JP2017041653A - 複数の電極パッドを有する発光ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】電極パッド付近で電流密集が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第２の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【選択図】図１４

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、特に、複数の電極パッドを有する発光ダイオードに関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）系列の発光ダイオードが開発されて以来、ＧａＮ系列のＬＥＤは、現在、天然色ＬＥＤ表示素子、ＬＥＤ交通信号器、白色ＬＥＤなどの多様な応用分野で使用されている。

一般に、窒化ガリウム系列の発光ダイオードは、サファイアなどの基板上に各エピ層を成長させることによって形成され、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層及びこれらの間に介在した活性層を含む。一方、前記ｎ型半導体層上にｎ−電極パッドが形成され、前記Ｐ型半導体層上にｐ−電極パッドが形成される。前記発光ダイオードは、前記各電極パッドを介して外部電源に電気的に接続されて駆動される。このとき、電流は、ｐ−電極パッドから前記各半導体層を経てｎ−電極パッドに流れる。

一般に、ｐ型半導体層は高い比抵抗を有するので、ｐ型半導体層内で電流が均一に分散されず、前記ｐ−電極パッドが形成された部分に電流が集中し、角部を通して電流が集中的に流れるという問題が発生する。電流の密集は発光領域の減少につながり、結果的に発光効率を低下させる。このような問題を解決するために、ｐ型半導体層上に比抵抗の低い透明電極層を形成し、電流の分散を図る技術が使用される。ｐ−電極パッドから流入した電流が、透明電極層で分散されて前記ｐ型半導体層に流入するので、発光ダイオードの発光領域を広げることができる。

しかしながら、透明電極層は、光を吸収するためその厚さが制限されており、その結果、電流分散に限界を有する。特に、高出力のために使用される約１ｍｍ２以上の大面積の発光ダイオードにおいては、透明電極層を用いた電流分散に限界がある。

一方、発光ダイオード内の電流分散を促進するために、各電極パッドから延長された各延長部が使用されている。例えば、特許文献１には、各電極接触部１１７、１２７、すなわち、各電極パッドから多数の延長部が互いに反対方向に延長され、電流の分散が強化されることを開示している。

このような多数の延長部を使用することにより、発光ダイオードの広い領域にわたって電流を分散させることができるが、各電極パッドが位置する部分では、依然として電流が集中する電流密集が発生する。

一方、発光ダイオードの大面積化により、発光ダイオード内に欠陥が含まれる確率が増加する。例えば、貫通転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）、ピンホールなどの欠陥は、電流が急激に流れる通路を提供し、電流分散を妨害する。

米国特許公報第６，６５０，０１８号

本発明が解決しようとする課題は、電極パッド付近で電流密集が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供することにある。

本発明が解決しようとする他の課題は、広い面積の発光ダイオードで電流を均一に分散できる発光ダイオードを提供することにある。

前記課題を解決するために、本発明においては、電極パッドが半導体層、例えばｐ型半導体層から離隔して位置する発光ダイオードが提供される。このために、電極パッドを半導体層から離隔させる多様な技術を用いた発光ダイオードが提供される。また、半導体積層構造体が多数の領域に分割される発光ダイオードが提供される。その上、各電極パッド及び各延長部の多様な構造によって電流分散性能を向上できる多様な構造の発光ダイオードが提供される。

本発明の第１の態様に係る発光ダイオードは、四角形状を有する基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、を含む。さらに、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部を含む。また、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドは、前記基板の対角線上の角部付近に互いに対向して配置される。

前記第１の導電型半導体層はｎ型窒化物半導体層で、前記第２の導電型半導体層はｐ型窒化物半導体層であってもよい。したがって、ｐ型窒化物半導体層上でｐ−電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。さらに、透明電極層が前記ｐ型窒化物半導体層上に位置してもよく、前記上部延長部は前記透明電極層上に位置してもよい。

前記第１の導電型半導体層は、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出された少なくとも一つの領域を有してもよく、前記第２の電極パッドは、前記第１の導電型半導体層の露出された領域上に位置してもよい。

さらに、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部を含んでもよく、前記メサエッチングが行われた第１の導電型半導体層及び活性層の各側面は、前記絶縁層によって前記接続部から絶縁されてもよい。

また、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に延長され、その縁部が前記第２の導電型半導体層上に位置してもよい。

いくつかの実施形態において、前記第２の電極パッドの少なくとも一部は、前記第２の導電型半導体層上に位置してもよい。前記第２の電極パッドと前記第２の導電型半導体層は前記絶縁層によって分離されてもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。

また、前記少なくとも二つの発光領域は対称構造を有してもよい。これによって、前記
少なくとも二つの発光領域が同一の発光特性を示すことができる。

また、第１の下部延長部が前記第１の電極パッドに接続されてもよく、前記第１の下部延長部は、前記少なくとも二つの発光領域の間に位置してもよい。さらに、第２の下部延長部が前記第１の電極パッドに接続されてもよい。前記第２の下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

本発明の第２の態様に係る発光ダイオードは、四角形状を有する基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記基板上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。さらに、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドは、前記基板の対角線上の角部付近に互いに対向して配置される。

前記第２の電極パッドは、前記基板上に形成された第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層が部分的に除去された領域上に形成されてもよい。この場合、絶縁層は、前記第２の電極パッドを取り囲む第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層の各側面を覆ってもよい。また、前記基板は絶縁基板であってもよい。

一方、前記基板と前記第２の電極パッドとの間に絶縁層が介在してもよい。前記絶縁層が前記基板に接し、前記第２の電極パッドは前記絶縁層に接して位置してもよい。

本発明の第３の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドに接続され、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの下部延長部と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、を含む。さらに、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部を含む。また、前記第２の電極パッドは、前記基板の中央部に配置される。

一方、前記少なくとも一つの下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長する下部延長部を含んでもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第２の導電型半導体層上に位置する透明電極層をさらに含んでもよい。このとき、前記上部延長部は、前記透明電極層上に位置してもよい。さらに、前記第１の導電型半導体層はｎ型窒化物半導体層で、前記第２の導電型半導体層はｐ型窒化物半導体層であってもよい。これにより、ｐ型窒化物半導体層上でｐ−電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。

一方、前記第１の導電型半導体層は、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出された少なくとも一つの領域を有してもよく、前記第２の電極パッドは、前記第１の導電型半導体層の露出された領域上に位置してもよい。

さらに、接続部が前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続してもよく、前記メサエッチングが行われた第１の導電型半導体層及び活性層の各側面は、前記絶縁層によって
前記接続部から絶縁されてもよい。

また、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に延長され、その縁部が前記第２の導電型半導体層上に位置してもよい。

いくつかの実施形態において、前記第２の電極パッドの少なくとも一部は、前記第２の導電型半導体層上に位置してもよい。前記第２の電極パッドと前記第２の導電型半導体層は前記絶縁層によって分離されてもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。

また、前記少なくとも二つの発光領域は対称構造を有してもよい。これにより、前記少なくとも二つの発光領域が同一の発光特性を示すことができる。

さらに、前記少なくとも一つの下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長する下部延長部を含んでもよい。また、前記各発光領域上には、二つの上部延長部が前記第２の電極パッドに接続されて位置してもよく、前記第２の電極パッドに向けて延長する下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記二つの上部延長部の間の領域に延長してもよい。これにより、各発光領域内で広い領域にわたって電流を分散させることができる。

一方、前記少なくとも一つの下部延長部は、前記少なくとも二つの発光領域の間に位置する下部延長部をさらに含んでもよい。

本発明の第４の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記基板上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドに接続され、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの下部延長部と、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む。さらに、前記第２の電極パッドは、前記基板の中央部に配置される。

前記第２の電極パッドは、前記基板上に形成された第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層が部分的に除去された領域上に形成されてもよい。この場合、絶縁層は、前記第２の電極パッドを取り囲む第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層の各側面を覆ってもよい。ここで、前記基板は絶縁基板であることが望ましい。

一方、前記基板と前記第２の電極パッドとの間に絶縁層が介在してもよい。前記絶縁層が前記基板に接し、前記第２の電極パッドは前記絶縁層に接して位置してもよい。

また、前記少なくとも一つの下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長する下部延長部を含んでもよい。

本発明の第５の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層上に位置し、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される複数の第
１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、を含む。さらに、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部を含む。また、前記第２の電極パッドは、前記基板の一側縁部の中央部付近に配置される。

一方、前記複数の第１の電極パッドは、それぞれ前記基板の一側縁部に対向する前記基板の他側縁部付近に配置された二つの第１の電極パッドを含んでもよい。また、前記二つの第１の電極パッドは、前記基板の一側縁部の中央部に対向する前記基板の他側縁部の中央部から離れて位置してもよい。すなわち、前記二つの第１の電極パッドは、前記基板の他側縁部の中央部から前記他側縁部の両端部側に一定の距離だけ離れて位置してもよい。前記二つの第１の電極パッドが前記第２の電極パッドに対向する位置から離れて位置することによって、第１の電極パッドと第２の電極パッドをより遠く位置させることができ、その結果、広い面積にわたって電流を均一に分散させることができる。

また、前記発光ダイオードは、それぞれ前記二つの第１の電極パッドに接続され、前記基板の縁部に沿って延長する各下部延長部をさらに含んでもよい。前記各下部延長部は、前記他側縁部に沿って延長する下部延長部と、前記一側縁部と前記他側縁部を接続する縁部に沿って延長する下部延長部とを含んでもよい。

一方、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１の電極パッド付近に端部を有する二つの上部延長部を含んでもよい。ここで、前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側縁部から前記基板の他側縁部に延長する直線部を含んでもよい。さらに、前記二つの第１の電極パッドは、それぞれ前記直線部の延長線上に位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第２の導電型半導体層上に位置する透明電極層をさらに含んでもよい。このとき、前記上部延長部は、前記透明電極層上に位置してもよい。さらに、前記第１の導電型半導体層はｎ型窒化物半導体層で、前記第２の導電型半導体層はｐ型窒化物半導体層であってもよい。これにより、ｐ型窒化物半導体層上でｐ−電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。

一方、前記第１の導電型半導体層は、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出された少なくとも一つの領域を有してもよく、前記第２の電極パッドは、前記第１の導電型半導体層の露出された領域上に位置してもよい。

さらに、接続部が前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続してもよく、前記メサエッチングが行われた第１の導電型半導体層及び活性層の各側面は、前記絶縁層によって前記接続部から絶縁されてもよい。

また、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に延長され、その縁部が前記第２の導電型半導体層上に位置してもよい。

いくつかの実施形態において、前記第２の電極パッドの少なくとも一部は、前記第２の導電型半導体層上に位置してもよく、前記第２の電極パッドと前記第２の導電型半導体層は、前記絶縁層によって分離されてもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。

また、前記少なくとも二つの発光領域は、前記基板の一側縁部に対して垂直になるように前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有してもよい。これにより、前記少なくとも二つの発光領域が同一の発光特性を示すことができる。

さらに、前記発光ダイオードは、前記各発光領域の間に位置し、前記第１の導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含んでもよい。前記各発光領域の間に位置する下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記基板の他側縁部に沿って延長した後、前記各発光領域の間の領域に延長してもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードは、前記各発光領域内に入り込み、前記第１の導電型半導体層に接続された各下部延長部をさらに含んでもよい。

本発明の第６の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在した活性層と、前記第１の導電型半導体層に位置し、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された複数の第１の電極パッドと、前記基板上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む。さらに、前記第２の電極パッドは、前記基板の一側縁部の中央部付近に配置される。

前記第２の電極パッドは、前記基板上に形成された第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層が部分的に除去された領域上に形成されてもよい。また、絶縁層は、前記第２の電極パッドを取り囲む第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層の各側面を覆ってもよい。ここで、前記基板は絶縁基板であることが望ましい。

また、前記基板と前記第２の電極パッドとの間に絶縁層が介在してもよい。前記絶縁層が前記基板に接し、前記第２の電極パッドは前記絶縁層に接して位置してもよい。

一方、前記複数の第１の電極パッドは、それぞれ前記基板の一側縁部に対向する前記基板の他側縁部付近に配置された二つの第１の電極パッドを含んでもよい。さらに、前記二つの第１の電極パッドは、前記基板の一側縁部の中央部に対向する前記基板の他側縁部の中央部から離れて位置してもよい。すなわち、前記二つの第１の電極パッドは、前記基板の他側縁部の中央部から前記他側縁部の両端部側に一定の距離だけ離れて位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、それぞれ前記二つの第１の電極パッドに接続され、前記基板の縁部に沿って延長する各下部延長部をさらに含んでもよい。前記各下部延長部は、前記基板の他側縁部に沿って延長する下部延長部と、前記基板の一側縁部と前記基板の他側縁部を接続する縁部に沿って延長する下部延長部とを含んでもよい。

さらに、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１の電極パッド付近に端部を有する二つの上部延長部を含んでもよい。また、前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側縁部から前記基板の他側縁部に延長する直線部を含んでもよい。さらに、前記二つの第１の電極パッドは、それぞれ前記直線部の延長線上に位置してもよい。

本発明の第７の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１
の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第２の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。

