JP2006332501A - 発光ダイオード(led)及び発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 LEDチップ上に無機蛍光体層を樹脂を用いずに形成し高輝度な無機蛍光体層を得る方法、光散乱材を樹脂を用いずに設置する簡便な方法を開発し、またそれらの方法によって製造される高輝度かつ高寿命な白色発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 LEDチップの上に、該LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する無機蛍光体層を有する発光ダイオードであって、無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなり、無機蛍光体層中の無機蛍光体と光散乱剤以外の不純物含有量が10ppm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【選択図】 図1
【解決手段】 LEDチップの上に、該LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する無機蛍光体層を有する発光ダイオードであって、無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなり、無機蛍光体層中の無機蛍光体と光散乱剤以外の不純物含有量が10ppm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【選択図】 図1
Description
本発明は、発光ダイオード(LED)及び発光ダイオードの製造方法に関するものである。
GaN系青色LEDの発明以来、LED技術の進展が目覚しい。中でも白色LEDは、近年、高効率、高信頼性の白色照明光源として注目され、一部が微小電力小型光源として既に実用に供されている。
この種のLEDは、青色LED素子を、黄色蛍光体と透明樹脂との混合物で被覆したものが一般的であり、この方式の白色LEDおよび白色LED用蛍光体が近年開示されるようになってきた(例えば、特許文献1,2,3参照)。
しかしながら、青色光はエネルギーが大きいので樹脂を劣化させやすい。それゆえ、このような構造の白色LEDは、長時間使用していると樹脂が変色して色調が変化する。また最近では、高出力LED素子を使用して白色照明光源を開発する動きがあるが、この場合限られた部分に極めて強い青色光が照射されるので樹脂の劣化が著しく、発光色の変化が極めて短期間に起こる。
また樹脂モールドされた素子からの放熱性が悪いため、温度が上昇しやすく、温度上昇にともなって発光色の色調が黄色側にシフトするという問題があった。
さらに、紫外LED素子と、青色、緑色、赤色の3種類の蛍光体を組み合わせた形態の白色LEDも知られている(例えば、特許文献4参照)。この方式の白色LEDでは、より演色性の高い白色が実現できるという利点があるが、紫外線の方が前述の青色光よりエネルギーが大きいために、樹脂の劣化もより著しいという問題がある。
また、LEDの発光特性を改善するために、蛍光体層やLEDチップ近傍に光散乱材を添加する技術が知られている(例えば、特許文献5、6参照)。しかしながら、特許文献5記載の方法では樹脂を用いる必要がある。また、特許文献6では、樹脂を用いずに光散乱材と蛍光体を設置できるが、ゾル−ゲル法を用いるために工程が複雑になり、反応の副生成物が残留し、悪影響を及ぼす恐れがある。
これらの、問題点を乗り越えない限り、発光ダイオードを発光光源として広く実用化することは困難である。
特開平10−163535号公報
国際公開第98/05078号パンフレット
特開2002−43624号公報
特開2002−226846号公報
特開2003−179269号公報
特開2004−95765号公報
発光ダイオードを発光光源として用い、実用に供するために解決しなければならない問題は上記の如くである。
従って、本発明の目的は、上記課題を解決することであり、具体的には、LEDチップ上に無機蛍光体層を樹脂を用いずに形成し高輝度な無機蛍光体層を得る方法、光散乱材を樹脂を用いずに設置する簡便な方法を開発し、またそれらの方法によって製造される高輝度かつ高寿命な白色発光ダイオードを提供することである。
本発明の発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、下記構成を採ることにより、本発明の目的は達成されることがわかった。
(請求項1)
LEDチップの上に、該LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する無機蛍光体層を有する発光ダイオードであって、無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなり、無機蛍光体層中の無機蛍光体と光散乱剤以外の不純物含有量が10ppm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
LEDチップの上に、該LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する無機蛍光体層を有する発光ダイオードであって、無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなり、無機蛍光体層中の無機蛍光体と光散乱剤以外の不純物含有量が10ppm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(請求項2)
請求項1記載の発光ダイオードで、無機蛍光体層をエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
請求項1記載の発光ダイオードで、無機蛍光体層をエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
本発明は、青色LED素子を使用し、高輝度の白色LED、および白色LEDの製造方法を提供するものである。
