TWI806793B - 半導體裝置 - Google Patents

Abstract

一半導體擷取結構包含一承載體具有一表面，一支撐元件位於表面上， 一半導體疊層位於表面上且具有一側表面，以及一橋接層具有一第一部份與支撐元件連接、一第二部份、及一第三部份連接半導體疊層。第二部份自第三部份向該第一部份延伸並超出側表面。

Description

半導體裝置

本發明關於一種包含發光二極體的半導體裝置，特別是關於一種用於轉移發光二極體的半導體裝置。

發光二極體(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、顯示屏及照明燈具等。

發光二極體屬於一種單色光(monochromatic light)，因此很適合做為顯示器中的像素(pixel)，例如可作為戶外或戶內顯示屏的像素。然，提高顯示器的解析度是目前技術發展趨勢之一。為了提高解析度，勢必要將更多做為像素的LED轉移到目標基板上，如此將衍伸出許多待克服的技術問題。

一半導體擷取結構包含一承載體具有一表面，一支撐元件位於表面上，一半導體疊層位於表面上且具有一側表面，以及一橋接層具有一第一 部份與支撐元件連接、一第二部份、及一第三部份連接半導體疊層。第二部份自第三部份向該第一部份延伸並超出側表面。

一種半導體裝置，包含承載體、半導體疊層、支撐元件以及橋接層。半導體疊層位於承載體上。支撐元件位於承載體上且具有一側壁。橋接層具有第一部份、第二部份與第三部份。第一部份與支撐元件直接連接，第二部份與第一部份連接，第三部份與第二部份及半導體疊層連接。橋接層的第二部份及第三部份懸空於承載體上，且橋接層的第一部份直接接觸支撐元件的側壁。

一種半導體裝置，包含承載體、半導體疊層、支撐元件以及橋接層。半導體疊層位於承載體上。支撐元件位於承載體上且與半導體疊層相隔一距離。橋接層具有第一部份、第二部份與第三部份。第一部份與支撐元件直接連接，第二部份與第一部份連接，第三部份與第二部份及半導體疊層連接。橋接層的第二部份懸空於承載體上，且橋接層的材料包含氧化物或氮化物。

1:承載體

1E:成長基板

10:半導體擷取結構

100:半導體裝置

2:半導體發光元件

2S:側表面

2E:半導體磊晶疊層

33:第三部份

4、4’:支撐元件

41、41’:第一部分

42、42’:第二部分

43:第一區

44:第二區

4S1:上側壁

21:第一半導體層

22:主動層

23:第二半導體層

2a:第一電極

2b:第二電極

231:出光表面

3:橋接層

3E:第一層

3U:下表面

3S:表面

31、31’:第一部份

32:第二部份

32’:第二部份殘留部

4S2:下側壁

4S:側壁

5:犧牲層

51:上表面

52:下表面

6:黏結結構

6S:表面

8:孔洞

T:厚度

A:區域

L1、L2、L3:長度

W1、W2、W3:寬度

第1圖繪示一半導體擷取結構的上視圖；第2A圖繪示第1圖中區域A中半導體裝置之結構立體示意圖；第2B圖繪示第2A圖之半導體裝置之側面示意圖；第2C圖繪示橋接層與半導體發光元件的上視圖；第3圖繪示一發光單元之結構立體示意圖；第4A圖繪示一半導體裝置之結構立體示意圖；第4B圖繪示第4A圖之半導體裝置之側面示意圖； 第5A~5D圖繪示第2A圖之半導體裝置及第4A圖之半導體裝置的製程流程立體示意圖；第6A圖繪示一半導體裝置之結構示意圖；第6B圖繪示第6A圖之半導體裝置之側面示意圖；第7圖繪示半導體裝置中支撐元件與橋接層之立體示意圖；第8A圖繪示一半導體裝置之結構示意圖；第8B圖繪示第8A圖之半導體裝置之側面示意圖；第9A~9C圖繪示第6A圖之半導體裝置及第8A圖之半導體裝置的製程流程立體示意圖；第10A~10C圖繪示半導體裝置的上視示意圖。

