CN102122694A - 具有电极焊盘的发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，布置在基底上；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。

Description

具有电极焊盘的发光二极管
技术领域
本发明的示例性实施例涉及发光二极管，更具体地讲，涉及具有电极焊盘的发光二极管。
背景技术
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)已经有着广泛范围的应用，包括全色LED显示器、LED交通信号、白光LED等。
GaN基发光二极管通常可以通过在基底(例如，蓝宝石基底)上生长外延层来形成，并且可以包括n型半导体层、p型半导体层及置于n型半导体层和p型半导体层之间的活性层。此外，n电极焊盘形成在n型半导体层上，p电极焊盘形成在p型半导体层上。发光二极管通过这些电极焊盘电连接到外部电源，并通过外部电源来进行操作。这里，电流从p电极焊盘通过半导体层流到n电极焊盘。
通常，由于p型半导体层会具有高的电阻率，所以电流不可能均匀地分布在p型半导体层上，而是可能集中在p型半导体层的形成有p电极焊盘的一部分上，并且电流可能集中在半导体层的边缘上并且流过半导体层的边缘。这可以称作电流拥挤，并且这会导致发光面积的减小，从而劣化了发光源的发光效力。为了解决这样的问题，可以在p型半导体层上形成具有低电阻率的透明电极层，以增强电流扩散(current spreading)。在该结构中，当从p电极焊盘供应电流时，电流可以在进入P型半导体层之前被透明电极层分散，从而增大了LED的发光面积。
然而，由于透明电极层趋于吸收光，所以透明电极层的厚度会受到限制，从而提供有限的电流扩散。具体地讲，在用于高输出的、面积为大约1mm2或更大的大LED中，在通过透明电极层实现有效的电流扩散方面会有着局限性。
为了促进电流在发光二极管内扩散，可以使用从电极焊盘延伸的延伸件。例如，由Zhao等人申请的第6,650,018号美国专利公开了一种LED，该LED包括多个沿相反的方向从电极接触部分(即，电极焊盘)延伸的延伸件，以增强电流扩散。
虽然这种延伸件的使用可以增强LED的宽区域上的电流扩散，但是，仍然可能在LED的形成有电极焊盘的部分发生电流拥挤。
另外，随着LED的尺寸增大，在LED中存在缺陷的可能性会增大。诸如穿透位错(threading dislocation)、针孔等缺陷提供电流可以流经的通路，从而使电流在LED中扩散。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种防止在电极焊盘附近的电流拥挤的发光二极管。
本发明的示例性实施例还提供了一种允许在宽区域上的均匀的电流扩散的大发光二极管。
本发明的示例性实施例还提供了一种包括与半导体层分隔开的电极焊盘的发光二极管。
本发明的示例性实施例还提供了一种具有可以划分为多个区域的半导体堆叠结构的发光二极管。
本发明的示例性实施例还提供了具有能够增强电流扩散的各种结构的电极焊盘和延伸件的发光二极管。
本发明的附加特征将在以下的描述中进行阐述，部分地通过描述将是清楚的，或者可通过实施本发明而明了。
本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管，该发光二极管包括与半导体层(例如，p型半导体层)分隔开的电极焊盘。为此，已经开发了各种技术来使电极焊盘与半导体层分开。此外，半导体堆叠结构可以划分为多个区域。此外，本发明的示例性实施例提供了具有能够增强电流扩散的各种结构的电极焊盘和延伸件的发光二极管。
根据本发明的一个方面，一种发光二极管包括：四边形基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于第一导电类型半导体层上；绝缘层，置于第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层绝缘。至少一个上延伸件可以连接到第二电极焊盘，并且可以电连接到第二导电类型半导体层。第一电极焊盘和第二电极焊盘可以呈对角地设置在基底的角部附近而相互面对。
第一导电类型半导体层可以是n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层可以是p型氮化物半导体层。因此，能够防止在p型氮化物半导体层上的p电极焊盘周围的电流拥挤。另外，透明电极层可以位于p型氮化物半导体层上，上延伸件可以位于透明电极层上。
第一导电类型半导体层可以包括通过台面蚀刻第二导电类型半导体层和活性层暴露的至少一个区域，第二电极焊盘可以位于第一导电类型半导体层的暴露区域上。
连接件可以将上延伸件连接到第二电极焊盘，第一导电类型半导体层和活性层的经受台面蚀刻的侧表面可以通过绝缘层与连接件绝缘。
绝缘层可以延伸到第二导电类型半导体层的上表面，从而绝缘层的边缘与第二导电类型半导体层叠置。
在一些示例性实施例中，第二电极焊盘的至少一部分可以位于第二导电类型半导体层上。第二电极焊盘和第二导电类型半导体层可以通过绝缘层相互隔离。
第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于所述至少两个发光区域的每个发光区域上。
所述至少两个发光区域可以对称地设置。因此，所述至少两个发光区域可以表现出相同的发光特性。
发光二极管还可以包括连接到第一电极焊盘的第一下延伸件。第一下延伸件可以位于所述至少两个发光区域之间。发光二极管还可以包括连接到第一电极焊盘的第二下延伸件。第二下延伸件可以沿着基底的边缘延伸。
根据本发明的另一方面，一种发光二极管包括：四边形基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于基底上；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到第二导电类型半导体层。第一电极焊盘和第二电极焊盘可以呈对角地设置在基底的角部附近而相互面对。
第二电极焊盘可以形成在已经局部去除了形成在基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的区域上。在这种情况下，绝缘层可以覆盖第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的围绕第二电极焊盘的侧表面。基底可以是介电基底。
绝缘层可以置于基底和第二电极焊盘之间。绝缘层可以与基底接触，第二电极焊盘可以与绝缘层接触。
根据本发明的另一方面，一种发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于第一导电类型半导体层上；至少一个下延伸件，连接到第一电极焊盘，并电连接到第一导电类型半导体层；绝缘层，置于第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层绝缘。此外，至少一个上延伸件可以连接到第二电极焊盘，并且可以电连接到第二导电类型半导体层。第二电极焊盘可以设置在基底的中心区域。
所述至少一个下延伸件可以包括沿着基底的边缘延伸的下延伸件。
发光二极管还可以包括位于第二导电类型半导体层上的透明电极层。在这种情况下，上延伸件可以位于透明电极层上。此外，第一导电类型半导体层可以是n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层可以是p型氮化物半导体层。因此，能够防止在p型氮化物半导体层上的p电极焊盘周围的电流拥挤。
第一导电类型半导体层可以包括通过台面蚀刻第二导电类型半导体层和活性层而被暴露的至少一个区域，第二电极焊盘可以位于第一导电类型半导体层的暴露区域上。
此外，连接件可以将上延伸件连接到第二电极焊盘，第一导电类型半导体层和活性层的经受台面蚀刻的侧表面可以通过绝缘层与连接件绝缘。
绝缘层可以延伸到第二导电类型半导体层的上表面，从而绝缘层的边缘与第二导电类型半导体层叠置。
在一些示例性实施例中，第二电极焊盘的至少一部分可以位于第二导电类型半导体层上。第二电极焊盘和第二导电类型半导体层可以通过绝缘层相互隔离。
第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于所述至少两个发光区域中的每个发光区域上。
所述至少两个发光区域可以对称地设置。因此，所述至少两个发光区域可以表现出相同的发光特性。
所述至少一个下延伸件可以包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的下延伸件。此外，两个上延伸件可以位于每个发光区域上，以连接到第二电极焊盘，向第二电极焊盘延伸的下延伸件可以从第一电极焊盘延伸到所述两个上延伸件之间的区域。因此，能够使电流在每个发光区域中扩散在宽的区域上。
所述至少一个下延伸件可以包括位于所述至少两个发光区域之间的下延伸件。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于基底上；至少一个下延伸件，连接到第一电极焊盘，并电连接到第一导电类型半导体层；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到第二导电类型半导体层。第二电极焊盘可以设置在基底的中心区域。
第二电极焊盘可以形成在已经局部去除了形成在基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的区域上。在这种情况下，绝缘层可以覆盖第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的围绕第二电极焊盘的侧表面。基底可以是介电基底。
绝缘层可以置于基底和第二电极焊盘之间。绝缘层可以与基底接触，第二电极焊盘可以与绝缘层接触。
所述至少一个下延伸件可以包括沿着基底的边缘延伸的下延伸件。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；多个第一电极焊盘，位于第一导电类型半导体层上，并电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于第一导电类型半导体层上；绝缘层，置于第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层绝缘。此外，至少一个上延伸件可以连接到第二电极焊盘，并且可以电连接到第二导电类型半导体层。第二电极焊盘可以设置在基底的一侧边缘的中心附近。
所述多个第一电极焊盘可以包括设置在基底的与基底的所述一侧边缘相对的另一例边缘附近的两个第一电极焊盘。所述两个第一电极焊盘可以定位成远离所述另一侧边缘的与基底的所述一侧边缘的中心相对的中心。具体地讲，所述两个第一电极焊盘可以分别朝着基底的所述另一侧边缘的相对的端部与所述另一侧边缘的中心分开恒定的距离。这样，所述两个第一电极焊盘位于第二电极焊盘的相对侧，以使第一电极焊盘和第二电极焊盘彼此远离，从而实现了宽的区域上的均匀的电流扩散。
发光二极管还可以包括分别连接到所述两个第一电极焊盘且沿着基底的边缘延伸的多个下延伸件。下延伸件可以包括沿着所述另一侧边缘延伸的下延伸件和沿着将所述一侧边缘连接到所述另一侧边缘的边缘延伸的下延伸件。
所述至少一个上延伸件可以包括两个上延伸件，所述两个上延伸件形成为使得这两个上延伸件的末端分别在所述两个第一电极焊盘附近。所述两个上延伸件中的每个上延伸件可以包括从基底的一侧边缘向另一侧边缘延伸的直线部分。所述两个第一电极焊盘可以位于通过直线部分的延伸而形成的假想线上。
发光二极管还可以包括位于第二导电类型半导体层上的透明电极层。在这种情况下，上延伸件可以位于透明电极层上。此外，第一导电类型半导体层可以是n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层可以是p型氮化物半导体层。因此，能够防止在p型氮化物半导体层上的p电极焊盘周围的电流拥挤。
第一导电类型半导体层可以包括通过台面蚀刻第二导电类型半导体层和活性层而被暴露的至少一个区域，第二电极焊盘可以位于第一导电类型半导体层的暴露区域上。
此外，连接件可以将上延伸件连接到第二电极焊盘，第一导电类型半导体层和活性层的经受台面蚀刻的侧表面可以通过绝缘层与连接件绝缘。
绝缘层可以延伸到第二导电类型半导体层的上表面，从而绝缘层的边缘与第二导电类型半导体层叠置。
在一些示例性实施例中，第二电极焊盘的至少一部分可以位于第二导电类型半导体层上。第二电极焊盘和第二导电类型半导体层可以通过绝缘层相互隔离。
第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于所述至少两个发光区域的每个发光区域上。
所述至少两个发光区域可以设置成相对于穿过第二电极焊盘而垂直于基底的所述一侧边缘的线对称的结构。因此，所述至少两个发光区域可以表现出相同的发光特性。
发光二极管还可以包括位于发光区域之间且连接到第一导电类型半导体层的下延伸件。位于发光区域之间的下延伸件可以沿着基底的所述另一侧边缘延伸到发光区域之间的区域。
在一些实施例中，发光二极管还可以包括进入发光区域且电连接到第一导电类型半导体层的多个下延伸件。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，位于基底上；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；活性层，置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；多个第一电极焊盘，位于第一导电类型半导体层上，且电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于基底上；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到第二导电类型半导体层。此外，第二电极焊盘可以设置在基底的一侧边缘的中心附近。
第二电极焊盘可以形成在已经局部去除了形成在基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的区域上。绝缘层可以覆盖第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的围绕第二电极焊盘的侧表面。基底可以是介电基底。
绝缘层可以置于第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间。绝缘层可以与基底接触，第二电极焊盘可以与绝缘层接触。
多个第一电极焊盘可以包括设置在基底的与基底的所述一侧边缘相对的另一侧边缘附近的两个第一电极焊盘。所述两个第一电极焊盘可以远离基底的所述另一侧边缘的与所述一侧边缘的中心相对的中心。具体地讲，所述两个第一电极焊盘可以分别朝着基底的所述另一侧边缘的相对的端部与所述另一侧边缘的中心分开恒定的距离。
发光二极管还可以包括分别连接到所述两个第一电极焊盘且沿着基底的边缘延伸的多个下延伸件。下延伸件可以包括沿着所述另一侧边缘延伸的下延伸件和沿着将所述一侧边缘连接到所述另一侧边缘的边缘延伸的下延伸件。
所述至少一个上延伸件可以包括两个上延伸件，所述两个上延伸件形成为使得这两个上延伸件的末端在所述两个第一电极焊盘附近。所述两个上延伸件中的每个上延伸件可以包括从一侧边缘向基底的另一侧边缘延伸的直线部分。所述两个第一电极焊盘可以位于通过直线部分的延伸而形成的假想线上。
本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，布置在基底上；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。