なお、本発明において無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなるとは、無機蛍光体層が無機蛍光体を含む層と光散乱剤を含む層に別れていても、同一層中に両者を含有するものでもよく、その何れも本発明の目的を達成することが出来る。
また、本発明における無機蛍光体層は不純物を実質的に含まないことが望ましい。しかし、無機蛍光体と光散乱剤以外の物質を全く含有しない無機蛍光体層を作製することは、少なくとも工業的には非常に大きな負荷となり好ましくない。本発明者等の検討によれば、10ppmを超える不純物は好ましくないが、100ppm以下の不純物であれば大きな特性劣化をもたらさないことが判明した。
従来用いられてきた製造方法と異なり、エアロゾルデポジション法により無機蛍光体層を形成することにより、あまり不純物を含有しない無機蛍光体層を形成することが可能であるため、本発明の構成により極めて特性のよい白色発光ダイオードを作製することが出来、本発明の目的を達成できることが明かとなった。
上記の如き現象は、本発明前には知られていなかった事実である。
本発明により、LEDチップ上に無機蛍光体層を樹脂を用いずに形成し高輝度な無機蛍光体層を得る方法、光散乱材を樹脂を用いずに設置する簡便な方法を開発し、またそれらの方法によって製造される、高輝度かつ高寿命な白色発光ダイオードを提供することができる。
以下に、本発明の白色発光ダイオード(LED)及び本発明の白色LEDの製造方法を更に詳細に説明する。
(白色LEDの構成)
図2は、本発明の白色LED21の断面構成の1例を示す図である。
図2は、本発明の白色LED21の断面構成の1例を示す図である。
LEDチップ24は半導体層の表面にバンプ電極25を形成した後、裏返して基板22上の電極23と接続する、いわゆるフリップチップ接続されている。更に、LEDチップ24上に、蛍光体粒子を高速衝突させて堆積する成膜法、いわゆるエアロゾル・デポジション法により、蛍光体層26が形成される。図2に示すように、蛍光体層26の上に、更に透明無機酸化物による封止層27が形成されている態様であってもよい。
白色LEDの別の一例を図3(A)、(B)に示す。
この態様では、LEDチップの半導体層202の表面に直接、蛍光体層201を形成する。LEDチップ表面の凹凸によらず均一な膜厚の蛍光体層を得ることが可能である。ただし、電極配線部位はあらかじめレジストにより保護し、蛍光体層を形成した後にレジスト除去、接続(ボンディング)する必要がある。
以下、個々の構成要素を、主に図3(A)、(B)の態様に基づいて詳述する。
(LEDチップ)
本発明に用いられるLEDチップ202とは、蛍光体層201を励起可能なものである。好ましくは蛍光体層201を効率良く励起できる比較的短波長な紫外光や可視光を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体(一般式IniGajAlkN、但し、0≦i、0≦j、0≦k、i+j+k=1)などが挙げられる。発光素子であるLEDチップ202は、MOCVD法等により基板203上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
本発明に用いられるLEDチップ202とは、蛍光体層201を励起可能なものである。好ましくは蛍光体層201を効率良く励起できる比較的短波長な紫外光や可視光を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体(一般式IniGajAlkN、但し、0≦i、0≦j、0≦k、i+j+k=1)などが挙げられる。発光素子であるLEDチップ202は、MOCVD法等により基板203上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、基板203にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に半導体膜202を成長させる場合、GaN、AlN等のバッファー層を形成しその上にPN接合を有する窒化ガリウム半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア基板上にSiO2をマスクとして選択成長させたGaN単結晶自体を基板として利用することもできる。この場合、各半導体層を形成後SiO2をエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板とを分離させることもできる。
ただし、図2に示すようなフリップチップ接続の場合には、サファイヤ基板のような可視光全域に亘り透明な基板に限定される。
窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系化合物半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等することでP型化させることが好ましい。
具体的なLEDチップの層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファイア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるN型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるN型クラッド層、Zn及びSiをドープさせた窒化インジュウム・ガリウム半導体である活性層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるP型クラッド層、窒化ガリウム半導体であるP型コンタクト層が積層されたものが好適に挙げられる。
LEDチップを形成させるためにはサファイア基板を有するLEDチップの場合、エッチングなどによりP型半導体及びN型半導体の露出面を形成させた後、図2、3の態様の場合には、半導体層上に本発明による成膜法を用いて所望の形状の蛍光体層26、201を形成する。更にスパッタリング法、蒸着法、または本発明の成膜法などにより各導電型と接続された第1の電極204、第2の電極205を形成させる。SiC基板の場合、基板自体の導電性を利用して半導体を介して一対の電極を形成させることもできる。
