JP2012129234A5

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Info

Publication number: JP2012129234A5
Application number: JP2010276839A
Authority: JP
Filing date: 2010-12-13
Publication date: 2012-08-16
Anticipated expiration: 2030-12-13

Claims

放出光を放出可能な発光層と、
第１の面と第２の面とを有する第１導電形の電流拡散層であって、前記第１の面の側には前記発光層が配置され、前記第２の面には、凸部を有する光取り出し面と、結晶成長面を表面とする平坦面と、が設けられた電流拡散層と、
前記平坦面に設けられたパッド電極と、
を備え、
前記発光層と前記電流拡散層とは、ともにＩｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるか、ともにＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）からなるか、ともにＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなるかのいずれかであり、
前記結晶成長面は、{１００}面から１０度以上、２０度以下の範囲で結晶方位が傾斜し、
前記凸部の一方の底角は、９０度以上であり、
前記凸部の他方の底角は、３５度以上、４５度以下であることを特徴とする半導体発光素子。
放出光を放出可能な発光層と、
第１の面と第２の面とを有する第１導電形の電流拡散層であって、前記第１の面の側には前記発光層が配置され、前記第２の面には、凸部を有する光取り出し面と、結晶成長面を表面とする平坦面と、が設けられた電流拡散層と、
前記平坦面に設けられたパッド電極と、
を備え、
前記凸部の一方の底角は、９０度以上であることを特徴とする半導体発光素子。
前記凸部の他方の底角は、３５度以上、４５度以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。
放出光を放出可能な発光層と、
第１の面と第２の面とを有する第１導電形の電流拡散層であって、前記第１の面の側には前記発光層が配置され、前記第２の面には、柱部と、前記柱部の上に設けられた凸部と、前記柱部のまわりに設けられた底部と、が設けられた光取り出し面と、結晶成長面を表面とする平坦面と、が形成された電流拡散層と、
前記平坦面に設けられたパッド電極と、
を備え、
前記凸部の底面の少なくとも一部は、前記柱部の側壁からはみ出したことを特徴とする半導体発光素子。
前記凸部の一方の底角は、９０度以上であることを特徴とする請求項４記載の発光素子。
前記結晶成長面は、{１００}面から１０度以上、２０度以下の範囲で結晶方位が傾斜したことを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
前記発光層と前記電流拡散層とは、III族元素およびＶ族元素からなる化合物半導体積層体を構成し、
前記化合物半導体積層体は、Ｉｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）、およびＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）、のいずれかからなることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
前記結晶成長面は、｛１００｝面から（１１１）III族面、または（１１１）V族面に傾斜したことを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子。