第二电极焊盘通过绝缘层与第二导电类型半导体层绝缘，从而防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件，连接件可以通过绝缘层与第二导电类型半导体层绝缘。因此，也能够防止第二电极焊盘附近的连接件处的电流拥挤。
绝缘层可以覆盖第二导电类型半导体层。在这种情况下，绝缘层可以具有位于第二导电类型半导体层上的至少一个开口，至少一个上延伸件可以穿过所述开口电连接到第二导电类型半导体层。
在一些示例性实施例中，发光二极管还可以包括与第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层。透明电极层可以划分为至少两个区域，第二电极焊盘可以位于第二导电类型半导体层的处于透明电极层的划分区域之间的暴露区域上。由于透明电极层划分为两个区域，所以通过透明电极层使电流扩散区域相互隔离，从而实现了宽的区域上的均匀的电流扩散。
第二电极焊盘可以位于透明电极层的区域之间，但不限于此。可选择地，第二电极焊盘的一部分可以位于透明电极层上方。在这种情况下，绝缘层可以置于第二电极焊盘的所述一部分和透明电极层之间。结果，能够防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。当采用透明电极层时，连接件也通过绝缘层与透明电极层绝缘。
上延伸件可以电连接到透明电极层的所述至少两个划分区域。例如，上延伸件可以连接到透明电极层的通过绝缘层的开口暴露的上表面。
第一电极焊盘可以位于第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。发光二极管还可以包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸且电连接到第一导电类型半导体层的第一下延伸件。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括沿着基底的边缘从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件。
透明电极层和上延伸件可以设置成相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构。
发光二极管还可以包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸且电连接到第一导电类型半导体层的第一下延伸件。第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
发光二极管可以具有相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；n型半导体层，位于基底上；p型半导体层，位于n型半导体层上；活性层，置于n型半导体层和p型半导体层之间；透明电极层，与p型半导体层形成欧姆接触；第一电极焊盘，电连接到n型半导体层；第二电极焊盘，位于透明电极层上；绝缘层，置于透明电极层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与透明电极层电绝缘；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到p型半导体层。第二电极焊盘通过绝缘层与透明电极层电绝缘，从而防止了第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件。连接件可以通过绝缘层与透明电极层绝缘。因此，能够防止第二电极焊盘附近的连接件处的电流拥挤。
绝缘层可以覆盖透明电极层。绝缘层可以具有通过其暴露透明电极层的至少一个开口，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到p型半导体层。例如，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到透明电极层。
第一电极焊盘可以位于n型半导体层上以面对第二电极焊盘。发光二极管还可以包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸且电连接到n型半导体层的第一下延伸件。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件。第二下延伸件可以沿着基底的边缘延伸。
在示例性实施例中，发光二极管可以包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的锯齿状部分。第一导电类型半导体层可以通过锯齿状部分暴露，透明电极层可以具有相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构。
锯齿状部分的末端距离第二电极焊盘可以比距离发光二极管的中心近。结果，发光二极管具有基本相互划分开的多个发光区域，从而电流扩散在发光二极管的宽的区域上。
第一下延伸件可以电连接到锯齿状部分内的第一导电类型半导体层。发光二极管可以包括至少两个上延伸件，所述至少两个上延伸件可以以相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构设置。
上延伸件可以分别通过连接件连接到第二电极焊盘，连接件可以通过绝缘层与透明电极层绝缘。
在一些示例性实施例中，第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
发光二极管可以具有相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；发光结构，位于基底上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；电极焊盘区域，与发光结构隔离，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一电极焊盘，电连接到发光结构的第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于电极焊盘区域的第二导电类型半导体层上；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。设置有第二电极焊盘的电极焊盘区域与发光结构隔离，从而防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件。连接件可以与发光结构绝缘。例如，绝缘层可以置于连接件和发光结构之间，以使连接件与发光结构绝缘。
发光二极管还可以包括覆盖发光结构的第二导电类型半导体层的绝缘层。绝缘层可以具有至少一个开口，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。
发光二极管还可以包括与发光结构的第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层。在这种情况下，透明电极层可以通过绝缘层的开口暴露，所述至少一个上延伸件可以连接到透明电极层。
第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。第一下延伸件可以从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸。第一下延伸件可以电连接到发光结构的第一导电类型半导体层。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件，第二下延伸件可以沿着基底的边缘延伸。
在一些示例性实施例中，发光结构的第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于两个发光区域中的每个发光区域上。这样，发光结构划分为多个发光区域，从而发光二极管可以防止在处于特定位置的诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现宽的区域上的均匀的电流扩散。
发光结构的第一导电类型半导体层可以被所述至少两个发光区域共用。第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。
从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件可以位于发光区域之间。第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
在一些示例性实施例中，发光二极管还可以包括在电极焊盘区域的第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间的透明电极层和/或绝缘层。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；发光结构，位于基底上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；电极焊盘区域，与发光结构隔离，并且包括第一导电类型半导体层；第一电极焊盘，电连接到发光结构的第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于电极焊盘区域的第一导电类型半导体层上；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。设置有第二电极焊盘的电极焊盘区域与发光结构隔离，从而防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件。连接件可以与发光结构绝缘。例如，绝缘层可以置于连接件和发光结构之间，以使连接件与发光结构绝缘。
发光二极管还可以包括覆盖发光结构的第二导电类型半导体层的绝缘层。绝缘层可以具有至少一个开口，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。
发光二极管还可以包括与发光结构的第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层。在这种情况下，透明电极层可以穿过绝缘层的开口暴露，所述至少一个上延伸件可以连接到透明电极层。
第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。第一下延伸件可以从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸。第一下延伸件可以电连接到发光结构的第一导电类型半导体层。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括沿着基底的边缘从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件。
在一些示例性实施例中，发光结构的第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于两个发光区域中的每个发光区域上。这样，发光结构划分为多个发光区域，从而发光二极管可以防止在处于特定位置的诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现宽的区域上的均匀的电流扩散。
发光结构的第一导电类型半导体层可以被所述至少两个发光区域共用。第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。
从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件可以位于发光区域之间。第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
在一些示例性实施例中，发光二极管还可以包括位于电极焊盘区域的第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间的绝缘层。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：介电基底；发光结构，位于基底上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一电极焊盘，电连接到发光结构的第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于基底上，以与基底接触并与发光结构隔离；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。第二电极焊盘与发光结构隔离，从而防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件。连接件可以与发光结构绝缘。例如，绝缘层可以置于连接件和发光结构之间，以使连接件与发光结构绝缘。
发光二极管还可以包括覆盖发光结构的第二导电类型半导体层的绝缘层。绝缘层可以具有至少一个开口，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。
发光二极管还可以包括与发光结构的第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层。在这种情况下，透明电极层可以通过绝缘层的开口暴露，所述至少一个上延伸件可以连接到透明电极层。
第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。第一下延伸件可以从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸。第一下延伸件可以电连接到发光结构的第一导电类型半导体层。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括沿着基底的边缘从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件。
在一些示例性实施例中，发光结构的第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于两个发光区域的每个发光区域上。这样，发光结构划分为多个发光区域，从而发光二极管可以防止在处于特定位置的诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现宽的区域上的均匀的电流扩散。
发光结构的第一导电类型半导体层可以被所述至少两个发光区域共用。另外，第一电极焊盘可以位于发光结构的第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。
从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件可以位于发光区域之间。第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；发光结构，位于基底上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一电极焊盘，电连接到发光结构的第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，位于基底上，并且与发光结构隔离；绝缘层，置于基底和第二电极焊盘之间，以使第二电极焊盘与基底绝缘；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。由于第二电极焊盘通过绝缘层与基底隔离，所以基底可以是导电基底。
绝缘层与基底接触，第二电极焊盘位于绝缘层的上表面上。