前記第２の電極パッドが前記絶縁層によって前記第２の導電型半導体層から絶縁されるので、前記第２の電極パッド付近に電流が集中するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよく、前記接続部は、前記絶縁層によって前記第２の導電型半導体層から絶縁されてもよい。これにより、前記第２の電極パッド付近の接続部でも電流が集中するのを防止することができる。

一方、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層を覆ってもよい。このとき、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記第２の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードは、前記第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層をさらに含んでもよい。前記透明電極層は、少なくとも二つの領域に分離されてもよく、前記第２の電極パッドは、前記透明電極層の分離された各領域の間に露出された第２の導電型半導体層の上部に位置してもよい。前記透明電極層が分離されることにより、電流が分散される各領域が前記透明電極層によって分離され、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。

一方、前記第２の電極パッドは、その全体が前記透明電極層の各領域の間に位置してもよいが、これに限定されるものではなく、その一部が前記透明電極層の上部に位置してもよい。このとき、前記第２の電極パッドの一部と前記透明電極層との間に前記絶縁層が介在してもよい。これにより、前記第２の電極パッド付近に電流が集中するのを防止することができる。一方、前記透明電極層が用いられる場合、前記各接続部も前記絶縁層によって前記透明電極層から絶縁される。

さらに、前記透明電極層が分離された少なくとも二つの領域には、それぞれ前記各上部延長部が電気的に接続されてもよい。例えば、前記各上部延長部は、前記絶縁層の各開口部を介して露出された前記透明電極層上に接続されてもよい。

一方、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記第１の導電型半導体層上に位置してもよい。さらに、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長され、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の下部延長部をさらに含んでもよい。併せて、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよく、前記第２の下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

一方、前記透明電極層及び前記各上部延長部は、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称であってもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長され、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の下部延長部をさらに含んでもよい。さらに、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る面に対して対称構造を有してもよい。

本発明の第８の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置するｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に位置するｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に介在する活性層と、前記ｐ型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層と、前記ｎ型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記透明電極層上に位置する第２の電極パッドと、前記透明電極層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記透明電極層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記ｐ型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第絶縁層によって前記第２の電極パッドが前記透明電極層から絶縁されるので、前記第２の電極パッド付近に電流が集中するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよい。このとき、前記接続部は、前記絶縁層によって前記透明電極層から絶縁される。これにより、前記第２の電極パッド付近の接続部でも電流が集中するのを防止することができる。

前記絶縁層は、前記透明電極層を覆ってもよい。このとき、前記絶縁層は、前記透明電極層を露出させる少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記第ｐ型半導体層に電気的に接続されてもよい。例えば、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記透明電極層に電気的に接続されてもよい

一方、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記ｎ型半導体層上に位置してもよい。さらに、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長され、前記ｎ型半導体層に電気的に接続された第１の下部延長部をさらに含んでもよい。併せて、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよい。前記第２の下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに入り込む湾入部を有してもよく、前記湾入部によって前記第１の導電型半導体層が露出されてもよい。また、前記透明電極層は、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有してもよい。

さらに、前記湾入部の端部は、前記発光ダイオードの中心よりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。これにより、前記発光ダイオードの発光領域は、前記湾入部によって実質的に分割され、その結果、前記発光ダイオードの広い領域にわたって電流が分散され得る。

一方、前記第１の下部延長部は、前記湾入部内で前記第１の導電型半導体層に電気的に
接続してもよい。また、前記発光ダイオードは、少なくとも二つの上部延長部を含んでもよい、前記少なくとも二つの上部延長部は、前記第１の電極パッドと第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有してもよい。

また、前記各上部延長部は、それぞれ各接続部によって前記第２の電極パッドに接続されてもよく、前記各接続部は、前記絶縁層によって前記透明電極層から絶縁されてもよい。

いくつかの実施形態において、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る面に対して対称構造を有してもよい。

本発明の第９の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記発光構造体から離隔し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の電型半導体層を含む電極パッド領域と、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記電極パッド領域の前記第２の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第２の電極パッドが位置する電極パッド領域が前記発光構造体から離隔するので、前記第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよい。このとき、前記接続部は、前記発光構造体から絶縁されてもよい。例えば、前記接続部と前記発光構造体との間に絶縁層が介在し、前記接続部を前記発光構造体から絶縁させてもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層を覆う絶縁層をさらに含んでもよい。前記絶縁層は少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。

さらに、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層をさらに含んでもよい。この場合、前記透明電極層が前記絶縁層の開口部によって露出され、前記少なくとも一つの上部延長部は前記透明電極層に接続されてもよい。

前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。また、第１の下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続される。さらに、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよく、前記第２の下部延長部は前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光構造体の第２の導電型半導体層及び活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発
光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。前記発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、特定位置にピンホールや貫通転位などの欠陥があるとしても、これら欠陥箇所に電流が過度に集中するのを防止することができ、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。

一方、前記発光構造体の第１の導電型半導体層は、前記少なくとも二つの発光領域によって共有されてもよい。さらに、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。

また、前記第１の電極パッドから第２の電極パッドに向けて延長する第１の下部延長部は、前記各発光領域の間に位置してもよい。さらに、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードは、前記電極パッド領域の第２の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に位置する透明電極層及び／又は絶縁層をさらに含んでもよい。

本発明の第１０の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記発光構造体から離隔し、第１の導電型半導体層を含む電極パッド領域と、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記電極パッド領域の前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第２の電極パッドが位置する電極パッド領域が前記発光構造体から離隔するので、前記第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよい。このとき、前記接続部は、前記発光構造体から絶縁されてもよい。例えば、前記接続部と前記発光構造体との間に絶縁層が介在し、前記接続部を前記発光構造体から絶縁させてもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層を覆う絶縁層をさらに含んでもよい。前記絶縁層は少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。

さらに、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層をさらに含んでもよい。この場合、前記透明電極層が前記絶縁層の開口部によって露出され、前記少なくとも一つの上部延長部は前記透明電極層に接続されてもよい。

前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。また、第１の下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。さらに、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよく、前記第２の下部延長部は前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光構造体の第２の導電型半導体層及び活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。前記発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、特定位置にピンホールや貫通転位などの欠陥があるとしても、これら欠陥箇所に電流が過度に集中するのを防止することができ、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。
一方、前記発光構造体の第１の導電型半導体層は、前記少なくとも二つの発光領域によって共有されてもよい。さらに、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。

また、前記第１の電極パッドから第２の電極パッドに向けて延長する第１の下部延長部は、前記各発光領域の間に位置してもよい。さらに、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードは、前記電極パッド領域の第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に位置する絶縁層をさらに含んでもよい。

本発明の第１１の態様に係る発光ダイオードは、絶縁基板と、前記基板上に位置し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記基板に接して前記基板上に位置し、前記発光構造体から離隔した第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第２の電極パッドが前記発光構造体から離隔するので、前記第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよい。このとき、前記接続部は、前記発光構造体から絶縁されてもよい。例えば、前記接続部と前記発光構造体との間に絶縁層が介在し、前記接続部を前記発光構造体から絶縁させてもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層を覆う絶縁層をさらに含んでもよい。前記絶縁層は少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。

さらに、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層をさらに含んでもよい。この場合、前記透明電極層が前記絶縁層の開口部によって露出され、前記少なくとも一つの上部延長部は前記透明電極層に接続されてもよい。

前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。また、第１の下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。さらに、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよく、前記第２の下部延長部は前記基板の縁部に沿って延長してもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光構造体の第２の導電型半導体層及び活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。前記発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、特定位置にピンホールや貫通転位などの欠陥があるとしても、これら欠陥箇所に電流が過度に集中するのを防止することができ、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。

一方、前記発光構造体の第１の導電型半導体層は、前記少なくとも二つの発光領域によって共有されてもよい。さらに、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して前記発光構造体の第１の導電型半導体層上に位置してもよい。

また、前記第１の電極パッドから第２の電極パッドに向けて延長する第１の下部延長部は、前記各発光領域の間に位置してもよい。さらに、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

本発明の第１２態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記発光構造体の第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記基板上に位置し、前記発光構造体から離隔した第２の電極パッドと、前記基板と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記基板から絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第２の電極パッドが前記絶縁層によって基板から絶縁されるので、前記基板は導電性基板であってもよい。

前記絶縁層は、前記基板に接し、前記絶縁層の上面に前記第２の電極パッドが位置してもよい。

本発明の第１３の態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記基板に位置し、前記発光構造体の第１の導電型半導体層の側面に接続される第１の電極パッドと、前記基板上に位置し、前記発光構造体の第２の導電型半導体層から離隔した第２の電極パッドと、前記第２の電極パッドに接続され、前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含む。前記第１の電極パッドが前記発光構造体の側面に接続されることによって、第１の導電型半導体層内の電流分散を円滑に行うことができ、第２の電極パッドが発光構造体の第２の導電型半導体層から離隔するので、第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。

一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含んでもよい。このとき、前記接続部は、前記発光構造体から絶縁されてもよい。例えば、前記接続部と前記発光構造体との間に絶縁層が介在し、前記接続部を前記発光構造体から絶縁させてもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層を覆う絶縁層をさらに含んでもよい。前記絶縁層は少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの上部延長部は、前記開口部を介して前記発光構造体の第２の導電型半導体層に電気的に接続されてもよい。

さらに、前記発光ダイオードは、前記発光構造体の第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層をさらに含んでもよい。この場合、前記透明電極層が前記絶縁
層の開口部によって露出され、前記少なくとも一つの上部延長部は前記透明電極層に接続されてもよい。

前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向して位置してもよい。また、第１の下部延長部は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層の側面に電気的に接続されてもよい。さらに、前記第１の下部延長部の端部は、前記第１の電極パッドよりも前記第２の電極パッドの近くに位置してもよい。

また、前記発光ダイオードは、前記第１の電極パッドから延長する第２の下部延長部をさらに含んでもよく、前記第２の下部延長部は、前記基板の縁部に沿って延長され、前記発光構造体の第１の導電型半導体層の側面に接続されてもよい。

いくつかの実施形態において、前記発光構造体の第２の導電型半導体層及び活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割されてもよい。さらに、前記発光構造体の第１の導電型半導体層も少なくとも二つの領域に分割されてもよい。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置してもよい。前記発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、特定位置にピンホールや貫通転位などの欠陥があるとしても、これら欠陥箇所に電流が過度に集中するのを防止することができ、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。

いくつかの実施形態において、前記第１の電極パッドは、前記第２の電極パッドに対向し、前記基板に接して位置してもよい。また、前記第１の電極パッドから第２の電極パッドに向けて延長する第１の下部延長部は、前記各発光領域の間に位置し、前記発光構造体の第１の導電型半導体層の側面に接続してもよい。さらに、前記第１の下部延長部と前記各上部延長部は互いに平行であってもよい。

前記第２の電極パッドは前記基板に接して位置してもよいが、これに限定されるものではなく、前記基板と前記第２の電極パッドとの間に絶縁層が介在してもよい。また、前記絶縁層と前記基板との間に第１の導電型半導体層が介在してもよい。

従来の発光ダイオードにおいて、第２の電極パッドは、第２の導電型半導体層上に位置し、第２の導電型半導体層に電気的に接続される。したがって、第２の電極パッドの周囲に電流が集中し、電流の分散が妨害されてしまっていた。しかし、本発明の各実施形態によれば、前記第２の電極パッドが発光構造体から離隔して位置したり、発光構造体の第２の導電型半導体層及び透明電極層から離隔して位置したりするので、第２の電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。また、複数の第１の電極パッドを配置することによって、第１の電極パッド付近に集中する電流を分散させることができる。さらに、発光ダイオードを複数の発光領域に分割することによって、各発光領域に電流を均一に分散させることができる。また、第１の電極パッドを発光構造体の側面に接続させることによって、第１の導電型半導体層内の電流の分散を円滑にすることができる。さらに、第１の電極パッドが第１の導電型半導体層の側面に接続するので、第１の電極パッドの上面を活性層の下部に位置させることができる。したがって、活性層で生成された光が発光構造体の側面を介して外部に放出されるとき、この光が前記第１の電極パッドに吸収されて損失するのを減少させることができる。

本発明の第１の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 図１のＢ−Ｂ線断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための部分断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための部分断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第７の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第８の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第９の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１０の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１１の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図１４のＡ−Ａ線断面図である。 図１４のＢ−Ｂ線断面図である。 図１４のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第１４の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１５の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１６の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図２０のＡ−Ａ線断面図である。 図２０のＢ−Ｂ線断面図である。 図２０のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図２３のＡ−Ａ線断面図である。 図２３のＢ−Ｂ線断面図である。 図２３のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第１９の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第２０の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図２８のＡ−Ａ線断面図である。 図２８のＢ−Ｂ線断面図である。 図２８のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図３１のＡ−Ａ線断面図である。 図３１のＢ−Ｂ線断面図である。 図３１のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図３４のＡ−Ａ線断面図である。 図３４のＢ−Ｂ線断面図である。 図３４のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。 本発明の第２４の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の第２５の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

以下、添付の各図面を参照して本発明の各実施形態を詳細に説明する。次に紹介する各実施形態は、当業者に本発明の思想を充分に伝達するための例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下で説明する各実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることも可能である。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ及び厚さなどは、便宜のための誇張して表現されることがある。明細書全般にわたって同一の参照符号は、同一の構成要素を示す。