次に、蛍光体層が形成された半導体ウエハ等をダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後(ハーフカット)、外力によって半導体ウエハを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハに極めて細いスクライブライン(経線)を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハを割り半導体ウエハからチップ状にカットする。このようにして本発明に利用可能な窒化物系化合物半導体であるLEDチップを形成させることができる。
(蛍光体層)
本発明に用いられる蛍光体層とは、少なくともLEDチップの半導体発光層から放出された光で励起されて発光する無機蛍光体層をいう。本発明においては無機蛍光体の充填によりLEDチップから発光した光と、その上に積層された蛍光体層から発光する光が補色関係にあり、それぞれの光を混色させることで白色に発光させることができる。
本発明に用いられる蛍光体層とは、少なくともLEDチップの半導体発光層から放出された光で励起されて発光する無機蛍光体層をいう。本発明においては無機蛍光体の充填によりLEDチップから発光した光と、その上に積層された蛍光体層から発光する光が補色関係にあり、それぞれの光を混色させることで白色に発光させることができる。
具体的には、図2及び3におけるLEDチップ24、202からの光とそれによって励起され発光する蛍光体層26、201の光がそれぞれ光の3原色(赤色系、緑色系、青色系)やLEDチップ24、202から発光された青色とそれによって励起され黄色を発光する蛍光体層26、201の光などが挙げられる。蛍光体層26、201で用いる蛍光体の種類及び発光素子であるLEDチップ24、202の主発光波長を選択することにより白色を含め電球色など任意の色調を提供させることができる。
半導体発光層からの光によって励起される蛍光体層26、201は、励起光源となるLEDチップ24、202から放出される光により種々選択することができる。
(LEDチップの主発光ピークが400nmから530nmの場合に選択できる蛍光体組成)
LEDチップの主発光ピークが400nmから530nmの場合、LEDチップの発光は青色光であり、蛍光体層の発光色としては、発光ピークが580nm付近でブロードな黄色光の発光が必要となる。
LEDチップの主発光ピークが400nmから530nmの場合、LEDチップの発光は青色光であり、蛍光体層の発光色としては、発光ピークが580nm付近でブロードな黄色光の発光が必要となる。
具体的な蛍光体層の組成としては、クロムで付活されたサファイア、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体や酸化エルビウム(3)などが挙げられる。特に、高輝度且つ長時間の使用時においては(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce(0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y,Gd,Laからなる群より選択される少なくとも一種の元素である)などが好ましい。蛍光体として特に(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ceが好ましい。
(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを470nm付近にさせることができる。また、発光ピークも580nm付近にあり720nmまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成のAlの一部をGaで置換することで発光波長が短波長にシフトし、また組成のYの一部をGdで置換することで、発光波長が長波長へシフトする。このように組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。したがって、長波長側の強度がGdの組成比で連続的に変えられるなど高輝度に発光可能な窒化物系化合物半導体の青色発光を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。
この蛍光体は、Y、Gd、Ce、Sm、Al、La及びGaの原料として酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Y、Gd、Ce、Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して加圧し成形体を得る。成形体を坩堝に詰め、空気中1350〜1450°Cの温度範囲で2〜5時間焼成して、蛍光体の発光特性を持った焼結体を得ることができる。
(LEDチップの主発光ピークが400nm以下の場合に選択できる蛍光体組成)
LEDチップの発光波長が250〜400nmの場合、LEDチップからの励起光は紫外線であり、蛍光体は様々な組み合わせで白色を構成することが可能だが、所謂3原色である青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の組み合わせで白色を構成することが望ましい。
LEDチップの発光波長が250〜400nmの場合、LEDチップからの励起光は紫外線であり、蛍光体は様々な組み合わせで白色を構成することが可能だが、所謂3原色である青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の組み合わせで白色を構成することが望ましい。
青色蛍光体とは発光ピーク波長が400〜500nm、緑色蛍光体とは発光ピーク波長が500〜600nm、赤色蛍光体とは発行ピーク波長が600〜800nmであり、全ての蛍光体の励起スペクトルのピークが250〜400nmであることが望ましい。
