CN108110099B - 一种led芯片及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。

Description

一种LED芯片及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片及其制作方法。
背景技术
由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有亮度高、寿命长、体积小和耗电量低等优点，因此，被视为新一代的照明工具。但是，由于现有的LED芯片仍存在着发光效率低的问题，因此，如何提高LED芯片的发光效率已经成为当今科研领域最重要的课题之一。
现有技术中提出了一种采用电流阻挡层来提高LED芯片发光效率的方法。如图1所示，该LED芯片包括衬底10以及依次生长在衬底10上的外延结构11、电流阻挡层12、透明导电层13、金属电极14以及钝化保护层15，其主要通过在金属电极14或透明导电层13的下方设置绝缘的电流阻挡层12，避免电子/空穴在金属电极14下方复合而被金属电极14吸收，来提升LED芯片的发光效率。但是，由于该方法需要在LED芯片中增加电流阻挡层12这一层薄膜，因此，会导致LED芯片制作成本的增加。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，以在提高LED芯片发光效率的同时，降低LED芯片的制作成本。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种LED芯片，包括：
衬底和位于所述衬底一侧表面的外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极，所述外延结构至少包括依次位于所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；
所述透明导电层具有至少一个贯穿所述透明导电层的第一通孔；
所述钝化保护层具有至少一个贯穿所述钝化保护层的第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在垂直于所述衬底的方向上无交叠；
所述第一电极通过贯穿所述钝化保护层、所述透明导电层、所述量子阱发光层和所述第二半导体层的第三通孔与所述第一半导体层电连接；
所述第二电极覆盖所述第一通孔和所述第二通孔，且所述第二电极通过所述第二通孔与所述透明导电层以及所述第二半导体层电连接。
优选的，所述透明导电层具有多个所述第一通孔；所述钝化保护层具有多个所述第二通孔；
所述多个第一通孔和所述多个第二通孔交错排列。
优选的，所述第三通孔包括相互连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔；
所述第一子通孔贯穿所述钝化保护层；
所述第二子通孔贯穿所述透明导电层；
所述第三子通孔贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层。
优选的，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一子通孔的投影在所述第三子通孔的投影内；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第二子通孔的投影与所述第三子通孔的投影重叠，或者，所述第三子通孔的投影在所述第二子通孔的投影内。
优选的，所述第二电极至少包括第一子电极、第二子电极和第三子电极；
所述第一子电极和所述第三子电极为条状电极，所述第二子电极连接所述第一子电极和所述第三子电极。
优选的，在垂直于所述条状电极延伸方向的方向上，所述第一通孔的宽度大于所述条状电极的宽度。
优选的，在垂直于所述条状电极延伸方向的方向上，所述第一通孔与所述条状电极的宽度差的范围为1μm～10μm。
优选的，所述第二电极为U字形电极；所述第一电极为一字形电极。
优选的，所述衬底和第二半导体层之间还设有缓冲层、非掺杂第一半导体层、N型掺杂第一半导体层、发光有源层和电子阻挡层。
一种LED芯片的制作方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧表面形成外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；
在所述外延结构表面形成透明导电层，并对所述透明导电层进行刻蚀，形成贯穿所述透明导电层的至少一个第一通孔；
在所述透明导电层表面形成钝化保护层，并对所述钝化保护层进行刻蚀，形成贯穿所述钝化保护层的至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在垂直于所述衬底的方向上无交叠；
在所述钝化保护层表面形成第一电极和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述钝化保护层、所述透明导电层、所述量子阱发光层和所述第二半导体层的第三通孔与所述第一半导体层电连接，所述第二电极覆盖所述第一通孔和所述第二通孔，且所述第二电极通过所述第二通孔与所述透明导电层以及所述第二半导体层电连接。
优选的，所述第三通孔包括相互连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔，所述第一子通孔贯穿所述钝化保护层，所述第二子通孔贯穿所述透明导电层，所述第三子通孔贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层，则
在所述衬底的一侧表面形成外延结构之后，还包括：
对所述外延结构进行刻蚀，形成贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层的所述第三子通孔；