根据本发明的又一方面，一种发光二极管包括：基底；发光结构，位于基底上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一电极焊盘，位于基底上，并且电连接到发光结构的第一导电类型半导体层的侧表面；第二电极焊盘，位于基底上，并且与发光结构的第二导电类型半导体层隔离；至少一个上延伸件，连接到第二电极焊盘，并电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。第一电极焊盘连接到发光结构的侧表面，以允许第一导电类型半导体层中的有效的电流扩散，第二电极焊盘与发光结构的第二导电类型半导体层隔离，从而防止第二电极焊盘周围的电流拥挤。
发光二极管还可以包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件。连接件可以与发光结构绝缘。例如，绝缘层可以置于连接件和发光结构之间，以使连接件与发光结构绝缘。
发光二极管还可以包括覆盖发光结构的第二导电类型半导体层的绝缘层。绝缘层可以具有至少一个开口，所述至少一个上延伸件可以穿过开口电连接到发光结构的第二导电类型半导体层。
发光二极管还可以包括与发光结构的第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层。在这种情况下，透明电极层可以通过绝缘层的开口暴露，所述至少一个上延伸件可以连接到透明电极层。
第一电极焊盘可以定位成面对第二电极焊盘。第一下延伸件可以从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸。第一下延伸件可以电连接到发光结构的第一导电类型半导体层的侧表面。此外，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘可以比距离第一电极焊盘近。
发光二极管还可以包括从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件，第二下延伸件可以沿着基底的边缘延伸，并且可以连接到发光结构的第一导电类型半导体层的侧表面。
在一些示例性实施例中，发光结构的第二导电类型半导体层和活性层可以划分为限定至少两个发光区域。发光结构的第一导电类型半导体层也可以划分为至少两个区域。连接到第二电极焊盘的上延伸件可以位于所述两个发光区域中的每个发光区域上。发光结构划分为多个发光区域，从而发光二极管可以防止在处于特定位置的诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现宽的区域上的均匀的电流扩散。
在一些示例性实施例中，第一电极焊盘可以在与基底接触的同时面对第二电极焊盘。从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件可以位于发光区域之间，并且可以连接到发光结构的第一导电类型半导体层的侧表面。此外，第一下延伸件和上延伸件可以相互平行。
第二电极焊盘可以与基底接触，但不限于此。可选择地，绝缘层可以置于第二电极焊盘和基底之间。此外，第一导电类型半导体层可以置于绝缘层和基底之间。
应该理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的，并且意图对所要求保护的发明提供进一步的解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明进一步的理解，并且附图包含在该说明书中并构成该说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与描述一起用来解释本发明的原理。
图1是根据本发明第一示例性实施例的发光二极管的平面图。
图2a是沿着图1中的A-A线截取的剖视图。
图2b是沿着图1中的B-B线截取的剖视图。
图3是根据本发明第二示例性实施例的发光二极管的剖视图。
图4是根据本发明第三示例性实施例的发光二极管的平面图。
图5是根据本发明第四示例性实施例的发光二极管的局部剖视图。
图6是根据本发明第五示例性实施例的发光二极管的局部剖视图。
图7是根据本发明第六示例性实施例的发光二极管的平面图。
图8是根据本发明第七示例性实施例的发光二极管的平面图。
图9是根据本发明第八示例性实施例的发光二极管的平面图。
图10是根据本发明第九示例性实施例的发光二极管的平面图。
图11是根据本发明第十示例性实施例的发光二极管的平面图。
图12是根据本发明第十一示例性实施例的发光二极管的平面图。
图13是根据本发明第十二示例性实施例的发光二极管的平面图。
图14是根据本发明第十三示例性实施例的发光二极管的平面图。
图15a、图15b和图15c分别是沿着图14中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图16是根据本发明第十四示例性实施例的发光二极管的剖视图。
图17a、图17b、图17c和图17d是示出了制造根据本发明第十三示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图18是根据本发明第十五示例性实施例的发光二极管的平面图。
图19是根据本发明第十六示例性实施例的发光二极管的平面图。
图20是根据本发明第十七示例性实施例的发光二极管的平面图。
图21a、图21b和图21c分别是沿着图20中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图22a、图22b、图22c和图22d是示出了制造根据本发明第十七示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图23是根据本发明第十八示例性实施例的发光二极管的平面图。
图24a、图24b和图24c分别是沿着图23中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图25a、图25b、图25c、图25d和图25e是示出了制造根据本发明第十八示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图26是根据本发明第十九示例性实施例的发光二极管的平面图。
图27是根据本发明第二十示例性实施例的发光二极管的平面图。
图28是根据本发明第二十一示例性实施例的发光二极管的平面图。
图29a、图29b和图29c分别是沿着图28中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图30a、图30b、图30c、图30d和图30e是示出了制造根据本发明第二十一示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图31是根据本发明第二十二示例性实施例的发光二极管的平面图。
图32a、图32b和图32c分别是沿着图31中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图33a、图33b、图33c、图33d和图33e是示出了制造根据本发明第二十二示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图34是根据本发明第二十三示例性实施例的发光二极管的平面图。
图35a、图35b和图35c分别是沿着图34中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
图36a、图36b、图36c、图36d和图36e是示出了制造根据本发明第二十三示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。
图37是根据本发明第二十四示例性实施例的发光二极管的平面图。
图38是根据本发明第二十五示例性实施例的发光二极管的平面图。
具体实施方式
在下文中参照附图来更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于这里阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开是彻底的，并且将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同的标号表示相同的元件。
应该理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
图1是根据本发明示例性实施例的发光二极管的平面图，图2a是沿着图1中的A-A线截取的剖视图，图2b是沿着图1中的B-B线截取的剖视图。
参照图1、图2a和图2b，发光二极管包括基底21、第一导电类型半导体层23、活性层25、第二导电类型半导体层27、绝缘层31、第一电极焊盘35、第二电极焊盘33和上延伸件33a。发光二极管还可以包括连接件33b、透明电极层29、第一下延伸件35a和第二下延伸件35b。基底21可以是蓝宝石基底，但不限于此。基底21呈基本上的四边形形状而沿着对角方向具有角部。
利用置于第一导电类型半导体层23和第二导电类型半导体层27之间的活性层25，第一导电类型半导体层23位于基底21上，并且第二导电类型半导体层27位于第一导电类型半导体层23上。第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27可以由诸如(Al，In，Ga)N的GaN基化合物半导体材料形成，但不限于此。活性层25由发射期望波长的光(例如，紫外(UV)光或蓝光)的元素构成。
第一导电类型半导体层23可以是n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层27可以是p型氮化物半导体层，反之亦然。
如图所示，第一导电类型半导体层23和/或第二导电类型半导体层27可以具有单层结构或多层结构。此外，活性层25可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。发光二极管还可以包括在基底21和第一导电类型半导体层23之间的缓冲层(未示出)。可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术或分子束外延(MBE)技术形成第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27。
透明电极层29可以形成在第二导电类型半导体层27上。透明电极层29可以由氧化铟锡(ITO)或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
可以通过光刻和腐蚀对第二导电类型半导体层27和活性层25进行图案化工艺，以暴露第一导电类型半导体层23的区域。这种工艺通常称为台面蚀刻(mesa-etching)。台面蚀刻可以提供如图1和图2所示的被划分的发光区域。虽然在本示例性实施例中发光二极管具有相互隔离的两个发光区域，但是发光二极管可以具有多于两个的分开的发光区域。此外，可以执行台面蚀刻，以形成相对于基底21的平面具有30度-70度范围内的倾斜程度的倾斜侧表面。
第一电极焊盘35和第二电极焊盘33位于第一导电类型半导体层23的通过台面蚀刻暴露的区域上。第一电极焊盘35电连接到第一导电类型半导体层23。第二电极焊盘33与第一导电类型半导体层23通过绝缘层31绝缘。第一电极焊盘35和第二电极焊盘33是用于引线键合的键合焊盘，并且可以具有足够宽的用于引线键合的区域。第一电极焊盘35和第二电极焊盘33可以形成在第一导电类型半导体层23的暴露区域上，但不限于此。
绝缘层31设置在第二电极焊盘33和第一导电类型半导体层23之间，以使第二电极焊盘33与第一导电类型半导体层23绝缘。此外，绝缘层31可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。绝缘层31可以延伸到第二导电类型半导体层27的上表面，使得绝缘层31的边缘与第二导电类型半导体层27叠置。可选择地，绝缘层31可以延伸成覆盖第二导电类型半导体层27，且在这种情况下，绝缘层31可以具有形成在第二导电类型半导体层27或透明电极层29的上部的通孔。
上延伸件33a位于第二导电类型半导体层27(或透明电极层29)上。上延伸件33a可以分别通过连接件33b连接到第二电极焊盘33，并且可以电连接到第二导电类型半导体层27。当绝缘层31覆盖第二导电类型半导体层27时，上延伸件33a通过绝缘层31中的通孔连接到第二导电类型半导体层27(或透明电极层29)。上延伸件33a被设置成允许第二导电类型半导体层27中均匀的电流扩散。连接件33b与透明电极层29、第二导电类型半导体层27和活性层25的侧表面通过绝缘层31分开。绝缘层31设置在透明电极层29、第二导电类型半导体层27和活性层25与第二电极焊盘33之间，使得第二电极焊盘33不与透明电极层29、第二导电类型半导体层27和活性层25物理接触。绝缘层31可以防止电流被直接从第二电极焊盘33引导到透明电极层29、第二导电类型半导体层27或活性层25中。
第一下延伸件35a可以从第一电极焊盘35延伸。第一下延伸件35a位于第一导电类型半导体层23上，并电连接到第一导电类型半导体层23。如图所示，第一下延伸件35a可以位于分开的发光区域之间，并且朝着第二电极焊盘33延伸。可选择地，第二下延伸件35b可以从第一电极焊盘35延伸。第二下延伸件35b位于第一导电类型半导体层23上，电连接到第一导电类型半导体层23，并且沿着基底21的位于发光区域外部的边缘延伸。
如本示例性实施例及下面的示例性实施例所示，下延伸件35a、35b和上延伸件33a可以以特定的图案布置，以有助于改善电流扩散。例如，在本示例性实施例中，具有沿着分开的发光区域中的每个发光区域从第二电极焊盘33延伸的两个上延伸件33a，可以改善电流扩散，而不需要在发光二极管上连接到上延伸件33a的多个电极焊盘。在各个示例性实施例中，下延伸件和上延伸件布置同样可以改善分开的发光区域中的电流扩散，同时避免了对单个基底上的多个电极焊盘的需求。
电极焊盘33和35、上延伸件33a、连接件33b及下延伸件35a和35b可以通过相同的工艺由相同的材料(例如Cr/Au)形成，但不限于此。可选择地，上延伸件33a和第二电极焊盘33可以通过不同的工艺由不同的材料形成。
在本示例性实施例中，分开的发光区域具有相对于位于第一电极焊盘35和第二电极焊盘33之间的线(例如，切割线B-B)的对称结构。上延伸件33a也对称地设置，从而发光区域可以表现出相同的发光特性。因此，当在单个发光二极管中发光区域划分为两个发光区域时，与使用两个彼此并联连接的发光二极管相比，可以更简化封装发光二极管的工艺。此外，分开的发光区域可以减轻因缺陷导致的电流拥挤，并且可以通过台面蚀刻形成倾斜侧表面来提高光提取效率。
图3是根据本发明第二示例性实施例的发光二极管的剖视图。
参照图3，本示例性实施例的发光二极管与参照图1和图2描述的发光二极管基本相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘43的一部分位于第二导电类型半导体层27的上方。
具体地讲，第二电极焊盘43位于第一导电类型半导体层23的经受台面蚀刻工艺的暴露区域上，使得第二电极焊盘43的一部分位于第二类型半导体层27的上方。第二电极焊盘43通过绝缘层31不仅与第一导电类型半导体层23绝缘，而且与透明电极层29、第二导电类型半导体层27和活性层绝缘。因此，第二电极焊盘43与这些层并不物理接触。延伸件33a可以直接从第二电极焊盘43延伸，或者可以利用设置在延伸件33a和第二电极焊盘43之间的连接件从第二电极焊盘43延伸。
在本示例性实施例中，第二电极焊盘43通过绝缘层31与半导体层绝缘，从而这样可以防止在第二电极焊盘43周围发生电流拥挤。此外，在本示例性实施例中，与前一示例性实施例相比，可以减少经受台面蚀刻的区域，从而增大了发光区域。