具体的な例として、青色蛍光体では、Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+、CaS:Bi、CaSrS:Bi、Ba1-aEuaMgAl10O17、緑色蛍光体では、ZnS:Cu,Al、Ba2SiO4:Eu、ZnGe2O4:Eu、赤色蛍光体では、Y2O2S:Eu3+、CaS:Eu、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn、K5Eu2.5(WO4)6.25などが挙げられる。
(光散乱材)
光散乱材としては、酸化亜鉛、二酸化チタン、炭酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどを用いることができる。光散乱材に求められる性質としては、屈折率が大きく、かつ、可視光に透明であることが好ましい。具体的には屈折率は1.8以上が好ましく、波長400nmで70%以上の透過率であることが好ましい。これらの条件から、最も好ましい光散乱材は、酸化亜鉛、二酸化チタンである。
光散乱材としては、酸化亜鉛、二酸化チタン、炭酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどを用いることができる。光散乱材に求められる性質としては、屈折率が大きく、かつ、可視光に透明であることが好ましい。具体的には屈折率は1.8以上が好ましく、波長400nmで70%以上の透過率であることが好ましい。これらの条件から、最も好ましい光散乱材は、酸化亜鉛、二酸化チタンである。
(蛍光体層の形成方法)
本発明では蛍光体層の形成には、原料である蛍光体の微粒子や光散乱材の微粒子を、基板であるLEDチップに高速で衝突させ成膜する、所謂エアロゾル・デポジション法を用いる。
本発明では蛍光体層の形成には、原料である蛍光体の微粒子や光散乱材の微粒子を、基板であるLEDチップに高速で衝突させ成膜する、所謂エアロゾル・デポジション法を用いる。
エアロゾル・デポジション法による成膜装置としては、「応用物理」誌68巻1号44ページ、特開2003−215256号公報等に開示されている構成が利用できる。
図1は本発明に用いられるエアロゾル・デポジション成膜装置の概略構成図を示す。エアロゾル・デポジション成膜装置は基板10を保持するホルダー9、ホルダーをXYZθで3次元に作動させるXYZθステージ11、基板に原料を噴出させる細い開口を備えたノズル8、ノズルをエアロゾル化室4とつなぐ配管6を備えたチャンバー7、さらに、搬送ガスを貯留する高圧ガスボンベ1、微粒子原料とキャリアガスが攪拌・混合されるエアロゾル化室4、およびこれらをつなぐ配管2によって構成される。ステージの裏面にはペルチェ素子による温度制御機構が設置され、基板を最適な温度に保つことができる。
さらに、エアロゾル化室内の微粒子原料は、以下のような手順によって基板であるLEDチップ上に形成される。
エアロゾル化室内に充填された、好ましくは0.02〜5μm、より好ましくは0.1〜2μmの粒径の微粒子原料は、キャリアガスを貯留する高圧ガスボンベより配管を通ってエアロゾル化室に導入されキャリアガスとともに、振動・撹拌されてエアロゾル化される。
原料粒子の粒径測定方法としては、一般的なレーザー回折式粒径測定装置があげられ、具体的には、HELOS(JEOL社製)、Microtrac HRA(日機装社製)、SALD−1100(島津製作所社製)、コールターカウンター(コールター社製)などがあげられる。特に好ましくはMicrotrac HRAである。
エアロゾル化された微粒子原料は配管を通り、チャンバー内の細い開口を備えたノズルから基板にキャリアガスとともに吹き付けられ塗膜を形成する。チャンバーは真空ポンプ等で排気され、チャンバー内の真空度は必要に応じて調整されている。本発明では真空度は、好ましくは0.01〜10000Paであり、更に好ましくは0.1〜1000Paである。以下さらに、基板のホルダーはXYZθステージにより3次元に動くことができるため基板の所定の部分に必要な厚みの蛍光体層が形成できる。基板に形成された蛍光体層上には必要に応じて封止層を設けることができる。
エアロゾル化された原料粒子は、好ましくは流速100〜400m/secのキャリアガスによって搬送され、基板上に衝突することによって堆積することができる。キャリアガスにより搬送された粒子は、互いに衝突の衝撃によって接合し膜を形成する。
本発明の製造方法において、原料粒子を加速・噴出するためのキャリアガスとしては、窒素ガスやHeガスなどの不活性ガスが好ましい。窒素ガスは特に好ましく用いることができる。
また、原料微粒子を衝突させる基板の温度は、−100℃以上200℃以下に保持することが好ましい。基板温度を300℃以上に加熱した時には膜が白濁化し、光が取り出せず白色LEDの輝度が低下する場合がある。
蛍光体層の形成には、少なくとも前記蛍光体の微粒子が必要であり、更に必要に応じ光散乱材の微粒子を混合しても良い。前記成膜装置のエアロゾル化室を、蛍光体用と光散乱材用に併設し、適宜供給原料を切り替えることなどにより、蛍光体層中の蛍光体分布を制御できる。光散乱材は、蛍光体と適宜混合されることにより、蛍光体層中の蛍光体濃度を制御できる。最表面に光散乱材だけの層を形成した場合には、透明封止層として用いることができる。これとは逆にLEDチップ表面に光散乱材だけの層を形成してもよい。
最も好ましい態様としては、LEDチップ表面に光散乱材だけの層を形成し、更にその上に蛍光体だけの層を形成したものである。LEDチップの屈折率は2.5程度であり、蛍光体層の屈折率は1.5程度なので、中間の屈折率の層(酸化亜鉛なら1.9)を挟むことで、LEDチップからの励起光を効率的に取り出すことができ、さらにLEDチップ近傍の光閉じ込めによる発熱を低減できる。
また、透明封止層として光散乱材を用いる場合、モールド樹脂に漏れる青色光や紫外線を低減し、劣化を抑えることができる。
(導電性ワイヤー)
図4に導電性ハイヤー、パッケージの概要を加えた白色LEDの断面構成の他の一例を示す。
