JP4564342B2 - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、多層配線基板とその製造方法に係り、特に半導体チップを搭載するための高密度配線がなされた多層配線基板と、このような多層配線基板を製造するための製造方法に関する。
近年、電子機器の高機能化、小型化、軽量化が進む中で、半導体パッケージの小型化、多ピン化、外部端子のファインピッチ化が求められており、高密度配線基板の要求がますます強くなっている。このため、ＬＳＩを直接プリント配線基板に実装したり、あるいはＣＳＰ(Chip Size Package)、ＢＧＡ(Ball grid Array)をプリント配線基板に実装するようになってきた。そして、プリント配線基板も高密度化に対応するために、配線およびビアを１層づつ電気絶縁層を介してコア基板に多層に積み上げていくビルドアップ法で製作した多層配線基板を使用するようになってきた。
従来の一般的なビルドアップ多層配線基板では、絶縁基板にドリルでスルーホールを設け、このスルーホール内側に金属めっきを施し、スルーホール内に樹脂または導電性ペーストを充填して形成されたコア基板が使用されていた（特許文献１）。このコア基板は、スルーホールを介して表裏が導通されたものであり、このコア基板上に配線を電気絶縁層を介して多層に積み上げることで多層配線基板が作製されていた。また、最近では、樹脂を充填したスルーホールに蓋めっき（スルーホールの開口部分を塞ぐようにめっき層を形成すること）を行い、上記の蓋めっき部分の直上にビアを配置し、さらに、このビア上にビアを配置するスタック構造の多層配線基板が開発されている（特許文献２）。
特開平９−１３００５０号公報 特開２００３−２３２５１号公報
しかし、従来のスルーホールの形成はドリル加工で行っていたため、スルーホールの開口径はドリル径よりも小さくすることができず、微細なドリルを用いたドリル加工では、ドリルの破損頻度が高いものであった。このため、スルーホールの微細化が困難であり、配線設計の自由度が限定されるという問題があった。
また、樹脂を充填したスルーホールに蓋めっきを行った構造では、使用する絶縁基板の熱収縮・熱膨張によって、スルーホール内部に充填した樹脂が伸縮し、これにより、蓋めっき部分に形成されたビアに応力が集中し易く、接続信頼性が低いという問題もあった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、配線設計の自由度が高く高密度配線が可能な多層配線基板と、このような多層配線基板を簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明は、コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板において、コア基板はシリコンコア基板であり、導電性物質が充填され表裏の導通がなされた複数のスルーホールを備え、前記スルーホールは開口径が１０〜１００μｍの範囲内であり、前記スルーホール内壁面に第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜がこの順に積層されており、第１の絶縁膜はシリコンコア基板の熱酸化により形成した酸化珪素膜であり、前記第２の絶縁膜を介して導電性物質が前記スルーホール内に充填されており、電気絶縁層を介してコア基板上に形成された１層目の配線は、前記スルーホール内の前記導電性物質にビアを介して接続されているような構成とした。
本発明の好ましい態様として、第２の絶縁膜は、二酸化珪素薄膜であるような構成とした。
本発明は、コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板において、コア基板はシリコンコア基板であり、導電性物質が充填され表裏の導通がなされた複数のスルーホールを備え、前記スルーホールは開口径が１０〜１００μｍの範囲内であり、前記スルーホール内壁面に第１の絶縁膜、第２の絶縁層、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜がこの順に積層されており、第１の絶縁膜はシリコンコア基板の熱酸化により形成した酸化珪素膜であり、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜の成分が同じであり、前記第３の絶縁膜を介して導電性物質が前記スルーホール内に充填されており、電気絶縁層を介してコア基板上に形成された１層目の配線は、前記スルーホール内の前記導電性物質にビアを介して接続されているような構成とした。
本発明の好ましい態様として、第２の絶縁膜、第３の絶縁膜は、二酸化珪素薄膜であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記導電性物質拡散防止層は、窒化チタン薄膜であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記導電性物質は、電解めっきによりスルーホール内に形成された銅であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記導電性物質は、スルーホール内に充填された導電性ペーストであるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記スルーホールの開口径は、１０〜７０μｍの範囲内であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記コア基板の厚みは、５０〜７２５μｍの範囲内であるような構成とした。
また、本発明は、コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、前記微細孔の内壁面を含むシリコンコア材表面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、その後、少なくとも微細孔の内壁面に位置する絶縁膜上に下地導電層を形成する工程と、前記微細孔内を除く前記シリコンコア材上に所望のレジスト膜を形成し、前記下地導電層を給電層として前記微細孔内に電解めっきにより導電性物質を充填する工程と、前記レジスト膜を除去し、前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させることによりスルーホールを形成し、前記導電性物質によりスルーホールを介した表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記下地導電層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うような構成とした。
また、本発明は、コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させスルーホールを形成する工程と、少なくとも前記スルーホールの内壁面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程と、前記スルーホール内に導電性物質を充填して表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記絶縁膜および前記導電性物質拡散防止層を形成する工程では、スルーホールの内壁面を含むシリコンコア材表面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成した後に、少なくともスルーホールの内壁面に位置する絶縁膜上に下地導電層を形成し、また、スルーホール内に導電性物質を充填する工程では、前記スルーホール内を除く前記コア材上に所望のレジスト膜を形成し、電解めっきにより導電性物質を充填するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記下地導電層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うような構成とした。
また、本発明は、コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させスルーホールを形成する工程と、前記シリコンコア材の両面と前記スルーホールの内壁面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、その後、前記シリコンコア材の一方の全面に下地導電層を形成する工程と、前記下地導電層上と前記シリコンコア材の反対面の前記絶縁膜上に所望のレジスト膜を形成し、前記下地導電層を給電層として電解めっきにより前記スルーホール内に導電性物質を充填して表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記下地導電層の形成は、蒸着法、スパッタリング法のいずれかにより行うような構成とした。
本発明の好ましい態様として、絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、前記第２の絶縁膜、第３の絶縁膜の形成は、プラズマＣＶＤ法を利用して行うものであるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記導電性物質拡散防止層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うような構成とし、前記微細孔を該開口径が１０〜７０μｍの範囲内となるように形成するような構成とした。
以上詳述したように、本発明によれば、スルーホールの開口径が１０〜１００μｍの範囲内にあるので、スルーホールの狭ピッチ化が可能であるとともに、スルーホール間のスペースの確保が容易であり、このスペースに必要な配線を形成することができ、所望の高密度配線をより少ない層数で形成することができ、薄型の半導体装置の製造が可能となる。また、スルーホール内部に導電性物質が充填され、この導電性物質に接続するビアを介して１層目の配線が形成された構造、すなわち、スルーホール直上にビアを備える構造であるため、多層配線の配線設計の自由度を高くすることができる。さらに、スルーホール内壁面に設けられた導電性物質拡散防止層によって、スルーホール内部に充填された導電性物質がコア基板中に拡散することが阻止され、かつ、導電性物質と導電性物質拡散防止層との間に位置する絶縁膜により、導電性物質が拡散することによる導電性物質拡散防止層の導電性変化が防止され、導電性物質拡散防止層が設計通りの電気特性を発現することができ、導電性物質拡散防止効果がより高いものとなり、スルーホールの狭ピッチ化を進めても隣接するスルーホール間の短絡を防止することができる。また、スルーホール内には樹脂が充填されていないので、スルーホール直上に配置されたビアへのコア基板の熱収縮や熱膨張による応力集中が発生し難く、接続信頼性が高いものとなる。
また、本発明の製造方法では、プラズマを利用したドライエッチングによりスルーホールを形成するので、開口径の小さいスルーホールの形成が可能となり、また、スルーホール直上にビアを形成し、このビアを介して１層目の配線をスルーホール内に充填された導電性物質に接続するので、多層配線の配線設計の自由度を高くすることができる。さらに、導電性物質拡散防止層を絶縁膜で被覆するので、下地導電層を給電層としてスルーホール内に導電性物質を充填する際に、絶縁膜とレジスト膜との密着が良好であり、導電性物質が絶縁膜とレジスト膜との界面に侵入して不要な広がりを生じることがなく、高い精度で導電性物質を充填できるので、スルーホールの狭ピッチ化と歩留まり向上が可能である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［多層配線基板］
図１は、本発明の多層配線基板の一実施形態を示す部分縦断面図である。図１において、本発明の多層配線基板１は、コア基板２と、このコア基板２の表面２ａ上に電気絶縁層を介して形成された配線と、裏面２ｂ上に電気絶縁層を介して形成された配線と、を備えている。
多層配線基板１を構成するコア基板２は、コア材２′に複数のスルーホール４が形成されたものであり、各スルーホール４には導電性物質８が充填され、この導電性物質８によりスルーホール４を介した表面２ａと裏面２ｂの導通がなされている。
コア基板２に形成されたスルーホール４の開口径は、１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜７０μｍの範囲内である。スルーホールの開口径が上記の範囲未満であると、スルーホール形成加工が困難となり、また、上記の範囲を超えると、スルーホールの密度を高くしたり、スルーホールの形成数を多くすることに限度があり好ましくない。スルーホール４の内壁面、およびコア基板の両面２ａ，２ｂには、導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６が設けられており、絶縁膜６は、導電性物質拡散防止層５と導電性物質８との間に介在している。
コア基板２の表面２ａ上に形成された配線は、図示例では多層配線であり、コア基板２の表面２ａ上に電気絶縁層１１ａを介しビア１３ａにてスルーホール４内の導電性物質８に接続されるように形成された１層目の配線１２ａと、この１層目の配線１２ａ上に２層目の電気絶縁層１１ｂを介しビア１３ｂにて所定の１層目配線１２ａに接続されるように形成された２層目の配線１２ｂと、この２層目の配線１２ｂ上に３層目の電気絶縁層１１ｃを介しビア１３ｃにて所定の２層目配線１２ｂに接続されるように形成された３層目の配線１２ｃとからなる。
また、コア基板２の裏面２ｂ上に形成された配線は、図示例では単層配線であり、コア基板２の裏面２ｂ上に電気絶縁層１５を介しビア１７にてスルーホール４内の導電性物質８に接続されるように形成された配線１６である。
尚、各配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１６および各ビア１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、例えば、銅、銀等の薄膜である下地金属層を介して、導電性物質８上、下層の電気絶縁層上、ビア上に形成されていてもよい。
図２は、本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。図２において、本発明の多層配線基板１′は、コア基板２に設けられている導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６の積層構造が上述の多層配線基板１と相違する他は、上述の多層配線基板１と同じものであり、共通の部材には同じ部材番号を付している。
この多層配線基板１′では、スルーホール４の内壁面、およびコア基板の両面２ａ，２ｂに、第１の絶縁膜６ａ、導電性物質拡散防止層５、第２の絶縁膜６ｂが、この順に積層されて配設されている。したがって、スルーホール４内においては、導電性物質拡散防止層５と導電性物質８との間に第２の絶縁膜６ｂが介在している。
尚、第１の絶縁膜６ａと第２の絶縁膜６ｂは、構成材料が同じものであってもよい。
また、図３は、本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。図３において、本発明の多層配線基板１″は、コア基板２に設けられている導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６の積層構造が上述の多層配線基板１と相違する他は、上述の多層配線基板１と同じものであり、共通の部材には同じ部材番号を付している。
この多層配線基板１″では、スルーホール４の内壁面、およびコア基板の両面２ａ，２ｂに、第１の絶縁膜６ａ、第２の絶縁膜６ｂ、導電性物質拡散防止層５、第３の絶縁膜６ｃが、この順に積層されて配設されている。したがって、スルーホール４内においては、導電性物質拡散防止層５と導電性物質８との間に第３の絶縁膜６ｃが介在している。
尚、第２の絶縁膜６ｂと第３の絶縁膜６ｃは、構成材料が同じものであってもよく、また、第１の絶縁膜６ａ、第２の絶縁膜６ｂおよび第３の絶縁膜６ｃのすべてが、構成材料が同じものであってもよい。
図４は、本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。図４において、本発明の多層配線基板２１は、コア基板２２と、このコア基板２２の表面２２ａ上に電気絶縁層を介して形成された配線と、裏面２２ｂ上に電気絶縁層を介して形成された配線と、を備えている。
多層配線基板２１を構成するコア基板２２は、コア材２２′に複数のスルーホール２４が形成されたものであり、各スルーホール４には導電性物質２８が充填され、この導電性物質２８によりスルーホール２４を介した表面２２ａと裏面２２ｂの導通がなされている。
コア基板２２に形成されたスルーホール４の開口径は、１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜７０μｍの範囲内である。スルーホールの開口径が上記の範囲未満であると、スルーホール形成加工が困難となり、また、上記の範囲を超えると、スルーホールの密度を高くしたり、スルーホールの形成数を多くすることに限度があり好ましくない。スルーホール２４の内壁面、およびコア基板の表面２２ａには、導電性物質拡散防止層２５と絶縁膜２６が設けられており、絶縁膜２６が導電性物質拡散防止層２５と導電性物質２８との間に介在している。また、コア基板２２の裏面２２ｂには、絶縁膜２３が設けられている。
コア基板２２の表面２２ａ上に形成された配線は、図示例では多層配線であり、コア基板２２の表面２２ａ上に電気絶縁層３１ａを介しビア３３ａにてスルーホール２４内の導電性物質２８に接続されるように形成された１層目の配線３２ａと、この１層目の配線３２ａ上に２層目の電気絶縁層３１ｂを介しビア３３ｂにて所定の１層目配線３２ａに接続されるように形成された２層目の配線３２ｂと、この２層目の配線３２ｂ上に３層目の電気絶縁層３１ｃを介しビア３３ｃにて所定の２層目配線３２ｂに接続されるように形成された３層目の配線３２ｃとからなる。
また、コア基板２２の裏面２２ｂ上に形成された配線は、図示例では単層配線であり、コア基板２２の裏面２２ｂ上に電気絶縁層３５を介しビア３７にてスルーホール２４内の導電性物質２８に接続されるように形成された配線３６である。
