JP2014013810A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ベース基板と、前記ベース基板の第１面に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層上に設けられたパッド電極と、を有する基板であって、
   前記ベース基板の前記第１面の反対側の第２面から前記ベース基板、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通して前記パッド電極に達する孔が形成されており、
   前記パッド電極に接続されており、前記孔に設けられた導電体を有し、
   前記第１絶縁層における前記孔の径は、前記第２絶縁層における前記孔の径よりも大きく、
   前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とが互いに異なる材料で形成され、且つ、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層とが互いに異なる材料で形成されていることを特徴とする基板。
2. 前記第２絶縁層における前記孔の径は、前記第３絶縁層における前記孔の径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の基板。
3. 前記孔において、前記導電体と前記ベース基板との間に設けられた第４絶縁層を有し、
   前記第２絶縁層のうち前記第４絶縁層に接触する部分は、前記孔の中心に向かうにつれて厚みが薄くなることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
4. 前記第３絶縁層のうち前記第４絶縁層に接触する部分は、前記孔の中心に向かうにつれて厚みが薄くなることを特徴とする請求項３に記載の基板。
5. 前記第２絶縁層は、金属酸化物で形成され、
   前記第１絶縁層は、半導体酸化物または半導体窒化物で形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板と、
   前記ベース基板の前記第１面側に形成された素子回路と、
   前記導電体に接続されており、前記ベース基板の前記第２面側に形成された再配線層と、を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
8. ベース基板の第１面に第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層と異なる材料で第２絶縁層を形成する工程と、
   前記第２絶縁層上に、前記第２絶縁層と異なる材料で第３絶縁層を形成する工程と、
   前記第３絶縁層上にパッド電極を形成する工程と、
   前記ベース基板の前記第１面の反対側の第２面から前記ベース基板、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通して前記パッド電極に達する孔を形成する工程と、
   前記孔において、前記ベース基板、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を覆う第４絶縁層を形成する工程と、
   前記孔の前記第４絶縁層に覆われた領域に、前記パッド電極に接続する導電体を形成する工程と、を有し、
   前記孔を形成する工程において、前記第１絶縁層における前記孔の径を、前記第２絶縁層における前記孔の径よりも大きく形成することを特徴とする基板の製造方法。
9. 前記孔を形成する工程において、前記第２絶縁層における前記孔の径を、前記第３絶縁層における前記孔の径よりも大きく形成することを特徴とする請求項８に記載の基板の製造方法。
10. 前記孔を形成する工程において、ドライエッチングによって前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を除去することを特徴とする請求項８又は９に記載の基板の製造方法。
11. 前記第２絶縁層を形成する工程において、前記第１絶縁層とドライエッチングレートが異なる材料で前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の基板の製造方法。
12. 前記第３絶縁層を形成する工程において、前記第２絶縁層とドライエッチングレートが異なる材料で前記第３絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板の製造方法