JP5388877B2 - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は半導体発光装置及びその製造方法に関するものであり、詳しくは発光効率の高い半導体発光装置の構成及びその製造方法に関する。
近年、ＬＥＤ素子（以下ＬＥＤと略記する）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。
特に近年、ＬＥＤを小型に基板に搭載し樹脂等でＬＥＤを封止した半導体発光装置（以下ＬＥＤ発光装置と略記する）としてはその発光効率を高めることと、量産化によるコストダウンが要求されている。そこで、ＬＥＤ発光装置の発光効率を高める方法として回路基板におけるＬＥＤ実装部の周辺に反射部材を設けたり、または回路基板としてアルミナ等の反射率の高い材質を採用して、ＬＥＤの発光を無駄なく利用して発光効率を高めることが提案されている。（例えば特許文献１，特許文献２、特許文献３）。
以下従来の反射部材付のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。
図１５は特許文献１における従来の反射部材付ＬＥＤ発光装置の断面図である。図１５においてＬＥＤ発光装置１００は、配線電極１０２ａを有する樹脂基板１０２上にＬＥＤ１０３をワイヤー１０４によって実装し、このＬＥＤ１０３を透明樹脂１０５でモールドしている。そして樹脂基板１０２の上面におけるＬＥＤ１０３を実装した周辺には樹脂製の白色反射膜１０６が設けられている。
上記ＬＥＤ発光装置１００の動作は、ＬＥＤ１０３から放射された光の内の樹脂基板１０２の方向に向かう光が白色反射膜１０６により上方に反射されるものである。従って樹脂基板１０２で吸収されていた光の損失分がなくなり、ＬＥＤ１０３から放射された光はほぼ全てが上方に向かって放射されるので、ＬＥＤ発光装置としての発光効率が高くなり、光量の増加が行われる。
図１６は特許文献２における従来の反射部材付ＬＥＤ発光装置の断面図であり、趣旨を逸脱しない範囲で簡素化している。図１６においてＬＥＤ発光装置２００は、電極２０２ａを有する樹脂基板２０２上にＬＥＤ２０３を実装し、このＬＥＤ２０３を透明樹脂２０５でモールドしている。そして電極２０２ａの上面におけるＬＥＤ２０３の実装領域及びワイヤー２０４のボンディング領域を除くほぼ全面に絶縁層２０７が形成され、この絶縁層２０７の上面に金属蒸着によって金属反射層２０８が形成されている。
上記ＬＥＤ発光装置２００において、ＬＥＤ２０３から放射された光の内の樹脂基板２０２の方向に向かう光は金属反射層２０８により上方に反射される。従って樹脂基板２０２で吸収されていた光の損失分がなくなり、ＬＥＤ２０３から放射された光はほぼ全てが上方に向かって放射されるので、ＬＥＤ発光装置としての発光効率が高くなり、光量の増加が行われる。
図１７は特許文献３における従来のアルミナ等の反射率の高い材質の回路基板を採用したＬＥＤ発光装置の断面図であり、趣旨を逸脱しない範囲で簡素化している。図１７においてＬＥＤ発光装置３００は、回路基板３０２として熱伝導率及び反射率の高いアルミナ基板を採用しており、この回路基板３０２の上面側に設けた配線電極３０２ａと裏面側に設けた出力電極３０２ｂとをスルーホール電極３０２ｃによって接続した構成であり、前記回路基板３０２上の配線電極３０２ａにＬＥＤ３０３がバンプ電極３０３ａによりＦＣ（フリップチップ）実装されており、このＬＥＤ３０３を透明樹脂３０５でモールドしている。
次にＬＥＤ発光装置３００の発光動作を説明する。ＬＥＤ３０３からの出射光の主要部は太い矢印で示す主出射光Ｐとして上方に出射される。しかしＬＥＤ３００からの出射光はこの主出射光Ｐ以外にもいろいろな成分を含んでおり、直接斜め上方に出射されるＰ１光、側面から出射されて配線電極３０２ａにて反射されて出射していくＰ３、回路基板３０２のアルミナ基板面で反射されて出射していくＰ６、アルミナ基板内に入射するがアルミナ基板の高い反射率によって屈折を繰り返して上方に出射していくＰ５等があるが、全体としては回路基板３０２を構成するアルミナ基板の反射率が高いため、ＬＥＤ３００の出射光のほとんどが有効光としてＬＥＤ発光装置３００の上方に出射されていく。