本發明之實施例會被詳細地描述，並且繪製於圖式中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。

第1圖繪示一半導體擷取結構10的上視圖。第2A圖繪示第1圖中區域A中半導體裝置100之詳細結構立體示意圖。第2B圖繪示第2A圖中半導體裝置100之側面示意圖。如第1圖及第2A-2C圖所示，複數個半導體裝置100排列成一陣列且固定在承載體1。每一半導體裝置100具有相同的結構。半導體裝置100包含一黏結結構6位於承載體1上且具有一表面6S，一半導體發光元件2、一支撐元件4及一橋接層3。支撐元件4形成於半導體發光元件2之一側，且橋接層3連接半導體發光元件2與支撐元件4。支撐元件4固定於黏結結構6上且具有一第一部分41及一第二部分42位於第一部分41上。第一部分41埋在黏結結構6內以強化支撐 元件4與黏結結構6之間的附著力，第二部分42露出於表面6S外。橋接層3包含一第一部份31、一第二部份32以及一第三部份33。第一部份31位於支撐元件4上且與支撐元件的第二部分42連接，第二部份32以及第三部份33自第一部份31延伸且超出支撐元件4以外。第二部份32以及第三部份33不與表面6S直接相接且懸空於表面6S上，亦即第二部份32以及第三部份33與黏結結構6的表面6S之間沒有任何固體的支撐材料。第一部份31、第二部份32以及第三部份33以相同的材料形成並具有相同的厚度。半導體發光元件2位於第三部份33上。

承載體1用以支持位於其上之半導體發光元件2與其它疊層或結構，其材料包含但不限於金屬、氧化物、半導體、類鑽碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨(Graphite)、碳纖維(Carbon fiber)、複合材料(Matrix Composite)。承載體1的厚度至少大於200μm，以承受製造半導體裝置100過程中及後續複數個半導體發光元件2被擷取的過程中所產生的應力。半導體發光元件2擷取的過程將於後面描述。

黏結結構6覆蓋承載體1以及固定複數個排成陣列的支撐元件4。黏結結構6包含單層或疊層，具有一厚度介於1μm~10μm之間。黏結結構6的材料包含有機材料或無機材料。有機材料包含苯并環丁烯(BCB)、環烯烴聚合物(COC)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、聚醯亞胺(PI)、及過氟環丁烯(PFCB)；無機材料包含氧化物、氮化物或金屬，例如，氧化物包含氧化鋁(Al_xO)、氧化矽(SiO_x)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(ITiO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料之組合；氮化物包含氮化矽 (SiN_x)或氮化鋁(AlN_x)；金屬材料包含銦(In)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鎢(W)、銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鎳(Ni)或上述材料之合金。

在一實施例中，黏結結構6包含一第一擴散阻障層、一第二擴散阻障層以及一合金層位於第一擴散阻障層以及第二擴散阻障層之間。合金層包含銦(In)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)或鎳(Ni)。第一擴散阻障層以及第二擴散阻障層包含鈦(Ti)、鉑(Pt)、鎢(W)或上述材料之合金，用以避免於製程過程中，合金層的材料擴散至承載體1或/且支撐元件4。在另一實施例中，黏結結構6可為一透明層，此透明層可由單層或疊層所組成。

支撐元件4的材料包含金屬、氧化物或氮化物，在本實施例中，支撐元件4的材料包含金(Au)、鉻(Cr)或其金鉻(Au/Cr)之合金。支撐元件4且具有一厚度介於1μm~11μm之間。支撐元件4的第一部分41的厚度小於黏結結構6的厚度，亦即第一部分41的厚度小於1μm，露出於表面6S外的第二部分42的厚度介於1μm~10μm之間。