对所述透明导电层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述透明导电层的所述第一通孔和所述第二子通孔；所述刻蚀方法不限，如干法刻蚀、湿法刻蚀等。
对所述钝化保护层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述钝化保护层的所述第二通孔和所述第一子通孔。所述刻蚀方法不限，如干法刻蚀、湿法刻蚀等。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的LED芯片及其制作方法，由于第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第一通孔与第二通孔在垂直于衬底的方向上无交叠，因此，在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以替代电流阻挡层起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的制作成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔对应的区域，第二电极可以通过第二通孔与透明导电层以及第二半导体层电连接，从而可以在第二通孔处实现点式发光，进而可以有效提高LED芯片的亮度。
此外，本发明所提供的LED芯片制作方法，只需四次刻蚀步骤即可完成LED芯片的制作，步骤简单，而且不需额外的材料来制作电流阻挡层，在提升LED芯片发光效率的同时，节省了成本，相对降低了LED芯片的制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有的一种LED芯片的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种LED芯片的俯视结构示意图；
图3为图2所示的LED芯片的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的LED芯片的制作方法的流程图；
图5a至图5h为本发明实施例提供的一种LED芯片制作流程的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种LED芯片，如图2和图3所示，图2为本发明实施例提供的LED芯片的俯视结构示意图，图3为图2所示的LED芯片的剖面结构示意图，该LED芯片包括衬底20和位于衬底20一侧表面的外延结构21、透明导电层22、钝化保护层23、第一电极24和第二电极25。
本实施例中，衬底20可以是蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底等半导体衬底，在此不再赘述。外延结构21至少包括依次生长在衬底20表面的第一半导体层211、量子阱发光层212和第二半导体层213，其中，第一半导体层211和第二半导体层213的电性相反。
本实施例中仅以第一半导体层211为N型半导体层，第二半导体层213为P型半导体层为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第一半导体层211还可以为P型半导体层，第二半导体层213还可以为N型半导体层。
当然，本发明实施例中的LED芯片还可包括对N型半导体层和/或P型半导体层中的材料进行优化的材料或增加的材料。具体地，在本发明的一个实施例中，衬底20和第二半导体层213之间还设有缓冲层、非掺杂第一半导体层、N型掺杂第一半导体层、发光有源层和电子阻挡层等，以进一步优化LED芯片的性能，提高LED芯片的发光效率。
本实施例中，透明导电层22位于第二半导体层213的表面，且具有至少一个贯穿该透明导电层22的第一通孔220，钝化保护层23位于透明导电层22的表面，且具有至少一个贯穿该钝化保护层23的第二通孔230，该第二通孔230与第一通孔220在垂直于衬底20的方向上无交叠。由于第二通孔230与第一通孔220在垂直于衬底20的方向上无交叠，因此，钝化保护层23会覆盖并填充第一通孔220，第二通孔230会暴露出钝化保护层23底部的透明导电层22。
可选的，本实施例中的透明导电层22的材料为具有高透明、高电导率、低接触电阻的氧化物材料，如氧化铟锡、氧化锆或氧化镉等，钝化保护层23的材料为绝缘透明的无机材料，如氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁等，当然，本发明并不仅限于此。
本实施例中，第一电极24位于钝化保护层23的表面，且通过贯穿钝化保护层23、透明导电层22、量子阱发光层212和第二半导体层213的第三通孔30与第一半导体层211电连接。第二电极25位于钝化保护层23的表面，且覆盖第一通孔220和第二通孔230，并且，第二电极25通过第二通孔230与透明导电层22以及透明导电层22底部的第二半导体层213电连接。需要说明的是，当第一半导体层211为N型半导体层，第二半导体层213为P型半导体层时，第一电极24为N型电极，第二电极25为P型电极。此外，第一电极24和第二电极25的材料优选为金属材料，当然，本发明并不仅限于此。
如图3所示，由于第二电极25覆盖第一通孔220和第二通孔230，且第一通孔220与第二通孔230在垂直于衬底20的方向上无交叠，因此，在第一通孔220对应的区域，第二电极25与第二半导体层213之间的钝化保护层23可以替代电流阻挡层起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的制作成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔230对应的区域，第二电极25可以通过第二通孔230与透明导电层22以及第二半导体层213电连接，从而可以在第二通孔230处实现点式发光，进而可以有效提高LED芯片的亮度。