特開２００３−２３１８３号公報 特開２００５−２６２７６号公報 特開２００７−１０３９７８号公報
上記特許文献１の提案は、反射層として白色のシルク印刷インキ、白色のアクリル塗装等の樹脂材料を用いることが記載されており、この樹脂材料による反射層は絶縁性であるため、電極を有する樹脂基板上に直接形成することが出来るという利点を有する。しかし樹脂材料による反射層は金属製の反射層に比べて反射率が劣るうえ、特に短波長側で反射率が低下するため、発光色によって十分な反射特性が得られない欠点があり、さらにＬＥＤの発光によって劣化するという問題がある。
また特許文献２の提案は、反射層として金属反射層を用いているため、十分な反射特性が得られるという利点を有する。しかし金属製であるため電極を有する樹脂基板上に直接形成することが出来ず、樹脂基板の電極上に絶縁層を形成し、その絶縁層の上に金属反射層を設ける必要がある。このため製造工程が複雑になり、量産性が悪くコストアップになるという問題がある。
また特許文献３の提案は、アルミナ等の反射率の高い材質の回路基板を採用しているため、反射率が良いことによる出射効率の点と、熱伝導率は良いことによる熱効率が優れている。しかし、近年ＬＥＤ発光装置の小型薄型化の要望から、アルミナ等の反射率の高い材質の回路基板材料を薄型していく必要が生じている。
この要望に沿って回路基板３０２を薄型化した構成を図１８に示す。図１８は図１７の示すＬＥＤ発光装置３００の回路基板３０２を数分の１に薄型化した構成であるが、この結果アルミナ基板が半透明状態となって、反射率が低下してしまった。そのため、図１７の構成では回路基板３０２のアルミナ基板面で反射されて出射していくＰ６、アルミナ基板内に入射するがアルミナ基板の高い反射率によって屈折を繰り返して上方に出射していくＰ５等が、全てアルミナ基板を通過してしまい、その１部は出力電極３０２ｂによる反射よって上方に戻っていくが、ほとんどの出射光Ｐ５はアルミナ基板の裏面側から漏洩してしまう結果となり、高い出射効率が得られないという問題が発生した。
本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり反射率の高いアルミナ等の基板材料からなる基板を採用しながら、薄型化と同時に高い出射効率が得られる半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため本願発明においては、回路基板上に発光素子を実装した半導体発光装置において、前記回路基板は半透明性基板の上面側に設けた配線電極と裏面側に設けた出力電極とを備え、前記回路基板上の配線電極に前記半導体発光素子を実装するとともに、前記回路基板の裏面側の略全面に反射層を設け、前記反射層は金属製の不連続蒸着膜で構成された、金属性光沢を有する絶縁性反射層であることを特徴とする。
上記構成によれば、アルミナ基板等の反射率の高い材料の基板を、半透明性になるくらいに薄型化しても、十分に高い出射効率が得られ、また放熱特性の優れた半導体発光装置を提供することが可能となった。
不連続蒸着膜を錫のような反射率の高い金属で形成することによって、反射層形成面に複数の分離した出力電極等の導電層があっても、不連続蒸着膜が横方向に絶縁していることからこれらの導電層同士が短絡することはないので、導電層とは無関係に反射層を形成することができる。
本発明における半導体発光装置の製造方法は、大判の集合回路基板に多数の回路基板を形成する工程と、前記集合回路基板に形成された多数の回路基板の裏面上に金属製の不連続蒸着膜を形成する工程と、前記各回路基板に半導体発光素子を実装する工程と、各半導体発光素子を樹脂コートする工程と、前記半導体発光素子が実装された回路基板を切断分離する工程とを有することを特徴とする。
上記の如く、回路基板の裏面上に金属製の不連続蒸着膜を形成する工程では、大判の集合回路基板における、出力電極の形成面に一括して反射層を形成することができる。
また、本発明における半導体発光装置の製造方法は、大判の集合回路基板に多数の回路基板を形成する工程と、前記各回路基板の裏面側に形成された出力電極部分にレジスト膜を形成する工程と、前記集合回路基板の裏面全体に誘電体多層膜を形成する工程と、前記レジスト膜によるリフトオフにて前記出力電極部分を露出させる工程と、前記各回路基板に半導体発光素子を実装する工程と、各半導体発光素子を樹脂コートする工程と、前記半導体発光素子が実装された回路基板を切断分離する工程とを有することを特徴とする。