第2C圖顯示橋接層3與半導體發光元件2的上視圖。橋接層3的第一部份31與支撐元件4連接且兩者具有相同的形狀，第三部份3與半導體發光元件2連接且兩者也具有相同的形狀。在本實施例中，橋接層3的第一部份31與支撐元件4皆為一矩形，此矩形具有一寬度W1與長度L1，寬度W1與長度L1皆介於1μm~1mm之間，更者，寬度W1與長度L1皆介於10μm~100μm之間。如第2B圖所示，橋接層3的第二部份32與第三部份33自第一部份31向半導體發光元件2之方向延伸，半導體發光元件2與第三部份33重疊，第二部份32與第三部份33連接並超出半導體發光元件2的一側表面2S，從上視觀之，第三部份33具有寬度W3與長度L3。寬度W3可與第一部份31的寬度W1相同或不同，長度L3可與第一部份31 的長度L1相同或不同。第二部份32位於第一部份31和第三部份33之間並連接第三部份33與第一部份31。第二部份32具有一長度L2，長度L2小於第一部份31的長度L1且介於1μm~50μm之間。在本實施例中，長度L2與長度L1的比例介於0.1~0.5之間。

橋接層3的第一部份31、第二部份32以及第三部份33具有相同的厚度T，厚度T小於第二部份32的長度L2，厚度T與長度L2的比值介於0.05~1之間。橋接層3的厚度介於1μm~10μm之間。橋接層3的第二部份32的長度L2小於長度L1，且厚度T小於長度L2。

在後續的擷取製程中，施加一外力在半導體發光元件2上讓橋接層3斷裂，使得半導體發光元件2與支撐元件4分離，接著半導體發光元件2可被放置在另一載板上用以形成一顯示裝置。詳言之，當一拉力施加在半導體發光元件2上時，由於第一部份31與支撐元件4連接、第二部份32的厚度T小於長度L2且長度L2小於長度L1，第二部份32很容易斷裂使得第三部份33連同半導體發光元件2一併被取走。如第3圖所示，被擷取的半導體發光元件2、第三部份33與殘留的在第三部份33邊緣的第二部份殘留部32’形成一發光單元2’。發光單元2’後續可被放置於一載板上，例如電路板、具有TFT開關的面板及軟性基板等，以製成一顯示裝置。此外，可選擇性地透過一蝕刻步驟移除發光單元2’中的橋接層(例如：第三部份33與第二部份殘留部32’)。蝕刻步驟可於發光單元2’放置於載板後或是放置於載板前進行。

在另一實施例中，僅被擷取的半導體發光元件2及第三部份33形成一發光單元以放置於一載板上。換言之，發光單元不包含橋接層3的第二部份32。同樣地，可選擇性地透過一蝕刻步驟移除發光單元中的橋接層(例如：第三部份33)。

橋接層3的材料包含氧化物或氮化物，例如，氧化物包含氧化鋁(Al_xO)、氧化矽(SiO_x)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(InTiO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料之組合；氮化物包含氮化矽(SiNx)或氮化鋁(AlNx)。

半導體發光元件2位於橋接層3上與第三部份33連接，半導體發光元件2包含半導體疊層。半導體疊層包含一第一半導體層21位於第三部份33上，一主動層22位於第一半導體層21上，一第二半導體層23位於主動層22上，第二半導體層23及主動層22露出部份的第一半導體層21，一第一電極2a位於第一半導體層21上，及一第二電極2b位於第二半導體層23上。第一半導體層21與第二半導體層23的電性相異，用以分別提供電子及電洞在主動層22中複合(recombination)以發射光線；當第一半導體層21包含p型III-V族半導體材料時，第二半導體層23包含n型III-V族半導體材料；當第二半導體層23包含p型III-V族半導體材料時，第一半導體層21包含n型III-V族半導體材料。第一半導體層21或第二半導體層23具有摻雜物為鋅(Zn)、碳(C)或鎂(Mg)，以形成p型III-V族半導體材料。第一半導體層21或第二半導體層23具有摻雜物為矽(Si)或碲(Te)，以形成n型IIIV族半導體材料。摻雜物的摻雜濃度介於5x10¹⁶cm^-3到5x10¹⁹cm^-3之間。

