JP2007165787A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 105
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- -1 phosphine oxide compound Chemical class 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 マウント基板と、マウント基板上に設けられた電極2aと、電極2aの一部の上に設けられたLEDチップ3と、電極2a上に少なくとも設けられた蛍光体層とを具備し、電極2aが、LEDチップ3から発せられる光の遠視野像や近視野像に対応するパターンを輪郭の少なくとも一部として有する平面形状を備えることを特徴とする発光装置。蛍光体層のパターン形状が電極2aのパターン形状に対応しており、上記遠視野像や近視野像に対応するため、色ばらつきが小さく、かつ発光パターンも均一な白色LEDを得ることが可能となる。
【選択図】 図2
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る白色LEDの構成を示す断面図である。図1(a)に示すように、円形のマウント基板1の上面には電極2a、2b、2cが設けられており、電極2bと2cはマウント基板1の側面を介してマウント基板1の下面に延びている。かかる構成は、上面に設けた電極2bと2cをそれぞれマウント基板1の側面及び下面に沿って折り曲げることにより得ることができる。
本発明の第2の実施形態について説明する。図4は本実施形態のLEDチップ及びその下の電極の配置を示す上面図である。本実施形態の白色LEDが第1の実施形態の白色LEDと異なる点はLEDチップ3の下の電極41の形状である。図4に示すように、本実施形態の白色LEDによれば、電極41の平面形状が、LEDチップ3から発せられる光の近視野像に相当する形となっている。すなわち、この電極41の平面形状パターンは、LEDチップ3の平面形状における4つの辺のそれぞれに対応して凸状部分を備えている。これらの凸状部分のそれぞれは、その外周の輪郭が略放物線状或いは略円弧状となっている。近視野像に相当する形にするために、電極41の大きさを、LEDチップ3の大きさよりわずかに大きくする。この大きさは第1の実施形態の場合よりも小さく、略放物線状或いは略円弧状の輪郭の頂点において、例えばLEDチップ3の一辺に平行な方向の外径の約0.1〜1倍程度大きく設計すれば良い。本実施形態においても、蛍光体層4の平面形状は電極41の平面形状に対応している。すなわち、蛍光体層4の平面形状は近視野像に対応した形状となっているので、LEDチップ3からの光の強度分布と蛍光体層4における蛍光体の密度分布とを忠実に対応させることができ、LEDチップ3からの光の強度分布を反映させた状態でかつ光変換における無駄を抑制して蛍光体層4を配置することができる。したがって、色ばらつきが小さく、かつ発光パターンも均一な白色LEDを得ることが可能となる。
本発明の第3の実施形態について説明する。図5は本実施形態のLEDチップ及びその下の電極の配置を示す上面図である。本実施形態の白色LEDが第1、第2の実施形態の白色LEDと異なる点はLEDチップ3の下の電極51、52の形状である。
本発明の第4の実施形態について説明する。図6は本実施形態のLEDチップ及びその下の電極の配置を示す上面図である。本実施形態の白色LEDが第3の実施形態の白色LEDと異なる点はLEDチップ3の下の電極61、62の形状である。
本発明の第5の実施形態について説明する。図7は本発明の第5の実施形態に係る白色LEDの構成を示す断面図である。図1と同一部分には同一符号を付して示す。本実施形態の白色LEDが第1の実施形態の白色LEDと異なる点は、蛍光体層として無機蛍光体層と有機蛍光体層とを組み合わせたものを用いていることである。
この希土類金属錯体は、Eu等の希土類金属のイオンに基づく蛍光強度が大きく、特に、一つの希土類金属原子に、上記式(1)に示す中で構造が異なる複数種類(特に2種類)のリン化合物が配位すると、配位子場がより非対称となり、分子吸光係数の向上に基づき、発光強度が顕著に増加する。
本発明の第6の実施形態について説明する。図8は本実施形態のLEDチップ及びその下の電極の配置を示す上面図である。本実施形態の白色LEDが第1の実施形態の白色LEDと異なる点はLEDチップ3の下の電極の形状である。
本発明の第7の実施形態について説明する。本実施形態の白色LEDが第1の実施形態の白色LEDと異なる点は、マウント基板1上の凹部全体にわたって第5の実施形態で述べた有機蛍光体層が埋め込まれていることである。すなわち、図1を用いて説明すると、マウント基板1上の凹部内の空間8には、第5の実施形態で述べた有機蛍光体層が埋め込まれる。
本発明の第8の実施形態について説明する。図9は本実施形態のLEDチップ、その下の電極(蛍光体層)の配置、及びボンディングワイヤの引き出し方向の関係を示す上面図である。
2a、2b、2c…電極
3…LEDチップ
4…蛍光体層
5…ボンディングワイヤ
6…側壁部
7…反射膜
8…凹部内の空間
9…カバー板
15…近視野像
16…遠視野像
Claims (13)
- 支持体と、この支持体の上に設けられた金属層と、この金属層の一部の上に設けられた発光素子と、前記金属層の上に少なくとも設けられ前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収するとともに波長変換して異なる波長の光を発光する波長変換層とを具備し、前記金属層が、前記発光素子を中心に複数の凹凸を輪郭の少なくとも一部として有する平面形状を備えることを特徴とする発光装置。
- 前記金属層の平面形状における凹凸の凸部は、n角形(nは3以上)から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記金属層の平面形状における凹凸の凹部は、n角形(nは3以上)の切り欠きから構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記金属層の平面形状における凹凸は曲線状の輪郭となっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記金属層の平面形状における凹凸は円弧状の輪郭となっていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 支持体と、この支持体の上に設けられた金属層と、この金属層の一部の上に設けられた発光素子と、前記金属層の上に少なくとも設けられ前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収するとともに波長変換して異なる波長の光を発光する波長変換層とを具備し、前記金属層が、前記発光素子から発せられる光の遠視野像又は近視野像に対応するパターンを輪郭の少なくとも一部として有する平面形状を備えることを特徴とする発光装置。
- 前記波長変換層の平面形状における外周の輪郭は前記金属層の平面形状における外周の輪郭と実質的に等しいことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。
- 前記金属層は、前記発光素子の第1の引き出し電極であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置。
- 前記波長変換層は前記発光素子の上にも設けられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記支持体の上に第2の引き出し電極を備え、前記発光素子と前記第2の引き出し電極とを接続するボンディングワイヤが、前記波長変換層の最大厚さ部分を経由して設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記支持体の上に第2の引き出し電極を備え、前記発光素子と前記第2の引き出し電極とを接続するボンディングワイヤが、前記波長変換層の最小厚さ部分を経由して設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記波長変換層は蛍光体を含む層であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の発光装置。