図4に導電性ハイヤー、パッケージの概要を加えた白色LEDの断面構成の他の一例を示す。
図4に示す如く、導電性ワイヤー103としては、LEDチップ102の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤー103は、各LEDチップ102の電極と、インナー・リード及びマウント・リードなどをワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
(パッケージ)
パッケージ104は、LEDチップ102を凹部内に固定保護すると共に外部との電気的接続が可能な外部電極105を有するものである。
パッケージ104は、LEDチップ102を凹部内に固定保護すると共に外部との電気的接続が可能な外部電極105を有するものである。
パッケージ104は、LEDチップ102をさらに外部環境から保護するため透光性保護体であるモールド部材106を設けることもできる。パッケージ104は、モールド部材106との接着性がよく剛性の高いものが好ましい。LEDチップ102と外部とを電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれる。さらに、パッケージ104は、LEDチップ102などからの熱の影響をうけた場合、モールド部材106との密着性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。
パッケージ104は、外部電極105と一体的に形成させてもよく、パッケージ104が複数に分かれ、はめ込みなどにより組み合わせて構成させてもよい。このようなパッケージ104は、インジェクション成形などにより比較的簡単に形成することができる。パッケージ材料としてポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂やセラミックなどが挙げられる。
LEDチップ102とパッケージ104との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、LEDチップ102を配置固定させると共にパッケージ104内の外部電極105と電気的に接続させるためにはAgペースト、カーボンペースト、ITOペースト、金属バンプ等が好適に用いられる。
(外部電極)
外部電極105は、パッケージ104外部からの電力を内部に配置されたLEDチップ102に供給させるために用いられる。パッケージ104上に設けられた導電性を有するパターンやリードフレームを利用したものなど種々のものが挙げられる。また、外部電極105は放熱性、電気伝導性、LEDチップ102の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。
外部電極105は、パッケージ104外部からの電力を内部に配置されたLEDチップ102に供給させるために用いられる。パッケージ104上に設けられた導電性を有するパターンやリードフレームを利用したものなど種々のものが挙げられる。また、外部電極105は放熱性、電気伝導性、LEDチップ102の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。
外部電極105の具体的材料としては、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。
(モールド部材)
モールド部材106は、発光ダイオードの使用用途に応じてLEDチップ102、導電性ワイヤー103、蛍光体層101などを外部から保護するために設けることができる。モールド部材106は、各種樹脂や硝子などを用いて形成させることができる。モールド部材106の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。
モールド部材106は、発光ダイオードの使用用途に応じてLEDチップ102、導電性ワイヤー103、蛍光体層101などを外部から保護するために設けることができる。モールド部材106は、各種樹脂や硝子などを用いて形成させることができる。モールド部材106の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。
以上のような構成から本発明の白色LEDが形成される。
本発明の白色LEDには、最大5V、30mAまでの定格直流負荷を加え発光させて白色発光を得ることができる。
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらの記載に限定されるものではない。
(実施例1)
LEDチップとして主発光ピークが460nmのIn0.2Ga0.8N半導体を用いた。
LEDチップとして主発光ピークが460nmのIn0.2Ga0.8N半導体を用いた。
LEDチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジュウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。
ドーパントガスとしてSiH4とCp2Mgとを切り替えることによって、N型導電性を有する窒化ガリウム系半導体とP型導電性を有する窒化ガリウム系半導体を形成しPN接合を形成させる。半導体発光素子としては、N型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、P型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、P型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層を形成させた。N型導電性を有するコンタクト層とP型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約3nmであり、単一量子井戸構造とされるノンドープInGaNの活性層を形成させた。なお、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、P型導電性を有する半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。