在本實施例中，第一半導體層21的厚度介於0.1μm與2μm之間，較佳的是介於0.1μm與1.5μm之間；第二半導體層23的厚度介於0.1μm與2μm之間，較佳的是介於0.1μm與1.5μm之間。第一半導體層21、主動層22與第二半導體層23的厚度總和介於1μm與10μm之間，較佳的是介於1μm與5μm之間，以符合後續 應用於顯示器的顯示畫素的規格。主動層22包含複數個彼此交錯堆疊的井層(well layers)及阻障層(barrier layers)，井層與阻障層包含III-V族半導體材料。依據井層材料組成，半導體發光元件2可發出峰值波長(peak wavelength)介於700nm及1700nm的紅外光、峰值波長介於610nm及700nm之間的紅光、峰值波長介於530nm及570nm之間的黃光、峰值波長介於490nm及550nm之間的綠光、峰值波長介於400nm及490nm之間的藍光或深藍光、或是峰值波長介於250nm及400nm之間的紫外光。第二半導體層23之一出光表面231可為一粗化(roughened)表面(圖未示)以降低全反射，提升半導體發光元件2之發光效率。

第4A圖繪示一半導體裝置200之結構立體示意圖。第4B圖繪示第4A圖中半導體裝置200之側面示意圖。第4A圖僅顯示一半導體裝置200。然，複數個半導體裝置200係排列成一陣列且固定在承載體1，其上視圖可參考第1圖。半導體裝置200與半導體裝置100具有類似的結構，其差異在於一犧牲層5形成在黏結結構6及橋接層3之間。詳言之，犧牲層5具有一下表面52與黏結結構6的表面6S直接接觸，犧牲層5的上表面51與橋接層3的下表面3U直接接觸。橋接層3形成於犧牲層5上且支撐元件4的第二部分42完全的埋入在犧牲層5內。

於實際應用上，利用氣體蝕刻或濕蝕刻製程移除犧牲層5，使得橋接層3的第二部份32和第三部份33懸空於黏結結構6的表面6S上後，再進行擷取製程。犧牲層5移除後係露出黏結結構6的表面6S及支撐元件4的第二部分42，其結構可參考半導體裝置100。

由於製造半導體裝置100與擷取半導體發光元件2的製程可能會在不同的區域實施，犧牲層5可支撐位於橋接層3的第三部份33上的半導體發光元件2，避免在運送半導體裝置100的過程中，因為震動而使得第二部份32斷裂造 成半導體發光元件2脫落。犧牲層5的材料需選擇與半導體發光元件2、橋接層3、黏結結構6及承載體1不同，使得在移除犧牲層5的製程中，並維持半導體發光元件2、橋接層3、黏結結構6及承載體1不受到破壞。舉例而言，可選擇一特定的蝕刻劑(液體或氣體)來選擇性地蝕刻犧牲層5。在本實施例中，犧牲層5的材料包含矽(Si)或氧化鋅(ZnO)。蝕刻劑包含HNO₃、HF、CO₃COOH或其混和物。

第5A~5D圖繪示半導體裝置100及半導體裝置200的製程流程立體示意圖。

如第5A圖所示，提供一成長基板1E及一半導體磊晶疊層2E磊晶成長在成長基板1E上，半導體磊晶疊層2E包含一第一半導體層21、一第二半導體層23以及一主動層位於第一半導體層21及第二半導體層23之間。成長基板1E包含可用於磊晶的材料，例如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、藍寶石基板(Sapphire)、鍺(Ge)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)等。接著，在半導體磊晶疊層2E上形成一第一層3E，以及在第一層3E上形成排成陣列的複數個支撐元件4(第5A圖繪示一個支撐元件4作為例示)。第一層3E後續用以形成橋接層3，且第一層3E的材料與厚度與前述橋接層3相同。

如第5B圖所示，在第一層3E上形成犧牲層5且覆蓋支撐元件4。犧牲層5並未完全覆蓋支撐元件4，藉此支撐元件4的第二部分42埋入在犧牲層5內且支撐元件4的第一部分41未被犧牲層5所覆蓋並露出。換言之，犧牲層5的厚度小於支撐元件4的厚度且犧牲層5的厚度與支撐元件4的第二部分42的厚度相同。