- 支持体と、この支持体の上に設けられた金属層と、この金属層の一部の上に設けられた発光素子と、前記金属層の上に少なくとも設けられ前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収するとともに波長変換して異なる波長の光を発光する波長変換層とを具備する発光装置の製造方法であって、前記発光素子を中心に複数の凹凸を輪郭の一部として有する平面形状を備える前記金属層を前記支持体の上にパターン形成し、前記金属層の一部の上に発光素子を配設し、蛍光体粒子を含む原料を前記発光素子の上から滴下し、前記金属層及び前記発光素子の各表面、又は前記金属層の表面に選択的に波長変換層を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005363625A JP4417906B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
US11/561,670 US20070138484A1 (en) | 2005-12-16 | 2006-11-20 | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
CNB2006101694710A CN100461478C (zh) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | 发光器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005363625A JP4417906B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007165787A true JP2007165787A (ja) | 2007-06-28 |
JP4417906B2 JP4417906B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=38166015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005363625A Expired - Fee Related JP4417906B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070138484A1 (ja) |
JP (1) | JP4417906B2 (ja) |
CN (1) | CN100461478C (ja) |
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WO2013005488A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | シャープ株式会社 | 発光装置および表示装置 |
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JP5777705B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-09-09 | 株式会社エルム | 発光装置及びその製造方法 |
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CN101569019A (zh) * | 2006-12-05 | 2009-10-28 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 特别具有发光陶瓷的照明装置 |
TWI442595B (zh) * | 2007-07-25 | 2014-06-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體裝置 |
TW201041191A (en) * | 2008-12-19 | 2010-11-16 | Samsung Led Co Ltd | Light emitting device package, backlight unit, display device and illumination device |
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US8773006B2 (en) * | 2011-08-22 | 2014-07-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same |
JP6005440B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-10-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット |
JP5533827B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2014-06-25 | 豊田合成株式会社 | 線状光源装置 |
US20130342103A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Shing-Chung Wang | Solid state lighting luminaire and a fabrication method thereof |
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CN113594337B (zh) * | 2021-07-26 | 2023-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3784976B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2006-06-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US20030075724A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
DE10105802A1 (de) * | 2001-02-07 | 2002-08-08 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement |
JP2002319711A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
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2005
- 2005-12-16 JP JP2005363625A patent/JP4417906B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-20 US US11/561,670 patent/US20070138484A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-15 CN CNB2006101694710A patent/CN100461478C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1983655A (zh) | 2007-06-20 |
JP4417906B2 (ja) | 2010-02-17 |
US20070138484A1 (en) | 2007-06-21 |
CN100461478C (zh) | 2009-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090805 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091104 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |