JP2009164593A5 - - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (5)
- 第１の表面と、前記第１の表面に突設され、各々の突起の周囲が前記第１の表面に囲まれている複数の突起とを備えた基板と、
前記複数の突起の上面を被覆するとともに、前記複数の上面から側方に向かって延びて互いに連接している第１のＩＩＩ族窒素化合物層と、
前記第１の表面を被覆する第２のＩＩＩ族窒素化合物層と、
を具備し、前記第２のＩＩＩ族窒素化合物層の厚さは前記突起の高さ未満であることを特徴とするＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオード。 - 前記第１のＩＩＩ族窒素化合物層上に順に設けられているＮ型半導体材料層と、アクティブ層と、Ｐ型半導体材料層とをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオード。
- 前記基板がサファイヤであり、前記第１の表面がサファイヤのＣ面であって、前記Ｃ面が（０００１）面であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオード。
- 前記複数の突起が（１１２０）、（１１２０）、（２１１０）、（２１１０）、（１２１０）および（１２１０）と平行する方向で、均等距離で配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオード。
- 第１の表面と、前記第１の表面に突設され、各々の突起の周囲が前記第１の表面に囲まれている複数の突起とを備えている基板を提供する工程と、
前記複数の突起の上面および前記第１の表面にＩＩＩ族窒素化合物を成長させる工程とを含み、
このうち前記ＩＩＩ族窒素化合物は前記複数の上面から側方に向かって延びて互いに連接しており、また前記第１の表面上の前記ＩＩＩ族窒素化合物の厚さは前記突起の高さ未満であることを特徴とするＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW096150701A TW200929602A (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Light-emitting device of III-nitride based semiconductor and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009164593A JP2009164593A (ja) | 2009-07-23 |
| JP2009164593A5 true JP2009164593A5 (ja) | 2010-07-29 |
Family
ID=40797014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008315440A Pending JP2009164593A (ja) | 2007-12-28 | 2008-12-11 | Ｉｉｉ族窒素化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090166650A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009164593A (ja) |
| TW (1) | TW200929602A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI416757B (zh) | 2008-10-13 | 2013-11-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 多波長發光二極體及其製造方法 |
| US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| JP6218728B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2017-10-25 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子構造体とその製造方法 |
| US9660140B2 (en) * | 2012-11-02 | 2017-05-23 | Riken | Ultraviolet light emitting diode and method for producing same |
| JP2015176961A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP7089176B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2022-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム膜の形成方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3471700B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2003-12-02 | 三菱電線工業株式会社 | 半導体基材 |
| KR100677683B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2007-02-05 | 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 | 반도체 기재와 그 제조 방법 및 반도체 결정의 제조 방법 |
| JP3427047B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2003-07-14 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 |
| US6812053B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-02 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures |
| JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
| JP4104305B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2008-06-18 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体チップおよび窒化物系半導体基板 |
| JP2007184503A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体部材及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-28 TW TW096150701A patent/TW200929602A/zh unknown
-
2008
- 2008-12-11 JP JP2008315440A patent/JP2009164593A/ja active Pending
- 2008-12-24 US US12/343,984 patent/US20090166650A1/en not_active Abandoned
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