如第5C圖所示，提供一承載體1在犧牲層5上，以及一黏結結構6在承載體1與犧牲層5之間。接著，進行一壓合製程，使得承載體1透過黏結結構6黏合在犧牲層5上。壓合製程包含升高溫度並施一壓力在承載體1及成長基板1E 之間並持續一段時間。根據黏結結構6的材料的熔點、合金溫度或者分子大小以調整壓合製程的壓力、溫度及時間。此外，由於支撐元件4的第一部分41並未被犧牲層5所覆蓋並露出且黏結結構6的厚度大於第一部分41的厚度，因此第一部分41會埋入在黏結結構6中。

如第5D圖所示，移除成長基板1E並翻轉第5C圖之結構。接著，進行一蝕刻製程以移除部分半導體磊晶疊層2E並露出第一層3E。最後，分別形成電極2a、2b在第一半導體層21及第二半導體層23上以得到半導體發光元件2。移除成長基板1E的方法包含研磨、雷射或蝕刻；蝕刻製程包含多次圖形化蝕刻。

針對第一層3E進行一圖形化蝕刻製程以得到一圖案化第一層並露出犧牲層5的表面51，其結構如第4A圖所示之半導體裝置200。圖案化第一層即為橋接層3。圖形化蝕刻製程包含濕蝕刻或乾蝕刻。

或者，可進一步利用氣體蝕刻或濕蝕刻製程移除犧牲層5，以形成如第2A圖所示之半導體裝置100。

第6A圖繪示一半導體裝置300之結構示意圖。第6B圖繪示第6A圖中半導體裝置300之側面示意圖。類似第2圖，第6A圖僅顯示一半導體裝置300。然，複數個半導體裝置300係排列成一陣列且固定在承載體1，其上視圖可參考第1圖。半導體裝置300與半導體裝置100具有類似的結構，其差異在於支撐元件4’與橋接層3’的第一部份31’結構。在本實施例中，支撐元件4’包含第一部分41’及第二部分42’位於第一部分41’上，第一部分41’位於黏結結構6的表面6S上並具有一側壁4S，第二部分42’位於第一部分41’上且延伸超出第一部分41’的側壁4S。橋接層3的第一部份31’圍繞支撐元件4’的第一部分41’且覆蓋側壁4S。詳言之，如第6B及7圖所示，橋接層3的第一部份31’圍繞並覆蓋第一部分41’的上側壁4S1並 與支撐元件4’的第二部分42’直接接觸。第一部分41’的下側壁4S2並未被橋接層3的第一部份31’所圍繞，藉此露出下側壁4S2。換言之，支撐元件4’的第一部分41’厚度大於橋接層3的厚度。

第8A圖繪示一半導體裝置400之結構示意圖。第8B圖繪示第8A圖中半導體裝置400之側面示意圖。類似第6圖，第8A圖僅顯示一半導體裝置400。然，複數個半導體裝置400係排列成一陣列且固定在承載體1，其上視圖可參考第1圖。半導體裝置400與半導體裝置300具有類似的結構，其差異在於一犧牲層5在黏結結構6及橋接層3之間並覆蓋露出之第一部分41’的下側壁4S2。犧牲層5的下表面與黏結結構6的上表面直接接觸，橋接層3的下表面與犧牲層5的上表面51直接接觸。於實際應用上，利用氣體蝕刻或濕蝕刻製程移除犧牲層5，使得橋接層3的第二部份32和第三部份33懸空於黏結結構6的表面6S上後，再進行擷取製程。犧牲層5移除後係露出黏結結構6的表面6S及支撐元件4’的第一部分41’，其結構可參考半導體裝置300。

由於製造半導體裝置300與擷取半導體發光元件2的製程可能會在不同的區域實施，犧牲層5可支撐位於橋接層3的第三部份33上的半導體發光元件2，避免在運送半導體裝置300的過程中，因為震動而使得第二部份32斷裂造成半導體發光元件2脫落。犧牲層5的材料需選擇與半導體發光元件2、橋接層3、黏結結構6及承載體1不同，使得在移除犧牲層5的製程中，並維持半導體發光元件2、橋接層3、黏結結構6及承載體1不受到破壞。舉例而言，可選擇一特定的蝕刻劑(液體或氣體)來選擇性地蝕刻犧牲層5。在本實施例中，犧牲層5的材料包含矽(Si)或氧化鋅(ZnO)。蝕刻劑包含HNO₃、HF、CO₃COOH或其混和物。