尚、各配線３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３６および各ビア３３ａ，３３ｂ，３３ｃは、例えば、銅、銀等の薄膜である下地金属層を介して、導電性物質２８上、下層の電気絶縁層上、ビア上に形成されていてもよい。
このような多層配線基板２１においても、導電性物質拡散防止層２５と絶縁膜２６の積層構造を、上述の多層配線基板１′，１″のように、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで導電性物質拡散防止層２５を挟むような積層構造、あるいは、第１、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜とで導電性物質拡散防止層２５を挟むような積層構造としてもよい。
上述のような本発明の多層配線基板１，１′，１″，２１では、スルーホール４，２４内部に導電性物質８，２８が充填され、この導電性物質８，２８に接続するビア１３ａ，１７，３３ａ，３７を介して１層目の配線１２ａ，１６，３２ａ，３６が形成された構造、すなわち、スルーホール４，２４直上にビア１３ａ，１７，３３ａ，３７を備える構造であるため、多層配線の配線設計の自由度を高くすることができる。また、スルーホール４，２４内には樹脂が充填されていないので、スルーホール４，２４直上に配置されたビア１３ａ，１７，３３ａ，３７へのコア基板２の熱収縮や熱膨張による応力集中が発生し難く、接続信頼性が高いものとなる。さらに、スルーホール４，２４の狭ピッチ化が可能であるとともに、スルーホール４，２４間のスペースの確保が容易であり、このスペースに必要な配線を形成することができるので、所望の高密度配線をより少ない層数で形成することができ、薄型の半導体装置の製造が可能となる。また、スルーホール４，２４の内壁面に設けられた導電性物質拡散防止層５，２５によって、スルーホール内部に充填された導電性物質８，２８の構成物質がコア基板２，２２中に拡散することが阻止される。さらに、導電性物質８，２８と導電性物質拡散防止層５，２５との間に位置する絶縁膜６，２６（第２の絶縁膜６ｂ，第３の絶縁膜６ｃ）により、導電性物質８，２８が拡散することによる導電性物質拡散防止層５，２５の導電性変化が防止される。これにより、導電性物質拡散防止層５，２５が設計通りの電気特性を発現することができ、導電性物質拡散防止効果がより高いものとなり、スルーホール４，２４の狭ピッチ化を進めても隣接するスルーホール４，２４間の短絡を防止することができる。
本発明の多層配線基板１を構成するコア基板２，２２は、例えば、シリコン、ガラス等のコア材２′，２２′を用いて作製することができる。コア基板２，２２の厚みは、５０〜７２５μｍ、好ましくは３００〜６２５μｍの範囲内である。コア基板２，２２の厚みが５０μｍ未満であると、支持体として充分な強度を保持できず、７２５μｍを超えると、半導体装置の薄型化に支障を来たすことになり好ましくない。
スルーホール４，２４の内壁面に形成される導電性物質拡散防止層５，２５は、緻密であり、コア基板２，２２中への導電性物質の拡散を防止し得る薄膜であれば特に制限はなく、例えば、窒化チタン、チタン、クロム等の薄膜層とすることができる。この導電性物質拡散防止層５の厚みは、例えば、１０〜５０ｎｍの範囲で設定することができる。
多層配線基板１を構成する絶縁膜６、多層配線基板１′を構成する第２の絶縁膜６ｂ、多層配線基板１″を構成する第２の絶縁膜６ｂと第３の絶縁膜６ｃ、多層配線基板２１を構成する絶縁膜２６は、二酸化珪素、窒化珪素等の無機化合物からなる薄膜とすることができ、厚みは１０〜４０００ｎｍ、好ましくは５０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。
また、多層配線基板１′を構成する第１の絶縁膜６ａ、多層配線基板１″を構成する第１の絶縁膜６ａ、および、多層配線基板２１を構成する絶縁膜２３は、上述のような絶縁膜であってよく、また、コア基板２がシリコンコア基板である場合には、熱酸化により形成した酸化珪素膜であってもよい。
コア基板２，２２の各スルーホール４，２４に充填された導電性物質８，２８としては、例えば、フィルド電解めっきによりスルーホール内に形成された銅等の導電性金属とすることができる。また、銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した導電性ペーストを用いることができる。但し、導電性ペーストを導電性物質８，２８として用いる場合、コア基板２，２２の熱収縮や熱膨張によるビア１３ａ，１７，３３ａ，３７への応力集中を抑制するために、導電性粒子の含有率が８０体積％以上であることが好ましい。
コア基板２，２２の表面２ａ，２２ａ上の１層目の配線１２ａ，３２ａ、２層目の配線１２ｂ，３２ｂ、３層目の配線１２ｃ，３２ｃの材質、ビア１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，３３ａ，３３ｂ，３３ｃの材質、および、裏面２ｂ，２２ｂ上の配線１６，３６の材質、ビア１７，３７の材質は、例えば、銅、ニッケル等の導電性材料とすることができる。このような各層の配線の厚みは、例えば、３〜２０μｍの範囲で設定することができ、ビアの径は、例えば、２０〜１００μｍの範囲で設定することができる。
また、電気絶縁層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，３１ａ，３１ｂ，３１ｃおよび電気絶縁層１５，３５の材質は、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂，フルオレン等の有機絶縁性材料とすることができる。このような電気絶縁層の厚みは、例えば、３〜２０μｍの範囲で設定することができる。
尚、上述の実施形態では、コア基板２，２２の表面２ａ，２２ａに配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃが形成され、裏面に配線１６，３６が形成されているが、本発明ではコア基板に形成する配線層の積層数には制限はない。
また、本発明の多層配線基板は、最表面層の配線を、半導体チップ搭載用の端子パッドを有するものとすることができる。さらに、このような端子パッドの表面に半田層を備えるものであってもよい。
多層配線基板の製造方法
次に、本発明の多層配線基板の製造方法を図面を参照しながら説明する。
図５乃至図７は、図１に示される多層配線基板１を例として、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
本発明の多層配線基板の製造方法では、コア基板用のコア材２′の一方の面２′ａに所定の開口９ａを有するマスクパターン９を形成し、このマスクパターン９をマスクとしてプラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)によりコア材２′に所定の深さで微細孔４′を穿設する（図５（Ａ））。
コア材２′は、例えば、シリコン、ガラス等を使用することができる。また、マスクパターン９は、ドライエッチング耐性のある材料を用いて形成することができ、例えば、ノボラック樹脂を用いたポジ型レジストを使用して形成することができる。また、コア材２′に比べエッチング選択比が小さい（エッチング速度が小さい）材料、例えば、シリコンからなるコア材２′に対して、酸化シリコン、窒化シリコン等を使用してマスクパターン２１を形成することができる。
形成する微細孔４′の開口径は、１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜７０μｍの範囲内で適宜設定することができる。また、微細孔４′の深さは、作製するコア基板の厚み（例えば、５０〜７２５μｍ）を考慮して設定することができ、例えば、７０〜７４５μｍの範囲内で適宜設定することができる。本発明の製造方法では、スルーホール用の微細孔４′をプラズマを利用したドライエッチング法により形成するので、開口径の小さいスルーホールの形成が可能となる。
次に、コア材２′からマスクパターン９を除去し、コア材２′の他方の面２′ｂを研磨して、微細孔４′を露出させてスルーホール４を形成し、その後、コア材２′の両面およびスルーホール４の内壁面に導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６を成膜する（図５（Ｂ））。
導電性物質拡散防止層５は、窒化チタン、チタン、クロム等からなる薄膜とすることができる。このような導電性物質拡散防止層５は、例えば、ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic - Chemical Vapor Deposition）やスパッタリング法により形成することができ、特にスルーホール４の開口径が７０μｍ以下の場合には、ＭＯ−ＣＶＤにより形成することが好ましい。
また、絶縁膜６は、例えば、プラズマＣＶＤ（Plasma Enhanced - Chemical Vapor Deposition）で形成した酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等とすることができ、このような絶縁膜６の厚みは、例えば、５００〜１０００ｎｍの範囲で設定することができる。