图4是根据本发明第三示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图4，本示例性实施例的发光二极管与参照图1和图2描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第一电极焊盘55和第二电极焊盘53以不同于上面的示例性实施例的方式布置。
在上面的图1和图2示出的示例性实施例中，第一电极焊盘35和第二电极焊盘33设置在基底21的边缘的中心处以相互面对。在根据本示例性实施例的发光二极管中，第一电极焊盘55和第二电极焊盘53呈对角地设置在基底21的角部附近以相互面对。
由于第一电极焊盘55和第二电极焊盘53分别设置在基底21的角部附近，所以能够形成彼此隔开相对大距离的第一电极焊盘55和第二电极焊盘53。
在本示例性实施例中，上延伸件53a可以沿着基底21的边缘从第二电极焊盘53延伸。上延伸件53a连接到第二导电类型半导体层27或透明电极层29，并且还通过连接件53b连接到第二电极焊盘53。连接件53b通过绝缘层31与第二导电类型半导体层27绝缘。此外，绝缘层31覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的侧表面。
第一下延伸件55a从第一电极焊盘55朝着第二电极焊盘53延伸，并且电连接到第一导电类型半导体层23。第一下延伸件55a可以以对角线方式位于基底21上，第二导电类型半导体层27和活性层25可以相对于第一下延伸件55a分为相互隔离的两个发光区域。因此，第一下延伸件55a位于发光区域之间。此外，第二下延伸件55b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘55延伸。
与参照图1和图2所描述的一样，第二电极焊盘53利用设置在第二电极焊盘53和第一导电类型半导体层23之间的绝缘层31位于第一导电类型半导体层23上。这样，由于第二电极焊盘53与第二导电类型半导体层27分开，所以能够防止在第二电极焊盘53周围发生电流拥挤。
此外，与参照图3所描述的一样，第二电极焊盘53的一部分可以位于第二导电类型半导体层27上。
图5是根据本发明第四示例性实施例的发光二极管的局部剖视图，图6是根据本发明第五示例性实施例的发光二极管的局部剖视图。
在上面的示例性实施例中，第二电极焊盘33或53利用设置在第二电极焊盘33或53与第一导电类型半导体层23之间的绝缘层31而位于第一导电类型半导体层23上。然而，在第四示例性实施例中，第二电极焊盘63可以直接位于基底21上(见图5)。此外，在第五示例性实施例中，绝缘层31可以设置在基底21和第二电极焊盘63之间(见图6)。也就是说，利用直接位于基底21上的绝缘层31，第二电极焊盘63可以直接位于绝缘层31上而与绝缘层31接触。第二电极焊盘63形成在已经局部去除了形成在基底21上的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的区域上。当第二电极焊盘63直接形成在基底21上而与基底21接触时，基底21可以是介电基底。
在上面的示例性实施例中，第二电极焊盘33、53或63与第二导电类型半导体层27水平地分离。因此，能够防止在第二电极焊盘周围发生电流拥挤。此外，第二电极焊盘33、53或63通过连接件33b或53b电连接到上延伸件33a或53a，连接件33b或53b通过绝缘层31与发光区域绝缘。由于连接件33b、53b也通过绝缘层31与第二导电类型半导体层27绝缘，所以能够防止在第二电极焊盘33、53或63周围发生电流拥挤。
图7是根据本发明第六示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图7，本示例性实施例的发光二极管与参照图1和图2描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第一电极焊盘155和第二电极焊盘153以不同于上面示例性实施例的方式布置。
在上面的图1和图2示出的示例性实施例中，第一电极焊盘35和第二电极焊盘33设置在四边形基底21的边缘附近以相互面对。在根据本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘153设置在基底21的中心处。此外，第一电极焊盘155可以设置在基底的边缘处。此外，如图7所示，多个第一电极焊盘155可以设置在基底的边缘上以相互面对。
与上面的示例性实施例中一样，第二导电类型半导体层27和活性层25可以划分为多个发光区域。在此，第二导电类型半导体层27和活性层25划分为两个发光区域LE1和LE2。上延伸件153a位于发光区域LE1、LE2上，并且通过绝缘层31连接到第二导电类型半导体层27(见图2a和图2b)。绝缘层31可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面，以使连接件153b或第二电极焊盘153与第二导电类型半导体层27和活性层25的侧表面绝缘。
下延伸件155b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘155延伸。如图7所示，下延伸件155b可以沿着基底21的边缘延伸以围绕发光区域LE1、LE2。下延伸件155b电连接到第一导电类型半导体层23。附加的下延伸件(未示出)可以从下延伸件155b延伸到发光区域LE1和LE2之间的区域。
此外，与参照图1和图2所描述的一样，第二电极焊盘153利用设置在第二电极焊盘153与第一导电类型半导体层23之间的绝缘层31而位于第一导电类型半导体层23上。这样，由于第二电极焊盘153与第二导电类型半导体层27分开，所以能够防止在第二电极焊盘153周围发生电流拥挤。此外，与参照图3所描述的一样，第二电极焊盘153的一部分可以位于第二导电类型半导体层27上。
根据本示例性实施例，由于第二电极焊盘153设置在基底21(即，发光二极管)的中心处，所以能够实现从第二电极焊盘至发光区域LE1、LE2的均匀的电流扩散。
图8是根据本发明第七示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图8，本示例性实施例的发光二极管与参照图7描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，两个上延伸件153a位于发光区域LE1、LE2中的每个发光区域上，一个下延伸件155c从每个第一电极焊盘155向第二电极焊盘153延伸。
具体地讲，至少两个上延伸件153a位于发光区域LE1、LE2中的每个发光区域上。可以以相对于穿过第一电极焊盘155和第二电极焊盘153的线对称的结构设置上延伸件153a。上延伸件153a分别通过连接件153b连接到第二电极焊盘153。
下延伸件155c从第一电极焊盘155向上延伸件153a之间的区域延伸，并且电连接到第一导电类型半导体层23。下延伸件155c在第一电极焊盘155附近终止。
在本示例性实施例中，发光区域LE1、LE2可以对称地设置，从而表现出相同的发光特性。
根据本示例性实施例，至少两个上延伸件153a设置在发光区域LE1、LE2的每个中，下延伸件155c位于上延伸件153a之间的区域中，从而例如当发光区域具有宽的面积时增强了该发光区域中的电流扩散。
图9是根据本发明第八示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图9，第二导电类型半导体层27和活性层25划分为四个发光区域LE1、LE2、LE3、LE4。此外，四个第一电极焊盘165设置在发光二极管的角部附近，下延伸件165b围绕发光区域LE1、LE2、LE3、LE4。
与第六实施例和第七实施例中一样，第二电极焊盘163设置在基底21的中心处。第二电极焊盘163可以利用置于第二电极焊盘163和第一导电类型半导体层23之间的绝缘层31而位于第一导电类型半导体层23上。
上延伸件163a位于发光区域LE1、LE2、LE3、LE4中的每个发光区域上。上延伸件163a可以沿着发光区域LE1、LE2、LE3、LE4中的每个发光区域的边缘延伸，并且可以连接到第二导电类型半导体层27或透明电极层29。上延伸件163a通过连接件163b连接到第二电极焊盘163，连接件163b通过绝缘层31与发光区域LE1、LE2、LE3、LE4绝缘。
根据本示例性实施例，利用位于基底21中心处的第二电极焊盘163，发光区域划分为多个发光区域LE1、LE2、LE3、LE4，从而发光二极管可以实现宽的区域上的均匀的电流扩散。
在本示例性实施例中，发光二极管具有设置在基底21的四个角部处的四个第一电极焊盘165。可选择地，发光二极管可以具有单个第一电极焊盘165，下延伸件165b从这个第一电极焊盘165延伸，以围绕发光区域LE1、LE2、LE3、LE4。
图10是根据本发明第九示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图10，本示例性实施例的发光二极管与参照图9描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，下延伸件165a、165b和上延伸件163a以不同于上面示例性实施例的方式布置。
具体地讲，下延伸件165b沿着基底21的边缘从第一电极焊盘165延伸以围绕相关的发光区域LE1、LE2、LE3、LE4，并且在一些区域中相互分开。此外，下延伸件165a分别延伸到发光区域LE1、LE2之间的区域中和发光区域LE3、LE4之间的区域中。下延伸件165a可以从下延伸件165b延伸。
每个上延伸件163a通过连接件163b连接到第二电极焊盘163。上延伸件163a在下延伸件165a、165b之间的区域中沿着发光区域LE1、LE2、LE3、LE4中的每个发光区域的一个边缘延伸，然后朝着每个发光区域的相对边缘延伸。
根据本示例性实施例，通过调整下延伸件165a、165b和上延伸件163a的形状和布置来调整下延伸件165a、165b与上延伸件163之间的距离，发光二极管可以实现在发光区域LE1、LE2、LE3、LE4中优化了的电流扩散。
在第六示例性实施例至第八示例性实施例中，第二电极焊盘153或163位于第一导电类型半导体层23上，绝缘层31设置在第二电极焊盘153或163和第一导电类型半导体层23之间。然而，与上面参照图5和图6所描述的一样，第二电极焊盘153或163可以直接位于基底21上(见图5)。可选择地，绝缘层31可以设置在基底21和第二电极焊盘153或163之间(见图6)。也就是说，利用直接位于基底21上的绝缘层31，第二电极焊盘153或163可以直接位于绝缘层31上而与绝缘层31接触。第二电极焊盘153或163形成在已经局部去除了形成在基底21上的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的区域上。当第二电极焊盘153或163直接形成在基底21上而与基底21接触时，基底21可以是介电基底。
图11是根据本发明第十示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图11，本示例性实施例的发光二极管与参照图1和图2描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第一电极焊盘255和第二电极焊盘253以不同于上面的示例性实施例的方式布置。
具体地讲，在图1和图2中，第一电极焊盘35和第二电极焊盘33设置在基底21的长轴方向上以相互面对。然而，在本示例性实施例中，第二电极焊盘253设置在基底21的一个边缘的中心附近，两个第一电极焊盘255设置在基底21的相对边缘附近。基底21的所述一个边缘可以比基底21的其他边缘长，但不限于此。此外，第一电极焊盘255不是定位成面对第二电极焊盘253，而是设置在基底21的相对边缘的端部附近，即，四边形基底21的角部处。
与上面的示例性实施例中一样，第二导电类型半导体层27和活性层25可以划分为发光区域LE1、LE2。在此，第二导电类型半导体层27和活性层25划分为两个发光区域。可以以相对于沿基底21的短轴方向从第二电极焊盘253延伸的线对称的结构设置发光区域LE1、LE2。换言之，可以以相对于穿过第二电极焊盘253而垂直于基底21的所述一个边缘的线对称的结构设置发光区域LE1、LE2。
上延伸件253a或253c位于发光区域LE1、LE2中的每个发光区域上。上延伸件253c可以通过连接件253b连接到第二电极焊盘253，并且沿着发光区域LE1的一个边缘延伸。上延伸件253a可以从上延伸件253c线性地延伸。也就是说，上延伸件253a可以从基底21的一个边缘向基底21的另一个边缘线性地延伸。
连接件253b通过绝缘层31与第二导电类型半导体层绝缘(见图2a和图2b)。绝缘层31可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻暴露的侧表面，以使连接件253b或第二电极焊盘253与第二导电类型半导体层27和活性层25的侧表面绝缘。
下延伸件255b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘255延伸。如图11所示，下延伸件255b包括沿着基底21的所述另一个边缘延伸的下延伸件和沿着将基底的所述一个边缘连接到所述另一个边缘的边缘延伸的下延伸件。因此，下延伸件255b可以沿着发光区域LE1或LE2的两个边缘延伸。此外，另一下延伸件255a可以从下延伸件255b延伸到发光区域LE1和LE2之间的区域。下延伸件255a可以朝着第二电极焊盘253延伸。下延伸件255a、255b电连接到第一导电类型半导体层23，以帮助电流在发光二极管中扩散。
此外，与参照图1和图2所描述的一样，第二电极焊盘253利用设置在第二电极焊盘253和第一导电类型半导体层23之间的绝缘层31而位于第一导电类型半导体层23上。这样，由于第二电极焊盘253与第二导电类型半导体层27分开，所以能够防止在第二电极焊盘253周围发生电流拥挤。此外，与参照图3所描述的一样，第二电极焊盘253的一部分可以位于第二导电类型半导体层27上。
根据本示例性实施例，发光区域LE1、LE2共用单个第二电极焊盘253，并分别设置有相关联的第一电极焊盘255。此外，由于第一电极焊盘255与基底21的边缘的中心分开，使得第一电极焊盘255和第二电极焊盘253没有相互面对，所以能够实现各个发光区域LE1、LE2中更有效的电流扩散。
在本示例性实施例中，第二导电类型半导体层27和活性层25被划分为限定两个发光区域LE1、LE2。然而，划分第二导电类型半导体层27和活性层25并不是必要的。也就是说，发光区域LE1、LE2的第二导电类型半导体层27和活性层25可以相互连接。
图12是根据本发明第十一示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图12，本示例性实施例的发光二极管与参照图11描述的发光二极管相似。然而，本示例性实施例的发光二极管还包括进入发光区域LE1、LE2中的每个发光区域的下延伸件255c。在本示例性实施例中，可以省略图11中的下延伸件255a。
每个下延伸件255c位于第一导电类型半导体层23的通过台面蚀刻暴露的区域上，并电连接到第一导电类型半导体层23。下延伸件255c可以从下延伸件255b朝着基底21的一个边缘延伸。另一方面，每个上延伸件253a延伸到下延伸件255b、255c之间的区域。
根据本示例性实施例，发光二极管包括均进入发光区域LE1或LE2的下延伸件255c，从而实现了在更广的发光区域上均匀的电流扩散。