在本发明的一个实施例中，透明导电层22可以具有一个第一通孔220，钝化保护层23也可以具有一个第二通孔230，但是，本发明并不仅限于此，为了提高第二电极25与透明导电层22的接触面积以及横向电流的扩展效果，透明导电层22可以具有多个第一通孔220，钝化保护层23也可以具有多个第二通孔230。可选的，多个第一通孔220和多个第二通孔230交错排列，即任意一个第一通孔220位于相邻的两个第二通孔230之间，且交错排列的多个第一通孔220和多个第二通孔230都被第二电极25覆盖。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，两个第一通孔220之间可以具有两个甚至多个第二通孔230，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明的实施例中并不对第一通孔220和第二通孔230的形状进行限定，第一通孔220可以是方形通孔、圆形通孔或椭圆形通孔等，同样，第二通孔230也可以是方形通孔、圆形通孔或椭圆形通孔等，并且，第一通孔220和第二通孔230的形状可以相同，也可以不同，如图2所示，第一通孔220可以为方形通孔，第二通孔230可以为圆形通孔。
本发明的一个实施例中，第三通孔30可以是通过一次刻蚀工艺形成的通孔，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第三通孔30可以是通过二次或三次刻蚀工艺形成的通孔。本实施例中，仅以第三通孔30通过三次刻蚀工艺形成为例进行说明，具体地，第三通孔30包括相互连通的第一子通孔301、第二子通孔302和第三子通孔303，其中，第一子通孔301贯穿钝化保护层23；第二子通孔302贯穿透明导电层22；第三子通孔303贯穿量子阱发光层212和第二半导体层213。
其中，第一子通孔301、第二子通孔302和第三子通孔303的形状可以各不相同，只要第一子通孔301、第二子通孔302和第三子通孔303可以相互连通即可，并且，第一电极24可以通过其连通部位与第一半导体层211电连接即可。基于此，本实施例中，在衬底20表面形成外延结构21之后，还需对外延结构21进行刻蚀，形成贯穿量子阱发光层212和第二半导体层213的第三子通孔303；之后，在外延结构21表面形成透明导电层22，并对透明导电层22进行刻蚀的过程，该刻蚀过程包括：形成贯穿透明导电层22的第一通孔220和第二子通孔302；之后，在透明导电层22表面形成钝化保护层23，并对钝化保护层23进行刻蚀，该刻蚀过程包括：形成贯穿钝化保护层23的第二通孔230和第一子通孔301。在后续实施例中会对LED芯片的制作过程进行详细描述，在此不再赘述。
需要说明的是，对外延结构21进行刻蚀的工艺优选为物理刻蚀工艺，对透明导电层22和钝化保护层23进行刻蚀的工艺优选为化学刻蚀工艺。此外，在钝化保护层23表面形成电极层后，需要对电极层进行刻蚀形成第一电极24和第二电极25。也就是说，本实施例中，只需四次刻蚀步骤即可完成LED芯片的制作，步骤简单，而且不需额外的材料来制作电流阻挡层，在提升LED芯片发光效率的同时，节省了成本，相对降低了LED芯片的制作成本。
在本发明的一个实施例中，在垂直于衬底20的方向上，第一子通孔301的投影在第三子通孔303的投影内；并且，在垂直于衬底20的方向上，第二子通孔302的投影与第三子通孔303的投影重叠，或者，第三子通孔303的投影在第二子通孔302的投影内。
可选的，如图2所示，钝化保护层23具有多个第一子通孔301，可选的，第一子通孔301的形状为圆形，第三子通孔303的形状为一字形，并且，多个第一子通孔301的投影都在第三子通孔303的投影内。此外，第三通孔303和第二通孔302的形状相同，且都与第一电极24的形状相同，以使第一电极24能够与第一半导体层211具有更多的接触面积。可选的，如图2所示，第二电极25为U字形电极；第一电极24为一字形电极。进一步可选的，第一电极24部分延伸至第二电极25的U形开口内。此外，需要说明的是，本发明实施例中，同一层结构中不同位置处的通孔的形状和尺寸可以不同，具体形状和尺寸可以根据需要进行设定。
基于此，第一电极24既可以通过第三通孔30与第一半导体层211电连接，又可以通过钝化保护层23与透明导电层22隔绝，以避免第一电极24和第二电极25通过透明导电层22短路。并且，第一电极24和第一半导体层211之间的钝化保护层23也可以起到电流阻挡的作用，从而进一步提高了LED芯片的发光效率。
本实施例中，如图2所示，第二电极25至少包括第一子电极251、第二子电极252和第三子电极253；第一子电极251和第三子电极253为条状电极，优选为不相交的条状电极，第二子电极252连接第一子电极251和第三子电极253。其中，为了保证钝化保护层23的电流阻挡效果，在垂直于条状电极251/253延伸方向X的方向Y上，第一通孔220的宽度D1需大于条状电极251/253的宽度D2。可选的，在垂直于条状电极251/253延伸方向X的方向Y上，第一通孔220与条状电极251/253的宽度差即D1-D2的范围为1μm～10μm。
本实施例提供的LED芯片，由于第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第一通孔与第二通孔在垂直于衬底的方向上无交叠，因此，在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以替代电流阻挡层起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的制作成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔对应的区域，第二电极可以通过第二通孔与透明导电层以及第二半导体层电连接，从而可以在第二通孔处实现点式发光，进而可以有效提高LED芯片的亮度。
