JP2010157636A5 - - Google Patents
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- 第1導電型の基板と、
この基板上に形成された第2導電型の第1の埋め込み層と、
この第1の埋め込み層上に形成された第1導電型の第2の埋め込み層と、
この第2の埋め込み層上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記第2の埋め込み層上に形成され前記エピタキシャル層を囲む第1導電型の第1の拡散領域と、
少なくともその一部が前記第1の拡散領域上に形成された第1導電型の第2の拡散領域と、
この第2の拡散領域上に形成された第1導電型の第3の拡散領域と、
この第3の拡散領域上に形成された第1の電極と、
少なくともその一部が前記エピタキシャル層内に形成された第2導電型の第4の拡散領域と、
この第4の拡散領域上に形成された第1導電型の第5の拡散領域および第2導電型の第6の拡散領域と、
前記第5の拡散領域および第6の拡散領域上に形成された第2の電極と、
前記第3の拡散領域と前記第5の拡散領域との間に絶縁膜を介して形成され、前記第2の電極を介して前記第5の拡散領域および第6の拡散領域と短絡した第3の電極と、
を備え、
前記第1の埋め込み層はフローティング状態であることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の基板と、
この基板上に形成された第2導電型の第1の埋め込み層と、
この第1の埋め込み層上に形成された第1導電型の第2の埋め込み層と、
この第2の埋め込み層上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記第2の埋め込み層上に形成され前記エピタキシャル層を囲む第1導電型の第1の拡散領域と、
少なくともその一部が前記第1の拡散領域上に形成された第1導電型の第2の拡散領域と、
この第2の拡散領域上に形成された第1導電型の第3の拡散領域と、
この第3の拡散領域上に形成された第1の電極と、
少なくともその一部が前記エピタキシャル層内に形成された第2導電型の第4の拡散領域と、
この第4の拡散領域上に形成された第1導電型の第5の拡散領域および第2導電型の第6の拡散領域と、
前記第5の拡散領域および第6の拡散領域上に形成された第2の電極と、
前記第3の拡散領域と前記第5の拡散領域との間に絶縁膜を介して形成され、前記第2の電極を介して前記第5の拡散領域および第6の拡散領域と短絡した第3の電極と、
前記第1の拡散領域を囲むように形成され、前記第1の埋め込み層上から素子形成領域の表面に至るまで形成された第2導電型の半導体領域と、
を備え、
前記第2導電型の半導体領域の表面から前記第1の埋め込み層に電圧を印加し、その電位を前記基板および前記第2の埋め込み層の電位よりも高電位としたことを特徴とする半導体装置。 - 前記エピタキシャル層内で前記エピタキシャル層に囲まれるように形成された第2導電型の第7の拡散領域と、
この第7の拡散領域上に形成された第1導電型の第8の拡散領域と、
をさらに備え、
前記第8の拡散領域上には前記第2の電極が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1導電型の基板上には第1導電型チャネルDMOSトランジスタが混載されており、前記第1導電型チャネルDMOSトランジスタのソース電極が電源電圧接続線に接続され、前記第1導電型チャネルDMOSトランジスタのドレイン電極と前記第1の電極とが接続され、前記第2の電極および前記第3の電極がパッド端子に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電型の基板上には第2導電型チャネルDMOSトランジスタが混載されており、前記第2導電型チャネルDMOSトランジスタのソース電極が接地され、前記第2導電型チャネルDMOSトランジスタのドレイン電極と前記第2の電極および前記第3の電極とが接続され、前記第1の電極がパッド端子に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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