JP2017028287A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2017028287A5
JP2017028287A5 JP2016143919A JP2016143919A JP2017028287A5 JP 2017028287 A5 JP2017028287 A5 JP 2017028287A5 JP 2016143919 A JP2016143919 A JP 2016143919A JP 2016143919 A JP2016143919 A JP 2016143919A JP 2017028287 A5 JP2017028287 A5 JP 2017028287A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
active layer
emitting device
light emitting
layer
semiconductor structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016143919A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017028287A (ja
JP6925107B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/808,295 external-priority patent/US9825088B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2017028287A publication Critical patent/JP2017028287A/ja
Publication of JP2017028287A5 publication Critical patent/JP2017028287A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6925107B2 publication Critical patent/JP6925107B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (10)

  1. 発光素子であって、
    キャリア；
    前記キャリアに位置し、且つ第一活性層を含む第一半導体構造；
    前記キャリアと前記第一半導体構造との間に位置し、且つ第二活性層を含む第二半導体構造；及び
    前記第一半導体構造と前記第二半導体構造との間に位置するトンネル接合を含み、
    操作時に、前記第一活性層は、第一主波長を有する第一光線を発し、且つ前記第二活性層は、発光しない、発光素子。
  2. 請求項1に記載の発光素子であって、
    前記第一活性層は、第一多重量子井戸構造を含み、前記第二活性層は、第二多重量子井戸構造を含む、発光素子。
  3. 請求項1又は2に記載の発光素子であって、
    前記第一半導体構造は、第一n型半導体層及び第一p型半導体層を含み、且つ前記第一活性層は、前記第一n型半導体層と前記第一p型半導体層との間に位置し、前記第二半導体構造は、第二n型半導体層及び第二p型半導体層を含み、且つ前記第二活性層は、前記第二n型半導体層と前記第二p型半導体層との間に位置する、発光素子。
  4. 請求項1〜3のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
    前記第一半導体構造に位置する第一頂部電極と、前記キャリアに位置する底部電極と、前記第二半導体構造に位置する第二頂部電極と、を更に含む、発光素子。
  5. 請求項1〜4のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
    前記第二半導体構造の上表面に位置する接触電極と、前記第二半導体構造の側表面に位置するブリッジ電極と、を更に含む、発光素子。
  6. 請求項1〜5のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
    前記第二半導体構造の抵抗は、200オーム以下である、発光素子。
  7. 請求項1〜6のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
    前記第一活性層は、In x Ga y Al (1-x-y) Asを含み、0≦x且つy≦1であり、前記第二活性層は、In a Ga b Al (1-a-b) Pを含み、0≦a且つb≦1である、発光素子。
  8. 発光素子であって、
    キャリア；
    前記キャリアに位置する第一活性層；
    前記キャリアと前記第一活性層との間に位置する第二活性層；
    前記第一活性層と前記第二活性層との間に位置する反射層；
    前記反射層と前記第二活性層との間に位置し、且つ側表面を有する半導体層；及び
    前記側表面を覆うブリッジ電極を含む、発光素子。
  9. 請求項8に記載の発光素子であって、
    前記反射層は、ブラッグ反射(DBR)構造を含む、発光素子。
  10. 請求項8又は9に記載の発光素子であって、
    前記キャリアと前記第二活性層との間に位置する接着層を更に含む、発光素子。
JP2016143919A 2015-07-24 2016-07-22 発光装置及びその製造方法 Active JP6925107B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/808,295 US9825088B2 (en) 2015-07-24 2015-07-24 Light-emitting device and manufacturing method thereof
US14/808,295 2015-07-24

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017028287A JP2017028287A (ja) 2017-02-02
JP2017028287A5 true JP2017028287A5 (ja) 2019-08-29
JP6925107B2 JP6925107B2 (ja) 2021-08-25

