JP2010016261A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 基板上に、少なくとも、第一ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、活性層および第二ｎ型窒化物半導体層を前記基板側からこの順に備え
   前記基板または前記第一ｎ型窒化物半導体層は、第一電極と接し、
   前記第二ｎ型窒化物半導体層は、第二電極と接し、
   前記第一電極は、アノード電極であり、
   前記第二電極は、カソード電極であり、
   前記第二ｎ型窒化物半導体層に対し前記活性層とは反対側に、導電性酸化物層を備える、窒化物半導体レーザ素子。
2. 前記基板または前記第一ｎ型窒化物半導体層は、第一電極と接し、
   前記導電性酸化物層は、第二電極と接し、
   前記第一電極は、アノード電極であり、
   前記第二電極は、カソード電極である、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
3. 前記活性層は、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮからなる井戸層を含み、
   前記井戸層のＩｎ組成ｘは、０．１５以上０．３０以下である、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。