させることができる。
次に、第1の電極21上に、貼り合わせ時に合金化させるための半導体層側接着層41aを形成する。半導体層側接着層41aは、Au、Sn、Pd、Inからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有する合金から形成される。半導体層側接着層41aは密着層、バリア層、共晶層からなる3層構造が好ましい。密着層は、Ni、Ti、RhO、W、Moからなる群から選ばれる少なくとも一を含有する。バリア層は、Pt、Ti、Pd、TiN、W、Mo、WN、Auからなる群から選ばれる少なくとも一を含有する。共晶層は、Au、Sn、Pd、Inからなる群より選ばれる少なくとも一を含有する。また、半導体層側密着層41aの膜厚は5μm以下とする。
他方、支持基板42を用意する。支持基板42は、主に、Si基板の他、GaAsの半導体基板、Ge、Niの金属材料、Cu−Wの複合材料等の導電性基板が挙げられる。加えて、Cu−Mo、AlSiC、AlN、SiC、Cu−ダイヤ等の金属とセラミックの複合体等も利用できる。例えば、Cu−W、Cu−Moの一般式をCuxW100-x(0≦x≦30)、CuxMo100-x(0≦x≦50)のようにそれぞれ示すことができる。AlNを支持基板とすれば絶縁性基板であるのでプリント基板等の回路上にチップを載せるときに有利である。またSiを用いる利点は安価でチップ化がしやすい点である。支持基板42の好ましい膜厚としては50〜500μmである。支持基板42の膜厚をこの範囲に設定することで放熱性が良くなる。一方で、支持基板に導電性基板を使用すれば、基板側からの電力供給が可能になる他、高い静電耐圧及び放熱性に優れた素子とできる。また、通常は、Si、Cu(Cu−W)等の不透光性の材料が好ましい。これにより光取り出し効率を向上できる。また、メッキにより、窒化物半導体層上にメッキ部材を形成して、支持基板、支持基板との間の接着部を形成することもできる。
そして、図5に示すように、半導体層側接着層41aの表面と支持基板側接着層41bの表面を対向させ、支持基板42を加熱圧接により窒化物半導体層側の第1の電極21上に貼り合わせる。この加熱圧接は、プレスをしながら150℃以上の熱を加えて行われる。これにより接着層41(41aと41b)を介して半導体層側と支持基板側が接合される。
その後、図6に示すように、成長基板を除去して(破線部)、窒化物半導体層10を露出させる。成長基板60は、成長基板側からエキシマレーザを照射して剥離・除去する(Laser Lift Off:LLO)か、又は研削によって取り除かれる。成長基板60を除去後、露出した窒化物半導体の表面をCMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシュ)処理することで所望の膜である第2導電型の窒化物半導体層12を露出させる。このとき高温成長したGaN層を除去、あるいは膜厚を低減することによって、紫外領域の発光波長を持つLEDにおいても吸収の影響を低減することができる。この処理によりダメージ層の除去や窒化物半導体層の厚みを調整、表面の面粗さの調整ができる。
さらに、図7に示すように、チップ状に窒化物半導体層10を分割する。具体的には、窒化物半導体素子をチップ化するため、RIE等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層を除去する。また、光の取り出し効率を向上させるために、第2導電型の窒化物半導体層の露出面をRIE等で凹凸構造を形成してもよい。
また、図8に示すように、エッチング除去された素子間の境界領域に、型枠となる金属の枠体20をパターニングして形成する。具体的には、窒化物半導体層10をエッチング後、Au等の金属材料メッキ膜をほぼ全面に形成し、フォトリソグラフィーにて露光・現像で画定することによりレジスト膜をパターニング及びエッチングする。これにより、第1封止部材の分離領域を形成可能な半導体層枠体20a、或いは適宜これに加えて、第2の電極22上に形成される外部接続部25の形成領域が形成可能な電極枠体20bを有する枠体20が形成される。電極枠体20bは、外部接続部25上への樹脂の被覆が抑止され、電極枠体20bを除去した後、外部接続部25を露出可能にさせるマスクの役割を担う。また、枠体20の傾斜面は、金属とエッチャントの組み合わせ、例えばAuと王水との組み合わせにより、所望の傾斜角度を有する傾斜面を形成することができる。例えば、傾斜面を湾曲面とするには、当方性のエッチング、例えばRIEを採用することにより実現できる。