尚、導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６の積層構造を、上述の多層配線基板１′（図２）のように、第１の絶縁膜６ａ、導電性物質拡散防止層５、第２の絶縁膜６ｂがこの順に積層された構造、多層配線基板１″（図３）のように、第１の絶縁膜６ａ、第２の絶縁膜６ｂ、導電性物質拡散防止層５、第３の絶縁膜６ｃがこの順に積層された構造とする場合には、第１の絶縁膜６ａ、第２の絶縁膜６ｂ、第３の絶縁膜６ｃは、上述の絶縁膜６と同様にして形成することができる。また、第１の絶縁膜６ａは、コア材２′がシリコンである場合には、熱酸化を施して酸化珪素膜として形成してもよい。
次に、絶縁膜６上に下地導電層７を形成する（図５（Ｃ））。この下地導電層７は、例えば、銅、ニッケル等の薄膜、チタン／銅の積層薄膜等とすることができる。下地導電層７の形成は、例えば、ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic - Chemical Vapor Deposition）やスパッタリング法により行うことができ、特にスルーホール４の開口径が７０μｍ以下の場合には、ＭＯ−ＣＶＤにより形成することが好ましい。このような下地導電層７は、スルーホール４の内壁面に存在する絶縁膜６を被覆する必要はあるが、コア基板２の両面には、所望の部位に形成するものであってもよい。
次いで、下地導電層７、絶縁膜６上に所望レジスト膜１０ａ，１０ｂを形成し、下地導電層７を給電層として、フィルド電解めっきによりスルーホール４内に銅、ニッケル等の導電性物質８を充填する（図５（Ｄ））。レジスト膜１０ａ，１０ｂは、公知の感光性レジスト材料を使用して形成することができ、その厚みは、例えば、１〜１００μｍの範囲で設定することができる。
このフィルド電解めっきでは、レジスト膜１０ａ，１０ｂが導電性物質拡散防止層５と密着するのではなく、絶縁膜６や下地導電層７と密着しているので、その密着強度が高く、導電性物質８が絶縁膜６や下地導電層７とレジスト膜１０ａ，１０ｂとの界面に侵入して不要な広がりを生じることがない。このため、レジスト膜１０ａ，１０ｂのパターンを反映した高い精度で導電性物質８を充填することができる。
尚、スルーホール４内に、導電性物質８として導電性ペーストをスクリーン印刷等の方法により充填してもよい。使用する導電性ペーストは、銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を８０体積％以上含有した導電性ペーストであることが望ましい。
次に、レジスト膜１０ａ，１０ｂを除去し、必要に応じてコア材２′上に突出する余分な導電性物質８を研磨して除去することにより、スルーホール４内のみに導電性物質８を残す。これにより、スルーホール４内に充填された導電性物質８による表裏の導通がとられたコア基板２が得られる（図６（Ａ））。上記のような余分な導電性物質８を研磨除去する場合にも、上述のように、導電性物質８が絶縁膜６や下地導電層７とレジスト膜１０ａ，１０ｂとの界面に侵入して不要な広がりを生じることがないので、絶縁膜６や導電性物質拡散防止層５を損傷することなく、余分な導電性物質８のみを研磨除去することができる。
次に、コア基板２の両面に１層目の配線の電気絶縁層として、感光性絶縁材料を塗布し、所定のパターンで露光して現像することにより、電気絶縁層１１ａ，１５を形成する（図６（Ｂ））。電気絶縁層１１ａ，１５は、例えば、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フルオレン等の感光性絶縁材料を使用して形成することができ、その厚みは、例えば、３〜２０μｍの範囲で設定することができる。
次いで、この電気絶縁層１１ａ，１５を覆うように、下地金属層１２′ａ，１６′を形成し、電気絶縁層１１ａ，１５上にレジストパターン１９を形成する（図６（Ｃ））。下地金属層１２′ａ，１６′は、スパッタリング法等により形成した薄膜であってよく、例えば、銅、銀等の薄膜であってよい。また、下地金属層１２′ａ，１６′の構造を、上記のような薄膜と、クロム、チタン、窒化チタン等の密着膜との積層構造としてもよい。このような下地金属層の厚みは、例えば、５０〜３５０ｎｍの範囲で設定することができる。
また、レジストパターン１９は、スルーホール４内に充填された導電性物質８上の下地金属層１２′ａ，１６′が露出するような開口１９ａを有している。
次いで、このジストパターン１９をマスクとし、下地金属層１２′ａ，１６′を給電層として電解めっきを行い、その後、レジストパターン１９を除去する。これにより、スルーホール４内に充填された導電性物質８にビア１３ａを介して接続された配線１２ａと、ビア１７を介して接続された配線１６とを形成する（図７（Ａ））。このような配線、ビアの材質は、例えば、銅、ニッケル等の導電性材料を使用することができる。
その後、電気絶縁層１１ａ，１５上に存在している余分な下地金属層１２′ａ，１６′を除去する。これにより、コア基板２の両面に電気絶縁層を介した１層目の配線が形成され、この配線は、スルーホール４内に充填された導電性物質８にビアを介して接続されたものとなる（図７（Ｂ））。
その後、図６（Ｂ）〜図７（Ｂ）の工程を繰り返すことにより、コア基板２の表面２ａ側および／または裏面２ｂ側に、更に任意の層数の配線を形成して、所望の多層配線基板を得ることができる。
図８乃至図９は、図２に示される多層配線基板１′を例として、本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
本発明の多層配線基板の製造方法では、まず、上述の実施態様と同様にして、コア材２′にスルーホール４を形成する。その後、コア材２′の両面およびスルーホール４の内壁面に第１の絶縁膜６ａを成膜する（図８（Ａ））。第１の絶縁膜６ａは、例えば、プラズマＣＶＤで形成した酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等とすることができ、このような絶縁膜６ａの厚みは、例えば、５００〜１０００ｎｍの範囲で設定することができる。また、第１の絶縁膜６ａは、コア材２′がシリコンである場合には、熱酸化を施すことにより酸化珪素膜として形成してもよい。
次に、第１の絶縁膜６ａ上に導電性物質拡散防止層５と第２の絶縁膜６ｂを成膜する（図８（Ｂ））。導電性物質拡散防止層５と第２の絶縁膜６ｂの形成は、上述の導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６の形成と同様に行うことができる。
尚、上述の多層配線基板１（図１）のように、導電性物質拡散防止層５、絶縁膜６がこの順に積層された構造、多層配線基板１″（図３）のように、第１の絶縁膜６ａ、第２の絶縁膜６ｂ、導電性物質拡散防止層５、第３の絶縁膜６ｃがこの順に積層された構造とすることもできる。
次に、コア材２′の一方の面（図示例では面２′ｂ側）の第２の絶縁膜６ｂ上に下地導電層７を形成する（図８（Ｃ））。この下地導電層７は、例えば、銅、ニッケル等の薄膜、チタン／銅の積層薄膜等とすることができる。下地導電層７の形成は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、ＭＯ−ＣＶＤ等により行うことができる。
次いで、下地導電層７上と、コア材２′の他方の面（図示例では面２′ａ側）の第２の絶縁膜６ｂ上に所望レジスト膜１０ａ、１０ｂを形成し、下地導電層７を給電層として、フィルド電解めっきにより、スルーホール４内に一方向（矢印ａ方向）から銅、ニッケル等の導電性物質８を析出、成長させて充填する（図８（Ｄ））。レジスト膜１０ａ，１０ｂは、公知の感光性レジスト材料を使用して形成することができ、その厚みは、例えば、１〜１００μｍの範囲で設定することができる。
このフィルド電解めっきでは、レジスト膜１０ａ，１０ｂが導電性物質拡散防止層５と密着するのではなく、第２の絶縁膜６ｂや下地導電層７と密着しているので、その密着強度が高く、導電性物質８が第２の絶縁膜６ｂや下地導電層７とレジスト膜１０ａ，１０ｂとの界面、特に、導電性物質８の析出、成長方向に位置する第２の絶縁膜６ｂとレジスト膜１０ａとの界面に侵入することが阻止され、不要な広がりを生じることがない。このため、レジスト膜１０ａ，１０ｂのパターンを反映した高い精度で導電性物質８を充填することができる。
次に、レジスト膜１０ａ，１０ｂを除去し、必要に応じてコア材２′上に突出する余分な導電性物質８を研磨して除去することにより、スルーホール４内のみに導電性物質８を残す。これにより、スルーホール４内に充填された導電性物質８による表裏の導通がとられたコア基板２が得られる（図９（Ａ））。上記のような余分な導電性物質８を研磨除去する場合にも、上述のように、導電性物質８が第２の絶縁膜６ｂや下地導電層７とレジスト膜１０ａ，１０ｂとの界面に侵入して不要な広がりを生じることがないので、第２の絶縁膜６ｂや導電性物質拡散防止層５を損傷することなく、余分な導電性物質８のみを研磨除去することができる。
次に、コア基板２の両面に１層目の配線の電気絶縁層として、感光性絶縁材料を塗布し、所定のパターンで露光して現像することにより、電気絶縁層１１ａ，１５を形成し、この電気絶縁層１１ａ，１５を覆うように、下地金属層１２′ａ，１６′を形成する（図９（Ｂ））。下地金属層１２′ａ，１６′の形成は、上述の実施形態と同様とすることができる。