上記の如く本発明によれば、アルミナ基板等の反射率の高い材料からなる基板を、半透明性になるくらいに薄型化しても、十分に高い出射効率が得られ、また放熱特性の優れた半導体発光装置を提供することが可能となる。
本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 図１に示すＬＥＤ発光装置の回路基板における裏面側の平面図である。 図１に示すＬＥＤ発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態における複数のＬＥＤを実装した集合回路基板の平面図である。 図４に示すＬＥＤを実装した後に樹脂コートを形成した集合回路基板の平面図である。 本発明の第１実施形態における集合回路基板の裏面側の平面図である。 図６に示す集合回路基板の裏面側に不連続蒸着膜を形成した状態を示す平面図である。 回路基板に不連続蒸着膜を形成している状態を示す真空装置の斜視図である。 不連続蒸着膜が形成された回路基板の部分拡大断面図である。 本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 図１０に示すＬＥＤ発光装置の回路基板における裏面側の平面図である。 本発明の第２実施形態における集合回路基板の裏面側の平面図である。 図１２に示す集合回路基板に誘電体多層膜を形成した裏面側の平面図である。 図１３に示す集合回路基板からレジスト膜を除去した裏面側の平面図である 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１から図３は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置を示すものであり、図１はＬＥＤ発光装置の断面図、図２は図１に示すＬＥＤ発光装置の裏面側の平面図、図３は図１に示すＬＥＤ発光装置の製造工程を示す断面図である。
図１においてＬＥＤ発光装置１０を構成する回路基板２には、上面側の配線電極２ａ、裏面側の出力電極２ｂ、上面の配線電極２ａと裏面側の出力電極２ｂとを接続するスルーホール電極２ｃが設けられており、さらに回路基板２の裏面側には出力電極２ｂの形成領域を含む全面に絶縁反射層として、金属製の不連膜蒸着膜６が形成されている。なお後述する如くこの金属製の不連続蒸着膜６は面の縦方向には導電性を示すが、面の横方向には導電性を示さず、絶縁層として形成されており、しかも光学的には金属光沢を有する金属性反射層として機能する。
回路基板２の上面側にはＬＥＤ３がバンプ電極３ａにより配線電極２ａにフリップチップ実装されている。上記フリップチップ実装の条件としては、ＬＥＤ３のバンプ電極３ａをＡｕバンプとし、バンプ電極３ａと配線電極２ａとの接続はＡｕ―Ｓｎの共晶接合によって行うことができる。さらに回路基板２の上面側を透明樹脂または蛍光粒子８の混入樹脂による樹脂コート５を設けることにより、ＬＥＤ発光装置１０が完成する。
図２は図１に示すＬＥＤ発光装置１０の裏面側の平面図であり、回路基板２の裏面側は全面が不連続蒸着膜６により、金属光沢を有する絶縁反射層が形成されている。なお、点線で出力電極２ｂの位置を示している。またＬＥＤ発光装置１０を出力電極２ｂにより外部回路基板等に実装する場合には、前述の如く不連続蒸着膜６は回路基板２の裏面において横方向には絶縁性を示し、縦方向には導電性を有しているため出力電極２ｂを不連続蒸着膜６を介して外部回路基板等に直接実装することができる。
次にＬＥＤ発光装置１０の動作を説明する。上記構成を有するＬＥＤ発光装置１０の出射光動作は、基本的に図１７，図１８に示すＬＥＤ発光装置３００の出射光動作とおなじであり、同一出射光には同一記号を付し、重複する説明を省略する。
すなわち、主出射光Ｐ、直接斜め上方に出射されるＰ１光、側面から出射されて配線電極２ａにて反射されて出射していくＰ３、回路基板３０２のアルミナ基板面で反射されて出射していくＰ６（図示せず）等は同じ出射光となる。