在本示例性实施例中，可以以相对于穿过第二电极焊盘253而垂直于基底21的一个边缘的线对称的结构设置发光区域LE1、LE2。结果，可以对称地设置下延伸件255c。
图13是根据本发明第十二示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图13，本示例性实施例的发光二极管与参照图11描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第一电极焊盘265的位置不同于上面示例性实施例中的第一电极焊盘的位置。
具体地讲，第一电极焊盘265位于基底21的另一个边缘上的中心和一端之间的区域中。每个第一电极焊盘265可以位于发光区域LE1或LE2的边缘的中央区域。此外，可以沿着通过每个上延伸件253a的延伸而形成的假想线设置每个第一电极焊盘265。因此，每个上延伸件253a可以位于下延伸件255b和下延伸件255a之间的中部，从而允许在上延伸件253a的两个区域处均匀的电流扩散。
在第十示例性实施例和第十一示例性实施例中，第二电极焊盘253位于第一导电类型半导体层23上，绝缘层31设置在第二电极焊盘253和第一导电类型半导体层23之间。然而，与上面参照图5和图6所描述的一样，第二电极焊盘253可直接位于基底21上而与基底21接触。可选择地，绝缘层31可以设置在基底21和第二电极焊盘253之间。也就是说，利用直接位于基底21上的绝缘层31，第二电极焊盘253可以直接位于绝缘层31上而与绝缘层31接触。第二电极焊盘253形成在已经局部去除了形成在基底21上的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的区域上。当第二电极焊盘253直接形成在基底21上而与基底21接触时，基底21可以是介电基底。
在上面的示例性实施例中，第二电极焊盘253与第二导电类型半导体层27水平地分离。因此，能够防止在第二电极焊盘253周围发生电流拥挤。此外，第二电极焊盘253通过连接件253b电连接到上延伸件253a、253c，连接件253b通过绝缘层31与发光区域绝缘。这与图1和图2中示出的示例性实施例相似。由于连接件253b也通过绝缘层31与第二导电类型半导体层27绝缘，所以能够防止在第二电极焊盘253周围发生电流拥挤。
图14是根据本发明第十三示例性实施例的发光二极管的平面图，图15a、图15b和图15c分别是沿着图14中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图14、图15a、图15b和图15c，发光二极管包括基底21、第一导电类型半导体层23、活性层25、第二导电类型半导体层27、绝缘层331、第一电极焊盘335、第二电极焊盘333和上延伸件333a。发光二极管还可以包括连接件333b、透明电极层29、第一下延伸件335a和第二下延伸件335b。
基底21、第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27与图1和图2中所示的基底21、第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27相同，因而在此将省略对它们的详细描述。
第二导电类型半导体层27和活性层25可以经受台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23(即，n型半导体层)的将形成有第一电极焊盘335、第一下延伸件335a和第二下延伸件335b的区域。台面蚀刻可以形成锯齿状部分30b，从而第二导电类型半导体层27和活性层25基本上划分为两个发光区域。此外，可以执行台面蚀刻，以形成相对于基底21的平面倾斜程度在30度至70度范围内的倾斜侧表面。
透明电极层329可以形成在第二导电类型半导体层27上。透明电极层329可以由ITO或Ni/Au形成，并与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。例如，如图17b所示，透明电极层329可以划分为两个区域。这里，透明电极层329可以划分为两个区域，以暴露将要形成有第二电极焊盘333的第二导电类型半导体层27，这两个区域可以对称地设置。
绝缘层331覆盖第二导电类型半导体层27。当透明电极层329位于第二导电类型半导体层27上时，绝缘层331还覆盖透明电极层329。绝缘层331还覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，绝缘层331可以具有形成在第二导电类型半导体层27上的开口331a。开口331a暴露第二导电类型半导体层27(或透明电极层329)。绝缘层331可以由光可以透射穿过的任何绝缘材料(例如，SiO2)形成。
第二电极焊盘333位于第二导电类型半导体层27上。第二电极焊盘333位于第二导电类型半导体层27的由于划分透明电极层329而被暴露的区域上，并且第二电极焊盘333通过绝缘层331与第二导电类型半导体层27绝缘。
上延伸件333a位于第二导电类型半导体层27(或透明电极层329)上。上延伸件333a可以通过绝缘层331的开口331a连接到第二导电类型半导体层27(或透明电极层329)。上延伸件333a被设置成允许第二导电类型半导体层27中均匀的电流扩散。例如，上延伸件333a可以彼此平行地延伸。上延伸件333a可以分别通过连接件333b连接到第二电极焊盘333。连接件333b通过绝缘层331与第二导电类型半导体层27分开。
第一电极焊盘335位于第一导电类型半导体层23的通过台面蚀刻被暴露的区域上。第一电极焊盘335电连接到第一导电类型半导体层23。第一电极焊盘335和第二电极焊盘333是用来引线键合的键合焊盘，并且具有用来引线键合的相对宽的区域。第一下延伸件335a可以从第一电极焊盘335向第二电极焊盘333延伸。第一下延伸件335a位于第一导电类型半导体层23上，并电连接到第一导电类型半导体层23。如图所示，第一下延伸件335a可以位于透明电极层329的划分区域之间的区域中，并可以平行于上延伸件333a。此外，第二下延伸件335b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘335延伸。
电极焊盘333和335、上延伸件333a、连接件333b及下延伸件335a、335b可以通过相同的工艺由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限于此。可选择地，上延伸件333a和第二电极焊盘333可以通过不同的工艺由不同的材料形成。
在本示例性实施例中，发光二极管具有相对于穿过第一电极焊盘335和第二电极焊盘333的线(例如，图14中的B-B线)对称的结构。透明电极层329的划分区域和上延伸件333a对称地设置。下延伸件335b也可以对称地设置。因此，在根据本示例性实施例的发光二极管中，透明电极层329的划分区域可以在其两个划分区域处提供相同的发光特性。结果，发光二极管的发光结构基本划分为两个发光区域，从而发光二极管可以防止在诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现了均匀的电流扩散。
在本示例性实施例中，第一电极焊盘335位于第一导电类型半导体层23上。然而，如果基底21是导电的，则第一电极焊盘335可以位于基底21的顶表面或底表面上。
图16是根据本发明第十四示例性实施例的发光二极管的剖视图。
参照图16，本示例性实施例的发光二极管与参照图14和图15a至图15c描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘343的附加部分位于透明电极层329上方。
具体地讲，第二电极焊盘343在透明电极层329的划分区域之间位于第二导电类型半导体层27的暴露区域上方，从而第二电极焊盘343的一部分位于透明电极层329上方。第二电极焊盘343通过绝缘层331与透明电极层329绝缘。
在本示例性实施例中，划分透明电极层329的区域的面积可以相对减小。此外，第二电极焊盘343可以形成为面积比上面示例性实施例的第二电极焊盘333的面积大。
图17a、图17b、图17c和图17d是示出了制造根据本发明第十三示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层329及绝缘层331的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。可以使用可以形成半导体层23、25和27、透明电极层329及绝缘层331的现在知道的或尚未知道的任何工艺来制造发光二极管。
首先，参照图17a，在基底21上形成包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，在第一导电类型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘335的区域30a、将要形成有第一下延伸件335a的区域30b和将要形成有第二下延伸件335b的区域30c。将要形成有第一下延伸件335a的区域30b变成向内延伸的锯齿状部分30b。锯齿状部分30b位于半导体层的中部，并且从将要形成有第一电极焊盘的区域30a向内延伸，以将发光区域划分为基本上两个发光区域。这里，第二导电类型半导体层和活性层的将要形成有第二电极焊盘333(见图14)的区域保留，而不是通过蚀刻被去除。
参照图17b，可以在第二导电类型半导体层27上形成透明电极层329。可以将透明电极层329划分为两个区域，以暴露将要形成有第二电极焊盘333的第二导电类型半导体层27。透明电极层329的这两个区域可以具有相对于彼此对称的结构。透明电极层329可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
参照图17c，在透明电极层329上形成绝缘层331。绝缘层331覆盖第二导电类型半导体层27的将要形成有第二电极焊盘333的区域。此外，绝缘层331还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层331进行图案化工艺，以形成暴露透明电极层329的开口331a。暴露透明电极层329的开口331a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露第一导电类型半导体层的将分别形成有第一电极焊盘335、第一下延伸件335a和第二下延伸件335b的区域30a、30b和30c。
参照图17d，在第一导电类型半导体层23的暴露区域上形成第一电极焊盘335、第一下延伸件335a和第二下延伸件335b。此外，在绝缘层331上形成第二电极焊盘333和连接件333b，在开口331a中形成上延伸件333a。
上延伸件333a可以连接到透明电极层329，并可平行于第一下延伸件335a而形成。结果，制造出发光二极管，如图14所示。
在本示例性实施例中，透明电极层329划分为两个区域，但不限于此。透明电极层329可以划分为多于两个的区域。此外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成透明电极层329，但是可以在形成透明电极层329之后执行台面蚀刻。
图18是根据本发明第十五示例性实施例的发光二极管的平面图。
在上面的图14的示例性实施例中，第一电极焊盘335和第二电极焊盘333沿发光二极管的长轴方向设置，并且透明电极层329沿发光二极管的长轴方向划分为两个区域。然而，在本示例性实施例中，第一电极焊盘355和第二电极焊盘353沿发光二极管的短轴方向设置，并且透明电极层329沿发光二极管的短轴方向划分为两个区域。此外，透明电极层329的划分区域对称地设置，并且上延伸件353a和下延伸件355a也对称地设置。
这里，上延伸件353a沿着发光二极管的边缘延伸以围绕发光二极管，并且包括从发光二极管的边缘向内延伸的延伸件353c。下延伸件355a从发光二极管的内部向外延伸。此外，下延伸件355a可以分叉以分别围绕相关的发光区域中的延伸件353c。
上延伸件353a通过绝缘层331的开口331a连接到透明电极层329，并通过连接件353b连接到第二电极焊盘353。连接件353b通过绝缘层331与透明电极层329绝缘。锯齿状部分360b在发光二极管的中部沿着发光二极管的短轴方向延伸。
在本示例性实施例中，发光二极管省略了从第一电极焊盘355向第二电极焊盘353延伸的第一下延伸件335a(见图14)。
图19是根据本发明第十六示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图19，本示例性实施例的发光二极管与参照图18描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，下延伸件365a和上延伸件363a以不同于上面的示例性实施例的方式来布置。
具体地讲，下延伸件365a沿着发光二极管的边缘延伸，并且弯曲成向内延伸，上延伸件363a在透明电极层329的每个划分区域上包括两个延伸件，这两个延伸件围绕向内延伸的每个下延伸件365a。
上延伸件363a通过绝缘层331的开口331a连接到透明电极层329，并通过连接件363b连接到第二电极焊盘353。连接件363b通过绝缘层331与透明电极层329绝缘。
图20是根据本发明第十七示例性实施例的发光二极管的平面图，图21a、图21b和图21c分别是沿着图20中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图20、图21a、图21b和图21c，本示例性实施例的发光二极管与参照图14和图15a至图15c描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘433位于透明电极层429上方，并通过绝缘层431与透明电极层429绝缘。此外，第一导电类型半导体层23为n型半导体层，第二导电类型半导体层27为p型半导体层。
发光二极管包括基底21、n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27、透明电极层429、绝缘层431、第一电极焊盘435、第二电极焊盘433和上延伸件433a。发光二极管还可以包括连接件433b、第一下延伸件435a和第二下延伸件435b。
基底21、n型半导体层23、活性层25和p型半导体层27与图14和图15a至图15c中示出的基底21、n型半导体层23、活性层25和p型半导体层27相同，因而在此将省略对它们的详细描述。
透明电极层429可以位于p型半导体层27上。透明电极层429可以由ITO或Ni/Au形成，并且与p型半导体层27形成欧姆接触。例如，如图22b所示，透明电极层429可以形成在p型半导体层27上，并且可以具有对称结构。这里，透明电极层429覆盖p型半导体层27的将要形成有第二电极焊盘433的区域。
绝缘层431覆盖透明电极层429。绝缘层431还覆盖p型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，绝缘层431可以具有暴露透明电极层429的开口431a。通过开口431a暴露透明电极层429(或p型半导体层27)。绝缘层431可以由光可以透射穿过的任何透明材料(例如，SiO2)形成。
第二电极焊盘433位于透明电极层429上。第二电极焊盘433位于透明电极层429的在锯齿状部分30b附近的区域上，并且通过绝缘层431与透明电极层429绝缘。
上延伸件433a位于透明电极层429上。上延伸件433a可以通过绝缘层431的开口431a连接到透明电极层429，由此可以电连接到p型半导体层27。可以通过开口431a暴露p型半导体层27，上延伸件433a可以直接连接到p型半导体层27。上延伸件433a被设置成允许p型半导体层27中均匀的电流扩散。例如，上延伸件433a可以相互平行地延伸。上延伸件433a可以分别通过连接件433b连接到第二电极焊盘433。连接件433b通过绝缘层431与透明电极层429绝缘。