次いで、電気絶縁層１１ａ，１５上にレジストパターンを形成し、このジストパターンをマスクとし、下地金属層１２′ａ，１６′を給電層として電解めっきを行う。その後、レジストパターンを除去し、電気絶縁層１１ａ，１５上に露出している余分な下地金属層１２′ａ，１６′を除去する。これにより、スルーホール４内に充填された導電性物質８にビア１３ａを介して接続された配線１２ａと、ビア１７を介して接続された配線１６とを形成する（図９（Ｃ））。尚、上記のレジストパターンは、スルーホール４内に充填された導電性物質８上の下地金属層１２′ａ，１６′が露出するような開口を有するものであり、上述の実施形態と同様にして形成することができる。
その後、図９（Ｂ）〜図９（Ｃ）の工程を繰り返すことにより、コア基板２の表面２ａ側および／または裏面２ｂ側に、更に任意の層数の配線を形成して、所望の多層配線基板を得ることができる。
図１０乃至図１１は、図４に示される多層配線基板２１を例として、本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
本発明の多層配線基板の製造方法では、コア基板用のコア材２２′の一方の面２２′ａに所定の開口２９ａを有するマスクパターン２９を形成し、このマスクパターン２９をマスクとしてプラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)によりコア材２２′に所定の深さで微細孔２４′を穿設する（図１０（Ａ））。
コア材２２′は上述の実施形態のコア材２′と同様のものを使用することができ、また、マスクパターン２９は、上述の実施形態のマスクパターン９と同様に形成することができる。
また、形成する微細孔２４′の開口径は、１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜７０μｍの範囲内で適宜設定することができる。また、微細孔４′の深さは、作製するコア基板の厚み（例えば、５０〜７２５μｍ）を考慮して設定することができ、例えば、７０〜７４５μｍの範囲内で適宜設定することができる。本発明の製造方法では、スルーホール用の微細孔４′をプラズマを利用したドライエッチング法により形成するので、開口径の小さいスルーホールの形成が可能となる。
次に、コア材２２′からマスクパターン２９を除去し、コア材２２′の表面および微細孔２４′の内壁面に導電性物質拡散防止層２５と、この導電性物質拡散防止層２５を被覆する絶縁膜２６を成膜する（図１０（Ｂ））。導電性物質拡散防止層２５と絶縁膜２６の形成は、上述の実施形態における導電性物質拡散防止層５と絶縁膜６の形成と同様に行うことができる。尚、上述の多層配線基板１′（図２）と同様に、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜がこの順に積層された構造、あるいは、多層配線基板１″（図３）と同様に、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜がこの順に積層された構造とすることもできる。
次に、絶縁膜２６上に所望の下地導電層２７を形成し、この下地導電層２７、絶縁膜２６上に所望レジスト膜３０を形成する。下地導電層２７は、微細孔２４′の内壁面に存在する絶縁膜２６を被覆する必要はあるが、コア材２２上には、所望の部位に形成するものであってもよい。そして、下地導電層２７を給電層として、フィルド電解めっきにより微細孔２４′内に銅、ニッケル等の導電性物質２８を充填する（図１０（Ｃ））。下地導電層２７、レジスト膜３０の形成は、上述の実施形態の下地導電層７、レジスト膜３０の形成と同様に行うことができる。
このフィルド電解めっきでは、レジスト膜３０が導電性物質拡散防止層２５と密着するのではなく、絶縁膜２６や下地導電層２７と密着しているので、その密着強度が高く、導電性物質２８が絶縁膜２６や下地導電層２７とレジスト膜３０との界面に侵入して不要な広がりを生じることがない。このため、レジスト膜３０のパターンを反映した高い精度で導電性物質２８を充填することができる。
次に、コア材２２′上に突出する余分な導電性物質２８を研磨して除去し、微細孔２４′内のみに導電性物質２８を残す。また、コア材２２′の他方の面２２′ｂを研磨して、微細孔２４′を露出させてスルーホール２４を形成し、この研磨面に絶縁膜２３を形成する。これにより、スルーホール２４内に充填された導電性物質２８による表裏の導通がとられたコア基板２２が得られる（図１１（Ａ））。上記のような余分な導電性物質２８を研磨除去する場合にも、上述のように、導電性物質２８が絶縁膜２６や下地導電層２７とレジスト膜３０との界面に侵入して不要な広がりを生じることがないので、絶縁膜２６や導電性物質拡散防止層２５を損傷することなく、余分な導電性物質２８のみを研磨除去することができる。
絶縁膜２３の形成は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成した酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等とすることができ、このような絶縁膜２３の厚みは、例えば、５００〜１０００ｎｍの範囲で設定することができる。また、コア材２２′がシリコンである場合には、熱酸化を施すことにより酸化珪素膜からなる絶縁膜２３を形成してもよい。
次に、コア基板２２の両面に１層目の配線の電気絶縁層として、感光性絶縁材料を塗布し、所定のパターンで露光して現像することにより、電気絶縁層３１ａ，３５を形成し、この電気絶縁層３１ａ，３５を覆うように、下地金属層３２′ａ，３６′を形成する（図１１（Ｂ））。下地金属層３２′ａ，３６′の形成は、上述の実施形態における下地金属層１２′ａ，１６′の形成と同様とすることができる。
次いで、電気絶縁層３１ａ，３５上にレジストパターンを形成し、このジストパターンをマスクとし、下地金属層３２′ａ，３６′を給電層として電解めっきを行う。その後、レジストパターンを除去し、電気絶縁層３１ａ，３５上に露出している余分な下地金属層３２′ａ，３６′を除去する。これにより、スルーホール２４内に充填された導電性物質２８にビア３３ａを介して接続された配線３２ａと、ビア３７を介して接続された配線３６とを形成する（図１１（Ｃ））。尚、上記のレジストパターンは、スルーホール２４内に充填された導電性物質２８上の下地金属層３２′ａ，３６′が露出するような開口を有するものであり、上述の実施形態と同様にして形成することができる。
その後、図１１（Ｂ）〜図１１（Ｃ）の工程を繰り返すことにより、コア基板２２の表面２２ａ側および／または裏面２２ｂ側に、更に任意の層数の配線を形成して、所望の多層配線基板を得ることができる。
尚、上述の多層配線基板と製造方法の実施形態は一例であり、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
コア材として、厚み６２５μｍ、直径１５０ｍｍのシリコン基板を準備し、このコア材の一方の面にノボラック系のポジ型レジスト材料（東京応化工業（株）製ＰＭＥＲ−Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ）を塗布し、スルーホール形成用のフォトマスクを介して露光、現像した。これにより、開口径が１０μｍ、３０μｍ、７０μｍ、１００μｍの４種の円形開口を有し、開口径１０μｍの開口が２０μｍピッチ、開口径３０μｍの開口が６０μｍピッチ、開口径７０μｍの開口が１５０μｍピッチ、開口径１００μｍの開口が２００μｍピッチで、それぞれ形成されたマスクパターンを形成した。
次に、このマスクパターンをマスクとして、コア材にＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)によりドライエッチングを行い複数の微細孔を形成した。この微細孔の深さは約３５０μｍとした。
次に、不要なマスクパターンを除去し後、コア材の裏面を研磨して、微細孔を露出させてスルーホールを形成した。次いで、洗浄後、ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic - Chemical Vapor Deposition）により、窒化チタンからなる厚み１０ｎｍの導電性物質拡散防止層をコア材の両面とスルーホール内壁面に形成した。
次に、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤ（Plasma Enhanced - Chemical Vapor Deposition）により、二酸化珪素からなる厚み３μｍの絶縁膜を形成した。