その後、エッチングによりサファイア基板上のPN各半導体表面を露出させた。また、PN各半導体表面が露出された部位は、最終的に形成される各LEDチップごとに複数ある。さらに、各LEDチップの大きさごと矩形に分割できるよう半導体層をサファイア基板まで部分的に除去し電気的にも分離させてある。導電性ワイヤーとなる金線を付着させるためのパッド電極形成面には、レジストを予め形成させ半導体ウエハを形成した。
作製したLEDチップの上に、図1に示すエアロゾル・デポジション成膜装置を用いて、まず光散乱材層を形成した。平均粒径0.2μmの酸化亜鉛をエアロゾル化室に充填させ、キャリアガスとして流速200m/sのN2ガスを用い、チャンバーの真空度は100Pa、基板温度を20℃として、LEDチップ上に吹きつけて2μmの成膜を行なった。更に、平均粒径0.2μmの(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce0.035蛍光体粒子をエアロゾル化室に充填させ、同様な条件で2μmの成膜を行なった。
この後、レジストをリフトオフにより除去して所望の半導体ウエハ上内のみに平滑な無機蛍光体層が形成された。
こうして蛍光体層を形成させた半導体ウエハをLEDチップに分割させるためのエッチングラインに沿ってダイサーでダイシングした後、スクライバーでスクライブラインを形成させた。スクライブラインに沿ってサファイア基板側からローラにより加圧して、個々に分割し蛍光体層を持ったLEDチップを形成させた。
また、インサート成形によりポリカーボネート樹脂を用いてチップタイプLEDのパッケージを形成させた。チップタイプLEDのパッケージ内は、LEDチップが配される開口部を備えている。パッケージ中には、銀メッキした銅板を外部電極として配置させてある。パッケージ内部で蛍光体層が形成されたLEDチップをエポキシ樹脂を用いて固定させる。
導電性ワイヤーである金線をLEDチップの各電極とパッケージに設けられた各外部電極とにそれぞれワイヤーボンディングさせ電気的に接続させ、白色LEDを作製した。
(実施例2)
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までは実施例1と同様に行なった。
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までは実施例1と同様に行なった。
酸化亜鉛(0.5質量部)と(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce0.035蛍光体粒子(0.5質量部)の混合エアロゾルを用いて、エアロゾルデポシジョン装置により4μmの成膜を行なった。
原料粒子の粒径や装置条件は実施例1と同様にした。
更に、ダイシング、LEDパッケージ形成は実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
(実施例3)
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までは実施例1と同様に行なった。
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までは実施例1と同様に行なった。
エアロゾルデポジション成膜装置により、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce0.035蛍光体粒子で2μmの成膜を行なった後、酸化亜鉛で2μmの成膜を行なった。
更に、ダイシング、LEDパッケージ形成は実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
(実施例4)
酸化亜鉛に替えて、平均粒径0.2μmの二酸化チタンを用いたほかは、実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
酸化亜鉛に替えて、平均粒径0.2μmの二酸化チタンを用いたほかは、実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
(比較例1)
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までを実施例1と同様に行なった。
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までを実施例1と同様に行なった。
特開2004−95765号公報の実施例に記載されているごとく、SiO2を10質量%含むエチルシリケートと、溶媒と、水と、1規定塩酸(HCl)とを混合しエチルシリケートを加水分解反応させ、25℃における混合溶液の粘度が2.5〜500mPa・sとなるようなゾル状態としたものを用意した。
まず、エチルシリケートの加水分解溶液とエチレングリコールと光散乱剤が質量比で1:1:1となる混合溶液を調製し、平均粒子径0.4〜10μmの光散乱剤が塗布液中で均一に分散するように撹拌して塗布液を調製した。
次に、上記塗布液を発光素子の上面に2μmの膜厚になるまで繰り返し吹き付けて付着させた。
更に、室温で放置すると、ゾル状態のエチルシリケート加水分解溶液は次第に自然乾燥してゲル状態となった。
自然乾燥してゲル状態となった塗布液から非晶質のSiO2を得るため、またエチルシリケートの加水分解によって生成したエタノール、および溶剤等を飛ばすため、発光素子は150℃の温度で30分間加温状態においた。更に300℃の温度で2時間乾燥させて、SiO2を得た。
この後、ダイシング、LEDパッケージ形成は実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
(比較例2)
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までを実施例1と同様に行なった。