図１は、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図２ａは、図１のＡ−Ａ線断面図で、図２ｂは、図１のＢ−Ｂ線断面図である。

図１〜図２を参照すれば、前記発光ダイオードは、基板２１、第１の導電型半導体層２３、活性層２５、第２の導電型半導体層２７、絶縁層３１、第１の電極パッド３５、第２の電極パッド３３及び上部延長部３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、各接続部３３ｂ、透明電極層２９、第１の下部延長部３５ａ及び第２の下部延長部３５ｂを含んでもよい。前記基板２１は、例えば、サファイア基板であってもよいが、これに限定されるものではない。前記基板２１は、略四角形状を有し、対角線上に各角部を有する。

第１の導電型半導体層２３が前記基板２１上に位置し、前記第１の導電型半導体層２３上に第２の導電型半導体層２７が位置し、第１の導電型半導体層２３と第２の導電型半導体層２７との間に活性層２５が介在する。前記第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、窒化ガリウム系列の化合物半導体物質、すなわち、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎで形成されてもよい。前記活性層２５は、要求される波長の光、例えば、紫外線又は青色光を放出するように決定される組成元素及び組成比を有する。

前記第１の導電型半導体層２３はｎ型窒化物半導体層であってもよく、第２の導電型半導体層２７はｐ型窒化物半導体層であってもよいが、その反対であってもよい。

前記第１の導電型半導体層２３及び／又は第２の導電型半導体層２７は、図示したように、単一層又は多層構造で形成されてもよい。また、活性層２５は、単一量子ウェル又は多重量子ウェル構造を有してもよい。また、前記基板２１と第１の導電型半導体層２３との間にバッファ層（図示せず）が介在してもよい。前記各半導体層２３、２５、２７は、ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ技術を使用して形成されてもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層２７上には透明電極層２９が位置してもよい。透明電極層２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトされる。

前記第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を使用して前記第１の導電型半導体層２３の領域が露出されるようにパターニングされてもよい。このような工程は、一般的にメサエッチング工程としてよく知られている。前記メサエッチング工程により、図１及び図２において図示したように各発光領域が分割されてもよい。ここでは、二つの発光領域に分割された場合を示しているが、より多数の発光領域に分割されてもよい。また、前記メサエッチング工程によって形成される各側面は、基板２１の面に対して３０〜７０°範囲内の傾斜角を有することが望ましい。

前記メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層上には、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が位置する。前記第１の電極パッド３５は、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。一方、前記第２の電極パッド３３は、絶縁層３１によって第１の導電型半導体層２３から絶縁される。前記第１及び第２の電極パッド３３、３５は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように比較的広い面積を有する。前記第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３は、第１の導電型半導体層２３の露出された領域上に限定されて位置してもよいが、これに限定されるものではない。

前記絶縁層３１は、第２の電極パッド３３と第１の導電型半導体層２３との間に介在し、第２の電極パッド３３を第１の導電型半導体層２３から絶縁させる。また、前記絶縁層３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆ってもよい。さらに、前記絶縁層３１は延長され、その縁部が第２の導電型半導体層２７上に位置してもよい。また、前記絶縁層３１は、延長されて前記第２の導電型半導体層２７を覆ってもよく、この場合、前記絶縁層３１は、第２の導電型半導体層２７の上部に貫通ホールを有してもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層２９）上に各上部延長部３３ａが位置する。前記各上部延長部３３ａは、それぞれ各接続部３３ｂを介して第２の電極パッド３３に接続されてもよく、前記各上部延長部３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電気的に接続される。前記絶縁層３１が第２の導電型半導体層２７を覆う場合、前記各上部延長部３３ａは、絶縁層３１の貫通ホールを介して第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層２９）に接続される。各上部延長部３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電流を均一に分散させるように配置される。一方、前記各接続部３３ｂは、絶縁層３１によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面から分離される。

一方、第１の下部延長部３５ａは前記第１の電極パッド３５から延長されてもよい。前記第１の下部延長部３５ａは、第１の導電型半導体層２３上に位置し、第１の導電型半導
体層２３に電気的に接続する。第１の下部延長部３５ａは、図示したように、分割された各発光領域の間に位置し、第２の電極パッド３３に向けて延長する。また、第２の下部延長部３５ｂは前記第１の電極パッド３５から延長されてもよい。前記第２の下部延長部３５ｂは、第１の導電型半導体層２３上に位置して第１の導電型半導体層２３に電気的に接続し、基板の縁部に沿って延長して各発光領域の外側に位置する。

前記電極パッド３３、３５、上部延長部３３ａ、接続部３３ｂ及び下部延長部３５ａは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。例えば、上部延長部３３ａと前記第２の電極パッド３３を、別個の工程で形成してもよく、互いに異なる材料で形成してもよい。

本実施形態において、分割された各発光領域は、第１の電極パッド３５と第２の電極パッド３３をつなぐ線、例えば、Ｂ−Ｂ線に対して対称構造を有する。各上部延長部３３ａも互いに対称に配置され、前記各発光領域は同一の発光特性を示すことができる。したがって、従来の二つの発光ダイオードを並列に接続して使用する場合に比べて、一つの発光ダイオード内で発光領域を二つに分割して使用することによって、発光ダイオードのパッケージング工程を単純化することができる。さらに、各発光領域を分割することによって、欠陥によって電流が集中するのを緩和することができ、メサエッチングによって傾斜した各側面を形成することによって光抽出効率を増加させることができる。

図３は、本発明の第２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。

図３を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１〜図２を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第２の電極パッド４３の一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置するという点で異なる。

すなわち、第２の電極パッド４３は、メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層２３上に位置し、その一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置する。前記第２の電極パッド４３は、絶縁層３１によって第１の導電型半導体層２７から分離され、第２の導電型半導体層及び活性層から分離される。各延長部３３ａは、直接又は接続部を介在して前記第２の電極パッド４３から延長してもよい。

本実施形態によれば、絶縁層３１によって第２の電極パッド４３を各半導体層から分離し、第２の電極パッド４３の周囲に電流が集中するのを防止することができる。また、本実施形態によれば、メサエッチングが行われる領域を相対的に減少させることができ、発光領域を増加させることができる。

図４は、本発明の第３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図４を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１〜図２を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第１の電極パッド５５及び第２の電極パッド５３の配置において異なる。

すなわち、図１〜図２では、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が四角形状の基板２１の各縁部の中央に互いに対向して配置された場合を示しているが、本実施形態では、第１の電極パッド５５及び第２の電極パッド５３が四角形状の基板２１の対角線上の角部付近に対向して配置される。

第１の電極パッド５５と第２の電極パッド５３を角部付近に配置することによって、第１の電極パッド５５と第２の電極パッド５３を相対的に遠く離隔させて形成することができる。

一方、各上部延長部５３ａは、第２の電極パッド５３から基板２１の縁部に沿って延長することができる。前記各上部延長部５３ａは、第２の導電型半導体層２７又は透明電極層２９に接続され、接続部５３ｂを介して第２の電極パッド５３に接続される。接続部５３ｂは、絶縁層３１によって第２の導電型半導体層２７から絶縁される。さらに、前記絶縁層３１は、第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆う。

第１の下部延長部５５ａは、前記第１の電極パッド５５から前記第２の電極パッド５３に向けて延長され、前記第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。第１の下部延長部５５ａは、基板２１の対角線上に位置してもよく、前記第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、第１の下部延長部５５ａを基準にして二つの発光領域に分割されてもよい。したがって、前記第１の下部延長部５５ａは前記各発光領域の間に位置してもよい。さらに、第２の下部延長部５５ｂは、前記第１の電極パッド５５から基板２１の縁部に沿って延長してもよい。

一方、図１〜図２を参照して説明したように、前記第２の電極パッド５３は第１の導電型半導体層２３上に位置し、第２の電極パッド５３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する。前記第２の電極パッド５３を第２の導電型半導体層２７から離隔させて配置することによって、第２の電極パッド５３付近に電流が集中するのを防止することができる。

さらに、図３を参照して説明したように、前記第２の電極パッド５３の一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置してもよい。

図５及び図６は、本発明の第４及び第５の実施形態に係る各発光ダイオードを説明するための部分断面図である。

上述した各実施形態では、第２の電極パッド３３、５３が第１の導電型半導体層２３上に位置し、前記第２の電極パッド３３、５３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する場合を説明したが、本実施形態では、前記第２の電極パッド６３は、基板２１上に基板２１に直接接して位置してもよい（図５参照）。さらに、前記基板２１と第２の電極パッド６３との間に絶縁層３１が介在してもよい（図６参照）。すなわち、前記絶縁層３１が基板２１に接して位置し、第２の電極パッド６３が前記絶縁層３１に接して絶縁層３１上に位置してもよい。第２の電極パッド６３は、基板２１上に形成された第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を少なくとも部分的に除去した領域の基板２１上に形成される。前記第２の電極パッド６３が基板２１に接して位置する場合、前記基板２１は絶縁基板であることが望ましい。

上述した各実施形態において、第２の電極パッド３３、５３、６３は、第２の導電型半導体層２７から水平に離れて位置する。これにより、前記第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。さらに、前記第２の電極パッド３３、５３、６３は、絶縁層３１によって各発光領域から絶縁された接続部３３ｂ、５３ｂを介して上部延長部３３ａ、５３ａに接続される。前記接続部３３ｂ、５３ｂも絶縁層３１によって第２の導電型半導体層２７から絶縁されるので、第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止できる。

図７は、本発明の第６の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である
。

図７を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１〜図２を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第１の電極パッド５５及び第２の電極パッド５３の配置において異なる。

すなわち、図１〜図２では、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が四角形状の基板２１の縁部付近に互いに対向して配置された場合を示しているが、本実施形態では、第２の電極パッド１５３が基板２１の中央部に配置される。さらに、第１の電極パッド１５５が基板の縁部に配置されてもよく、図示したように、複数の第１の電極パッド１５５が互いに対向して配置されてもよい。

一方、第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、上述したように、複数の発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に分割されてもよい。ここでは、第２の導電型半導体層２７及び活性層２５が二つの発光領域に分割された場合を示している。前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上に上部延長部１５３ａが位置し、前記上部延長部１５３ａは、接続部１５３ｂを介して前記第２の電極パッド１５３に接続される。前記接続部１５３ｂは、絶縁層３１（図２ａ及び図２ｂ）によって第２の導電型半導体層２７から絶縁される。また、前記絶縁層３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆い、接続部１５３ｂ又は第２の電極パッド１５３を第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面から絶縁させる。

一方、下部延長部１５５ｂは、前記第１の電極パッド１５５から基板２１の縁部に沿って延長する。下部延長部１５５ｂは、図７に示すように、発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を取り囲むように基板２１の縁部に沿って延長してもよい。下部延長部１５５ｂは、前記第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。一方、追加的な下部延長部（図示せず）が前記下部延長部１５５ｂから各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間の領域に延長して配置されてもよい。

一方、図１〜図２を参照して説明したように、前記第２の電極パッド１５３が第１の導電型半導体層２３上に位置し、第２の電極パッド１５３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する。前記第２の電極パッド１５３を第２の導電型半導体層２７から離隔させて配置することによって、第２の電極パッド１５３付近に電流が集中するのを防止することができる。なお、図３を参照して説明したように、前記第２の電極パッド１５３の一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置してもよい。

本実施形態によれば、前記第２の電極パッド１５３を基板２１、すなわち、発光ダイオードの中央部に配置することによって、前記第２の電極パッドから各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２内に電流を均一に分散させることができる。

図８は、本発明の第７の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図８を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図７を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上に二つの上部延長部１５３ａが位置し、下部延長部１５５ｃが第１の電極パッド１５５から第２の電極パッド１５３に向けて延長される点において異なる。

すなわち、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上には少なくとも二つの上部延長部１５３ａが位置する。各上部延長部１５３ａは、第１の電極パッド１５５と第２の電極パッド１５３を
横切る線に対して対称構造であってもよい。前記各上部延長部１５３ａは、それぞれ接続部１５３ｂを介して第２の電極パッド１５３に接続されている。

一方、下部延長部１５５ｃは、第１の電極パッド１５５から前記各上部延長部１５３ａの間の領域に延長し、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続する。下部延長部１５５ｃは第１の電極パッド１５５に近い位置で終端となる。

本実施形態において、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は、互いに対称構造を有してもよく、その結果、同一の発光特性を示すことができる。

本実施形態によれば、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に少なくとも二つの上部延長部１５３ａを配置し、これら上部延長部１５３ａの間の領域に下部延長部１５５ｃを配置することによって、広い面積を有する発光領域で電流分散を強化することができる。

図９は、本発明の第８の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図９を参照すれば、４個の発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４を有するように第２の導電型半導体層２７及び活性層２５が分割されている。また、４個の第１の電極パッド１６５が発光ダイオードの４個の角部付近に配置されており、下部延長部１６５ｂが各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４を取り囲んでいる。

一方、上述した第６及び第７の実施形態のように、第２の電極パッド１６３が基板２１の中央部に配置されている。第２の電極パッド１６３は、第１の導電型半導体層２３上に絶縁層３１を介在して位置することができる。