しかし、ＬＥＤ発光装置１０とＬＥＤ発光装置３００の異なる部分は、ＬＥＤ発光装置３００では図１８に示すごとく薄型化されたアルミナ基板内に入射して回路基板２の裏面側から漏洩して損失となっていた損失光Ｐ５が、ＬＥＤ発光装置１０では回路基板２の裏面側の全面に形成された、金属光沢を有する絶縁反射層である不連続蒸着膜６によって反射され、全て出射光Ｐ４として有効に出射されていく。また、ＬＥＤ発光装置１０では樹脂コート５に蛍光粒子８を混入しているため、蛍光粒子８に衝突して波長変換された出射光Ｐ８も出射される。
上記の如く、ＬＥＤ１０からの出射光の内の、半透明化された回路基板２を通過して漏洩していた漏洩光が、回路基板の裏面側に形成された不連続蒸着膜６により上方に反射されるものとなる。従って回路基板２を漏洩していた損失分がなく、ＬＥＤ３からの出射光はほぼ全てが上方に向かって出射されるので、ＬＥＤ発光装置としての発光効率が高くなり、光量の増加が行われる。
次にＬＥＤ発光装置１０の製造方法に付いて説明する。
図３はＬＥＤ発光装置１０の製造工程を示す断面図であり、（Ａ）は回路基板２の断面図であり、半透明化状態まで薄型化されたアルミナ基板である回路基板２の上面には配線電極２ａ、裏面には出力電極２ｂ、上面と裏面の間には配線電極２ａと出力電極２ｂとを接続するスルーホール電極２ｃが設けられている。（Ｂ）は不連続蒸着膜６を形成した回路基板２の断面図であり、回路基板２の裏面側には接続電極２ｂの上面を含む全面に絶縁反射層としての不連続蒸着膜６が形成されている。（Ｃ）はＬＥＤ３を実装した回路基板２の断面図であり、ＬＥＤ３はバンプ電極３ａにより配線電極２ａにフリップチップ実装されている。なお、ＬＥＤ３のバンプ電極３ａは配線電極２ａにＡｕ―Ｓｎの共晶接合によってフリップチップ実装されている。（Ｄ）はＬＥＤ発光装置１０の完成状態の断面図であり、樹脂コート５を設けることで図１に示すＬＥＤ発光装置１０が完成する。
次にＬＥＤ発光装置１０の集合基板方式による製造方法を説明する。
図４から図７はＬＥＤ発光装置１０の集合基板方式による製造工程を示しており、図４は複数のＬＥＤ３を実装した集合回路基板２Ｌの平面図、図５は図４に示すＬＥＤ３を実装した後に樹脂コート５を形成した集合回路基板２Ｌの平面図、図６は集合回路基板２Ｌの裏面側の平面図、図７は不連続蒸着膜６を形成した集合回路基板２Ｌの裏面側の平面図である。
図４は大判の回路基板材である集合回路基板２Ｌに複数の回路基板２を形成しており、切断線Ｓで示す点線で囲われた範囲が各回路基板２に対応している。そして各回路基板２には、上面側に示す配線電極２ａに対して、図面には現れていないが、図１に示すように裏面側には出力電極２ｂ、上面の配線電極２ａと裏面側の出力電極２ｂとを接続するスルーホール電極２ｃが設けられている。
そして各回路基板２の上面側に示す配線電極２ａに対し複数のＬＥＤ３がフリップチップ実装されている。
図５は図４に示す集合回路基板２Ｌの全面に蛍光粒子が混入された樹脂コート５を形成した状態を示しており、梨地模様で示す樹脂コート５の下側に配線電極２ａとＬＥＤ３を点線で示している。
図６、図７は集合回路基板２Ｌの裏面側の平面図であり、図６は各回路基板２に出力電極２ｂが設けられた状態を示し、図７は集合回路基板２Ｌの裏面側全面に斜線で示す如く不連続蒸着膜６が形成されている。
図４から図７の処理を行った集合回路基板２Ｌを切断線Ｓで切断分離することによって、図１に示すＬＥＤ発光装置１０を量産することができる。
次に不連続蒸着膜６の形成方法に付いて説明する。
図８は回路基板２に不連続蒸着膜６を形成している状態を示す真空装置５０の斜視図であり模式的に示している（真空装置内の要素を実線で表示）。図８において真空装置５０の内部に図６に示す複数の回路基板２を有する集合回路基板２Ｌを、裏面側に向けて複数枚セットする。また加熱装置に蒸着材料の金属をセットした蒸着源６０もセットし、この状態から排気孔７０より排気を行って真空装置５０内部を所定の真空度まで引く。この状態において蒸着源６０を加熱することにより蒸着材料の金属を蒸気化し、集合回路基板２Ｌの裏面側に不連続蒸着膜６を形成する。