第9A~9C圖繪示一實施例之半導體裝置300及半導體裝置400的製程流程立體示意圖。

如第9A圖所示，提供一成長基板1E及一半導體磊晶疊層2E磊晶成長在成長基板1E上。半導體磊晶疊層2E包含一第一半導體層21、一第二半導體層23以及一主動層位於第一半導體層21及第二半導體層23之間。成長基板1E包含可用於磊晶的材料，例如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、藍寶石基板(Sapphire)、鍺(Ge)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)等。接著，在半導體磊晶疊層2E上形成一第一層3E，其中第一層3E後續用以形成橋接層3。接著，在第一層3E上形成犧牲層5。後續，再提供一承載體1在犧牲層5上，以及一黏結結構6在承載體1與犧牲層5之間。接著，進行一壓合製程，使得承載體1透過黏結結構6黏合在犧牲層5上。壓合製程包含升高溫度並施一壓力在承載體1及成長基板1E之間並持續一段時間。根據黏結結構6的材料的熔點、合金溫度或者分子大小以調整壓合製程的壓力、溫度及時間。上述成長基板1E、第一半導體層21、主動層22、第二半導體層23、第一層3E、犧牲層5、黏結結構6及承載體1的材料、成分與結構皆與前述相同。

如第9B圖所示，移除成長基板1E並翻轉第9B圖之結構。進行一蝕刻製程以移除部分半導體磊晶疊層2E並露出第一層3E。接著，分別形成電極2a、2b在第一半導體層21及第二半導體層23上以得到半導體發光元件2。移除成長基板的方法包含研磨、雷射或蝕刻。蝕刻製程包含多次圖形化蝕刻。

接著，在露出第一層3E的表面3S上，以圖形化蝕刻的方式形成複數個孔洞8(第9B圖繪示一個孔洞8作為例示)用以定義後續支撐元件4的位置。如第1圖所示之半導體擷取結構10的上視圖，每個半導體發光元件2皆會對應一個 支撐元件4，因此在此步驟中，每個孔洞8皆對應一個半導體發光元件2。在本實施例中，孔洞8穿透第一層3E及犧牲層5以露出黏結結構6的表面6S。

如第9C圖所示，形成支撐元件4’在孔洞8中。本實施例中，支撐元件4’的第一部分41’填滿孔洞8，第二部分42’覆蓋在孔洞8的上方並延伸超出孔洞8的範圍且覆蓋在部分的表面3S上。之後，再針對第一層3E進行一圖形化蝕刻製程以得到一圖案化第一層並露出犧牲層5的表面51，其結構如如第8圖所示之半導體裝置400。圖案化第一層即為橋接層3，且圖形化蝕刻的製程包含濕蝕刻或乾蝕刻。

或者，可再進一步利用氣體蝕刻或濕蝕刻製程移除犧牲層5，以形成第6圖所示之半導體裝置300。

第10A~10C圖繪示半導體裝置的上視示意圖。類似第2B圖，第10A~10C圖僅顯示一半導體裝置。然，如同第1圖，複數個半導體裝置排列成一陣列且固定在承載體1。此外，半導體發光元件2、橋接層3及支撐元件4係以方形、L型或不規則形繪製，詳細結構可參考第2A圖、第4A圖、第6A圖或第8A圖及其相關段落。橋接層3及支撐元件4的形狀及數目可依實際情況做改變。

如第10A圖所示，半導體裝置包含一半導體發光元件2、兩橋接層3及兩支撐元件4。兩支撐元件4分別位於半導體發光元件2的相對兩側且分別透過兩橋接層3與半導體發光元件2連接。

如第10B圖所示，半導體裝置包含一半導體發光元件2、三橋接層3及三支撐元件4。半導體發光元件2係為方形且具有四側。三支撐元件分別位於半導體發光元件2四側中的其中三側且分別透過三橋接層3與半導體發光元件2連接。