各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４上に上部延長部１６３ａが位置する。前記上部延長部１６３ａは、発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４の縁部に沿って延長してもよく、第２の導電型半導体層２７又は透明電極層２９に接続する。上部延長部１６３ａは、接続部１６３ｂを介して第２の電極パッド１６３に接続され、前記接続部１６３ｂは、絶縁層３１によって各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４から絶縁されている。

本実施形態によれば、基板２１の中央部に第２の電極パッド１６３を配置し、各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４を複数に分割することによって、広い領域にわたって電流を均一に分散できる発光ダイオードを提供することができる。

本実施形態において、４個の第１の電極パッド１６５が基板２１の４個の角部付近に配置された場合を説明したが、発光ダイオードは一つの第１の電極パッド１６５のみを有してもよく、下部延長部１６５ｂは、前記第１の電極パッド１６５から延長され、各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４を取り囲んでもよい。

図１０は、本発明の第９の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１０を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図９を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、下部延長部１６５ａ、１６５ｂ及び上部延長部１６３ａの配置において図９の実施形態と異なっている。

すなわち、各下部延長部１６５ｂは、それぞれの第１の電極パッド１６５から基板２１の縁部に沿って延長して各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４を取り囲むが、一部の領域では各下部
延長部１６５ｂが互いに離れている。また、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間の領域及び各発光領域ＬＥ３、ＬＥ４の間の領域に下部延長部１６５ａが延長される。下部延長部１６５ａは下部延長部１６５ｂから延長してもよい。

一方、上部延長部１６３ａは、第２の電極パッド１６３に接続部１６３ｂを介して接続されており、各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４の一縁部に沿って延長した後、下部延長部１６５ａと下部延長部１６５ｂとの間の領域に反対側の縁部に向けて延長する。

本実施形態によれば、各下部延長部１６５ａ、１６５ｂと上部延長部１６３ａの形状及び配置を調節することによって、これらの間の距離を調節し、各発光領域ＬＥ１〜ＬＥ４内の電流分散を最適化することができる。

上述した第６〜第８の実施形態で、第２の電極パッド１５３、１６３が第１の導電型半導体層２３上に位置し、前記第２の電極パッド１５３、１６３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する場合を説明したが、既に図５及び図６を参照して説明したように、前記第２の電極パッド１５３、１６３は、基板２１上に基板２１に直接接して位置してもよく（図５参照）、さらに、前記基板２１と第２の電極パッド１５３、１６３との間に絶縁層３１が介在してもよい（図６参照）。すなわち、前記絶縁層３１が基板２１に接して位置し、第２の電極パッド１５３、１６３が前記絶縁層３１に接して絶縁層３１上に位置することができる。第２の電極パッド１５３、１６３は、基板２１上に形成された第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を少なくとも部分的に除去した領域の基板２１上に形成される。前記第２の電極パッド１５３、１６３が基板２１に接して位置する場合、前記基板２１は絶縁基板であることが望ましい。

図１１は、本発明の第１０の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１１を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１〜図２を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第１の電極パッド２５５及び第２の電極パッド２５３の配置において異なる。

すなわち、図１及び図２では、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が基板２１の長軸方向に互いに対向して配置された場合を示しているが、本実施形態では、第２の電極パッド２５３は基板２１の一側縁部の中央部付近に配置され、二つの第１の電極パッド２５５が前記一側縁部に対向する他側縁部付近に配置される。前記一側縁部は、特別に限定されるものではないが、相対的に長い縁部であってもよい。さらに、前記第１の電極パッド２５５は、前記第２の電極パッド２５３に対向して位置するよりも、前記他側縁部の端部、すなわち、四角形状の基板２１の角部付近に配置されている。

一方、第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、上述したように、複数の発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に分割されてもよい。ここでは、二つの発光領域に分割された場合を示している。前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は、前記第２の電極パッド２５３から基板２１の短軸方向に延長する線を中心に対称構造で分割されてもよい。すなわち、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は、基板２１の一側縁部に対して垂直になるように第２の電極パッド２５３を横切る線に対して対称構造であってもよい。

前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上には上部延長部２５３ａ、２５３ｃが位置する。前記上部延長部２５３ｃは、接続部２５３ｂを介して前記第２の電極パッド２５３に接続され、発光領域ＬＥ１の一側縁部に沿って延長してもよい。一方、上部延長部２５３ａは、上部延長部２５３ｃから直線状に延長してもよい。すなわち、上部延長部２５３ａは、基板
２１の一側縁部から他側縁部に延長する直線部であってもよい。

前記接続部２５３ｂは、絶縁層３１（図２ａ及び図２ｂ参照）によって第２の導電型半導体層から絶縁される。また、前記絶縁層３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆い、接続部２５３ｂ又は第２の電極パッド２５３を第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面から絶縁させる。

一方、下部延長部２５５ｂは、前記第１の電極パッド２５５から基板２１の縁部に沿って延長する。下部延長部２５５ｂは、図１１に示すように、基板２１の他側縁部に沿って延長する下部延長部と、前記一側縁部と他側縁部を接続する縁部に沿って延長する下部延長部とを含む。したがって、前記下部延長部２５５ｂは、発光領域ＬＥ１又はＬＥ２の二つの縁部に沿って延長する。さらに、下部延長部２５５ａは、下部延長部２５５ｂから各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間の領域に延長してもよい。下部延長部２５５ａは、第２の電極パッド２５３に向けて延長する。下部延長部２５５ａ、２５５ｂは、前記第１の導電型半導体層２３に電気的に接続され、発光ダイオード内の電流分散を促進する。

一方、図１及び図２を参照して説明したように、前記第２の電極パッド２５３は第１の導電型半導体層２３上に位置し、第２の電極パッド２５３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する。前記第２の電極パッド２５３を第２の導電型半導体層２７から離隔させて配置することによって、第２の電極パッド２５３付近に電流が集中するのを防止することができる。なお、図３を参照して説明したように、前記第２の電極パッド２５３の一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置してもよい。

本実施形態によれば、一つの第２の電極パッド２５３が各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に共通に使用され、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２にそれぞれ第１の電極パッド２５５が提供される。また、第１の電極パッド２５５と第２の電極パッド２５３が互いに対向せず、第１の電極パッド２５５が基板２１の縁部の中央部から離れて位置するので、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２内で電流をさらに分散させることができる。

本実施形態において、第２の導電型半導体層２７及び活性層２５が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割された場合を説明したが、前記第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は分割されなくてもよい。すなわち、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は互いに接続されてもよい。

図１２は、本発明の第１１の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１２を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１１を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２内に入り込む下部延長部２５５ｃをさらに含むという点で異なる。また、図１１の下部延長部２５５ａは省略されてもよい。

前記下部延長部２５５ｃは、メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層２３上に位置し、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。前記下部延長部２５５ｃは、下部延長部２５５ｂから基板２１の一側縁部に延長してもよい。一方、上部延長部２５３ａは、各下部延長部２５５ｂ、２５５ｃの間の領域に延長する。

本実施形態によれば、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２内に入り込む下部延長部２５５ｃを採択することによって、相対的に広い領域の各発光領域で電流を均一に分散させることができる。

本実施形態において、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は、基板２１の一側縁部に対して垂直になるように前記第２の電極パッド２５３を横切る線に対して対称構造を有してもよく、その結果、前記各下部延長部２５５ｃは互いに対称に配置されてもよい。

図１３は、本発明の第１２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１３を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１１を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第１の電極パッド２６５の位置が多少異なっている。

すなわち、第１の電極パッド２６５は、基板２１の他側縁部の中央部と端部との間の各領域に位置する。第１の電極パッド２６５は、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の縁部の中央部に位置してもよい。また、前記第１の電極パッド２６５は、上部延長部２５３ａの延長線上に位置してもよい。したがって、上部延長部２５３ａが下部延長部２５５ｂと下部延長部２５５ａとの間の中央に位置してもよく、上部延長部２５３ａの両側領域にほぼ均一に電流を分散させることができる。

第１０〜第１１の実施形態で、第２の電極パッド２５３が第１の導電型半導体層２３上に位置し、前記第２の電極パッド２５３と第１の導電型半導体層２３との間に絶縁層３１が介在する場合を説明したが、前記第２の電極パッド２５３は、図５及び図６を参照して説明したように、基板２１上に基板２１に直接接して位置してもよく、前記基板２１と第２の電極パッド２３３、２５３との間に絶縁層３１が介在してもよい。すなわち、前記絶縁層３１が基板２１に接して位置し、第２の電極パッド２５３が前記絶縁層３１に接して絶縁層３１上に位置してもよい。第２の電極パッド２５３は、基板２１上に形成された第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を少なくとも部分的に除去した領域の基板２１上に形成される。前記第２の電極パッド２５３が基板２１に接して位置する場合、前記基板２１は絶縁基板であることが望ましい。

上述した各実施形態において、第２の電極パッドは、第２の導電型半導体層２７から水平に離れて位置する。したがって、前記第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止することができる。さらに、前記第２の電極パッドは、絶縁層３１によって各発光領域から絶縁された接続部を介して上部延長部に接続される。前記接続部も絶縁層３１によって第２の導電型半導体層２７から絶縁されるので、第２の電極パッド付近に電流が密集するのを防止できる。

図１４は、本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図１５ａ、図１５ｂ及び図１５ｃは、それぞれ図１４のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図１４及び図１５を参照すれば、前記発光ダイオードは、基板２１、第１の導電型半導体層２３、活性層２５、第２の導電型半導体層２７、絶縁層３３１、第１の電極パッド３３５、第２の電極パッド３３３及び上部延長部３３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、各接続部３３３ｂ、透明電極層２９、第１の下部延長部３３５ａ及び第２の下部延長部３３５ｂを含んでもよい。

前記基板、第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、図１及び図２を参照して説明した通りであるので、同一の内容に対する詳細な説明は省略する。

前記第２の導電型半導体層２７及び活性層２５のメサエッチング工程によって、図示したように、第１の電極パッド３３５、第１の下部延長部３３５ａ及び第２の下部延長部３３５ｂが形成される領域のｎ型半導体層２３が露出されてもよい。前記メサエッチング工程によって湾入部３０ｂが形成され、前記第２の導電型半導体層２７及び前記活性層２５が実質的に二つの領域に分割されてもよい。また、前記メサエッチング工程によって形成される各側面は、基板２１の面に対して３０〜７０°範囲内の傾斜角を有することが望ましい。

一方、前記第２の導電型半導体層２７上には透明電極層３２９が位置してもよい。透明電極層３２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層にオーミックコンタクトされる。前記透明電極層３２９は、例えば、図１７ｂに示すように、二つの領域に分離されてもよい。このとき、前記透明電極層３２９は、第２の電極パッド３３３が形成される領域の第２の導電型半導体層２７を露出させるように分離され、これら二つの領域は互いに対称に配置されてもよい。

一方、前記絶縁層３３１は前記第２の導電型半導体層２７を覆う。前記透明電極層３２９が前記第２の導電型半導体層２７上に位置する場合、前記絶縁層３３１も前記透明電極層３２９を覆う。また、絶縁層３３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆ってもよい。さらに、前記絶縁層３３１は、前記第２の導電型半導体層２７の上部に各開口部３３１ａを有する。前記各開口部３３１ａによって前記第２の導電型半導体層２７（又は前記透明電極層３２９）が露出される。前記絶縁層３３１の材料は、活性層２５で生成された光を透過可能な透明な材料であれば特別に限定されず、例えばＳｉＯ２で形成されてもよい。

一方、前記第２の導電型半導体層２７上に第２の電極パッド３３３が位置する。前記第２の電極パッド３３３は、前記透明電極層３２９が分離されて露出された第２の導電型半導体層２７上に位置し、前記絶縁層３３１によって前記第２の導電型半導体層２７から絶縁される。

一方、前記第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層３２９）上には各上部延長部３３３ａが位置する。前記各上部延長部３３３ａは、前記絶縁層３３１の各開口部３３１ａを介して前記第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層３２９）に接続されてもよい。各上部延長部３３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電流を均一に分散させるように配置され、例えば、前記各上部延長部３３３ａは互いに平行に延長してもよい。前記各上部延長部３３３ａは、それぞれ各接続部３３３ｂを介して第２の電極パッド３３３に接続されてもよい。ここで、前記各接続部３３３ｂは、絶縁層３３１によって第２の導電型半導体層２７から分離される。

一方、前記メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層上には第１の電極パッド３３５が位置してもよい。前記第１の電極パッド３３５は、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。前記第１及び第２の電極パッド３３３、３３５は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように比較的広い面積を有する。また、第１の下部延長部３３５ａは、前記第１の電極パッド３３５から第２の電極パッド３３３に向けて延長することができる。前記第１の下部延長部３３５ａは、第１の導電型半導体層２３上に位置し、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続する。図示したように、前記第１の下部延長部３３５ａは、透明電極層３２９の分離された各領域の間に位置してもよく、前記各上部延長部３３３ａに対して平行であってもよい。さらに、第２の下部延長部３３５ｂは前記第１の電極パッド３３５から延長してもよく、これら第２の下部延長部３３５ｂは、前記第１の電極パッド３３５から基板２
１の縁部に沿って延長してもよい。