次いで、スクリーン印刷により導電性ペースト（平均粒径２．５μｍの銀コート銅粒子を８５体積％含有）をスルーホール内に充填し、硬化処理（１６０℃、２０分間）を施した。その後、コア材の表面上に盛り上がっている導電性ペーストを研磨により除去し、スルーホール内の導電性ペーストとコア材面が同一面となるようにした。これにより、開口径が１０μｍ、３０μｍ、７０μｍ、１００μｍの４種のスルーホールを有し、各スルーホール内に充填された導電性ペーストからなる導電性物質による表裏の導通がとられたコア基板（図１に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、コア基板の両面に、感光性ベンゾシクロブテン（ＤＯＷ社製Cyclotene-4024-40）を塗布し、所定のパターンで露光して現像し、硬化させることにより、１層目の配線の電気絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した。この電気絶縁層は、スルーホール内に充填された導電性ペーストが露出するパターンであった。
次いで、電気絶縁層を覆うように、スパッタリング法によりクロム薄膜（厚み３０ｎｍ）と銅薄膜（厚み２００ｎｍ）の積層構造である下地金属層を形成した。
次に、スルーホール内に充填された導電性ペースト上の下地金属層が露出するように、電気絶縁層上にレジストパターンを形成した。その後、このレジストパターンをマスクとし、下地金属層を給電層として電解めっきを行い、厚み４μｍの銅層を形成した。次いで、レジストパターンを除去し、電気絶縁層上に露出している余分な下地金属層を除去した。この下地金属層の除去は、まず、過硫酸ナトリウム溶液にて銅薄膜を除去し、次いで、アルカリ性過マンガン酸ナトリウム溶液でクロム薄膜を除去した。これにより、スルーホール内に充填された導電性物質にビアを介して接続された配線を、コア基板の両面に形成した。
上記の配線形成を繰り返すことにより、２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を得ることができた。
［実施例２］
まず、実施例１と同様にコア材を用いて、ＩＣＰ−ＲＩＥによりドライエッチングを行い複数の微細孔を形成した。この微細孔の深さは約３５０μｍとした。
次に、微細孔を設けたコア材面および微細孔の内壁面に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み１０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。次いで、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み３μｍの絶縁膜を形成した。
次に、絶縁膜上に銅からなる厚み２００ｎｍの下地導電層をスパッタリング法により形成し、その後、感光性フィルムレジスト（旭化成エレクトロニクス（株）製 サンフォートＳＰＧ１５２）をラミネートし、所望のパターンで露光、現像することにより、微細孔が露出するようにレジスト膜を形成した。
次いで、下地導電層を給電層として、下記組成のフィルドめっき液を使用しパルス電解めっき（ＤＴサイクル１０％、平均電流密度０．２Ａ／ｄｍ2）を１５時間行うことにより、コア基材表面に銅めっきを施し、微細孔内に銅を完全に充填した。
（フィルドめっき液の組成）
・硫酸 … ５０ｇ／Ｌ
・硫酸銅 … ２００ｇ／Ｌ
・塩素イオン … ５０ｍｇ／Ｌ
・添加剤（上村工業（株）製 ＥＳＡ２１−Ａ） … ２．５ｍＬ／Ｌ
・添加剤（上村工業（株）製 ＥＳＡ２１−Ｂ） … １０ｍＬ／Ｌ
次に、レジスト膜を花王（株）製 クリンスルーＫＳ７４０５を用いて除去し、また、露出している下地導電層を過硫酸ナトリウム溶液により除去した。次いで、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去し、その後、コア材の裏面を研磨して、微細孔を露出させてスルーホールを形成した。次いで、上記の研磨により露出したコア材面に、反応性スパッタリングにより酸化シリコンからなる絶縁膜（厚み１００ｎｍ）を形成した。その後、この絶縁膜上にレジストパターンを形成し、フッ化水素を用いたウエットエッチングにより、絶縁膜に開口を形成した。この開口は、スルーホール内に充填された銅が露出するように形成した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図４に示されるようなコア基板）が得られた。このコア基板は、開口径が１０μｍ、３０μｍ、７０μｍ、１００μｍの４種のスルーホールを、開口径１０μｍが２０μｍピッチ、開口径３０μｍが６０μｍピッチ、開口径７０μｍが１５０μｍピッチ、開口径１００μｍが２００μｍピッチとなるように備えものであった。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例３］
まず、実施例１と同様のコア材を使用し、実施例１と同様にして、コア材にスルーホールを形成した。
次に、コア材に熱酸化（１０５０℃、２０分間）を施して、厚み８００ｎｍの第１の絶縁膜をコア材の両面とスルーホールの内壁面に形成した。
次に、上記の第１の絶縁膜上に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み３０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。次いで、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第２の絶縁膜を形成した。
次に、コア材の一方の面の第２の絶縁膜上にスパッタリング法により、チタンからなる厚み３０ｎｍの層と、銅からなる厚み２００ｎｍの層との積層である下地導電層を形成した。
次いで、コア材の両面に感光性フィルムレジスト（旭化成エレクトロニクス（株）製 サンフォートＳＰＧ１５２）をラミネートし、所望のパターンで露光、現像することにより、スルーホールが露出するようにレジスト膜を形成した。
次いで、下地導電層を給電層として、実施例２で使用したのと同じフィルドめっき液を使用し電解めっき（平均電流密度１Ａ／ｄｍ2）を５時間行うことにより、下地導電層を形成した面からスルーホール内に一方向に銅を析出、成長させ、スルーホール内に銅を完全に充填した。
次に、レジスト膜を花王（株）製 クリンスルーＫＳ７４０５を用いて除去し、また、露出している下地導電層を除去した。この下地金属層の除去は、まず、過硫酸ナトリウム溶液にて銅薄膜を除去し、次いで、三菱ガス化学（株）製 ＷＬＣ−Ｔを用いてチタン薄膜を除去した。次いで、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図２に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例４］
下地導電層の形成を、スパッタリング法から蒸着法に切り換えて、チタンからなる厚み３０ｎｍの層と、銅からなる厚み２００ｎｍの層との積層である下地導電層を形成し、また、下記組成のフィルドめっき液を使用した他は、実施例３と同様にして、フィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図２に示されるようなコア基板）が得られた。
（フィルドめっき液の組成）
・荏原ユージライト（株）製ＣＵ−ＢＲＩＴＥ ＶＦII Ａ … ５０ｍＬ／Ｌ
・荏原ユージライト（株）製ＣＵ−ＢＲＩＴＥ ＶＦII Ｂ … ４ｍＬ／Ｌ
・硫酸 … ５０ｇ／Ｌ
・硫酸銅 … ２００ｇ／Ｌ
・塩酸 … ４０ｇ／Ｌ
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例５］
まず、実施例１と同様のコア材を使用し、実施例１と同様にして、コア材にスルーホールを形成した。
次に、コア材を洗浄後、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第１の絶縁膜をコア材の両面とスルーホールの内壁面に形成した。
次に、上記の第１の絶縁膜上に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み３０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。次いで、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第２の絶縁膜を形成した。
次に、実施例３と同様に、下地導電層を形成し、スルーホールが露出するようにレジスト膜を形成し、下地導電層を給電層として、実施例２で使用したのと同じフィルドめっき液を使用して、スルーホール内に銅を完全に充填した。
次に、レジスト膜を除去し、また、露出している下地導電層を除去した。次いで、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図２に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例６］
下地導電層の形成を、スパッタリング法から蒸着法に切り換えて、チタンからなる厚み３０ｎｍの層と、銅からなる厚み２００ｎｍの層との積層である下地導電層を形成し、また、フィルドめっき液として、実施例４で使用したのと同じフィルドめっき液を使用した他は、実施例５と同様にして、フィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図２に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例７］
まず、実施例１と同様のコア材を使用し、実施例１と同様にして、コア材にスルーホールを形成した。