本发明实施例还提供了一种LED芯片的制作方法，如图4所示，图4为本发明实施例提供的LED芯片制作方法的流程图，包括：
S401：提供衬底；
S402：在所述衬底的一侧表面形成外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的电性相反；
S403：在所述外延结构表面形成透明导电层，并对所述透明导电层进行刻蚀，形成贯穿所述透明导电层的至少一个第一通孔；
S404：在所述透明导电层表面形成钝化保护层，并对所述钝化保护层进行刻蚀，形成贯穿所述钝化保护层的至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在垂直于所述衬底的方向上无交叠；
S405：在所述钝化保护层表面形成第一电极和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述钝化保护层、所述透明导电层、所述量子阱发光层和所述第二半导体层的第三通孔与所述第一半导体层电连接，所述第二电极覆盖所述第一通孔和所述第二通孔，且所述第二电极通过所述第二通孔与所述透明导电层以及所述第二半导体层电连接。
本实施例中仅以第一半导体层211为N型半导体层，第二半导体层213为P型半导体层为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第一半导体层211还可以为P型半导体层，第二半导体层213还可以为N型半导体层。
当然，本发明实施例中的LED芯片还可包括对N型半导体层和/或P型半导体层中的材料进行优化的材料或增加的材料。具体地，在本发明的一个实施例中，衬底20和第二半导体层213之间还设有缓冲层、非掺杂第一半导体层、N型掺杂第一半导体层、发光有源层和电子阻挡层等，以进一步优化LED芯片的性能，提高LED芯片的发光效率。
在本发明的一个实施例中，参考图2，第三通孔包括相互连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔，第一子通孔贯穿钝化保护层，第二子通孔贯穿透明导电层，第三子通孔贯穿量子阱发光层和所述第二半导体层，则
在所述衬底的一侧表面形成外延结构之后，还包括：
对所述外延结构进行刻蚀，形成贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层的所述第三子通孔；
对所述透明导电层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述透明导电层的所述第一通孔和所述第二子通孔；
对所述钝化保护层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述钝化保护层的所述第二通孔和所述第一子通孔。
本实施例中，以第三通孔需要经过三次刻蚀工艺形成为例进行说明。如图5a所示，提供衬底20，该衬底20可以为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底等。如图5b所示，在衬底20表面形成外延结构21，该外延结构21至少包括依次形成在衬底20表面的第一半导体层211、量子阱发光层212和第二半导体层213，然后采用掩膜覆盖第一电极24对应的区域之外的区域，并对第一电极24对应的区域的第一半导体层211和量子阱发光层212进行刻蚀，形成第三子通孔303。
之后，如图5c和5d所示，在外延结构21表面形成透明导电层22，并对透明导电层22进行刻蚀，形成贯穿透明导电层22的第一通孔220和第二子通孔302，第一通孔220位于第二电极25对应的区域，第二子通孔302位于第一电极24对应的区域。
之后，如图5e和5f所示，在透明导电层22表面形成钝化保护层23，并对钝化保护层23进行刻蚀，形成贯穿钝化保护层23的至少一个第二通孔230和第一子通孔301，其中，第二通孔230与第一通孔220在垂直于衬底20的方向上无交叠。并且，第二通孔230位于第二电极25对应的区域，第一子通孔301位于第一电极24对应的区域。
之后，如图5g和5h所示，在钝化保护层23表面形成电极层，并对电极层进行刻蚀形成第一电极24和第二电极25，第一电极24通过贯穿钝化保护层23、透明导电层22、量子阱发光层212和第二半导体层213的第三通孔30与第一半导体层211电连接，第二电极25覆盖第一通孔220和第二通孔230，且第二电极25通过第二通孔230与透明导电层22以及第二半导体层213电连接。当然，之后还需进行减薄、切割、测试、分选等处理，以形成最终的LED芯片成品，在此不再赘述。
本实施例中，对外延结构21进行刻蚀的工艺优选为物理刻蚀工艺，对透明导电层22、钝化保护层23和电极层进行刻蚀的工艺优选为化学刻蚀工艺。由此可知，本实施例中，只需四次刻蚀步骤即可完成LED芯片的制作，步骤简单，而且不需额外的材料来制作电流阻挡层，在提升LED芯片发光效率的同时，节省了成本，相对降低了LED芯片的制作成本。