第一电极焊盘435可以位于n型半导体层23的通过台面蚀刻被暴露的区域上。第一电极焊盘435电连接到n型半导体层23。第一电极焊盘435和第二电极焊盘433是用于引线键合的键合焊盘，并且可以具有用于引线键合的相对宽的区域。第一下延伸件435a可以从第一电极焊盘435向第二电极焊盘433延伸。第一下延伸件435a位于n型半导体层23上，并电连接到n型半导体层23。如图所示，第一下延伸件435a可以位于锯齿状部分30b上，并且可以平行于上延伸件433a。此外，第二下延伸件435b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘435延伸。
电极焊盘433和435、上延伸件433a、连接件433b、第一下延伸件435a及第二下延伸件435b可以通过相同的工艺由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限于此。可选择地，上延伸件433a和第二电极焊盘433可以通过不同的工艺由不同的材料形成。
在本示例性实施例中，发光二极管具有相对于穿过第一电极焊盘435和第二电极焊盘433的线(例如，图20中的B-B线)对称的结构。透明电极层429的划分区域和上延伸件433a可以对称地设置，第二下延伸件435b也可以对称地设置。因此，发光二极管可以在锯齿状部分30b的两侧表现出相同的发光特性。结果，发光二极管的发光结构基本上划分为两个发光区域，从而发光二极管可以防止在诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现了均匀的电流扩散。
在本示例性实施例中，第一电极焊盘435位于n型半导体层23上。然而，如果基底21是导电的，则第一电极焊盘435可以位于基底21的顶表面或底表面上。
图22a、图22b、图22c和图22d是示出了制造根据本发明第十七示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层429及绝缘层431的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。可以使用可以形成半导体层23、25和27、透明电极层429及绝缘层431的现在知道的或尚未知道的任何工艺来制造发光二极管。
首先，参照图22a，在基底21上形成包括n型半导体层23、活性层25和p型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露n型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，在n型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘435的区域30a、将要形成有第一下延伸件435a的区域30b和将要形成有第二下延伸件435b的区域30c。将要形成有第一下延伸件435a的区域30b变成向内延伸的锯齿状部分30b。锯齿状部分30b从将要形成有第一电极焊盘的区域30a向内延伸，以将发光区域划分为基本上两个发光区域。这里，p型半导体层和活性层的将要形成有第二电极焊盘433(见图20)的区域保留，而不是通过蚀刻被去除。
参照图22b，可以在p型半导体层27上形成透明电极层429。透明电极层429可以形成为覆盖将要形成有第二电极焊盘433的p型半导体层27，并且可以划分为两个区域，这两个区域设置成相对于沿着锯齿状部分30b延伸的线对称的结构。透明电极层429可以由ITO或Ni/Au形成，并且可以与p型半导体层27形成欧姆接触。
参照图22c，在透明电极层429上形成绝缘层431。绝缘层431覆盖透明电极层429的将要形成有第二电极焊盘433的区域。此外，绝缘层431还可以覆盖p型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层431进行图案化工艺，以形成暴露透明电极层429的开口431a。暴露透明电极层429的开口431a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露n型半导体层23的将分别形成有第一电极焊盘435、第一下延伸件435a和第二下延伸件435b的区域。
参照图22d，在n型半导体层23的暴露区域上形成第一电极焊盘435、第一下延伸件435a和第二下延伸件435b。此外，在绝缘层431上形成第二电极焊盘433和连接件433b，在开口431a中形成上延伸件433a。
上延伸件433a可以连接到透明电极层429，并可平行于第一下延伸件435a而形成。结果，制造出发光二极管，如图20所示。
在本示例性实施例中，发光二极管通过锯齿状部分30b基本划分为两个发光区域，但不限于此。发光二极管可以划分为多于两个的发光区域。此外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成透明电极层429，但是可以在形成透明电极层429之后执行台面蚀刻。
与第十三示例性实施例的发光二极管不同，本示例性实施例的发光二极管包括透明电极层429上方的第二电极焊盘433。该特征也可以应用于参照图18描述的第十五示例性实施例的发光二极管和参照图19描述的第十六示例性实施例的发光二极管，因而在此将省略对它们的详细描述。
图23是根据本发明第十八示例性实施例的发光二极管的平面图，图24a、图24b和图24c分别是沿着图23中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图23、图24a、图24b和图24c，发光二极管包括基底21、包括发光区域LE1和LE2的发光结构、与发光结构隔离的电极焊盘区域EP、第一电极焊盘535、第二电极焊盘533及上延伸件533a。此外，发光二极管可以包括透明电极层529、绝缘层531、连接件533b、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b。此外，发光结构和电极焊盘区域EP均包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27。
基底21可以是例如蓝宝石基底，但不限于此。发光结构和电极焊盘区域EP位于基底21上。
第一导电类型半导体层23为n型半导体层，第二导电类型半导体层27为p型半导体层，反之亦然。第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27与参照图14和图15a至图15c描述的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27相同，因而在此将省略对它们的详细描述。
发光结构的第二导电类型半导体层27和活性层25可以划分为限定至少两个发光区域LE1、LE2。发光区域LE1、LE2可以具有对称结构，可以通过台面蚀刻来执行这种划分工艺。具体地讲，通过台面蚀刻形成锯齿状部分30b，以将第二导电类型半导体层27和活性层25划分为两个发光区域。此外，经受台面蚀刻的发光结构的侧表面可以相对于基底21的平面倾斜30度至70度。此外，发光区域LE1、LE2的第一导电类型半导体层23可以被发光区域共用，从而第一导电类型半导体层23暴露在发光区域之间。
此外，透明电极层529可以位于发光结构的第二导电类型半导体层27上。透明电极层529可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
电极焊盘区域EP与发光结构隔离。具体地讲，电极焊盘区域EP的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27与发光结构的第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27分开。因此，电极焊盘区域EP与发光结构电绝缘。电极焊盘区域EP可以通过形成在第一导电类型半导体层23中的沟槽T1与发光结构隔离。另一方面，由ITO或Ni/Au形成的透明电极层529可以位于电极焊盘区域EP上。
绝缘层531可以覆盖发光结构的第二导电类型半导体层27(或透明电极层529)。绝缘层531还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，绝缘层531可以具有在发光区域LE1、LE2上暴露透明电极层529的开口531a。通过开口531a暴露透明电极层529(或第二导电类型半导体层27)。绝缘层531可以覆盖电极焊盘区域EP的第二导电类型半导体层27(或透明电极层529)，并且还可以覆盖电极焊盘区域EP的侧表面。绝缘层531可以由光可以透射穿过的任何透明材料(例如，SiO2)形成。
第一电极焊盘535可以位于发光结构的第一导电类型半导体层23的暴露区域上，第二电极焊盘533可以位于电极焊盘区域EP上。第一电极焊盘535可以定位成面对第二电极焊盘533，如附图所示。第一电极焊盘535和第二电极焊盘533是用于引线键合的键合焊盘，并且可以具有用于引线键合的相对宽的区域。
第一电极焊盘535电连接到第一导电类型半导体层23。此外，第一下延伸件535a可以从第一电极焊盘535向第二电极焊盘533延伸。第一下延伸件535a位于第一导电类型半导体层23上，并电连接到第一导电类型半导体层23。如附图所示，第一下延伸件535a可以位于发光区域LE1和LE2之间的锯齿状部分30b中，并具有接近第二电极焊盘533的末端。此外，第二下延伸件535b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘535延伸。
第二电极焊盘533位于电极焊盘区域EP上。第二电极焊盘533可以位于第二导电类型半导体层27上，透明电极层529和/或绝缘层531可以设置在第二电极焊盘533和第二导电类型半导体层27之间。当绝缘层531设置在第二电极焊盘533和第二导电类型半导体层27(或透明电极层529)之间时，第二电极焊盘可以与电极焊盘区域EP绝缘。
上延伸件533a位于发光区域LE1、LE2上。上延伸件533a可以通过绝缘层531的开口531a电连接到透明电极层529(或第二导电类型半导体层27)。可以通过开口531a暴露第二导电类型半导体层27，上延伸件533a可以直接连接到第二导电类型半导体层27。上延伸件533a被设置成允许第二导电类型半导体层27中均匀的电流扩散。例如，上延伸件533a可以相互平行地延伸。上延伸件533a可以分别通过连接件533b连接到第二电极焊盘533。连接件533b通过绝缘层531与透明电极层529(或第二导电类型半导体层27)绝缘。连接件533b通过绝缘层531与发光结构的侧表面绝缘。
电极焊盘533和535、上延伸件533a、连接件533b、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b可以通过相同的工艺由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限于此。可选择地，上延伸件533a和第二电极焊盘533可以通过不同的工艺由不同的材料形成。
在本示例性实施例中，发光二极管具有相对于穿过第一电极焊盘535和第二电极焊盘533的线(例如，图23中的B-B线)对称的结构。透明电极层529的划分区域和上延伸件533a可以对称地设置，第二下延伸件535b也可以对称地设置。因此，发光二极管可以在锯齿状部分30b的两侧表现出相同的发光特性。结果，发光二极管的发光结构划分为两个发光区域，从而发光二极管可以防止在诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生过度的电流拥挤，从而实现了均匀的电流扩散。
在本示例性实施例中，第一电极焊盘535位于第一导电类型半导体层23上。然而，如果基底21是导电的，则第一电极焊盘535可以位于基底21的顶表面或底表面上。在这种情况下，第二电极焊盘533通过绝缘层531与电极焊盘区域EP绝缘。
图25a、图25b、图25c、图25d和图25e是示出了制造根据第十八示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层529及绝缘层531的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。
首先，参照图25a，在基底21上形成包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，如图23所示，在第一导电类型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘535的区域30a、将要形成有第一下延伸件535a的区域30b和将要形成有第二下延伸件535b的区域30c。将要形成有第一下延伸件535a的区域30b变成向内延伸的锯齿状部分30b。锯齿状部分30b从将要形成有第一电极焊盘的区域30a向内延伸。这里，通过台面蚀刻暴露电极焊盘区域EP中的第一导电类型半导体层23，第二导电类型半导体层27和活性层25保留，而不是通过蚀刻被去除。因此，将第二导电类型半导体层22和活性层25划分为限定两个发光区域LE1、LE2，通过台面蚀刻限定电极焊盘区域EP。
参照图25b，通过蚀刻第一导电类型半导体层23在电极焊盘区域EP周围形成沟槽T1。电极焊盘区域EP以岛状通过沟槽T1与包括发光区域LE1、LE2的发光结构的第一导电类型半导体层23隔离。
参照图25c，在发光区域LE1、LE2的第二导电类型半导体层27上形成透明电极层529。透明电极层529还可以形成在电极焊盘区域EP上。透明电极层529可以具有相对于沿着锯齿状部分30b延伸的假想线对称的结构。透明电极层529可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
参照图25d，在发光结构上形成绝缘层531。绝缘层531覆盖发光结构的透明电极层529和电极焊盘区域EP上的透明电极层529。此外，绝缘层531还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层531进行图案化工艺，以在发光区域LE1、LE2上形成暴露透明电极层529的开口531a。暴露透明电极层529的开口531a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露第一导电类型半导体层23的将分别形成有第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b的区域。
参照图25e，在发光结构的第一导电类型半导体层23的暴露区域上形成第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b。此外，在电极焊盘区域EP上形成第二电极焊盘533，在开口531a中形成上延伸件533a。此外，连接件533b形成为将第二电极焊盘533连接到上延伸件533a。
上延伸件533a可以连接到透明电极层529，并可平行于第一下延伸件535a而形成。结果，制造出发光二极管，如图23所示。
在本示例性实施例中，发光结构划分为两个发光区域LE1、LE2，但不限于此。发光结构可以划分为多于两个的发光区域。此外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成透明电极层529，但是可以在形成透明电极层529之后执行台面蚀刻。另外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成沟槽T1，但是可以在形成沟槽T1之后执行台面蚀刻。