続いて、窒化物半導体素子の境界領域で、支持台3をダイシングしてチップ化することにより、図10に示す窒化物半導体層10が第1封止部材14で封止された窒化物半導体素子が得られる。図9に示すように、ダイシングの位置Dは、各窒化物半導体素子における第1封止部材14の外側とする。これにより、先行で形成される第1封止部材14に接触することなく支持台3をダイシングできるため、チップの分割工程が簡便となる。
上記の製造方法で得られた図10に示す窒化物半導体素子1において、接着層41を導電性とし、かつ支持基板42をSiC等の導電性の基板とすれば、第1の電極21の一方の主面を第1導電型の窒化物半導体層11に接触させ、第1の電極21の他方の主面側から外部接続できる。すなわち、第1の電極21の一方の主面(図10における上面)は半導体と接触させるための面であり、第1の電極21の他方の主面(下面)は外部接続用の面として機能できる。そして、貼り合わせる支持基板42を第1の電極21に電気的に接続し、半導体積層構造側の面に対向する裏面側(図10における窒化物半導体素子1の底面側)を、第1の電極21の外部接続とできる。例えば支持基板42の裏面に設けた電極を介して、外部回路との接続が可能となる。また、支持基板42を絶縁性材料とした場合では、半導体積層構造側に形成された支持基板42の電極と、その反対側の裏面に形成された電極とを、支持基板42の立体配線や、配線用ビアホール等の配線電極によって接続するようにしても、支持基板42の裏面側からの電極取り出しが可能となる。いずれにしても、露出されたワイヤを用いずに、第1の電極21と外部電極とを電気的に接続できる。さらに、支持基板42に、別個の放熱部材を連結することで、一層の放熱効果を得ることもできる。
また、図11の発光装置2の概略断面図は、図10に示す窒化物半導体素子1をパッケージ30に実装した例を示す。パッケージ30は、それぞれが一対の電極パターンと対応しているリード31a、31bを備えた基台31を有する。基台31上に載置された窒化物半導体素子1は、支持基板42の実装面側に形成されている外部接続用の第1の電極21と、基台31の一方のリード31aとが導電性接着部材等を介して電気的に接続されている。また、窒化物半導体素子1の第2導電型の窒化物半導体層12側に装着された第2の電極22は、その外部接続部(図示せず)において他方のリード31bと導電性ワイヤ32により電気的に接続されている。また、導電性ワイヤ32は、第1封止部材14の外部に位置しており、第1封止部材14によって被覆されていない。これにより第1封止部材内において、ワイヤと樹脂の界面での剥離や、導電性ワイヤ32での光損失を懸念する必要がないため、信頼性の高い発光装置とできる。
また、パッケージ30は、側面を有する略凹形状のカップ33が形成されており、上方に幅広な開口部23を有する。さらに、パッケージ30の開口部23の上部は、球面レンズ、非球面レンズ、シリンドリカルレンズ、楕円レンズ等のレンズ16により閉塞されており、これにより光源からの出射光を波面制御でき、集光された光を発光装置外へと効率良く導出可能となる。また、レンズ16は光源からの出射された光が集光される限り、どのような形状でもよく、無機ガラス、樹脂等により形成することができる。
また、本発明の発光装置においては、窒化物半導体素子を1つのみ載置されてもよいが、2つ以上の発光素子が載置されていてもよいし、発光素子の他に、例えば、ツェナーダイオード、コンデンサ等の保護素子と組み合わせられていてもよい。これらの保護素子は、当該分野で公知のものの全てを利用することができる。
また、実施の形態2に係る窒化物半導体素子1bの概略断面図を図12に示す。図12の窒化物半導体素子1bは、実施の形態1に係る窒化物半導体素子1と比較して、主に、電極の配線構造及び第1封止部材内に添加物質を含有した点で異なっており、その他の構造は実質的に実施の形態1と同様である。したがって、実施の形態1と同様の部材又は構造には、実施の形態1と同様の符号を付して、説明を適宜省略する。