前記各電極パッド３３３、３３５、各上部延長部３３３ａ、各接続部３３３ｂ及び各下部延長部３３５ａ、３３５ｂは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。例えば、各上部延長部３３３ａと前記第２の電極パッド３３３は、別個の工程で形成してもよく、互いに異なる材料で形成してもよい。

本実施形態において、前記発光ダイオードは、第１の電極パッド３３５と第２の電極パッド３３３を横切る線、例えば、Ｂ−Ｂ線に対して対称構造を有してもよい。前記分離された透明電極層３２９と前記各上部延長部３３３ａが互いに対称に配置されてもよく、前記第２の下部延長部３３５ｂが互いに対称に配置されてもよい。これによって、前記発光ダイオードは、前記透明電極層３２９の分離された各領域で互いに同一の発光特性を示すことができる。各発光領域が実質的に二つの領域に分割されることによって、ピンホールや貫通転位などの欠陥に電流が集中するのを緩和し、電流を分散させることができる。

本実施形態において、第１の電極パッド３３５が第１の導電型半導体層２３上に位置する場合を説明したが、前記基板２１が導電性である場合、前記第１の電極パッド３３５は基板２１の底面又は基板２１上に位置してもよい。

図１６は、本発明の第１４の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。

図１６を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、既に図１４及び図１５を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第２の電極パッド３４３の一部が透明電極層３２９の上部に位置するという点で異なる。

すなわち、第２の電極パッド３４３は、透明電極層３２９が分離されて露出された第２の導電型半導体層２７の上部に前記絶縁層３３１によって絶縁されて位置するが、その一部が透明電極層３２９の上部に位置する。このとき、前記第２の電極パッド３３３と透明電極層３２９は絶縁層３１によって絶縁される。

本実施形態によれば、透明電極層３２９を分離する領域を相対的に減少させることができ、第２の電極パッド３４３を上述した第２の電極パッド３３３に比べて相対的に大きく形成することができる。

図１７ａ〜図１７ｄは、本発明の第１３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層３２９及び絶縁層３３１の形成方法は当業者によく知られた方法を用いるので、それに対する具体的な説明は省略する。

まず、図１７ａを参照すれば、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによって第１の導電型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜して形成されてもよい。このとき、図１４に示すような第１の電極パッド３３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部３３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部３３５ｂが形成される領域３０ｃの第１の導電型半導体層２３が露出される。前記第１の下部延長部３３５ａが形成される領域３０ｂは、前記発光ダイオードの内側に入り込む湾入部３０ｂになる。前記湾入部３０ｂは、前記各半導体層の中央に位置し、前記第１の電極パッドが形成される領域３０ａから内側に入
り込み、発光領域を実質的に二つの領域に分割する。第２の電極パッド３３３（図１４）が形成される領域の第２の導電型半導体層及び活性層は、エッチングされずに残される。

図１７ｂを参照すれば、前記第２の導電型半導体層２７上には透明電極層３２９が形成されてもよい。前記透明電極層３２９は、第２の電極パッド３３３が形成される領域の第２の導電型半導体層２７を露出させるように形成され、二つの領域に分離されるように形成される。前記透明電極層３２９は、互いに対称に分離されてもよい。透明電極層３２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図１７ｃを参照すれば、前記透明電極層３２９上に絶縁層３３１が形成される。前記絶縁層３３１は、第２の電極パッド３３３が形成される領域の第２の導電型半導体層２７を覆い、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２３の各側面を覆ってもよい。一方、前記絶縁層３３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記透明電極層３２９を露出させる各開口部３３１ａが形成される。前記透明電極層３２９を露出させる各開口部３３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド３３５、第１の下部延長部３３５ａ及び第２の下部延長部３３５ｂが形成される各領域３０ａ、３０ｂ、３０ｃの第１の導電型半導体層２３も露出される。

図１７ｄを参照すれば、前記露出された第１の導電型半導体層２３上には、第１の電極パッド３３５、第１の下部延長部３３５ａ及び第２の下部延長部３３５ｂが形成される。また、前記絶縁層３３１上に第２の電極パッド３３３及び各接続部３３３ｂが形成され、前記開口部３３１ａに各上部延長部３３３ａが形成される。

前記各上部延長部３３３ａは、前記透明電極層３２９に接続され、前記第１の下部延長部３３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図１４に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態において、透明電極層３２９が二つの領域に分離された場合を説明したが、これに限定されるものではなく、より多数の領域に分離されることもある。また、メサエッチング工程後に透明電極層３２９が形成される場合を説明したが、透明電極層３２９を形成した後でメサエッチング工程が行われることもある。

図１８は、本発明の第１５の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１４の実施形態で、第１の電極パッド３３５及び第２の電極パッド３３３が発光ダイオードの長軸方向に沿って配置され、透明電極層３２９が発光ダイオードの長軸方向に沿って分離される場合を示しているが、本実施形態においては、各電極パッド３５３、３５５が発光ダイオードの短軸方向に沿って配置され、透明電極層３２９が発光ダイオードの短軸方向に沿って分離されている。また、分離された透明電極層３２９は対称構造を有し、各上部延長部３５３ａ及び各下部延長部３５５ａも対称構造で配置されている。

ここで、前記各上部延長部３５３ａは、発光ダイオードの縁部に沿って延長され、発光ダイオードを取り囲む形態で配置されており、発光ダイオードの外側から内側に入り込む延長部３５３ｃを有する。一方、各下部延長部３５５ａは、発光ダイオードの内側から外側に向けて延長している。また、各下部延長部３５５ａは、それぞれ各発光領域内で前記延長部３５３ｃを取り囲むように二つの部分に分けられてもよい。

一方、前記各上部延長部３５３ａは、絶縁層３３１の各開口部３１ａを介して前記透明電極層３２９に接続され、各接続部３５３ｂによって第２の電極パッド３５３に接続される。前記各接続部３５３ｂは絶縁層３３１によって透明電極層３２９から絶縁される。

本実施形態においては、第１の電極パッド３５５から第２の電極パッド３５３に延長する第１の下部延長部３３５ａ（図１４参照）といった構成は有しない。

図１９は、本発明の第１６の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図１９を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１８を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、各下部延長部３６５ａ及び各上部延長部３６３ａの配置において異なる。

すなわち、各下部延長部３６５ａが発光ダイオードの外側に延長された後、内側に入り込み、各上部延長部３６３ａは各透明電極層３２９上に二つの延長部を含み、これら二つの延長部は、前記内側に入り込んだ下部延長部３６５ａを取り囲むように配置される。

前記各上部延長部３６３ａは、絶縁層３３１の各開口部３３１ａを介して透明電極層３２９に接続され、各接続部３６３ｂによって第２の電極パッド３５３に接続される。前記各接続部３６３ｂは、絶縁層３３１によって透明電極層３２９から絶縁される。

以上では、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、各電極パッド及び各延長部の配置については、他の多様な実施形態及び変形が可能である。

図２０は、本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図２１ａ、図２１ｂ及び図２１ｃは、それぞれ図２０のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図２０及び図２１を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図１４及び図１５を参照して説明した発光ダイオードとほぼ同様であるが、第２の電極パッド４３３が透明電極層４２９の上部に位置し、絶縁層４３１によって透明電極層４２９から絶縁されたという点で異なる。また、本実施形態において、第１の導電型半導体層２３がｎ型で、第２の導電型半導体層２７がｐ型である。

本実施形態に係る発光ダイオードは、基板２１、ｎ型半導体層２３、活性層２５、ｐ型半導体層２７、透明電極層４２９、絶縁層４３１、第１の電極パッド４３５、第２の電極パッド４３３及び上部延長部４３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、各接続部４３３ｂ、第１の下部延長部４３５ａ及び第２の下部延長部４３５ｂを含んでもよい。

本実施形態において、基板２１、ｎ型半導体層２３、活性層２５及びｐ型半導体層２７は、図１４及び図１５を参照して説明した発光ダイオードと同一であるので、それらについての具体的な説明は省略する。

一方、前記ｐ型半導体層２７上には透明電極層４２９が位置する。透明電極層４２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、ｐ型半導体層にオーミックコンタクトされてもよい。前記透明電極層４２９は、例えば、図２２ｂに示すように、ｐ型半導体層２７上に形成され、対称構造を有するように形成されてもよい。このとき、前記透明電極層４２９は、第２の電極パッド４３３が形成される領域のｐ型半導体層２７を覆う。

一方、前記絶縁層４３１が前記透明電極層４２９を覆う。また、絶縁層４３１は、メサエッチングによって露出されたｐ型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆ってもよい。さらに、前記絶縁層４３１は、前記透明電極層４２９を露出させる各開口部４３１ａを有する。前記各開口部４３１ａによって前記透明電極層４２９（又はｐ型半導体層２７）が露出される。前記絶縁層４３１の材料は、活性層２５で生成された光を透過可能な透明な材料であれば特別に限定されず、例えば、ＳｉＯ２で形成されてもよい。

一方、前記透明電極層４２９上には第２の電極パッド４３３が位置する。前記第２の電極パッド４３３は、湾入部３０ｂ付近の前記透明電極層４２９上に位置し、前記絶縁層４３１によって前記透明電極層４２９から絶縁される。

一方、前記透明電極層４２９上には各上部延長部４３３ａが位置する。前記各上部延長部４３３ａは、前記絶縁層４３１の各開口部４３１ａを介して前記透明電極層４２９に接続されてもよく、その結果、前記ｐ型半導体層２７に電気的に接続される。前記各開口部４３１ａを介して前記ｐ型半導体層２７が露出されることもあり、前記各上部延長部４３３ａは前記ｐ型半導体層２７に直接接続されることもある。各上部延長部４３３ａは、ｐ型半導体層２７に電流を均一に分散させるように配置され、例えば、前記各上部延長部４３３ａは互いに平行に延長してもよい。前記各上部延長部４３３ａは、それぞれ各接続部４３３ｂを介して第２の電極パッド４３３に接続されてもよい。ここで、前記各接続部４３３ｂは、絶縁層４３１によって透明電極層４２９から絶縁される。

一方、前記メサエッチングによって露出されたｎ型半導体層２３上には第１の電極パッド４３５が位置してもよい。前記第１の電極パッド４３５はｎ型半導体層２３に電気的に接続される。前記第１及び第２の電極パッド４３３、４３５は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように比較的広い面積を有する。また、第１の下部延長部４３５ａは、前記第１の電極パッド４３５から第２の電極パッド４３３に向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部４３５ａは、ｎ型半導体層２３上に位置し、ｎ型半導体層２３に電気的に接続する。図示したように、前記第１の下部延長部４３５ａは、前記湾入部３０ｂ内に位置し、前記各上部延長部４３３ａに対して平行であってもよい。さらに、第２の下部延長部４３５ｂは前記第１の電極パッド４３５から延長してもよく、これら第２の下部延長部４３５ｂは、前記第１の電極パッド４３５から基板２１の縁部に沿って延長してもよい。

前記各電極パッド４３３、４３５、各上部延長部４３３ａ、各接続部４３３ｂ及び第１及び第２の下部延長部４３５ａ、４３５ｂは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成されてもよく、またこれに限定されるものではない。例えば、各上部延長部４３３ａと前記第２の電極パッド４３３は、別個の工程で形成してもよく、互いに異なる材料で形成してもよい。

本実施形態において、前記発光ダイオードは、第１の電極パッド４３５と第２の電極パッド４３３を横切る線、例えば、図２０のＢ−Ｂ線に対して対称構造を有してもよい。前記分離された透明電極層４２９及び前記各上部延長部４３３ａが互いに対称に配置されてもよく、前記第２の下部延長部４３５ｂが互いに対称に配置されてもよい。これによって、前記発光ダイオードは、前記湾入部３０ｂの両側で実質的に同一の発光特性を示すことができる。したがって、各発光領域が実質的に二つの領域に分割されることによって、ピンホールや貫通転位などの欠陥に電流が集中するのを緩和し、電流を分散させることができる。

本実施形態において、第１の電極パッド４３５がｎ型半導体層２３上に位置する場合を説明したが、前記基板２１が導電性である場合、前記第１の電極パッド４３５は基板２１
の底面又は基板２１上に位置してもよい。

図２２ａ〜図２２ｄは、本発明の第１７の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層４２９及び絶縁層４３１の形成方法は当業者によく知られた方法を用いるので、それに対する具体的な説明は省略する。

まず、図２２ａを参照すれば、基板２１上にはｎ型半導体層２３、活性層２５及びｐ型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによってｎ型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜するように形成されてもよい。このとき、図２０に示すような第１の電極パッド４３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部４３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部４３５ｂが形成される領域３０ｃのｎ型半導体層２３が露出される。前記第１の下部延長部４３５ａが形成される領域３０ｂは、前記発光ダイオードの内側に入り込む湾入部３０ｂになる。前記湾入部３０ｂは、前記第１の電極パッドが形成される領域３０ａから内側に入り込み、発光領域を実質的に二つの領域に分割する。一方、前記第２の電極パッド４３３（図２０）が形成される領域のｐ型半導体層及び活性層は、エッチングされずに残される。