图26是根据本发明第十九示例性实施例的发光二极管的平面图。
在上面的图23的示例性实施例中，第一电极焊盘535和第二电极焊盘533沿发光二极管的长轴方向设置，并且锯齿状部分30b沿发光二极管的长轴方向形成。然而，在本示例性实施例中，第一电极焊盘555和第二电极焊盘553沿发光二极管的短轴方向设置，并且锯齿状部分560b沿发光二极管的短轴方向形成。此外，透明电极层529、上延伸件553a和下延伸件555a也对称地设置。
这里，上延伸件553a沿着发光二极管的边缘延伸以围绕发光二极管，并且包括从发光二极管的边缘向内延伸的延伸件553c。下延伸件555a从发光二极管的内部向外延伸。此外，下延伸件555a可以分叉，以分别围绕相关的发光区域中的延伸件553c。
上延伸件553a通过绝缘层531的开口531a连接到发光区域LE1、LE2上的透明电极层529，并通过连接件553b连接到第二电极焊盘553。连接件553b通过绝缘层531与透明电极层529绝缘。
与参照图23所描述的一样，电极焊盘区域EP通过沟槽T1与发光结构隔离。
在本示例性实施例中，发光二极管省略了从第一电极焊盘555向第二电极焊盘553延伸的第一下延伸件535a(见图23)。
图27是根据本发明第二十示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图27，本示例性实施例的发光二极管与参照图26描述的发光二极管大体相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，下延伸件565a和上延伸件563a以不同于上面示例性实施例的方式布置。
具体地讲，下延伸件565a沿着发光二极管的边缘延伸，并弯曲成向内延伸，上延伸件563a在透明电极层29的每个划分区域上包括围绕向内延伸的每个下延伸件565a的两个延伸件。
上延伸件563a通过绝缘层531的开口531a连接到发光区域LE1、LE2上的透明电极层529，并通过连接件563b连接到第二电极焊盘553。连接件563b通过绝缘层531与发光结构绝缘。
图28是根据本发明第二十一示例性实施例的发光二极管的平面图，图29a、图29b和图29c分别是沿着图28中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图28、图29a、图29b和图29c，本示例性实施例的发光二极管与参照图23和图24a至图24c描述的发光二极管基本相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘633位于第一导电类型半导体层23的隔离的电极焊盘区域EP上。为了清晰起见，将省略与上面的示例性实施例的组件相同的组件。
在本示例性实施例中，发光结构和电极焊盘区域EP位于基底21上，电极焊盘区域EP包括第一导电类型半导体层23。
电极焊盘区域EP与发光结构隔离。具体地讲，电极焊盘区域EP中的第一导电类型半导体层23与发光结构的第一导电类型半导体层23分开。因此，电极焊盘区域EP与发光结构电绝缘。电极焊盘区域EP可以通过形成在电极焊盘区域EP中的第一导电类型半导体层23中的沟槽T1与发光结构隔离。绝缘层531可以覆盖电极焊盘区域EP的第一导电类型半导体层23，还可以覆盖电极焊盘区域EP。
第二电极焊盘633位于电极焊盘区域EP上。第二电极焊盘633可以位于第一导电类型半导体层23上，绝缘层531可以设置在第二电极焊盘633和第一导电类型半导体层23之间。当绝缘层531设置在第二电极焊盘633和第一导电类型半导体层23之间时，第二电极焊盘可以与电极焊盘区域EP电绝缘。
图30a、图30b、图30c、图30d和图30e是示出了制造根据第二十一示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层529及绝缘层531的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。可以使用可以形成半导体层23、25和27、透明电极层529及绝缘层531的现在知道的或尚未知道的任何工艺来制造发光二极管。
首先，参照图30a，在基底21上形成包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，如图28所示，在第一导电类型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘535的区域30a、将要形成有第一下延伸件535a的区域30b和将要形成有第二下延伸件535b的区域30c。将要形成有第一下延伸件535a的区域30b变成向内延伸的锯齿状部分30b。锯齿状部分30b从将要形成有第一电极焊盘的区域30a向内延伸。这里，通过台面蚀刻暴露电极焊盘区域EP的第一导电类型半导体层23。因此，通过台面蚀刻将第二导电类型半导体层27和活性层25划分为限定两个发光区域LE1、LE2。
参照图30b，通过蚀刻第一导电类型半导体层23在电极焊盘区域EP周围形成沟槽T1。电极焊盘区域EP以岛状通过沟槽T1与包括发光区域LE1、LE2的发光结构的第一导电类型半导体层23隔离。
参照图30c，在发光区域LE1、LE2的第二导电类型半导体层27上形成透明电极层529。透明电极层529可以具有相对于沿着锯齿状部分30b延伸的假想线对称的结构。透明电极层529可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
参照图30d，在发光结构上形成绝缘层531。绝缘层531覆盖发光结构的透明电极层529和电极焊盘区域EP上的第一导电类型半导体层23。绝缘层531还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层531进行图案化工艺，以在发光区域LE1、LE2上形成暴露透明电极层529的开口531a。暴露透明电极层529的开口531a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露第一导电类型半导体层23的将分别形成有第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b的区域30a、30b和30c。
参照图30e，在发光结构的第一导电类型半导体层23的暴露区域上形成第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b。此外，在电极焊盘区域EP上形成第二电极焊盘633，在开口531a上形成上延伸件533a。此外，连接件533b形成为将第二电极焊盘633连接到上延伸件533a。
上延伸件533a可以连接到透明电极层529，并可平行于第一下延伸件535a而形成。结果，制造出发光二极管，如图28所示。
与图23和图24a至图24c示出的示例性实施例的发光二极管相比，本示例性实施例的与发光结构隔离的电极焊盘区域EP形成在第一导电类型半导体层23中。因此，第二电极焊盘633位于第一导电类型半导体层23上或者位于第一导电类型半导体层23的绝缘层531上。利用第一导电类型半导体层23形成电极焊盘区域EP的特征也可以应用于参照图26和图27描述的发光二极管。
图31是根据本发明第二十二示例性实施例的发光二极管的平面图，图32a、图32b和图32c分别是沿着图31中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图31、图32a、图32b和图32c，本示例性实施例的发光二极管与参照图23和图24a至图24c描述的发光二极管相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，第二电极焊盘733位于基底21上的电极焊盘区域EP上。将省略对与在上面的示例性实施例中描述的组件相同的组件的描述。
在本示例性实施例中，基底21是介电基底，例如，蓝宝石基底。第二电极焊盘733位于基底21上而与基底21接触，并且可以与发光结构隔离。具体地讲，第二电极焊盘733与发光结构的第一导电类型半导体层23分开。第二电极焊盘733通过孔23a与基底21接触，孔23a是通过蚀刻第一导电类型半导体层23而形成的。
在本示例性实施例中，第二电极焊盘733被描述为与基底21接触。可选择地，绝缘层531可以设置在第二电极焊盘733和基底21之间。换言之，绝缘层531可以覆盖孔23a的侧壁和底部。在这种情况下，由于第二电极焊盘733通过绝缘层531与基底绝缘，所以基底21可以是导电的。
图33a、图33b、图33c、图33d和图33e是示出了制造根据第二十二示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层529及绝缘层531的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。可以使用可以形成半导体层23、25和27、透明电极层529及绝缘层531的现在知道的或尚未知道的任何工艺来制造发光二极管。
首先，参照图33a，在基底21上形成包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，如图31所示，在第一导电类型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘535的区域30a、将要形成有第一下延伸件535a的区域30b和将要形成有第二下延伸件535b的区域30c。将要形成有第一下延伸件535a的区域30b变成向内延伸的锯齿状部分30b。锯齿状部分30b从将要形成有第一电极焊盘的区域30a向内延伸。这里，通过台面蚀刻暴露电极焊盘区域EP的将要形成有第二电极焊盘的上部和电极焊盘区域EP周围的第一导电类型半导体层23。因此，通过台面蚀刻将第二导电类型半导体层27和活性层25划分为限定两个发光区域LE1、LE2。
参照图33b，通过蚀刻电极焊盘区域EP中的第一导电类型半导体层23形成孔23a，以暴露基底21。可以将孔23a形成为具有比电极焊盘区域EP的面积大的面积，以包围电极焊盘区域EP。
参照图33c，可以在发光区域LE1、LE2的第二导电类型半导体层27上形成透明电极层529。透明电极层529可以具有相对于沿着锯齿状部分30b延伸的假想线对称的结构。透明电极层529可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
参照图33d，在发光结构上形成绝缘层531。绝缘层531覆盖发光结构的透明电极层529。绝缘层531还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面，并且可以覆盖孔23a的侧壁。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层531进行图案化工艺，以在发光区域LE1、LE2上形成暴露透明电极层529的开口531a。暴露透明电极层529的开口531a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露第一导电类型半导体层23的将分别形成有第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b的区域30a、30b和30c。此外，基底21可以暴露在电极焊盘区域EP中。可选择地，绝缘层531可以覆盖孔23a的底部，从而可以利用绝缘层531覆盖电极焊盘区域EP。
参照图33e，在发光结构的第一导电类型半导体层23的暴露区域上形成第一电极焊盘535、第一下延伸件535a和第二下延伸件535b。此外，在电极焊盘区域EP上形成第二电极焊盘733，在开口531a中形成上延伸件533a。此外，连接件533b形成为将第二电极焊盘733连接到上延伸件533a。
上延伸件533a可以连接到透明电极层529，并可平行于第一下延伸件535a而形成。结果，制造出发光二极管，如图31所示。
在本示例性实施例中，发光结构划分为两个发光区域LE1、LE2，但不限于此。发光结构可以划分为多于两个的发光区域。此外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成透明电极层529，但是可以在形成透明电极层529之后执行台面蚀刻。另外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成孔23a，但是可以在形成孔23a之后执行台面蚀刻。
与参照图23和图24a至图24c描述的发光二极管相比，本示例性实施例的与发光结构隔离的电极焊盘区域EP形成在第一导电类型半导体层23的孔23a中。因此，第二电极焊盘733位于基底21上或者位于基底21上的绝缘层531上。在第一导电类型半导体层23的孔23a中形成电极焊盘区域EP的特征也可以应用于参照图26和图27描述的发光二极管。
图34是根据本发明第二十三示例性实施例的发光二极管的平面图，图35a、图35b和图35c分别是沿着图34中的A-A线、B-B线和C-C线截取的剖视图。
参照图34、图35a、图35b和图35c，发光二极管包括基底21、包括发光区域LE1和LE2的发光结构、第一电极焊盘835、第二电极焊盘833及上延伸件833a。此外，发光二极管可以包括透明电极层829、绝缘层831、连接件833b、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b。此外，发光结构包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27。将省略对与上面的示例性实施例中描述的组件相同的组件的描述。
发光结构的第二导电类型半导体层27和活性层25可以划分成限定至少两个发光区域LE1、LE2。发光区域LE1、LE2可以具有对称结构，并且可以通过台面蚀刻执行该划分工艺。具体地讲，通过台面蚀刻将第一导电类型半导体层23暴露在穿过发光结构的中心的区域中，以将第二导电类型半导体层27和活性层25划分为两个发光区域。此外，经受台面蚀刻的发光结构的侧表面可以相对于基底21的平面倾斜30度至70度。
去除穿过发光结构的中心的区域，即，第一导电类型半导体层23的位于发光区域之间的至少一部分，以暴露第一导电类型半导体层23的侧表面。
此外，透明电极层829可以位于发光结构的第二导电类型半导体层27上。透明电极层829可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
绝缘层831可以覆盖发光结构的第二导电类型半导体层27(或透明电极层829)。绝缘层831还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面。此外，绝缘层831可以具有暴露发光区域LE1、LE2上的透明电极层829的开口831a。通过开口831a暴露透明电极层829(或第二导电类型半导体层27)。绝缘层831可以由光可以透射穿过的任何透明材料(例如，SiO2)形成。
第一电极焊盘835和第二电极焊盘833可以位于基底21上。第一电极焊盘835可以定位成面对第二电极焊盘833，如图34所示。第一电极焊盘835和第二电极焊盘833是用于引线键合的键合焊盘，并且可以具有用于引线键合的相对宽的区域。
第一电极焊盘835可以与基底接触，并可以连接到发光结构的第一导电类型半导体层23的侧表面。此外，第一下延伸件835a可以从第一电极焊盘835向第二电极焊盘833延伸。第一下延伸件835a位于基底21上，并连接到第一导电类型半导体层23的侧表面。如图34所示，第一下延伸件835a可以位于发光区域LE1和LE2之间，并且具有接近第二电极焊盘833的末端。第一下延伸件835a还可以与基底接触。此外，第二下延伸件835b可以沿着基底21的边缘从第一电极焊盘835延伸。第二下延伸件835b还可以与基底接触，并且可以连接到发光结构的第一导电类型半导体层23的侧表面。