また、第1封止部材14b内に、発光層13からの出射光によって励起され蛍光を発する蛍光物質等の波長変換部材19を混入することができる。これにより、光源の光を異なる波長の光に変換し、光源と波長変換部材19で波長変換された光との混色光を外部に取り出すことが可能となる。つまり、光源からの光の一部が蛍光体を励起することで、主光源の波長とは異なった波長を持つ光が得られる。この波長変換部材19としては蛍光体が好適に利用できる。なぜなら蛍光体は光散乱性及び光り反射性の機能をも備えているため、波長変換機能に加えて光散乱部としての役割を果たし、上述した光の拡散効果を得ることができるからである。蛍光体は、第1封止部材14b中にほぼ均一の割合で混合することも、部分的に偏在するように配合することもできる。
また、第1封止部材14bは、波長変換部材の他、粘度増量剤、顔料、蛍光物質等、使用用途に応じて適切な部材を添加することができ、これによって良好な指向特性を有する発光素子が得られる。同様に外来光や発光素子からの不要な波長をカットするフィルター効果を持たせたフィルター材として各種着色剤を添加させることもできる。
さらに、第1封止部材14b中に蛍光物質の他にフィラーを含有させてもよい。具体的な材料としては、拡散剤と同様のものが使用できる。ただ、拡散剤とフィラーとは中心粒径が異なり、本明細書においてはフィラーの中心粒径は5μm以上100μm以下とすることが好ましい。このような粒径のフィラーを第1封止部材14b中に含有させると、光散乱作用により発光装置の色度バラツキが改善される他、第1封止部材14bの耐熱衝撃性を高めることができる。これにより、高温下での使用においても、発光素子の特性の悪化や、発光素子と異部材界面におけるクラック及び剥離の発生を防止可能な信頼性の高い発光素子とできる。さらには樹脂の流動性を長時間一定に調整することが可能となり、所望とする場所内に封止部材を形成することができ歩留まり良く量産することが可能となる。
上記の過程により得られた窒化物半導体素子1bを搭載した発光装置2bとして、図13にその断面概略図を示す。図13の発光装置2bにおいて、支持基板42側には、外部回路と接続するための電極パターンが施された配線層24が形成されており、配線層24は、導電性の接着層41を介して、各電極21b、22bと電気的に接続されている。さらに、配線層24の表面は絶縁層等の保護膜50により被覆されているが、その一部がエッチング除去により露出されており、この露出領域より導電性ワイヤ32を介して外部電極と電気的に接続される。すなわち、支持基板42の上面及び下面の両面より電極接続部が取り出される。言い換えると、第1の電極21bと第2の電極22bが形成された電極構造を境に、一方の側を実装面側となる支持体、他方の側は、半導体積層構造が設けられた発光部とでき、光遮断の低減された好適な配置が実現できる。
また、実施の形態3に係る窒化物半導体素子1cの概略断面図を図14に示す。図14の窒化物半導体素子1cは、実施の形態1及び実施の形態2に係る窒化物半導体素子1、1bと比較して、封止部材における発光出射面の形状の点で異なっており、その他の構造は実質的に実施の形態1及び実施の形態2と同様である。したがって、実施の形態1及び2と同様の部材又は構造には、実施の形態1及び2と同様の符号を付して、説明を適宜省略する。
光出射面の加工方法の一例としては、上記の実施の形態1の製造方法において、図8に示す枠体20を残したまま、第1封止部材14を封止後に、第2封止部材6を枠体20の上面を超える厚さに塗布する。続いて、所定の光出射面18cの形状を有する型枠を、枠体20との接近方向へと押し込み、第2封止部材6を成形した後、枠体20をエッチング除去する。
第2封止部材6は、第1封止部材14の屈折率よりも大きい屈折率を有する材質とすれば、発光層に近傍する第1封止部材14から第2封止部材6へと効率良く出射光を誘導できるため、相対的に発光素子の光取り出し効率を向上できる。また、第1封止部材14と第2封止部材6との界面の形状は、凹凸加工等、任意の形状とできる。これにより両者の結合性が増す他、界面での光進行方向の波面制御が可能となり、第1封止部材14の光出射面18c側の波面制御とを併用することで、光源からの出射光の進行方向を、より一層制御することができる。一方、第2封止部材6の材質を、第1封止部材14の材質と同様とすれば、両者を接着性良く連結できる。なお、第1封止部材14と第2封止部材6との屈折率差が無い・小さい場合、双方の界面の形状を、例えばドーム状など光広がりに応じた結合形状とすることで、光取り出し効率及び結合性を向上させることができる。