図９は不連続蒸着膜６が形成された回路基板２の部分拡大断面図であり、回路基板２の出力電極２ｂを含む全面に不連続蒸着膜６が形成された状態を示している。金属による不連続蒸着膜６の形成は、金属の蒸着膜の形成と基本的に同じ方法で作成されている。すなわち金属の蒸着膜の形成方法は、成膜の初期段階にいては蒸着物質（金属）６ａが蒸着面（回路基板２及び出力電極２ｂ）に対して島状に付着し、横方向には導電性を示さない構成となっている。この状態からさらに蒸着を続けるとやがて蒸着物質６ａどうしが接触して横方向には導電性を示す完成成膜状態となる。
本願発明でいう不連続蒸着膜６とは、金属の蒸着膜の形成方法において、成膜の初期段階における蒸着物質６ａが蒸着面に対して島状に付着した状態のことをいい、図９に示す如く蒸着物質６ａが近接して存在し、かつ横方向には導電性を示さない状態，すなわち蒸着物質６ａ間に僅かな間隙Ｈを有する状態まで蒸着を促進して終了することにより、金属性光沢を有する絶縁性反射層を形成することができる。なお、アルミニュウム等は蒸着の初期段階から横方向に導通しやすいので不連続蒸着膜になり易い金属材料を選択する必要があり、本実施形態においては蒸着物質６ａの金属として錫を用いることにより、十分な金属性光沢を有する絶縁性反射層を形成することができた。
（第２実施形態）
次に本願発明における第２実施形態のＬＥＤ発光装置について説明する。
図１０は本願発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図、図１１は図１０に示すＬＥＤ発光装置の裏面側を示す平面図である。図１０に示すＬＥＤ発光装置２０の基本的構成は図１に示す第１実施形態のＬＥＤ発光装置１０と同じであり、同一部材には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
ＬＥＤ発光装置２０がＬＥＤ発光装置１０と異なるところは、回路基板の裏面側に設けた反射層の構成であり、ＬＥＤ発光装置１０では回路基板の裏面側に形成された反射層が出力電極２ｂを含む全面に形成された金属性の不連続蒸着膜６であったのに対し、ＬＥＤ発光装置２０では回路基板の裏面側に形成された反射層が出力電極２ｂ以外の部分の全面に形成された誘電体多層膜７となっていることである。この理由は誘電体多層膜７は金属性光沢を有する反射層ではあるが絶縁性被膜であるため、ＬＥＤ発光装置１０の不連続蒸着膜６のように全面に形成すると、出力電極２ｂの接続が行われなくなるからである。従って図１１に示す如く回路基板２の裏面側は出力電極２ｂ以外の全面に誘電体多層膜７が形成されている。
次にＬＥＤ発光装置２０の集合基板方式による製造方法を説明する。
ＬＥＤ発光装置２０の集合基板方式による製造方法は、第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置１０の集合基板方式による製造方法と基本的に同じであり、異なる部分として回路基板の裏面側に対する反射層の形成方法のみである。従って回路基板２の上面側の工程は、図４、図５に示すＬＥＤ発光装置１０と同じなので、省略し、回路基板２の裏面側の絶縁反射層の形成方法だけを図１２〜図１４で説明する。
図１２〜図１３はいずれも集合回路基板２Ｌの裏面側を示す平面図であり、図１２は第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置１０の図６に示す構成と同様であるが、異なる部分は各出力電極２ｂの部分がレジスト膜９によって被覆されていることである。図１３は図１２に示す集合回路基板２Ｌの全面に誘電体多層膜７を形成した状態を示す。図１４は図１３に示す集合回路基板２Ｌからレジスト膜９を剥離した状態を示し、回路基板２における出力電極２ｂの部分の誘電体多層膜７が除去されることによって、図１１で説明した回路基板２の裏面側の反射面が形成される。
また、切断線Ｓに従って各ＬＥＤ発光装置２０を切断分離する工程は、第１実施形態と同じである。
本発明における回路基板裏面への反射層の形成は、各実施形態に示した金属性の不連続蒸着膜や、誘電体多層膜以外にも、反射性のセラミックインクを第２実施形態の誘電体多層膜と同様に出力電極以外の部分に塗布する等、いろいろな反射層を用いることができる。