図２２ｂを参照すれば、前記ｐ型半導体層２７上には透明電極層４２９が形成される。前記透明電極層４２９は、第２の電極パッド４３３が形成される領域のｐ型半導体層２７を覆い、前記湾入部３０ｂに沿って延長する線に対して対称構造を有するように形成されてもよい。透明電極層４２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、ｐ型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図２２ｃを参照すれば、前記透明電極層４２９上に絶縁層４３１が形成される。前記絶縁層４３１は、第２の電極パッド４３３が形成される領域の透明電極層４２９を覆い、メサエッチングによって露出されたｐ型半導体層２７及び活性層２３の各側面を覆ってもよい。一方、前記絶縁層４３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記透明電極層４２９を露出させる各開口部４３１ａが形成される。前記透明電極層４２９を露出させる各開口部４３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド４３５、第１の下部延長部４３５ａ及び第２の下部延長部４３５ｂが形成される領域のｎ型半導体層２３も露出される。

図２２ｄを参照すれば、前記露出されたｎ型半導体層２３上に第１の電極パッド４３５、第１の下部延長部４３５ａ及び第２の下部延長部４３５ｂが形成される。また、前記絶縁層４３１上に第２の電極パッド４３３及び各接続部４３３ｂが形成され、前記開口部４３１ａに各上部延長部４３３ａが形成される。

前記各上部延長部４３３ａは、前記透明電極層４２９に接続され、前記第１の下部延長部４３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図２０に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態において、発光領域が湾入部３０ｂによって実質的に二つの領域に分離された場合を説明したが、これに限定されるものではなく、より多数の領域に分離されてもよい。また、メサエッチング工程後に透明電極層４２９が形成される場合を説明したが、透明電極層４２９を形成した後でメサエッチング工程が行われてもよい。

本実施形態に係る発光ダイオードは、第１３の実施形態に係る発光ダイオードに比べて、第２の電極パッド４３３が透明電極層４２９の上部に位置するという点で異なる。この
ような技術的特徴は、図１８及び図１９を参照して説明した第１５及び第１６の実施形態の発光ダイオードにも同様に適用可能であるが、それに対する具体的な説明は省略する。

図２３は、本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図２４ａ、図２４ｂ及び図２４ｃは、それぞれ図２３のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図２３及び図２４を参照すれば、前記発光ダイオードは、基板２１、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を含む発光構造体、前記発光構造体から離隔した電極パッド領域ＥＰ、第１の電極パッド５３５、第２の電極パッド５３３及び各上部延長部５３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、透明電極層５２９、絶縁層５３１、各接続部５３３ｂ、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂを含んでもよい。さらに、前記発光構造体及び前記電極パッド領域ＥＰは、それぞれ第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む。

前記基板２１は、特別に限定されるものではなく、例えば、サファイア基板であってもよい。前記発光構造体及び電極パッド領域ＥＰは前記基板２１上に位置する。

前記第１の導電型半導体層２３はｎ型窒化物半導体層で、第２の導電型半導体層２７はｐ型窒化物半導体層であってもよいが、その反対であってもよい。前記第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、図１４及び図１５を参照して説明した発光ダイオードと同様であるので、それに対する具体的な説明は省略する。

前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、少なくとも二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割されてもよい。これら各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は対称構造を有するように形成されてもよく、このような分割工程はメサエッチング工程によって行われてもよい。前記メサエッチング工程によって湾入部３０ｂが形成され、前記第２の導電型半導体層２７及び前記活性層２５が二つの領域に分割されてもよい。また、前記メサエッチング工程によって形成される発光構造体の各側面は、基板２１面に対して３０〜７０°の傾斜角を有することが望ましい。また、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第１の導電型半導体層２３は前記各発光領域によって共有されてもよく、その結果、前記各発光領域の間に第１の導電型半導体層２３が露出される。

さらに、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７上には透明電極層５２９が位置してもよい。前記透明電極層５２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

一方、前記電極パッド領域ＥＰは前記発光構造体から離隔する。すなわち、前記電極パッド領域の第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７から離隔する。したがって、前記電極パッド領域ＥＰは、前記発光構造体から電気的に絶縁される。前記電極パッド領域ＥＰは、第１の導電型半導体層２３内に形成されたトレンチ領域ＴＩによって前記発光構造体から離隔してもよい。一方、前記電極パッド領域ＥＰ上には、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕなどの透明電極層５２９が位置してもよい。

一方、絶縁層５３１は、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７（又は前記透明電極層５２９）を覆ってもよい。また、絶縁層５３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆ってもよい。さらに、前記絶縁層５３１は、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａを有する。前記各開口部５３１ａによって前記透明電極層５２９（又は第２の導電
型半導体層２７）が露出される。また、前記絶縁層５３１は、前記電極パッド領域ＥＰの第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層５２９）を覆ってもよく、前記電極パッド領域ＥＰの側面を覆ってもよい。前記絶縁層５３１は、活性層２５で生成された光を透過可能な透明な材料であれば特別に限定されず、例えば、ＳｉＯ２で形成されてもよい。

一方、前記発光構造体の露出された第１の導電型半導体層２３上に第１の電極パッド５３５が位置してもよく、前記電極パッド領域ＥＰ上に第２の電極パッド５３３が位置してもよい。前記第１の電極パッド５３５は、図示したように、前記第２の電極パッド５３３と対向して位置してもよい。前記第１及び第２の電極パッド５３５、５３３は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように比較的広い面積を有する。

前記第１の電極パッド５３５は第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。また、第１の下部延長部５３５ａは、前記第１の電極パッド５３５から第２の電極パッド５３３に向けて延長されてもよい。前記第１の下部延長部５３５ａは、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３上に位置し、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続する。図示したように、前記第１の下部延長部５３５ａは、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間で前記湾入部３０ｂ内に位置し、その端部が前記第２の電極パッド５３３の近くに位置してもよい。さらに、第２の下部延長部５３５ｂは前記第１の電極パッド５３５から延長してもよく、これら第２の下部延長部５３５ｂは、前記第１の電極パッド５３５から基板２１の縁部に沿って延長してもよい。

一方、前記電極パッド領域ＥＰ上には第２の電極パッド５３３が位置する。前記第２の電極パッド５３３は第２の導電型半導体層２７上に位置し、透明電極層５２９及び／又は絶縁層５３１は、前記第２の電極パッド５３３と第２の導電型半導体層２７との間に介在してもよい。絶縁層５３１が第２の電極パッド５３３と第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層５２９）との間に介在した場合、第２の電極パッドを電極パッド領域ＥＰから電気的に絶縁させることができる。

一方、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上には各上部延長部５３３ａが位置する。前記各上部延長部５３３ａは、前記絶縁層５３１の各開口部５３１ａを介して前記透明電極層５２９（又は第２の導電型半導体層２７）に電気的に接続されてもよい。前記各開口部５３１ａを介して前記第２の導電型半導体層２７が露出されてもよく、前記各上部延長部５３３ａは前記第２の導電型半導体層２７に直接接続されてもよい。各上部延長部５３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電流を均一に分散させるように配置され、例えば、前記各上部延長部５３３ａは互いに平行に延長されてもよい。また、前記各上部延長部５３３ａは、前記第１の下部延長部５３５ａに対して平行であってもよい。前記各上部延長部５３３ａは、それぞれ各接続部５３３ｂを介して第２の電極パッド５３３に接続されてもよい。ここで、前記各接続部５３３ｂは、絶縁層５３１によって透明電極層５２９（又は第２の導電型半導体層２７）から絶縁される。また、前記各接続部５３３ａは、絶縁層５３１によって発光構造体の側面から絶縁されてもよい。

前記各電極パッド５３３、５３５、各上部延長部５３３ａ、各接続部５３３ｂ及び第１及び第２の下部延長部５３５ａ、５３５ｂは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成されてもよく、またこれに限定されるものではない。例えば、各上部延長部５３３ａと前記第２の電極パッド５３３は、別個の工程で形成してもよく、互いに異なる材料で形成してもよい。

本実施形態において、前記発光ダイオードは、第１の電極パッド５３５と第２の電極パッド５３３を横切る線、例えば、図２３のＢ−Ｂ線に対して対称構造を有してもよい。前
記分離された透明電極層５２９及び前記各上部延長部５３３ａが互いに対称に配置されてもよく、前記第２の下部延長部５３５ｂが互いに対称に配置されてもよい。これによって、前記発光ダイオードは、前記湾入部３０ｂの両側で同一の発光特性を示すことができる。各発光領域が二つの領域に分割されることによって、ピンホールや貫通転位などの欠陥に電流が集中するのを緩和し、電流を分散させることができる。

本実施形態において、第１の電極パッド５３５が第１の導電型半導体層２３上に位置する場合を説明したが、前記基板２１が導電性である場合、前記第１の電極パッド５３５は基板２１の底面又は基板２１上に位置してもよい。この場合、前記第２の電極パッド５３３は、絶縁層５３１によって前記電極パッド領域ＥＰから絶縁される。

図２５ａ〜図２５ｅは、本発明の第１８の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層５２９及び絶縁層５３１の形成方法は当業者によく知られた方法を用いるので、それに対する具体的な説明は省略する。

まず、図２５ａを参照すれば、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによって第１の導電型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜するように形成されてもよい。このとき、図２３に示すような第１の電極パッド５３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される領域３０ｃの第１の導電型半導体層２３が露出される。前記第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂは、前記発光ダイオードの内側に入り込む湾入部３０ｂになる。前記湾入部３０ｂは、前記第１の電極パッドが形成される領域３０ａから内側に入り込む。一方、前記メサエッチング工程によって電極パッド領域ＥＰの周囲の第１の導電型半導体層２３が露出され、電極パッド領域ＥＰの第２の導電型半導体層及び活性層はエッチングされずに残される。その結果、前記メサエッチング工程によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２３が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割され、電極パッド領域ＥＰが定義される。

図２５ｂを参照すれば、前記電極パッド領域ＥＰの周囲に沿って第１の導電型半導体層２３をエッチングし、トレンチＴＩを形成する。前記トレンチＴＩによって、前記電極パッド領域ＥＰは、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を含む発光構造体の第１の導電型半導体層２３から島状に離隔する。

図２５ｃを参照すれば、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第２の導電型半導体層２７上には透明電極層５２９が形成されてもよい。透明電極層５２９は前記電極パッド領域ＥＰ上にも形成され得る。前記透明電極層５２９は、前記湾入部３０ｂに沿って延長する線に対して対称構造を有するように形成されてもよい。透明電極層５２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図２５ｄを参照すれば、前記発光構造体上には絶縁層５３１が形成される。前記絶縁層５３１は、発光構造体の透明電極層５２９を覆い、前記電極パッド領域ＥＰ上の透明電極層５２９を覆ってもよい。また、前記絶縁層５３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２３の各側面を覆ってもよい。一方、前記絶縁層５３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａが形成される。前記透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ
及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される領域の第１の導電型半導体層２３が露出される。

図２５ｅを参照すれば、前記発光構造体の露出された第１の導電型半導体層２３上に第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される。また、前記電極パッド領域ＥＰ上に第２の電極パッド５３３が形成され、前記各開口部５３１ａに各上部延長部５３３ａが形成され、前記第２の電極パッド５３３と前記各上部延長部５３３ａを接続する各接続部５３３ｂが形成される。

前記各上部延長部５３３ａは、前記透明電極層５２９に接続され、前記第１の下部延長部５３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図２３に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態において、発光構造体が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に分割される場合を説明したが、これに限定されるものではなく、より多数の領域に分割されることもある。また、メサエッチング工程後に透明電極層５２９が形成される場合を説明したが、透明電極層５２９を形成した後でメサエッチング工程が行われることもある。また、メサエッチング工程後にトレンチＴＩを形成する場合を説明したが、トレンチＴＩを先に形成した後、メサエッチング工程を行ってもよい。

図２６は、本発明の第１９の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図２３に係る実施形態では、第１の電極パッド５３５及び第２の電極パッド５３３が発光ダイオードの長軸方向に沿って配置され、湾入部５６０ｂが発光ダイオードの長軸方向に沿って形成される場合を示しているが、本実施形態においては、各電極パッド５５３、５５５が発光ダイオードの短軸方向に沿って配置され、湾入部５６０ｂが発光ダイオードの短軸方向に沿って形成されている。透明電極層５２９、各上部延長部５５３ａ及び各下部延長部５５５ａは対称構造で配置されている。

ここで、前記各上部延長部５５３ａは、発光ダイオードの縁部に沿って延長され、発光ダイオードを取り囲む形態で配置されており、発光ダイオードの外側から内側に入り込む延長部５５３ｂを有する。一方、各下部延長部５５５ａは、発光ダイオードの内側から外側に向けて延長している。また、各下部延長部５５５ａは、それぞれ各発光領域内で前記延長部５５３ｂを取り囲むように二つの部分に分けられてもよい。

一方、前記各上部延長部５５３ａは、絶縁層５３１の各開口部５３１ａを介して各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９に接続され、各接続部５５３ｂによって第２の電極パッド５５３に接続される。前記各接続部５５３ｂは、絶縁層５３１によって発光構造体から絶縁される。