次に、コア材に熱酸化（１０５０℃、２０分間）を施して、厚み８００ｎｍの第１の絶縁膜をコア材の両面とスルーホールの内壁面に形成した。
次に、上記の第１の絶縁膜上に、さらに、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第２の絶縁膜を形成した。次いで、この第２の絶縁膜上に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み３０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。その後、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第３の絶縁膜を形成した。
次に、蒸着法を用いて、チタンからなる厚み３０ｎｍの層と、銅からなる厚み２００ｎｍの層との積層である下地導電層を形成し、その後、実施例４と同様に、スルーホールが露出するようにレジスト膜を形成し、下地導電層を給電層として、実施例４で使用したのと同じフィルドめっき液を使用して、スルーホール内に銅を完全に充填した。
次に、レジスト膜を除去し、また、露出している下地導電層を除去した。次いで、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図３に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例８］
まず、実施例１と同様にコア材を用いて、ＩＣＰ−ＲＩＥによりドライエッチングを行い複数の微細孔を形成した。この微細孔の深さは約３５０μｍとした。
次に、このコア材に熱酸化（１０５０℃、２０分間）を施して、厚み８００ｎｍの第１の絶縁膜をコア材の両面と微細孔の内壁面に形成した。
次に、上記の第１の絶縁膜上に、さらに、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第２の絶縁膜を形成した。次いで、この第２の絶縁膜上に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み３０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。その後、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの第３の絶縁膜を形成した。
次に、実施例２と同様に、下地導電層を形成し、微細孔が露出するようにレジスト膜を形成し、下地導電層を給電層として、実施例２で使用したのと同じフィルドめっき液を使用して、スルーホール内に銅を完全に充填した。
次に、実施例２と同様に、レジスト膜を除去し、露出している下地導電層を除去し、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去し、その後、コア材の裏面を研磨して、微細孔を露出させてスルーホールを形成した。
次いで、実施例２と同様に、研磨により露出したコア材面に酸化シリコンからなる絶縁膜（厚み１００ｎｍ）を形成し、この絶縁膜に、スルーホール内に充填された銅が露出するように開口を形成した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図４に示されるようなコア基板（但し、導電性物質拡散防止層２５の両面に絶縁膜を備える））が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［実施例９］
まず、実施例１と同様のコア材を使用し、実施例１と同様にして、コア材にスルーホールを形成した。
次に、コア材の両面とスルーホールの内壁面に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み３０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。次いで、この導電性物質拡散防止層を被覆するように、プラズマＣＶＤにより、二酸化珪素からなる厚み１μｍの絶縁膜を形成した。
次に、絶縁膜上に銅からなる厚み２００ｎｍの下地導電層を蒸着法により形成し、その後、コア材の両面に感光性フィルムレジスト（旭化成エレクトロニクス（株）製 サンフォートＳＰＧ１５２）をラミネートし、所望のパターンで露光、現像することにより、スルーホールが露出するようにレジスト膜を形成した。
次いで、下地導電層を給電層として、実施例２で使用したのと同じフィルドめっき液を使用し電解めっき（平均電流密度１Ａ／ｄｍ2）を５時間行うことにより、スルーホール内に銅を完全に充填した。
次に、レジスト膜を花王（株）製 クリンスルーＫＳ７４０５を用いて除去し、また、露出している下地導電層を過硫酸ナトリウム溶液により除去した。次いで、コア材から突出している余分な銅被膜を研磨して除去した。これにより、スルーホール内に充填されたフィルドめっき銅による表裏の導通がとられたコア基板（図１に示されるようなコア基板）が得られた。
次に、実施例１と同様に、コア基板上に２層以上の配線を形成して、所望の多層配線基板を作製した。
［比較例１］
導電性物質拡散防止層と絶縁膜の形成順序を逆にして下記のように形成した他は、実施例２と同様にして、コア基板を作製し、その後、多層配線基板を作製した。
すなわち、微細孔を設けたコア材に熱酸化（１０５０℃、２０分間）を施して、厚み８００ｎｍの絶縁膜をコア材の両面と微細孔の内壁面に形成した。次いで、この絶縁膜上に、ＭＯ−ＣＶＤにより、窒化チタンからなる厚み１０ｎｍの導電性物質拡散防止層を形成した。
［比較例２］
第２の絶縁膜を形成しない他は、実施例５と同様にして、コア基板を作製し、その後、多層配線基板を作製した。
［評 価］
実施例１〜９、比較例１〜２で作製したコア基板について、下記の基準で良品判定を行い、結果を下記の表１に示した。
（良品判定の基準）
○ ： スルーホール（微細孔）に充填された直後の導電性物質が、レジスト膜の
開口パターンと同一であり、また、コア材上の余分な導電性物質を除去し
た後のコア材上の絶縁膜、導電性物質拡散防止層に損傷がみられない。
× ： スルーホール（微細孔）に充填された導電性物質が、レジスト膜の下方に
侵入して、レジスト膜の開口パターンと異なる形状でコア材面に形成され
、コア材上の余分な導電性物質を除去した後のコア材上の絶縁膜、導電性
物質拡散防止層に損傷がみられる。
また、作製した多層配線基板（実施例１〜９、比較例１〜２）に、下記の環境試験を施し、その後、各配線の接続を確認して結果を下記の表１に示した。
（環境試験）
−５５℃の条件で１５分放置し、その後、１２５℃の条件で１５分間放置する
ことを１０００サイクル繰り返す。
Figure 0004564342
種々の多層配線基板、電子機器等の製造において有用である。
本発明の多層配線基板の一実施形態を示す部分縦断面図である。 本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。 本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。 本発明の多層配線基板の他の実施形態を示す部分縦断面図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
符号の説明
１，１′，１″，２１…多層配線基板
２，２２…コア基板
２′，２２′…コア材
４，２４…スルーホール
４′，２４′…微細孔
５，２５…導電性物質拡散防止層
６，６ａ，６ｂ，６ｃ，２６…絶縁膜
７，２７…下地導電層
８，２８…導電性物質
２３…絶縁膜
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１５，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３５…電気絶縁層
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１６，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３６…配線
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１７，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３７…ビア部
９，２９…マスクパターン
１０，１０ａ，１０ｂ，３０…レジスト膜

Claims (19)

  1. コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板において、
    コア基板はシリコンコア基板であり、導電性物質が充填され表裏の導通がなされた複数のスルーホールを備え、前記スルーホールは開口径が１０〜１００μｍの範囲内であり、前記スルーホール内壁面に第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜がこの順に積層されており、第１の絶縁膜はシリコンコア基板の熱酸化により形成した酸化珪素膜であり、前記第２の絶縁膜を介して導電性物質が前記スルーホール内に充填されており、電気絶縁層を介してコア基板上に形成された１層目の配線は、前記スルーホール内の前記導電性物質にビアを介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