LEDチップとレジストを含む半導体ウエハの製造までを実施例1と同様に行なった。
エアロゾルデポジション成膜装置を用いて、酸化亜鉛の成膜を行なわないほかは実施例1と同様にして(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce0.035蛍光体で2μmの成膜を形成させた。
更に、ダイシング、LEDパッケージ形成は実施例1と同様にして、白色LEDを作製した。
比較例1で作製した白色LEDを分析の結果、SiO2により光散乱剤がバインドされてなるコーティング層中には、エチルシリケートを加水分解する工程で触媒として使用される塩化水素(HCl)や、工程中において生成するSi(OH)2などの無機物、および未反応のエチルシリケートやエタノールなどの有機物が、不純物として合計で20数ppm存在していた。
一方、実施例1〜4、比較例2では、上記の不純物は全く検出されなかった。
(白色LEDの評価)
得られた発光ダイオードに電力を供給させることによって白色系を発光させ、発光ダイオードの正面から発光強度を測定した。
得られた発光ダイオードに電力を供給させることによって白色系を発光させ、発光ダイオードの正面から発光強度を測定した。
また、白色LEDを、50℃、20mAで駆動し、初期光束の半減時間を調べた。
上記、結果を表1に示す。
上記表1の結果から、本発明内の実施例1〜4はいずれの性能もよいが、比較例1及び2は少なくても何れかの性能に問題があることがわかる。
1 高圧ボンベ
2,6 配管
3,5 バルブ
4 エアロゾル化室
7 チャンバー
8 ノズル
9 ホルダー
10,22 基板
11 XYZθステージ
21 白色LED
23 電極
24、102、202 LEDチップ
25 バンプ
26、101、201 蛍光体層
27 封止層
2,6 配管
3,5 バルブ
4 エアロゾル化室
7 チャンバー
8 ノズル
9 ホルダー
10,22 基板
11 XYZθステージ
21 白色LED
23 電極
24、102、202 LEDチップ
25 バンプ
26、101、201 蛍光体層
27 封止層
Claims (2)
- LEDチップの上に、該LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する無機蛍光体層を有する発光ダイオードであって、無機蛍光体層が無機蛍光体と光散乱剤からなり、無機蛍光体層中の無機蛍光体と光散乱剤以外の不純物含有量が10ppm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードで、無機蛍光体層をエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064842A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックス焼結体およびそれを用いた基板およびそれを用いた発光素子搭載用パッケージおよびそれを用いた発光装置 |
WO2010140411A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2011256371A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-12-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 波長変換部材、発光装置、及び波長変換部材の製造方法 |
WO2012086483A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | コニカミノルタオプト株式会社 | 蛍光体塗布装置および発光装置の製造方法 |
JP2020150274A (ja) * | 2011-06-01 | 2020-09-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
-
2005
- 2005-05-30 JP JP2005157006A patent/JP2006332501A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064842A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックス焼結体およびそれを用いた基板およびそれを用いた発光素子搭載用パッケージおよびそれを用いた発光装置 |
WO2010140411A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2011256371A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-12-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 波長変換部材、発光装置、及び波長変換部材の製造方法 |
KR101799109B1 (ko) * | 2010-05-10 | 2017-11-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 파장 변환 부재, 발광 장치 및 파장 변환 부재의 제조 방법 |
WO2012086483A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | コニカミノルタオプト株式会社 | 蛍光体塗布装置および発光装置の製造方法 |
JP2020150274A (ja) * | 2011-06-01 | 2020-09-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
JP7134198B2 (ja) | 2011-06-01 | 2022-09-09 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
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