さらに、実施の形態4に係る窒化物半導体素子1dの概略断面図を図15に示す。図15の窒化物半導体素子1dは、一の支持台3上に、複数の窒化物半導体層10が載置されており、かつ、各々の窒化物半導体層10が、第1封止部材14によって個別に被覆されていることを主な特徴とする。また、ここでは、電極構造を含めた窒化物半導体層10と、この窒化物半導体層10を被覆する第1封止部材14を便宜上、発光体5と呼称する。
さらに、実施の形態5に係る窒化物半導体素子1eの概略断面図を図16に示す。窒化物半導体素子1eは、実施の形態4の窒化物半導体素子1dと比較して、各発光体5が連結している点で異なっており、その他の構造は実質的に実施の形態4と同様である。したがって、実施の形態4と同様の部材又は構造には、実施の形態4と同様の符号を付して、説明を適宜省略する。
2、2b…発光装置
3…支持台
4…穴
5…発光体
6、6e…第2封止部材
7…空気層
8…外表面
10…窒化物半導体層
11…第1導電型の窒化物半導体層
12…第2導電型の窒化物半導体層
13…発光層
14、14b…第1封止部材
16…レンズ
17…界面
18、18c…光出射面
19…波長変換部材
20…枠体
20a…半導体層枠体
20b…電極枠体
21、21b…第1の電極
22、22b…第2の電極
23…開口部
24…配線層
25…外部接続部
26…素子被覆部材
30…パッケージ
31…基台
31a、31b…リード
32…導電性ワイヤ
33…カップ
34…カップの内壁面
41…接着層
41a…半導体層側接着層
41b…支持基板側接着層
42…支持基板
50…保護膜
60…成長基板
100…表面実装型発光ダイオード
101…基板
102…カソード電極パターン
103…アノード電極パターン
104…発光ダイオード素子
110…光透過性樹脂
114…溝
115…空気
116…傾斜面
C…外周領域
D…ダイシング位置
h…第1封止部材の上面の厚み
H…第1封止部材の高さ
l…第1封止部材の外表面から窒化物半導体層の端部までの距離
w…窒化物半導体層の幅
Claims (11)
- 導電性の支持基板(42)と、
前記支持基板(42)上に第1の電極(21)を介して備えられた、発光層(13)を有する窒化物半導体層(10)と、
前記窒化物半導体層(10)に形成された第2の電極(22)と、
前記支持基板(42)上であって、前記窒化物半導体層(10)の側面及び上面を被覆する第1封止部材(14)と、
を有する窒化物半導体素子であって、
前記第1の電極(21)は、前記窒化物半導体層(10)を上面から見て、前記第2の電極(22)が該窒化物半導体層(10)に形成された領域を除く領域で、該窒化物半導体層(10)に形成されており、
前記第1封止部材(14)は、該第1封止部材(14)の外周領域(C)を構成する媒体の屈折率よりも高い屈折率を有しており、
前記第1封止部材(14)と前記外周領域(C)との界面(17)で、前記発光層(13)から出射された光を、前記支持基板(42)に対する窒化物半導体層(10)の高さ方向に反射できるよう、前記第1封止部材(14)と前記外周領域(C)との界面(17)が傾斜されており、
前記第2の電極(22)上の表面は、前記第1封止部材(14)から外部に露出していることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1に記載の窒化物半導体素子であって、
前記第1封止部材(14)の最小径において、前記外周領域(C)との界面(17)をなす前記第1封止部材(14)の外表面(8)から、前記窒化物半導体層(10)の側面端部までの距離(l)が、窒化物半導体層(10)の幅(w)よりも小さく、
前記第1封止部材(14)の界面(17)は、前記窒化物半導体層(10)の積層方向に対して傾斜してなることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1又は2に記載の窒化物半導体素子であって、
前記第1封止部材(14)の外表面(8)は、窒化物半導体層(10)の側面端部から支持基板(42)の側面端部までの領域内に位置されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1乃至3に記載の窒化物半導体素子であって、