如第10C圖所示，半導體裝置包含一半導體發光元件2、兩橋接層3及兩支撐元件4。兩支撐元件4分別位於半導體發光元件2的相對兩對角側且分別透過兩橋接層3與半導體發光元件2連接。每一支撐元件4具有第一區43及第二區44，第一區43和第二區44共同形成為一L型形狀。第一區43係沿半導體發光元件2的寬度方向延伸，且第二區44係延半導體發光元件2的長度方向延伸。橋接層3係同時連接第一區43及第二區43。

如上所述，透過複數個支撐元件4連接至半導體發光元件2，增加支撐元件4支撐半導體發光元件2的力量，以提升半導體裝置的穩定度。

應當注意，上述提出的各種實施例是用於說明本發明，但並不限制本發明的範圍。各實施例中類似或相同的元件或在不同實施例中具有相同圖式符號的元件可具有相同的化學或物理特性。此外，不同實施例所示的元件可以在適當的情況下彼此組合或替換，在一個實施例的元件連接關係也可應用於另一個實施例中。上述各實施例可進行任何可能的修改而不脫離本發明的技術原理與精神，且均為本發明所涵蓋，並為後述之申請專利範圍所保護。

1:承載體

100:半導體裝置

2:半導體發光元件

21:第一半導體層

22:主動層

23:第二半導體層

2a:第一電極

2b:第二電極

231:出光表面

3:橋接層

31:第一部份

32:第二部份

33:第三部份

4:支撐元件

41:第一部分

42:第二部分

6:黏結結構

6S:表面

T:厚度

Claims (10)

1. 一種半導體裝置，包含：一承載體；一半導體疊層，位於該承載體上；一支撐元件，位於該承載體上且具有一側壁；以及一橋接層，具有一第一部份與該支撐元件直接連接、一第二部份與該第一部份連接、以及一第三部份與該第二部份及該半導體疊層連接，其中該橋接層的該第二部份及該第三部份懸空於該承載體上，且該橋接層的該第一部份直接接觸該支撐元件的該側壁。
2. 一種半導體裝置，包含：一承載體；一半導體疊層，位於該承載體上；一支撐元件，位於該承載體上且與該半導體疊層相隔一距離；以及一橋接層，具有一第一部份與該支撐元件直接連接、一第二部份與該第一部份連接、以及一第三部份與該第二部份及該半導體疊層連接，其中該橋接層的該第二部份懸空於該承載體上，且該橋接層的材料包含氧化物或氮化物。
3. 如請求項第1或2項所述的半導體裝置，其中該第三部份與該半導體疊層於一垂直方向上重疊。
4. 如請求項第3項所述的半導體裝置，其中該半導體疊層包含一第一半導體層、一第二半導體層以及位於該第一半導體層與該第二半導體層間的一主動層，且該主動層與該橋接層的該第一部份及該第二部份於該垂直方向上不重疊。
5. 如請求項第1項所述的半導體裝置，其中該橋接層的材料包含氧化物或氮化物。
6. 如請求項第1或2項所述的半導體裝置，更包含一第一電極，其中，該半導體疊層具有一凹槽，該第一電極位於該凹槽。
7. 如請求項第3項所述的半導體裝置，其中，該支撐元件具有一部分於一水平方向上與該第一半導體層重疊。
8. 如請求項第6項所述的半導體裝置，更包含一第二電極，其中該第一電極與該第二電極位於該半導體疊層的同一側。
9. 如請求項第1或2項所述的半導體裝置，更包含一黏結結構位於該承載體與該半導體疊層之間。
10. 一種半導體擷取結構，包含：一承載體；以及複數個半導體裝置，位於該承載體上且排列成一陣列，其中每一該半導體裝置包含：一半導體疊層，位於該承載體上；一支撐元件，位於該承載體上且具有一側壁；以及一橋接層，具有一第一部份與該支撐元件直接連接、一第二部份與該第一部份連接、以及一第三部份與該第二部份及該半導體疊層連接，其中該橋接層的該第二部份及該第三部份懸空於該承載體上，且該橋接層的該第一部份直接接觸該支撐元件的該側壁。

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