また、図示は省略したが金属性の不連続蒸着膜６や、誘電体多層膜７を回路基板２の裏面に反射層として直接形成し、その反射層上に出力電極２ｂを形成し、スルーホール電極２ｃにより配線電極２ａと接続しても良い。この場合、出力電極２ｂとしては反射率の低い材料（例えば金）を使用しても、回路基板の裏面の反射率は高い状態で維持できる。反射層に誘電体多層膜を用いるときは、回路基板の裏面に誘電体多層膜を形成してからスルーホール電極２ｃを形成する。反射層に不連続蒸着膜を使用するときは、不連続蒸着膜の形成工程とスルーホール電極２ｃの形成工程はどちらを先にしても良い。
配線電極２ａと出力電極２ｂを接続するのに、スルーホール電極２ｃの代わりに回路基板２の外縁に沿って接続用の電極を形成しても良い。基板材料はアルミナのような無機物ばかりでなく、基板が厚いうちは白色で反射特性の良好なＢＴレジン（三菱ガス化学の商標名であり、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂）などの樹脂であっても良い。
上記の如く本願発明における金属性光沢を有する絶縁反射層の形成は、不連続蒸着膜６や、誘電体多層膜７のいずれにおいても、集合回路基板２Ｌの状態で裏面側の全面に形成することによって量産性が良くなり、コストダウンが可能となる。特に不連続蒸着膜６の場合には、出力電極２ｂの部分にレジスト膜９を形成する必要が無いので、加工工程の削減によるコストダウン効果が大きい。またＬＥＤの電極面を回路基板に向け、ＬＥＤのバンプ電極と回路基板の配線電極とを接続させるフリップチップ実装方式には特に有利だが、これに限定されず、ＬＥＤのバンプ電極と回路基板の配線電極とをワイヤーにより接続させるワイヤーボンディング方式にも本発明を適用できることは当然である。
２、３０２ 回路基板
２ａ、１０２ａ、２０２ａ、３０２ａ 配線電極
２ｂ、１０２ｂ、２０２ｂ、３０２ｂ 出力電極
２ｃ、１０２ｃ、２０２ｃ、３０２ｃ スルーホール電極
２Ｌ 集合回路基板
３、１０３，２０３、３０３ ＬＥＤ
３ａ、３０３ａ バンプ電極
５ 樹脂コート
６ 不連続蒸着膜
６ａ 蒸着物質
１０、２０，１００、２００、３００ ＬＥＤ発光装置
７ 誘電体多層膜
８ 蛍光粒子
９ レジスト膜
５０ 真空装置
６０ 蒸着源
７０ 排気孔
１０２、２０２、 樹脂基板
１０４、２０４ ワイヤー
１０５、２０５、３０５ 透明樹脂
１０６ 白色反射膜
２０７ 絶縁層
２０８ 金属反射層

Claims (4)

  1. 回路基板上に発光素子を実装した半導体発光装置において、前記回路基板は半透明性基板の上面側に設けた配線電極と裏面側に設けた出力電極とを備え、前記回路基板上の配線電極に前記半導体発光素子を実装するとともに、前記回路基板の裏面側の略全面に反射層を設け、前記反射層は金属製の不連続蒸着膜で構成された、金属性光沢を有する絶縁性反射層であることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記不連続蒸着膜を形成する金属が錫である請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 大判の集合回路基板に多数の回路基板を形成する工程と、前記集合回路基板に形成された多数の回路基板の裏面上に金属製の不連続蒸着膜を形成する工程と、前記回路基板に半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子を樹脂コートする工程と、前記半導体発光素子が実装された回路基板を切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  4. 大判の集合回路基板に多数の回路基板を形成する工程と、前記集合回路基板の裏面側に形成された出力電極部分にレジスト膜を形成する工程と、前記集合回路基板の裏面全体に誘電体多層膜を形成する工程と、前記レジスト膜によるリフトオフにて前記出力電極部分を露出させる工程と、前記回路基板に半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子を樹脂コートする工程と、前記半導体発光素子が実装された回路基板を切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
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