JP2007273640A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、を備え、
   前記第１の電極と前記基板とが電気的に接続されている、ことを特徴とする半導体装置。
2. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、を備え、
   前記第２の電極と前記基板との間にダイオードが介設されている、ことを特徴とする半導体装置。
3. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、
   前記基板または前記窒化物系化合物半導体層の電位が前記第１及び前記第２の電極に印加される電位よりも高くなるように印加可能な電圧供給手段と、
   を備える、ことを特徴とする半導体装置。
4. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
   前記ソース電極と前記基板とが電気的に接続されている、ことを特徴とする半導体装置。
5. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
   前記ドレイン電極と前記基板との間にダイオードが介設されている、ことを特徴とする半導体装置。
6. 基板と、
   前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
   前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
   前記基板または前記窒化物系化合物半導体層の電位が前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加される電位よりも高くなるように印加可能な電圧供給手段と、
   を備える、ことを特徴とする半導体装置。
7. 前記窒化物系化合物半導体層は、ヘテロ結合を有している、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記基板は導電性基板であり、
   前記基板と前記前記窒化物系化合物半導体層との間に緩衝層が設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 前記基板の他方の主面、又は、前記基板の一方の主面上であって、前記窒化物系化合物半導体層が設けられていない露出部に設けられた導電性のフレームを、さらに備え、
   前記フレームと前記接続導体とを接続することにより、前記基板が電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。