一方、電極パッド領域ＥＰは、図２３を参照して説明したように、トレンチＴＩによって発光構造体から離隔する。

本実施形態において、第１の電極パッド５５５から第２の電極パッド５５３に延長する第１の下部延長部５３５ａ（図２３参照）といった構成は有しない。

図２７は、本発明の第２０の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図２７を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図２６を参照して説明した発光ダイオードとほぼ同様であるが、各下部延長部５６５ａ及び各上部延長部５６３ａの配置において異なる。

すなわち、各下部延長部５６５ａが発光ダイオードの外側に延長された後、内側に入り込み、各上部延長部５６３ａは各透明電極層５２９上に二つの延長部を含み、これら二つの延長部は、前記内側に入り込んだ下部延長部５６５ａを取り囲むように配置される。

前記各上部延長部５６３ａは、絶縁層５３１の各開口部５３１ａを介して各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９に接続され、各接続部５６３ｂによって第２の電極パッド５５３に接続される。前記各接続部５６３ｂは絶縁層５３１によって発光構造体から絶縁される。

図２８は、本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図２９ａ、図２９ｂ及び図２９ｃは、それぞれ図２８のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図２８、図２９ａ〜図２９ｃを参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図２３及び図２４を参照して説明した発光ダイオードとほぼ同様であるが、第２の電極パッド６３３が第１の導電型半導体層２３の離隔した電極パッド領域ＥＰ上に位置するという点で異なる。同一の内容については、重複を避けるために説明を省略する。

本実施形態において、発光構造体及び電極パッド領域ＥＰが基板２１上に位置し、電極パッド領域ＥＰは第１の導電型半導体層２３を含む。

前記電極パッド領域ＥＰは前記発光構造体から離隔する。すなわち、前記電極パッド領域の第１の導電型半導体層２３は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３から離隔する。したがって、前記電極パッド領域ＥＰは前記発光構造体から電気的に絶縁される。前記電極パッド領域ＥＰは、第１の導電型半導体層２７内に形成されたトレンチ領域ＴＩによって前記発光構造体から離隔してもよい。一方、絶縁層５３１は、前記電極パッド領域ＥＰの第１の導電型半導体層２３を覆ってもよく、前記電極パッド領域ＥＰの側面を覆ってもよい。

前記電極パッド領域ＥＰ上には第２の電極パッド６３３が位置する。前記第２の電極パッド６３３は第１の導電型半導体層２３上に位置し、絶縁層５３１が前記第２の電極パッド６３３と第１の導電型半導体層２３との間に介在してもよい。絶縁層５３１が第２の電極パッド６３３と第１の導電型半導体層２３との間に介在した場合、第２の電極パッドを電極パッド領域ＥＰから電気的に絶縁させることができる。

図３０ａ〜図３０ｅは、本発明の第２１の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層２９及び絶縁層３１の形成方法は当業者によく知られた方法を用いているので、それに対する具体的な説明は省略する。

まず、図３０ａを参照すれば、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによって第１の導電型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜するように形成されてもよい。このとき、図２８に示すような第１の電極パッド５３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される領域３０ｃの第１
の導電型半導体層２３が露出される。前記第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂは、前記発光ダイオードの内側に入り込む湾入部３０ｂになる。前記湾入部３０ｂは、前記第１の電極パッドが形成される領域３０ａから内側に入り込む。一方、前記メサエッチング工程によって電極パッド領域ＥＰの第１の導電型半導体層２３が露出される。その結果、前記メサエッチング工程によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２５が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割される。

図３０ｂを参照すれば、電極パッド領域ＥＰの周囲に沿って第１の導電型半導体層２３をエッチングし、トレンチＴＩを形成する。前記トレンチＴＩによって、前記電極パッド領域ＥＰは、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を含む発光構造体の第１の導電型半導体層２３から島状に離隔する。

図３０ｃを参照すれば、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第２の導電型半導体層２７上に透明電極層５２９が形成されてもよい。前記透明電極層５２９は、前記湾入部３０ｂに沿って延長する線に対して対称構造を有するように形成されてもよい。透明電極層５２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図３０ｄを参照すれば、前記発光構造体上に絶縁層５３１が形成される。前記絶縁層５３１は、発光構造体の透明電極層５２９を覆い、前記電極パッド領域ＥＰ上の第１の導電型半導体層２３を覆ってもよい。また、前記絶縁層５３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆ってもよい。一方、前記絶縁層５３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａが形成される。前記透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される領域の第１の導電型半導体層２３が露出される。

図３０ｅを参照すれば、前記発光構造体の露出された第１の導電型半導体層２３上には、第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される。また、前記電極パッド領域ＥＰ上に第２の電極パッド６３３が形成され、前記各開口部５３１ａに各上部延長部５３３ａが形成され、前記第２の電極パッド６３３と前記各上部延長部５３３ａを接続する各接続部５３３ｂが形成される。

前記各上部延長部５３３ａは、前記透明電極層５２９に接続され、前記第１の下部延長部５３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図２８に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態に係る発光ダイオードは、図２４及び図２５を参照して説明した発光ダイオードに比べて、発光構造体から離隔した電極パッド領域ＥＰが第１の導電型半導体層２３に形成されるという点で異なる。したがって、第２の電極パッド６３３が第１の導電型半導体層上に又は第１の導電型半導体層上の絶縁層５３１上に位置する。第１の導電型半導体層２３を用いて電極パッド領域ＥＰを形成する技術的特徴は、図２６及び図２７を参照して説明した発光ダイオードにも同一に適用されてもよい。

図３１は、本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図３２ａ、図３２ｂ及び図３２ｃは、それぞれ図３１のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図３１、図３２ａ〜図３２ｃを参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図２３及び図２４を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第２の電極パッド７３３が基板２１上の電極パッド領域ＥＰ上に位置するという点で異なる。同一の内容に対しては、重複を避けるために説明を省略する。

本実施形態において、基板２１は、絶縁基板、例えば、サファイア基板であってもよい。前記第２の電極パッド７３３は、前記基板２１に接して前記基板２１上に位置し、発光構造体から離隔してもよい。すなわち、前記第２の電極パッド７３３は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３から離隔して位置する。前記第２の電極パッド７３３は、前記第１の導電型半導体層２３のエッチングによって形成されたホール２３ａを介して前記基板２１に接してもよい。

本実施形態において、前記第２の電極パッド７３３が基板２１に接する場合を図示及び説明したが、前記第２の電極パッド７３３と前記基板２１との間に絶縁層５３１が介在してもよい。すなわち、前記絶縁層５３１は、前記ホール２３ａの側壁及び底面を覆ってもよい。この場合、前記第２の電極パッド７３３が基板２１から絶縁層５３１によって絶縁されるので、前記基板２１は導電性であってもよい。

図３３ａ〜図３３ｅは、本発明の第２２の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層２９及び絶縁層３１の形成方法は一般的によく知られているので、これらの形成方法に対する具体的な説明は省略する。

まず、図３３ａを参照すれば、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによって第１の導電型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜するように形成されてもよい。このとき、図３１に示すような第１の電極パッド５３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される領域３０ｃの第１の導電型半導体層２３が露出される。前記第１の下部延長部５３５ａが形成される領域３０ｂは、前記発光ダイオードの内側に入り込む湾入部３０ｂになる。前記湾入部３０ｂは、前記第１の電極パッドが形成される領域３０ａから内側に入り込む。一方、前記メサエッチング工程によって、第２の電極パッドが形成される電極パッド領域ＥＰの上部及びその周囲の第１の導電型半導体層２３が露出される。その結果、前記メサエッチング工程によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２５が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割される。

図３３ｂを参照すれば、電極パッド領域ＥＰの第１の導電型半導体層２３のエッチングによって基板２１を露出させるホール２３ａを形成する。前記ホール２３ａは、電極パッド領域ＥＰを包括するように電極パッド領域ＥＰより大きく形成されてもよい。

図３３ｃを参照すれば、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第２の導電型半導体層２７上に透明電極層５２９が形成されてもよい。前記透明電極層５２９は、前記湾入部３０ｂに沿って延長する線に対して対称構造を有するように形成されてもよい。透明電極層５２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図３３ｄを参照すれば、前記発光構造体上には絶縁層５３１が形成される。前記絶縁層５３１は発光構造体の透明電極層５２９を覆う。また、前記絶縁層５３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆ってもよ
く、前記ホール２３ａの側壁を覆ってもよい。一方、前記絶縁層５３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａが形成される。前記透明電極層５２９を露出させる各開口部５３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される各領域３０ａ、３０ｂ、３０ｃの第１の導電型半導体層２３が露出される。さらに、前記電極パッド領域ＥＰの基板２１が露出されてもよい。これと異なり、前記絶縁層５３１は前記ホール２３ａの底面を覆うことができ、その結果、前記電極パッド領域ＥＰは絶縁層５３１で覆われてもよい。

図３３ｅを参照すれば、前記発光構造体の露出された第１の導電型半導体層２３上に第１の電極パッド５３５、第１の下部延長部５３５ａ及び第２の下部延長部５３５ｂが形成される。また、前記電極パッド領域ＥＰの基板２１上に第２の電極パッド７３３が形成され、前記各開口部５３１ａに各上部延長部５３３ａが形成され、前記第２の電極パッド７３３と前記各上部延長部５３３ａを接続する各接続部５３３ｂが形成される。

前記各上部延長部５３３ａは前記透明電極層５２９に接続され、前記第１の下部延長部５３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図３１に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態において、発光構造体が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に分割される場合を説明したが、これに限定されるものではなく、より多数の領域に分割されてもよい。また、メサエッチング工程後に透明電極層５２９が形成される場合を説明したが、透明電極層２９を形成した後でメサエッチング工程が行われてもよい。また、メサエッチング工程後にホール２３ａを形成する場合を説明したが、ホール２３ａを先に形成した後でメサエッチング工程を行ってもよい。

本実施形態に係る発光ダイオードは、図２４及び図２５を参照して説明した発光ダイオードとは、発光構造体から離隔した電極パッド領域ＥＰが第１の導電型半導体層２３のホール２３ａ内に形成されるという点で異なる。第２の電極パッド７３３は基板２１上に又は基板上の絶縁層５３１上に位置する。第１の導電型半導体層２３のホール２３ａ内に電極パッド領域ＥＰを形成する際の特徴は、図２６及び図２７を参照して説明した発光ダイオードにも同様にあてはまり得る。

図３４は、本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図３５ａ、図３５ｂ及び図３５ｃは、それぞれ図３４のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線断面図である。

図３４、図３５ａ〜図３５ｃを参照すれば、前記発光ダイオードは、基板２１、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を含む発光構造体、第１の電極パッド８３５、第２の電極パッド８３３及び各上部延長部８３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、透明電極層８２９、絶縁層８３１、各接続部８３３ｂ、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂを含んでもよい。さらに、前記発光構造体は、第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む。

前記基板２１は、絶縁基板、例えば、サファイア基板であってもよい。前記第１の導電型半導体層２３が前記基板２１上に位置し、前記第１の導電型半導体層２３上に第２の導電型半導体層２７が位置し、第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に活性層２５が介在する。前記第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、窒化ガリウム系列の化合物半導体物質、すなわち、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎで
形成されてもよい。前記活性層２５は、要求される波長の光、例えば、紫外線又は青色光を放出するように決定される組成元素及び組成比を有する。

前記第１の導電型半導体層２３はｎ型窒化物半導体層で、第２の導電型半導体層２７はｐ型窒化物半導体層であってもよいが、その反対であってもよい。

前記第１の導電型半導体層２３及び／又は第２の導電型半導体層２７は、図示したように、単一層又は多層構造で形成されてもよい。また、活性層２５は、単一量子ウェル又は多重量子ウェル構造を有してもよい。また、前記基板２１と第１の導電型半導体層２３との間にバッファ層（図示せず）が介在してもよい。前記各半導体層２３、２５、２７は、ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ技術を使用して形成されてもよい。

前記発光構造体の第２の導電型半導体層及び活性層は、少なくとも二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割されてもよい。これら発光領域ＬＥ１、ＬＥ２は対称構造を有するように形成されてもよく、このような分割工程はメサエッチング工程によって行われてもよい。前記メサエッチング工程によって前記発光構造体の中央を横切る領域の第１の導電型半導体層２３が露出され、前記第２の導電型半導体層２７及び前記活性層２５が二つの領域に分割されてもよい。また、前記メサエッチング工程によって形成される発光構造体の各側面は、基板２１面に対して３０〜７０°範囲内の傾斜角を有してもよい。

一方、前記発光構造体の中央を横切る領域、すなわち、前記各発光領域の間の第１の導電型半導体層２３の少なくとも一部が除去され、前記第１の導電型半導体層２３の側面が露出されてもよい。

さらに、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７上に透明電極層８２９が位置してもよい。前記透明電極層８２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

一方、絶縁層８３１は、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７（又は前記透明電極層８２９）を覆ってもよい。また、絶縁層８３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の側面を覆ってもよい。さらに、前記絶縁層８３１は、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層８２９を露出させる各開口部８３１ａを有する。前記各開口部８３１ａによって前記透明電極層８２９（又は第２の導電型半導体層２７）が露出される。前記絶縁層８３１の材料は、活性層２５で生成された光を透過可能な透明な材料であれば特別に限定されず、例えば、ＳｉＯ２で形成されてもよい。