前記第1封止部材(14)の底面は、前記窒化物半導体層(10)の底面と略水平であり、かつ前記第1封止部材(14)は、前記支持基板(42)に対する窒化物半導体層(10)の高さ方向に、しだいに幅広に形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1乃至4に記載の窒化物半導体素子であって、
前記第1封止部材(14)に、前記窒化物半導体層(10)からの出射光を吸収して波長変換を行う波長変換物質、及び/又は前記窒化物半導体層(10)からの出射光を反射する光拡散物質が含有されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1乃至5に記載の窒化物半導体素子であって、
前記第1封止部材(14)の光出射面(18)側に、さらに第2封止部材(6)が連結されており、
前記第2封止部材(6)の光出射面(18c)は、前記窒化物半導体層(10)からの出射光の進行方向を制御できるレンズ形状に形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項6に記載の窒化物半導体素子であって、
複数の窒化物半導体層(10)を有しており、
各々の窒化物半導体層(10)は、前記第1封止部材(14)により被覆されており、
隣接する前記第1封止部材(14)同士の間には、空気層(7)が形成されており、
全ての第1封止部材(14)の光出射面(18)が、前記第2封止部材(6e)と連結されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 第1電極パターンと第2電極パターンを有する基台(31)と、
前記基台(31)上に載置され、前記第1電極パターン及び第2電極パターンと各々電気的に接続された、一または複数の窒化物半導体素子(1)と、
を有する発光装置であって、
前記窒化物半導体素子(1)は、請求項1乃至8に記載の窒化物半導体素子であり、
前記窒化物半導体素子(1)は素子被覆部材(26)により被覆されており、
前記窒化物半導体素子(1)における前記第1封止部材(14)の外表面(8)が、前記素子被覆部材(26)と界面(17)を形成しており、
前記素子被覆部材(26)は、前記第1封止部材(14)の屈折率よりも低い屈折率を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項8に記載の発光装置であって、
前記素子被覆部材(26)に、前記窒化物半導体層(10)からの出射光を吸収して波長変換を行う波長変換物質及び/又は前記窒化物半導体層(10)からの出射光を反射する光拡散物質が含有されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項8又は9に記載の発光装置であって、
窒化物半導体素子の光出射面側に、レンズ(16)を有することを特徴とする発光装置。 - 支持基板(42)上に、
第1の電極(21)と、
第1導電型の窒化物半導体層(11)と、発光層(13)及び第2導電型の窒化物半導体層(12)とを含む窒化物半導体層(10)と、
第2の電極(22)と、
窒化物半導体層(10)の少なくとも側面を被覆する第1封止部材(14)と、
を備えた窒化物半導体素子の製造方法であって、
成長基板(60)上に前記窒化物半導体層(10)を形成する工程と、
前記第1導電型の窒化物半導体層(11)の表面に、前記第1の電極(21)を形成する工程と、
前記第1導電型の窒化物半導体層(11)側に前記第1の電極(21)を介して前記支持基板(42)を貼り合わせる工程と、
前記成長基板(60)を除去することで前記第2導電型の窒化物半導体層(12)を露出させる工程と、
前記第2導電型の窒化物半導体層(12)の表面に、前記第2の電極(22)を形成する工程と、
前記窒化物半導体層(10)の周囲を離間して包囲し、その底面が前記窒化物半導体層(10)の底面と水平な位置になるよう構成された半導体層枠体(20a)と、前記第2の電極(22)上に電極枠体(20b)を形成する工程と、
前記半導体層枠体(20a)内に第1封止部材(14)を構成する樹脂を塗布する工程と、
前記第1封止部材(14)が硬化後に前記半導体層枠体(20a)及び前記電極枠体(20b)を除去する工程と、
を備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
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