  2. 第２の絶縁膜は、二酸化珪素薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
  3. コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板において、
    コア基板はシリコンコア基板であり、導電性物質が充填され表裏の導通がなされた複数のスルーホールを備え、前記スルーホールは開口径が１０〜１００μｍの範囲内であり、前記スルーホール内壁面に第１の絶縁膜、第２の絶縁層、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜がこの順に積層されており、第１の絶縁膜はシリコンコア基板の熱酸化により形成した酸化珪素膜であり、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜の成分が同じであり、前記第３の絶縁膜を介して導電性物質が前記スルーホール内に充填されており、電気絶縁層を介してコア基板上に形成された１層目の配線は、前記スルーホール内の前記導電性物質にビアを介して接続されていることを特徴とする多層配線基板。
  4. 第２の絶縁膜、第３の絶縁膜は、二酸化珪素薄膜であることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
  5. 前記導電性物質拡散防止層は、窒化チタン薄膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の多層配線基板。
  6. 前記導電性物質は、電解めっきによりスルーホール内に形成された銅であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の多層配線基板。
  7. 前記導電性物質は、スルーホール内に充填された導電性ペーストであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の多層配線基板。
  8. 前記スルーホールの開口径は、１０〜７０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の多層配線基板。
  9. 前記コア基板の厚みは、５０〜７２５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の多層配線基板。
  10. コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、
    コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、
    前記微細孔の内壁面を含むシリコンコア材表面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、その後、少なくとも微細孔の内壁面に位置する絶縁膜上に下地導電層を形成する工程と、
    前記微細孔内を除く前記シリコンコア材上に所望のレジスト膜を形成し、前記下地導電層を給電層として前記微細孔内に電解めっきにより導電性物質を充填する工程と、
    前記レジスト膜を除去し、前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させることによりスルーホールを形成し、前記導電性物質によりスルーホールを介した表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、
    該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、
    絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
  11. 前記下地導電層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うことを特徴とする請求項１０に記載の多層配線基板の製造方法。
  12. コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、
    コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、
    前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させスルーホールを形成する工程と、
    少なくとも前記スルーホールの内壁面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程と、
    前記スルーホール内に導電性物質を充填して表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、
    該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、
    絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
  13. 前記絶縁膜および前記導電性物質拡散防止層を形成する工程では、スルーホールの内壁面を含むシリコンコア材表面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成した後に、少なくともスルーホールの内壁面に位置する絶縁膜上に下地導電層を形成し、また、スルーホール内に導電性物質を充填する工程では、前記スルーホール内を除く前記コア材上に所望のレジスト膜を形成し、電解めっきにより導電性物質を充填することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
  14. 前記下地導電層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うことを特徴とする請求項１３に記載の多層配線基板の製造方法。
  15. コア基板上に電気絶縁層を介して２層以上の配線を有する多層配線基板の製造方法において、
    コア基板用のシリコンコア材の一方の面から、プラズマを利用したドライエッチングにより開口径が１０〜１００μｍの範囲内にある微細孔を所定の深さまで穿設する工程と、
    前記シリコンコア材の他方の面を研磨して前記微細孔を露出させスルーホールを形成する工程と、
    前記シリコンコア材の両面と前記スルーホールの内壁面に、導電性物質拡散防止層が絶縁膜で被覆されるように絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、その後、前記シリコンコア材の一方の全面に下地導電層を形成する工程と、
    前記下地導電層上と前記シリコンコア材の反対面の前記絶縁膜上に所望のレジスト膜を形成し、前記下地導電層を給電層として電解めっきにより前記スルーホール内に導電性物質を充填して表裏の導通がとられたシリコンコア基板とする工程と、
    該シリコンコア基板上に、スルーホール内に充填された導電性物質に接続するようにビアを形成すると同時に、電気絶縁層を介した１層目の配線を形成する工程と、を有し、
    絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、第１の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第２の絶縁膜の順に積層する方法、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、導電性物質拡散防止層、第３の絶縁膜の順に積層する方法のいずれかを用いて絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成し、前記第１の絶縁膜の形成は、シリコンコア基板の熱酸化を利用して行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
  16. 前記下地導電層の形成は、蒸着法、スパッタリング法のいずれかにより行うことを特徴とする請求項１５に記載の多層配線基板の製造方法。
  17. 絶縁膜および導電性物質拡散防止層を形成する工程では、前記第２の絶縁膜、第３の絶縁膜の形成は、プラズマＣＶＤ法を利用して行うものであることを特徴とする請求項１０乃至請求項１６のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
  18. 前記導電性物質拡散防止層の形成は、ＭＯ−ＣＶＤ法により行うことを特徴とする請求項１０乃至請求項１７のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
  19. 前記微細孔を、その開口径が１０〜７０μｍの範囲内となるように形成することを特徴とする請求項１０乃至請求項１８のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
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