Family

ID=57836230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016143919A Active JP6925107B2 (ja) 2015-07-24 2016-07-22 発光装置及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9825088B2 (ja)
JP (1) JP6925107B2 (ja)
KR (1) KR20170012146A (ja)
CN (2) CN106374018B (ja)
DE (1) DE102016111923A1 (ja)
TW (1) TWI736544B (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016112502A1 (de) * 2016-07-07 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode und Verfahren zu deren Herstellung
CN107068811B (zh) * 2017-03-15 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置
KR101931798B1 (ko) * 2017-09-19 2018-12-21 주식회사 썬다이오드코리아 다중 터널 정션 구조를 가지는 발광 다이오드
US10804429B2 (en) * 2017-12-22 2020-10-13 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication
CN108417675B (zh) * 2018-03-27 2020-11-03 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法
TWI672466B (zh) * 2018-04-11 2019-09-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 微型發光二極體顯示器及其製作方法
KR102592696B1 (ko) * 2018-06-05 2023-10-24 삼성전자주식회사 다파장 광원 장치, 이를 포함하는 다기능 프로젝터 및 다기능 프로젝터를 포함하는 전자 장치
TWI806793B (zh) * 2018-08-28 2023-06-21 晶元光電股份有限公司 半導體裝置
TWI785106B (zh) * 2018-08-28 2022-12-01 晶元光電股份有限公司 半導體裝置
US11621253B2 (en) * 2018-11-02 2023-04-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
TWI794380B (zh) * 2018-12-24 2023-03-01 晶元光電股份有限公司 半導體元件
JP7323783B2 (ja) 2019-07-19 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
GB2586580B (en) * 2019-08-06 2022-01-12 Plessey Semiconductors Ltd LED array and method of forming a LED array
US10879217B1 (en) * 2019-09-11 2020-12-29 Jade Bird Display (shanghai) Limited Multi-color LED pixel unit and micro-LED display panel
US11362133B2 (en) * 2019-09-11 2022-06-14 Jade Bird Display (shanghai) Limited Multi-color LED pixel unit and micro-LED display panel
US10930814B1 (en) * 2019-09-11 2021-02-23 Jade Bird Display (shanghai) Limited Method of manufacturing multi-color light emitting pixel unit
CN110767670B (zh) * 2019-10-31 2022-11-15 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
US11264530B2 (en) 2019-12-19 2022-03-01 Lumileds Llc Light emitting diode (LED) devices with nucleation layer
US11211527B2 (en) 2019-12-19 2021-12-28 Lumileds Llc Light emitting diode (LED) devices with high density textures
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
EP4082043A1 (en) * 2019-12-23 2022-11-02 Lumileds LLC Iii-nitride multi-wavelength led array
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
CN115152017A (zh) 2020-02-10 2022-10-04 谷歌有限责任公司 显示器件及相关联的方法
KR20210106054A (ko) * 2020-02-19 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 표시 장치
KR20220162161A (ko) * 2020-03-30 2022-12-07 제이드 버드 디스플레이(상하이) 리미티드 적층 본딩 구조물들이 있는 다색 led를 위한 시스템들 및 방법들
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
JP7333504B2 (ja) 2020-11-16 2023-08-25 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN112820805A (zh) * 2021-02-19 2021-05-18 福建兆元光电有限公司 一种芯片外延层结构及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188456A (ja) * 1992-12-18 1994-07-08 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP3691202B2 (ja) * 1997-03-13 2005-09-07 ローム株式会社 半導体発光素子
US5999553A (en) * 1997-11-25 1999-12-07 Xerox Corporation Monolithic red/ir side by side laser fabricated from a stacked dual laser structure by ion implantation channel
US6803604B2 (en) * 2001-03-13 2004-10-12 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device
WO2007037617A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes
DE102006046038A1 (de) * 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
TW200849548A (en) * 2007-06-05 2008-12-16 Lite On Technology Corp Light emitting element, manufacturing method thereof and light emitting module using the same
US8058663B2 (en) * 2007-09-26 2011-11-15 Iii-N Technology, Inc. Micro-emitter array based full-color micro-display
JP4656183B2 (ja) * 2008-05-14 2011-03-23 ソニー株式会社 半導体発光素子
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR101114782B1 (ko) * 2009-12-10 2012-02-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
CN102117771B (zh) * 2009-12-31 2013-05-08 比亚迪股份有限公司 一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法
US9263636B2 (en) * 2011-05-04 2016-02-16 Cree, Inc. Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
US9070613B2 (en) * 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR101978632B1 (ko) * 2011-12-15 2019-09-03 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN202616281U (zh) * 2012-05-25 2012-12-19 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管
CN102664224A (zh) * 2012-05-25 2012-09-12 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管
CN103779450A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 甘志银 增大led发光功率的集成方法
JP2014179427A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 赤外線発光素子及びガスセンサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017028287A5 (ja)
TWI463699B (zh) Semiconductor light emitting element
JP3175270U7 (ja)
JP2013219357A5 (ja)
US20150179885A1 (en) Light emitting chip
US7671377B2 (en) Silicon based light emitting diode
JP2014239247A5 (ja)
JP2013058729A5 (ja)
JP2017163140A5 (ja)
JP2013187332A5 (ja)
JP2011249807A5 (ja)
JP2016127289A5 (ja)
JP2012525690A5 (ja)
WO2019067182A3 (en) Mesa shaped micro light emitting diode with bottom n-contact
JP2013084878A5 (ja)
JP6217528B2 (ja) 発光素子
JP2017199669A5 (ja)
JP2014150257A5 (ja)
JP2018139298A5 (ja)
JP2012129234A5 (ja)
JP2013125968A5 (ja)
JP2015050461A5 (ja)
JP2013123057A5 (ja)
JP2015065161A5 (ja)
JP2017054942A5 (ja)