此外，采用本实施例提供的制作方法制作的LED芯片，由于第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第一通孔与第二通孔在垂直于衬底的方向上无交叠，因此，在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以替代电流阻挡层起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的制作成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔对应的区域，第二电极可以通过第二通孔与透明导电层以及第二半导体层电连接，从而可以在第二通孔处实现点式发光，进而可以有效提高LED芯片的亮度。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底和位于所述衬底一侧表面的外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极，所述外延结构至少包括依次位于所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；
所述透明导电层具有至少一个贯穿所述透明导电层的第一通孔；
所述钝化保护层具有至少一个贯穿所述钝化保护层的第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在垂直于所述衬底的方向上无交叠；
所述第一电极通过贯穿所述钝化保护层、所述透明导电层、所述量子阱发光层和所述第二半导体层的第三通孔与所述第一半导体层电连接；
所述第二电极覆盖所述第一通孔和所述第二通孔，且所述第二电极通过所述第二通孔与所述透明导电层以及所述第二半导体层电连接；
其中，所述第三通孔包括相互连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔；
所述第一子通孔贯穿所述钝化保护层；
所述第二子通孔贯穿所述透明导电层；
所述第三子通孔贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层具有多个所述第一通孔；所述钝化保护层具有多个所述第二通孔；
所述多个第一通孔和所述多个第二通孔交错排列。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一子通孔的投影在所述第三子通孔的投影内；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第二子通孔的投影与所述第三子通孔的投影重叠，或者，所述第三子通孔的投影在所述第二子通孔的投影内。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极至少包括第一子电极、第二子电极和第三子电极；
所述第一子电极和所述第三子电极为条状电极，所述第二子电极连接所述第一子电极和所述第三子电极。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，在垂直于所述条状电极延伸方向的方向上，所述第一通孔的宽度大于所述条状电极的宽度。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，在垂直于所述条状电极延伸方向的方向上，所述第一通孔与所述条状电极的宽度差的范围为1μm～10μm。
7.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极为U字形电极；所述第一电极为一字形电极。
8.根据权利要求1-7任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底和第二半导体层之间还设有缓冲层、非掺杂第一半导体层、N型掺杂第一半导体层、发光有源层和电子阻挡层。
9.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧表面形成外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；
在所述外延结构表面形成透明导电层，并对所述透明导电层进行刻蚀，形成贯穿所述透明导电层的至少一个第一通孔；
在所述透明导电层表面形成钝化保护层，并对所述钝化保护层进行刻蚀，形成贯穿所述钝化保护层的至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔在垂直于所述衬底的方向上无交叠；
在所述钝化保护层表面形成第一电极和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述钝化保护层、所述透明导电层、所述量子阱发光层和所述第二半导体层的第三通孔与所述第一半导体层电连接，所述第二电极覆盖所述第一通孔和所述第二通孔，且所述第二电极通过所述第二通孔与所述透明导电层以及所述第二半导体层电连接；
其中，所述第三通孔包括相互连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔，所述第一子通孔贯穿所述钝化保护层，所述第二子通孔贯穿所述透明导电层，所述第三子通孔贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层，则
在所述衬底的一侧表面形成外延结构之后，还包括：
对所述外延结构进行刻蚀，形成贯穿所述量子阱发光层和所述第二半导体层的所述第三子通孔；
对所述透明导电层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述透明导电层的所述第一通孔和所述第二子通孔；
对所述钝化保护层进行刻蚀，包括：
形成贯穿所述钝化保护层的所述第二通孔和所述第一子通孔。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述衬底和第二半导体层之间还设有缓冲层、非掺杂第一半导体层、N型掺杂第一半导体层、发光有源层、电子阻挡层。
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