一方、前記基板２１上に第１の電極パッド８３５及び第２の電極パッド８３３が位置する。前記第１の電極パッド８３５は、図示したように、前記第２の電極パッド８３３に対向して位置してもよい。前記第１及び第２の電極パッド８３５、８３３は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように比較的広い面積を有する。

前記第１の電極パッド８３５は、基板に接して位置してもよく、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面に接続される。また、第１の下部延長部８３５ａは、前記第１の電極パッド８３５から第２の電極パッド８３３に向けて延長してもよい。前記第１の下部延長部８３５ａは前記基板２１上に位置し、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面に接続される。図示したように、前記第１の下部延長部８３５ａは、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間に位置し、その端部が前記第２の電極パッド８３３の近くに位
置してもよい。前記第１の下部延長部８３５ａも前記基板に接してもよい。さらに、第２の下部延長部８３５ｂは前記第１の電極パッド８３５から延長してもよく、これら第２の下部延長部８３５ｂは前記第１の電極パッド８３５から基板２１の縁部に沿って延長してもよい。これら第２の下部延長部８３５ｂも、基板に接して位置してもよく、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面に接続する。
・

前記第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂが第１の導電型半導体層２３の側面に接続されることによって、活性層２５から遠い方の第１の導電型半導体層２３内でキャリアが分散されてもよく、その結果、第１の導電型半導体層内での電流分散を円滑にしてもよい。さらに、前記第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂを第１の導電型半導体層２３の側面に接続させることによって、これらの上部面を、光を生成する活性層２５の下部に位置させてもよい。したがって、活性層２５で側面に放出される光は、前記第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂに吸収されずに外部に放出されてもよい。

一方、前記第２の電極パッド８３３は、前記基板２１上に位置し、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７から離隔する。前記第２の電極パッド８３３は、前記発光構造体の第２の導電型半導体層２７の側面から離れて位置してもよい。例えば、前記第２の電極パッド８３３は、前記第１の導電型半導体層２３に形成されたホール２３ａを介して露出された基板２１上に形成されてもよい。すなわち、前記第２の電極パッド８３３は、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面から離隔して位置してもよい。前記第２の電極パッド８３３は、前記ホール２３ａを介して露出された前記基板２１に接してもよい。また、前記基板２１と前記第２の電極パッド８３３との間には絶縁層８３１が介在してもよい。これと異なり、前記第２の電極パッドは、第１の導電型半導体層２３上に絶縁層８３１を介在して形成されてもよい。

一方、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上に各上部延長部８３３ａが位置する。前記各上部延長部８３３ａは、前記絶縁層８３１の各開口部８３１ａを介して前記透明電極層８２９（又は第２の導電型半導体層２７）に電気的に接続されてもよい。前記各開口部８３１ａを介して前記第２の導電型半導体層２７が露出されてもよく、前記各上部延長部８３３ａは、前記第２の導電型半導体層２７に直接接続されることもある。各上部延長部８３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電流を均一に分散させるように配置され、例えば、前記各上部延長部８３３ａは互いに平行に延長してもよい。また、前記各上部延長部８３３ａは、前記第１の下部延長部８３５ａと平行であってもよい。前記各上部延長部８３３ａは、それぞれ各接続部８３３ｂを介して第２の電極パッド８３３に接続されてもよい。ここで、前記各接続部８３３ｂは、絶縁層８３１によって透明電極層８２９（又は第２の導電型半導体層２７）から絶縁される。また、前記各接続部８３３ｂは、絶縁層８３１によって発光構造体の側面から絶縁されてもよい。

前記各電極パッド８３３、８３５、各上部延長部８３３ａ、各接続部８３３ｂ及び第１及び第２の下部延長部８３５ａ、８３５ｂは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成されてもよく、またこれに限定されるものではない。例えば、各上部延長部８３３ａと前記第２の電極パッド８３３は、別個の工程で形成してもよく、互いに異なる材料で形成してもよい。

本実施形態において、前記発光ダイオードは、第１の電極パッド８３５と第２の電極パッド８３３を横切る線、例えば、図３４のＢ−Ｂ線に対して対称構造を有してもよい。前記分離された透明電極層８２９と前記各上部延長部８３３ａが互いに対称に配置されても
よく、前記第２の下部延長部８３５ｂが互いに対称に配置されてもよい。これによって、前記発光ダイオードは、第１の電極パッド８３５と第２の電極パッド８３３を横切る線の両側で同一の発光特性を示すことができる。各発光領域が二つの領域に分割されることによって、ピンホールや貫通転位などの欠陥に電流が集中するのを緩和し、電流を分散させることができる。

図３６ａ〜図３６ｅは、本発明の第２３の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための平面図である。各半導体層２３、２５、２７、透明電極層８２９及び絶縁層８３１の形成方法は当業者によく知られた方法を用いているので、これらの形成方法に対する具体的な説明は省略する。

まず、図３６ａを参照すれば、基板２１上に第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７を含む各半導体層が形成される。引き続いて、前記各半導体層のメサエッチングによって第１の導電型半導体層２３を露出させる。前記各半導体層は、例えば、３０〜７０°の傾斜角で傾斜するように形成されてもよい。このとき、図３４に示すような第１の電極パッド８３５が形成される領域、第１の下部延長部８３５ａが形成される領域及び第２の下部延長部８３５ｂが形成される領域の第１の導電型半導体層２３が露出される。一方、前記メサエッチング工程によって第２の電極パッドが形成される電極パッド領域ＥＰの上部及びその周囲の第１の導電型半導体層２３が露出される。前記メサエッチング工程によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２３が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を定義するように分割され、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の間の領域は、第１の下部延長部８３５ａが形成される領域になる。

図３６ｂを参照すれば、前記露出された第１の導電型半導体層２３のエッチングによって基板２１を露出させる。これによって、第１の電極パッド８３５が形成される領域３０ａ、第１の下部延長部８３５ａが形成される領域３０ｂ及び第２の下部延長部８３５ｂが形成される領域３０ｃで基板２１が露出される。また、電極パッド領域ＥＰの第１の導電型半導体層２３のエッチングによって、基板２１を露出させるホール２３ａを形成することができる。前記ホール２３ａは、電極パッド領域ＥＰを包括するように電極パッド領域ＥＰより大きく形成されてもよい。前記ホール２３ａと前記第１の下部延長部８３５ａが形成される領域３０ｂは連通されてもよい。この段階で、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２を有する発光構造体が形成される。

図３６ｃを参照すれば、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２の第２の導電型半導体層２７上に透明電極層８２９が形成されてもよい。前記透明電極層８２９は、前記第１の電極パッドと第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有するように形成されてもよい。透明電極層８２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層２７にオーミックコンタクトされる。

図３６ｄを参照すれば、前記発光構造体上に絶縁層８３１が形成される。前記絶縁層８３１は発光構造体の透明電極層８２９を覆う。また、前記絶縁層８３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆ってもよく、前記ホール２３ａの側壁を覆ってもよい。一方、前記絶縁層８３１がフォトリソグラフィ及びエッチング工程によってパターニングされることによって、前記各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層８２９を露出させる各開口部８３１ａが形成される。前記透明電極層８２９を露出させる各開口部８３１ａは、互いに平行に対称構造で形成されてもよい。また、第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂが形成される各領域３０ａ、３０ｂ、３０ｃの基板２１が露出される。さらに、前記電極パッド領域ＥＰの基板２１が露出されてもよい。これと異なり、前記絶縁層８３１は前記ホール２３ａの底面を覆ってもよく、その結果、前記電極パッド領域ＥＰは絶縁層８
３１で覆われてもよい。

図３６ｅを参照すれば、前記露出された基板２１上に第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂが形成される。また、前記電極パッド領域ＥＰの基板２１上に第２の電極パッド８３３が形成され、前記各開口部８３１ａに各上部延長部８３３ａが形成され、前記第２の電極パッド８３３と前記各上部延長部８３３ａを接続する各接続部８３３ｂが形成される。

前記第１の電極パッド８３５、第１の下部延長部８３５ａ及び第２の下部延長部８３５ｂは、前記発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面に接続し、その上部面が活性層２５の高さより低くてもよい。また、これらは、メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層２３の上面に延長されてもよい。

前記各上部延長部８３３ａは、前記透明電極層８２９に接続され、前記第１の下部延長部８３５ａに対して平行に形成されてもよい。これによって、図３４に示すような発光ダイオードが完成する。

本実施形態において、発光構造体が二つの発光領域ＬＥ１、ＬＥ２に分割される場合を説明したが、これに限定されるものではなく、より多数の領域に分割されてもよい。また、メサエッチング工程後に透明電極層８２９が形成される場合を説明したが、透明電極層８２９を形成した後でメサエッチング工程が行われてもよい。また、メサエッチング工程後にホール２３ａを形成する場合を説明したが、ホール２３ａを先に形成した後でメサエッチング工程を行ってもよい。

図３７は、本発明の第２４の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図３４の実施形態で、第１の電極パッド８３５及び第２の電極パッド８３３が発光ダイオードの長軸方向に沿って配置され、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２が発光ダイオードの長軸方向に沿って分割される場合を示しているが、本実施形態においては、各電極パッド８５３、８５５が発光ダイオードの短軸方向に沿って配置され、各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２が発光ダイオードの短軸方向に沿って分割されている。透明電極層８２９、各上部延長部８５３ａ及び各下部延長部８５５ａは、短軸方向に横切る線に対して対称構造で配置されている。

ここで、前記各上部延長部８５３ａは、発光ダイオードの縁部に沿って延長され、発光ダイオードを取り囲む形態で配置されており、発光ダイオードの外側から内側に入り込む延長部８５３ｂを有する。一方、各下部延長部８５５ａは、発光ダイオードの内側から外側に向けて延長している。また、各下部延長部８５５ａは、それぞれ各発光領域内で前記延長部８５３ｂを取り囲むように二つの部分に分けられてもよい。前記各下部延長部８５５ａは、それぞれ発光構造体の第１の導電型半導体層２３の側面に接続される。

一方、前記各上部延長部８５３ａは、絶縁層８３１の各開口部８３１ａを介して各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層８２９に接続され、各接続部８５３ｂによって第２の電極パッド８５３に接続される。前記各接続部８５３ｂは、絶縁層８３１によって発光構造体から絶縁される。

一方、第２の電極パッド８５３は、図３４を参照して説明したように、基板２１上に位置し、発光構造体の第２の導電型半導体層２７から離隔する。

本実施形態においては、第１の電極パッド８５５から第２の電極パッド８５３に延長する第１の下部延長部８３５ａ（図３４参照）といった構成は有しない。

図３８は、本発明の第２５の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。

図３８を参照すれば、本実施形態に係る発光ダイオードは、図３７を参照して説明した発光ダイオードとほぼ同様であるが、各下部延長部８６５ａ及び各上部延長部８６３ａの配置において異なる。

すなわち、各下部延長部８６５ａが発光ダイオードの外側に延長された後、内側に入り込み、各上部延長部８６３ａは、各透明電極層８２９上に二つの延長部を含み、これら二つの延長部は、前記内側に入り込んだ下部延長部８６５ａを取り囲むように配置される。

前記各上部延長部８６３ａは、絶縁層８３１の各開口部８３１ａを介して各発光領域ＬＥ１、ＬＥ２上の透明電極層８２９に接続され、各接続部８６３ｂによって第２の電極パッド８５３に接続される。前記各接続部８６３ｂは、絶縁層８３１によって発光構造体から絶縁される。

以上では、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、各電極パッド及び各延長部の配置に対する多様な実施形態及び変形が可能である。

２１：基板、２３：第１の導電型半導体層、２５：活性層、２７：第２の導電型半導体層、３１：絶縁層、３３：第２の電極パッド、３３ａ：上部延長部、３５：第１の電極パッド、３５ａ：第１の下部延長部、３５ｂ：第２の下部延長部

Claims (1)

1. 基板と、
   前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、
   前記第１の導電型半導体層上に位置する活性層と、
   前記活性層上に位置する第２の導電型半導体層と、
   前記第２の導電型半導体層上に位置する透明電極層と、
   前記透明電極層を露出させるスリット状の開口部を有する絶縁層と、
   前記第１の導電型半導体層上に位置する第１の電極延長部と、
   前記透明電極層上に位置し、前記絶縁層の開口部を介して前記透明電極層に電気的に接続される第２の電極延長部と、
   前記第１の導電型半導体層上に位置する第１の電極パッドと、
   前記絶縁層上に位置し、前記第２の電極延長部に電気的に接続される第２の電極パッドと、を含み、
   前記第１の導電型半導体層は、前記活性層及び前記第２の導電型半導体層が部分的に除去され露出された露出領域を含み、前記露出領域は、発光ダイオードの外郭に沿って位置する外郭部、及び前記外郭部より湾入された湾入部を含み、
   前記第１の電極延長部は、前記第１の電極パッドから延長され、前記露出領域にて前記第１の導電型半導体層に電気的に接続し、
   前記第２の電極延長部は前記第２の電極パッドから延長され、
   前記絶縁層は前記透明電極層の上部から延長され、前記外郭部を覆い、
   前記開口部と前記湾入部は互いに平行に延長される
   発光ダイオード。