由于第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b连接到第一导电类型半导体层23的侧表面，所以载流子可以在第一导电类型半导体层23的与活性层25远离的区域中扩散，从而允许第一导电类型半导体层23中有效的电流扩散。此外，由于第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b连接到第一导电类型半导体层23的侧表面，所以第一电极焊盘835的上表面、第一下延伸件835a的上表面和第二下延伸件835b的上表面可以位于产生光的活性层25的下方。结果，从活性层25横向发射的光可以排出，而不是被第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b吸收。
第二电极焊盘833位于基底21上，并与发光结构的第二导电类型半导体层27隔离。第二电极焊盘833可以远离第二导电类型半导体层27的侧表面。例如，第二电极焊盘833可以形成在通过第一导电类型半导体层23中的孔23a暴露的基底21上。换言之，第二电极焊盘833可以与发光结构的第一导电类型半导体层23横向分开。第二电极焊盘833可以与通过孔23a暴露的基底21接触。此外，绝缘层831可以设置在第二电极焊盘833和基底21之间。可选择地，第二电极焊盘可以利用设置在第二电极焊盘833和第一导电类型半导体层23之间的绝缘层831而形成在第一导电类型半导体层23上方。
上延伸件833a位于发光区域LE1、LE2上。上延伸件833a可以通过绝缘层831的开口831a电连接到透明电极层829(或第二导电类型半导体层27)。第二导电类型半导体层27可以通过开口831a暴露，上延伸件833a可以直接连接到第二导电类型半导体层27。上延伸件833a被设置成允许第二导电类型半导体层27中均匀的电流扩散。例如，上延伸件833a可以相互平行地延伸。上延伸件833a可以分别通过连接件833b连接到第二电极焊盘833。连接件833b通过绝缘层831与透明电极层829(或第二导电类型半导体层27)绝缘。连接件833b通过绝缘层831与发光结构的侧表面绝缘。
电极焊盘833和835、上延伸件833a、连接件833b、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b可以通过相同的工艺由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限于此。可选择地，上延伸件833a和第二电极焊盘833可以通过不同的工艺由不同的材料形成。
在本示例性实施例中，发光二极管具有相对于穿过第一电极焊盘835和第二电极焊盘833的线(例如，图34中的B-B线)对称的结构。透明电极层829的划分区域和上延伸件833a可以对称地设置，第二下延伸件835b也可以对称地设置。因此，发光二极管可以在穿过第一电极焊盘835和第二电极焊盘833的线的两侧处表现出相同的发光特性。结果，发光二极管的发光结构划分为两个发光区域，从而发光二极管可以防止在诸如针孔或穿透位错的缺陷周围发生电流拥挤，从而实现了均匀的电流扩散。
图36a、图36b、图36c、图36d和图36e是示出了制造根据第二十三示例性实施例的发光二极管的方法的平面图。形成半导体层23、25和27、透明电极层829及绝缘层831的方法在本领域是公知的，因而在此将省略对它们的详细描述。可以使用可以形成半导体层23、25和27、透明电极层829及绝缘层831的现在知道的或尚未知道的任何工艺来制造发光二极管。
首先，参照图36a，在基底21上形成包括第一导电类型半导体层23、活性层25和第二导电类型半导体层27的半导体层。然后，对半导体层进行台面蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层23。半导体层可以具有倾斜表面，例如，相对于基底平面成30度至70度。这里，如图34所示，在第一导电类型半导体层23上暴露将要形成有第一电极焊盘835的区域30a、将要形成有第一下延伸件835a的区域30b和将要形成有第二下延伸件835b的区域30c。这里，通过台面蚀刻暴露电极焊盘区域EP的将要形成有第二电极焊盘的上部和电极焊盘区域EP周围的第一导电类型半导体层23。因此，通过台面蚀刻将第二导电类型半导体层27和活性层25划分为限定两个发光区域LE1、LE2，发光区域LE1和LE2之间的区域将形成有第一下延伸件835a。
参照图36b，通过蚀刻第一导电类型半导体层23暴露基底21。结果，基底21暴露在将形成有第一电极焊盘835的区域30a、将形成有第一下延伸件835a的区域30b和将形成有第二下延伸件835b的区域30c上。此外，可以通过蚀刻电极焊盘区域EP的第一导电类型半导体层23形成孔23a，以暴露基底21。可以将孔23a形成得比电极焊盘区域EP大，以包围电极焊盘区域EP。孔23a可以与将形成有第一下延伸件835a的区域30b连通。在这种状态下，形成了包括发光区域LE1、LE2的发光结构。
参照图36c，可以在发光区域LE1、LE2的第二导电类型半导体层27上形成透明电极层829。透明电极层829可以具有相对于穿过第一电极焊盘和第二电极焊盘的线对称的结构。透明电极层829可以由ITO或Ni/Au形成，并且与第二导电类型半导体层27形成欧姆接触。
参照图36d，在发光结构上形成绝缘层831。绝缘层831覆盖发光结构的透明电极层829。绝缘层831还可以覆盖第二导电类型半导体层27和活性层25的通过台面蚀刻被暴露的侧表面，并且可以覆盖孔23a的侧壁。此外，通过光刻和腐蚀对绝缘层831进行图案化工艺，以在发光区域LE1、LE2上形成暴露透明电极层829的开口831a。暴露透明电极层829的开口831a可以对称地形成为相互平行。此外，还暴露第一导电类型半导体层23的将分别形成有第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b的区域30a、30b和30c。此外，基底21可以暴露在电极焊盘区域EP中。可选择地，绝缘层831可以覆盖孔23a的底部，从而可以利用绝缘层831覆盖电极焊盘区域EP。
参照图36e，在基底21的暴露区域上形成第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b。此外，在电极焊盘区域EP的基底21上形成第二电极焊盘833，在开口831a中形成上延伸件833a。此外，连接件833b形成为将第二电极焊盘833连接到上延伸件833a。
第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b可以连接到发光结构的第一导电类型半导体层23的侧表面，第一电极焊盘835的上表面、第一下延伸件835a的上表面和第二下延伸件835b的上表面可以低于活性层25的高度。此外，第一电极焊盘835、第一下延伸件835a和第二下延伸件835b可以延伸到第一导电类型半导体层23的通过台面蚀刻被暴露的上表面。
上延伸件833a可以连接到透明电极层829，并可平行于第一下延伸件835a而形成。结果，制造出发光二极管，如图34所示。
在本示例性实施例中，发光结构划分为两个发光区域LE1、LE2，但不限于此。发光结构可以划分为多于两个的发光区域。此外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成透明电极层829，但是可以在形成透明电极层829之后执行台面蚀刻。另外，虽然在本示例性实施例中在台面蚀刻之后形成孔23a，但是可以在形成孔23a之后执行台面蚀刻。
图37是根据本发明第二十四示例性实施例的发光二极管的平面图。
在上面的图34的示例性实施例中，第一电极焊盘835和第二电极焊盘833沿发光二极管的长轴方向设置，并且沿发光二极管的长轴方向划分发光区域LE1、LE2。然而，在本示例性实施例中，第一电极焊盘855和第二电极焊盘853沿发光二极管的短轴方向设置，并且沿发光二极管的短轴方向划分发光区域LE1、LE2。此外，也以相对于与发光二极管的短轴方向平行的线对称的结构设置透明电极层829、上延伸件853a和下延伸件855a。
这里，上延伸件853a沿着发光二极管的边缘延伸以围绕发光二极管，并且包括从发光二极管的边缘向内延伸的延伸件853c。下延伸件855a从发光二极管的内部向外延伸。此外，下延伸件855a可以分叉，以分别围绕相关的发光区域中的延伸件853c。每个下延伸件855a连接到发光结构的第一导电类型半导体层23的侧表面。
上延伸件853a通过绝缘层831的开口831a连接到发光区域LE1、LE2上的透明电极层829，并通过连接件853b连接到第二电极焊盘853。连接件853b通过绝缘层831与发光结构绝缘。
与参照图34所描述的一样，第二电极焊盘853位于基底21上，并与发光结构的第二导电类型半导体层27隔离。
在本示例性实施例中，发光二极管省略了从第一电极焊盘855向第二电极焊盘853延伸的第一下延伸件835a(见图34)。
图38是根据本发明第二十五示例性实施例的发光二极管的平面图。
参照图38，本示例性实施例的发光二极管与参照图37描述的发光二极管大体相似。然而，在本示例性实施例的发光二极管中，下延伸件865a和上每个延伸件863a以不同于上面示例性实施例的方式布置。
具体地讲，下延伸件865a沿着发光二极管的边缘延伸，并弯曲成向内延伸，上延伸件863a在透明电极层829的每个划分区域上包括围绕向内延伸的下延伸件865a的两个延伸件。
上延伸件863a通过绝缘层831的开口831a连接到发光区域LE1、LE2上的透明电极层829，并通过连接件863b连接到第二电极焊盘853。连接件863b通过绝缘层831与发光结构绝缘。
在传统的发光二极管中，第二电极焊盘可以位于第二导电类型半导体层上，并且电连接到第二导电类型半导体层。结果，电流集中在第二电极焊盘周围，从而抑制了电流扩散。相反，根据本发明的示例性实施例，由于第二电极焊盘与发光结构隔离或与发光结构的第二导电类型半导体层及透明导电层分开，所以能够防止在第二电极焊盘周围发生电流拥挤。此外，根据示例性实施例的发光二极管包括多个第一电极焊盘，以实现在第一电极焊盘周围的电流扩散。此外，根据示例性实施例的发光二极管具有相互划分开的多个发光区域，从而实现了在发光区域上的均匀的电流扩散。此外，第一电极焊盘连接到发光结构的侧表面，从而实现了第一导电类型半导体层中有效的电流扩散。此外，由于第一电极焊盘连接到第一导电类型半导体层的侧表面，所以第一电极焊盘的上表面可以位于活性层的下方。因此，通过防止从活性层产生的光穿过发光结构的侧表面出射时光被吸收到第一电极焊盘中，发光二极管可以减少光学损失。
虽然已经结合附图参照示例性实施例示出了本发明，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和变型。因此，应该理解，示例性实施例仅是通过举例说明的方式而提供的，并且给出这些示例性实施例以提供本发明完全的公开，并对本领域技术人员提供对本发明的彻底理解。因此，本发明意图覆盖本发明的修改和变型，只要这些修改和变型落入权利要求及其等同物的范围内。

Claims (17)

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
基底；
第一导电类型半导体层，布置在基底上；
第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；
活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；
第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；
第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；
绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；
至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括将所述至少一个上延伸件连接到第二电极焊盘的上连接件，所述绝缘层设置在第二导电类型半导体层和上连接件之间。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述绝缘层覆盖第二导电类型半导体层，所述绝缘层包括位于第二导电类型半导体层上的至少一个开口，所述至少一个上延伸件穿过所述开口电连接到第二导电类型半导体层。
4.如权利要求2所述的发光二极管，所述发光二极管还包括与第二导电类型半导体层形成欧姆接触的透明电极层，其中，透明电极层划分为至少两个区域，第二电极焊盘布置在第二导电类型半导体层的位于透明电极层的所述至少两个区域之间的暴露区域上。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，第二电极焊盘的一部分与透明电极层叠置，所述绝缘层设置在第二电极焊盘与透明电极层的叠置部分之间。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，上延伸件分别电连接到透明电极层的至少两个划分开的区域。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一电极焊盘布置在第一导电类型半导体层上以面对第二电极焊盘。
8.如权利要求7所述的发光二极管，所述发光二极管还包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件，所述第一下延伸件电连接到第一导电类型半导体层。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，第一下延伸件的末端距离第二电极焊盘比距离第一电极焊盘近。
10.如权利要求9所述的发光二极管，所述发光二极管还包括沿着基底的边缘从第一电极焊盘延伸的第二下延伸件。
11.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括布置在第二导电类型半导体层上的透明电极层，所述透明电极层与第二导电类型半导体层形成欧姆接触，
其中，透明电极层划分为至少两个区域，第二电极焊盘布置在第二导电类型半导体层的位于透明电极层的所述至少两个区域之间的暴露区域上。
12.如权利要求11所述的发光二极管，上延伸件分别电连接到透明电极层的至少两个划分开的区域。
13.如权利要求12所述的发光二极管，其中，所述发光二极管还包括将上延伸件连接到第二电极焊盘的连接件，
其中，连接件通过绝缘层与透明电极层绝缘。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其中，第一电极焊盘布置在第一导电类型半导体层上，透明电极层和所述至少一个上延伸件布置成相对于将第一电极焊盘和第二电极焊盘平分的假想线对称的结构。
15.如权利要求14所述的发光二极管，所述发光二极管还包括从第一电极焊盘向第二电极焊盘延伸的第一下延伸件，所述第一下延伸件电连接到第一导电类型半导体层。
16.如权利要求15所述的发光二极管，其中，第一下延伸件和所述至少一个上延伸件布置成相互平行。
17.如权利要求15所述的发光二极管，其中，所述绝缘层布置在透明电极层上，所述绝缘层包括暴露透明电极层的开口，所述至少一个上延伸件穿过所述开口电连接到透明电极层。
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